CN119040818B - 工艺腔室及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括：腔体、基座、沉积环、遮挡环和第一升降装置；所述基座、所述沉积环和所述遮挡环均设于所述腔体内，所述沉积环环绕所述基座设置，所述遮挡环可升降地设于所述腔体的内衬，且所述遮挡环的至少部分延伸至所述基座的边缘区域；所述第一升降装置包括多个第一升降件，多个所述第一升降件分别与所述遮挡环连接，用于带动所述遮挡环靠近或远离所述基座用于承载晶圆的承载面。本申请能够解决晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度不一致等问题。

Description

工艺腔室及半导体工艺设备

技术领域

本申请属于半导体装备技术领域，具体涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

随着集成电路制造工艺的特征尺寸的不断缩小，单位面积上晶体管电路的数量倍增，功能也随之越显强大。然而在集成密度大幅提高的同时，热源开始在芯片上形成了集中的现象，芯片的超薄化是降低器件热阻，做好器件的散热和冷却的重要方法。在晶圆上的集成电路制作完成后，需要对硅片进行背面减薄，使其达到所需的厚度。

相关技术中的反应腔室，在对晶圆进行工艺过程中，无法保证整个靶材周期内，晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度的一致性，从而影响产品性能。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种工艺腔室，能够解决晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度不一致等问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括：腔体、基座、沉积环、遮挡环和第一升降装置；

所述基座、所述沉积环和所述遮挡环均设于所述腔体内，所述沉积环环绕所述基座设置，所述遮挡环可升降地设于所述腔体的内衬，且所述遮挡环的至少部分延伸至所述基座的边缘区域；

所述第一升降装置包括多个第一升降件，多个所述第一升降件分别与所述遮挡环连接，用于带动所述遮挡环靠近或远离所述基座用于承载晶圆的承载面。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，包括上述工艺腔室。

本申请实施例中，通过第一升降装置的第一升降件可以带动遮挡环靠近或远离基座上的晶圆表面，以调节遮挡环与晶圆表面之间的距离，如此，在工艺过程中，随着靶材寿命的消耗，会使遮挡环表面产生反应物，影响遮挡环的遮挡效果，而通过第一升降件可以带动遮挡环靠近或远离晶圆表面(或，靶材)，从而可以通过不同位置的遮挡环实现不同的遮挡效果，以满足不同遮挡要求的工艺；并且，通过调节遮挡环的位置，还可以保证整个靶材寿命遮挡效果的一致性，从而可以保证薄膜边缘厚度的一致性，进而提高产品性能。

附图说明

图1为本申请实施例公开的工艺腔室处于工艺状态下的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的工艺腔室处于非工艺状态下的结构示意图；

图3为本申请实施例公开的遮挡环的结构示意图；

图4为本申请实施例公开的遮挡环的局部示意图；

图5为本申请实施例公开的沉积环的结构示意图；

图6为本申请实施例公开的沉积环的局部示意图；

图7为本申请实施例公开的遮挡环与晶圆表面之间为不同距离时，遮挡环的遮挡效果示意图。

附图标记说明：

100-腔体；110-内衬；

200-基座；210-承载面；

300-沉积环；310-避让孔；

400-遮挡环；410-环形板；411-定位孔；420-环形槽；

500-第一升降装置；510-第一升降件；520-第一升降驱动机构；530-第一升降座；

600-第二升降装置；610-第二升降件；620-第二升降驱动机构；630-第二升降座；

700-磁控溅射装置；710-磁控管；720-靶材；730-电机。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。

一些相关技术中，通过改变压环直径的方式来实现压环对晶圆的边缘进行遮挡，从而满足工艺需求。然而，随着靶材的逐渐消耗，该种形式无法保证整个靶材周期内晶背或晶圆正面边缘的薄膜的范围及厚度一致，且无法实时调节晶背或晶圆正面边缘的薄膜的范围及厚度。

另一些相关技术中，在底座设置凹槽，并在压环对应凹槽的位置处设置定位销，通过定位可以保证工艺过程中压环的同心度不会随着压环的移动发生偏移，并且通过紧固件将压环固定在底座上。然而，该种形式无法通过调节压环来实现对晶背或晶圆正面边缘的薄膜的范围及厚度进行调节。

为了实现对晶背或晶圆正面边缘的薄膜的范围及厚度进行调节，从而提高晶背或晶圆正面边缘处薄膜后的一致性，进而提高产品性能，本申请实施例提出了一种改进后的工艺腔室，以克服上述问题。

参考图1至图7，本申请实施例公开了一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其中，半导体工艺设备可以为薄膜沉积工艺设备等，当然，还可以是其他设备，此处不作具体限定。所公开的工艺腔室包括腔体100、基座200、沉积环300、遮挡环400和第一升降装置500。

腔体100为工艺腔室的基础构件，其可以为基座200、沉积环300、遮挡环400、第一升降装置500等构件提供安装基础。一些实施例中，基座200、沉积环300和遮挡环400均设于腔体100内，一方面通过腔体100可以为基座200、沉积环300和遮挡环400提供容纳空间，另一方面还可以对基座200、沉积环300和遮挡环400起到防护作用。

基座200用于承载晶圆，其中，基座200的上表面可以作为承载面210，用于放置并支撑晶圆，以便于使被传入腔体100内的晶圆能够在承载面210上进行工艺处理。一些实施例中，基座200可以包括底盘和设于底盘上部的承载盘，底盘用于承载和固定承载盘，承载盘用于承载晶圆。

沉积环300环绕基座200设置。一些实施例中，底盘的直径大于承载盘的直径，使得底盘的边缘凸出于承载盘的边缘，而沉积环300则设置于底盘的边缘上，并套设在承载盘的外围，从而可以对底盘的边缘进行遮挡，以防止在底盘的边缘沉积出薄膜。示例性地，沉积环300可以包括位于内缘的第一环凸和位于外缘的第二环凸，第一环凸与第二环凸之间形成环槽，在沉积环300置于基座200时，第一环凸环绕在基座200的周围，且第一环凸的端面略低于基座200的承载面210，以保证晶圆能够与承载面210充分接触，而第二环凸的端面略高于基座200的承载面210，在一定程度上可以对晶圆起到一定的径向限位作用。

遮挡环400可以起到遮挡反应物的作用，以防止反应物(如，沉积粒子等)进入腔体100的底部区域而造成污染。一些实施例中，腔体100内设有内衬110，该内衬110环设在基座200的周围，以对腔体100的位于基座200周围的内壁进行遮挡，从而可以有效防止反应物与腔体100的内壁接触而使内壁造成污染。并且，内衬110的内缘与基座200及沉积环300之间具有间隙，如此，可以通过遮挡环400对内衬110的内缘与基座200及沉积环300之间的间隙进行遮挡，从而可以有效防止反应物通过间隙进入到腔体100的下部区域而造成污染。基于此，遮挡环400可以设于腔体100的内衬110，以通过内衬110对遮挡环400起到支撑作用。

并且，遮挡环400还可以用于对晶圆的边缘起到遮挡作用，以使晶圆在进行半导体工艺过程中对保护晶圆的边缘区域不被反应物污染。基于此，遮挡环400的至少部分延伸至基座200的边缘区域，以对基座200的边缘区域进行遮挡，从而可以对置于基座200上的晶圆的对应区域进行遮挡，以保护半导体工艺过程中晶圆的对应区域不被反应物污染。

为了调节遮挡环400与基座200或晶圆之间的相对距离，遮挡环400可升降地设于内衬110，如此，在非工艺状态下，通过内衬110对遮挡环400进行承载，而在工艺状态下，可以使遮挡环400与内衬110分离，以保证工艺气体可以从遮挡环400与内衬110之间的空隙到达晶圆表面，并且，使遮挡环400与晶圆之间具有适当的距离，以满足工艺需求。

本申请实施例中，通过第一升降装置500带动遮挡环400进行升降，以调节遮挡环400与基座200所承载的晶圆之间的距离。一些实施例中，第一升降装置500可以包括多个第一升降件510，多个第一升降件510分别与遮挡环400连接，用于带动遮挡环400靠近或远离基座200用于承载晶圆的承载面210。基于此，通过多个第一升降件510带动遮挡环400升降而实现对遮挡环400与承载面210之间的距离，进一步对遮挡环400与承载面210上的晶圆之间的距离进行调节，以满足不同工况下的工艺需求。示例性地，第一升降件510可以为顶针、顶杆、柱状结构等，其具体形状不作具体限定。

一些实施例中，第一升降装置500可以受到控制模块的控制作用，以便于在控制模块的控制作用下，使多个第一升降件510进行运动，从而通过多个第一升降件510带动遮挡环400靠近或远离基座200的承载面210，以及位于承载面210上的晶圆，进而可以改变遮挡环400对晶圆的遮挡效果。

此处需要说明的是，可以是第一升降装置500包含上述控制模块，还可以是半导体工艺设备的控制系统包含上述控制模块；另外，控制模块的具体结构及其工作原理均可参考相关技术。总而言之，只要能够实现对多个第一升降件510进行控制即可，具体方形式不作限定。

本申请实施例中，通过第一升降装置500的第一升降件510可以带动遮挡环400靠近或远离基座200上的晶圆表面，以调节遮挡环400与晶圆表面之间的距离，如此，在工艺过程中，随着靶材720寿命的消耗，会使遮挡环400产生反应物，导致遮挡环400的内径逐渐变小，影响遮挡环400的遮挡效果，而通过第一升降件510可以带动遮挡环400靠近或远离晶圆表面(或，靶材720)，从而可以通过不同位置的遮挡环400实现不同的遮挡效果，以满足不同遮挡要求的工艺；并且，通过调节遮挡环400的位置，还可以保证整个靶材720寿命遮挡效果的一致性，从而可以保证薄膜边缘厚度的一致性，进而提高产品性能。

为避免沉积环300对第一升降件510的升降运动造成干涉，如图5和图6所示，沉积环300的外缘可以设有多个避让孔310，多个避让孔310沿沉积环300的周向排布，且多个第一升降件510一一对应且可移动地穿过多个避让孔310。通过避让孔310的设置，一方面可以保证第一升降件510可以顺利地穿过并与遮挡环400连接，以避免沉积环300与第一升降件510之间产生干涉作用而影响遮挡环400的升降，另一方面避让孔310对第一升降件510还具有导向作用，从而可以有效防止第一升降件510倾斜而导致遮挡环400发生位置移动，进而可以保证遮挡环400的位置精度。

示例性地，避让孔310可以开设在第二环凸上，以避免基座200上放置晶圆后对避让孔310产生遮挡，从而保证了第一升降件510与晶圆之间不会产生干涉作用。

此处需要说明的是，沉积环300置于基座200的底盘上，而环绕在承载盘的外围，此种情况下，为避免基座200的底盘对第一升降件510造成干涉，还可以在底盘上开设多个通孔，每个通孔与每个避让孔310相对设置，如此，可以使每个第一升降件510依次穿过对应的通孔和避让孔310后，与遮挡环400连接，从而有效防止第一升降件510的升降运动受到其他结构件的干涉，保证了第一升降件510能够带动遮挡环400进行升降运动。

参考图3和图4，在一些实施例中，遮挡环400可以包括环形板410和环形槽420，环形槽420设于环形板410面向承载面210的一侧，并位于环形板410的外缘处，环形板410的内缘与承载面210的外缘至少部分重合，环形槽420与内衬110的局部相适配。本申请实施例中，环形板410起到遮挡作用，可以对内衬110与基座200或沉积环300之间的间隙进行遮挡，并且还可以对基座200的外缘局部区域进行遮挡，从而可以有效防止反应物到达腔体100的下部区域以及承载于基座200上的晶圆的局部区域。环形槽420用于与内衬110装配，以通过内衬110对遮挡环400起到承载作用。

示例性地，环形槽420可以直接开设在环形板410面向承载面210的一侧，当然，还可以是在环形板410面向承载面210的一侧额外形成环形槽420。

一种较为具体地实施例中，环形板410面向承载面210的一侧的外缘处可以设有第三环凸和第四环凸，第三环凸与第四环凸在遮挡环400的径向相互间隔，形成环形槽420。

另一种较为具体的实施例中，环形板410面向承载面210的一侧的外缘处可以设有环形凸块，环形凸块背离环形板410的端面开设环形槽420。

为实现遮挡环400与内衬110的配合安装，内衬110的内缘可以设有第五环凸，该第五环凸用于与环形槽420相配合。具体地，在非工艺情况下，遮挡环400处于低位，此时，第五环凸与环形槽420配合，一方面可以实现对遮挡环400的承载作用，另一方面还可以缓解遮挡环400随意移动的问题，进一步提高遮挡环400的位置精度。

本申请实施例中，通过环形槽420与内衬110的配合，可以在配合处形成迷宫通道，以通过迷宫通道实现对工艺气体的传输，从而可以保证工艺气体能够更加均匀地到达晶圆表面进行工艺反应。

参考图1和图2，在一些实施例中，环形板410的内缘区域且背离承载面210的表面，自环形板410的外缘向内缘的方向逐渐向靠近承载面210的方向倾斜延伸，通过该种设置，可以使环形板410的内缘区域适应反应粒子的运动轨迹，从而可以对反应粒子的运动起到一定的导向作用，使反应粒子更加顺畅地运动至晶圆表面。另外，该种设置还可以使环形板410的内缘区域的边缘处厚度尺寸较小，不易在内缘区域的端面形成薄膜，从而可以有效缓解工艺过程中遮挡环400在内缘区域的边缘处形成薄膜而导致遮挡环400内径逐渐减小的问题。

为提高遮挡环400的位置精度，遮挡环400面向承载面210的一侧还可以设有多个定位孔411，如图3和图4所示，多个定位孔411沿遮挡环400的周向排布，且多个第一升降件510一一对应地穿设于多个定位孔411。通过第一升降件510与定位孔411的配合，一方面可以实现遮挡环400的稳定升降，另一方面还可以保证遮挡环400在升降过程中不会产生径向移动，从而保证了遮挡环400的位置精度，进一步保证了遮挡环400与基座200或靶材720之间的同心度，以提高工艺精度。

本申请实施例中，在半导体工艺状态下，遮挡环400面向承载面210的表面与承载面210之间的距离范围可以是0mm至10mm，例如包括，0mm、2mm、4mm、5mm、8mm、10mm等，当然，还可以是其他距离，此处不作具体限定。

此处需要说明的是，在半导体工艺过程中，需要消耗靶材720寿命，随着靶材720寿命的变化，会对晶圆表面薄膜的厚度造成影响，如此，通过调节遮挡环400面向承载面210的表面与承载面210之间的距离，来适应靶材720的消耗，从而提高晶圆表面薄膜厚度的一致性，以保证产品性能。

一些实施例中，在半导体工艺过程中的靶材720初期，通过多个第一升降件510将遮挡环400调节至相对承载面210(或晶圆表面)相对较高的位置，例如，5mm至8mm等，以在靶材720初期使遮挡环400面向承载面210的表面与承载面210之间的距离满足工艺需求。随着靶材720寿命的消耗，通过多个第一升降件510逐渐减小遮挡环400面向承载面210的表面与承载面210之间的距离，当靶材720消耗一定程度时，例如，900kwh，第一升降件510将遮挡环400调节至遮挡环400面向承载面210的表面与承载面210之间的距离为0mm。基于上述过程，通过对遮挡环400位置的调节，可以保证整个靶材720寿命消耗过程中遮挡环400对于反应粒子的遮挡效果基本一致，在一定程度上可以提高晶圆表面薄膜边缘厚度的一致性；并且，通过对遮挡环400位置的调节，还可以实现不同的遮挡效果，从而满足不同的正面遮挡要求的工艺以及有无晶背的切换。此处需要说明的是，晶圆背面有薄膜沉积到表面为有晶背，晶圆背面无薄膜沉积到表面为无晶背。本申请实施例中，上述工艺过程中对于遮挡环400的位置调节可以受到控制模块的控制作用，以保证遮挡环400的调节参数，如调节调节速度、调节频率、调节距离等能够满足工艺需求。

此处需要说明的是，靶材720消耗指的是靶材720使用寿命的减少，其中，靶材720消耗可以通过计算机软件进行读取，该读取原理及过程可以参考相关技术，此处不作详细阐述。靶材720使用寿命为每次工艺的时间与工艺时能量的乘积的总和，其计数单位为kwh。随着靶材720寿命的消耗，遮挡环400上的反应物越多，会导致遮挡环400的内径逐渐变小，遮挡效果增强；而通过第一升降装置500可以带动遮挡环400降低，使遮挡环400与晶圆之间的距离减小，从而可以减小遮挡效果。因此，随着靶材720寿命的消耗，可以通过逐渐减小遮挡环400与晶圆(或基座200)之间的距离来保证整个靶材720寿命消耗过程中晶圆表面薄膜厚度的一致性。

参考图1和图2，为实现第一升降件510的升降运动，第一升降装置500还可以包括第一升降驱动机构520和第一升降座530，其中，第一升降座530位于腔体100内，多个第一升降件510分别连接于第一升降座530，第一升降驱动机构520至少部分延伸至腔体100内，并与第一升降座530连接。通过该种设置，在第一升降驱动机构520的驱动作用下，第一升降座530可以在腔体100内沿工艺腔室的轴向升降运动，带动多个第一升降件510同步升降，并由多个第一升降件510带动遮挡环400进行升降，从而实现对遮挡环400相对于承载面210位置的调节，以满足不同工况下的位置需求。

示例性地，第一升降驱动机构520可以包括气缸、液压缸、电动缸等直线驱动件，而第一升降座530可以采用板件结构，通过板件结构可以布置多个第一升降件510，在一定程度上可以提高遮挡环400在升降过程中的稳定性。

为满足不同工况下的需求，基座200可以在腔体100内进行升降运动，以实现工艺位置与非工艺位置的切换。基于此，工艺腔室还可以包括第二升降装置600，第二升降装置600与基座200连接，用于带动基座200升降运动，以满足不同工况下对于基座200位置的需求。

参考图1和图2，一些实施例中，第二升降装置600可以包括多个第二升降件610、第二升降座630和第二升降驱动机构620，其中，多个第二升降件610各自的一端分别与基座200连接，各自的另一端分别与第二升降座630连接，第二升降驱动机构620至少部分延伸至腔体100内，并与第二升降座630连接。通过上述设置，在第二升降驱动机构620的驱动作用下，第二升降座630可以在腔体100内沿工艺腔室的轴向升降运动，带动多个第二升降件610同步升降，并由多个第二升降件610带动基座200进行升降，从而实现对基座200位置的调节，以满足工艺状态下与非工艺装下对于基座200位置的需求。

示例性地，第二升降驱动机构620可以包括气缸、液压缸、电动缸等直线驱动件，而第二升降座630可以采用板件结构，通过板件结构可以布置多个第二升降件610，在一定程度上可以提高基座200在升降过程中的稳定性。

继续参考图1和图2，在一些实施例中，多个第一升降件510位于第一圆周上，多个第二升降件610位于第二圆周上，且第一圆周的直径大于第二圆周的直径。通过该种设置，可以保证第一升降件510的升降运动与第二升降件610的升降运动互相独立而互不干涉，保证了遮挡环400和基座200各自升降运动的顺畅性。

示例性地，多个第一升降件510所在圆周的直径的范围可以是310mm至320mm，而多个第二升降件610所在圆周的直径的范围可以是250mm至270mm，如此，可以保证第一升降件510与第二升降件610互不干涉。当然，还可以采用其他排布方式，此处不作具体限定。

此处需要说明的是，由于多个第一升降件510位于外侧，多个第二升降件610位于内侧，而多个第一升降件510的底端分别连接至第一升降座530，为避免第二升降件610与第一升降座530发生运动干涉，第一升降座530可以开设多个通孔，多个第二升降件610分别可移动地穿过多个通孔，以保证第二升降件610与第一升降座530之间不会发生运动干涉。

参考图1和图2，在一些实施例中，半导体工艺设备可以为磁控溅射设备，此种情况下，工艺腔室还可以包括磁控溅射装置700，该磁控溅射装置700可以包括磁控管710、靶材720和上电极组件，其中，靶材720设于腔体100内并位于基座200的上方，且靶材720与腔体100的顶壁之间隔离出密封腔室，磁控管710连接于腔体100的顶壁，并位于密闭腔室内，上电极组件用于为靶材720施加电压。另外，磁控溅射装置700还可以包括电机730，该电机730与磁控管710连接，以带动磁控管710旋转，从而可以提高此处的均匀性。

在实际的磁控溅射工艺过程中，上电极组件对靶材720施加偏压，使其相对于接地的腔体100成为负偏压，以致工艺气体例如氩气等放电而产生等离子体，且负偏压同时能将带正电的氩离子吸引至靶材720，当氩离子的能量足够高并在由磁控管710的磁场作用下轰击靶材720时，会使金属原子逸出靶材720的表面，并通过扩散沉积在晶圆上，从而实现对晶圆的磁控溅射工艺处理。

本申请实施例中，针对不同的背面工艺(即，晶圆背面有或无薄膜沉积，晶圆背面距离晶圆边缘一定距离有薄膜沉积)，以及正面去边工艺(即，晶圆正面距离晶圆边缘一定距离没有沉积薄膜，或者晶圆正面距离晶圆边缘一定距离有一定厚度要求的薄膜沉积)，通过第一升降机构的多个第一升降件510带动遮挡环400升降运动，以改变升降环面向承载面210的表面与承载面210之间的距离，从而实现不同的遮挡效果，满足工艺需求。

参考图7，其为遮挡环400与晶圆表面之间为不同距离条件下，沉积厚度为800nm的Al薄膜的厚度的轮廓度，厚度共测试49个点，其中，第1个点为晶圆的中心点，第2-9个点为次内圈上的点，第10-24个点为次外圈上的点，第25-49个点为距离晶圆边缘3mm的最外圈上的点。从图中可以看出，随着晶圆距离遮挡环400面之间距离的增加，如，从1mm增加到3mm，遮挡环400的遮挡效果逐渐增强，晶圆最外圈边缘薄膜的厚度逐渐减小。

基于上述工艺腔室，本申请实施例还公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括上述工艺腔室。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (11)

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室包括：腔体(100)、基座(200)、沉积环(300)、遮挡环(400)和第一升降装置(500)；

所述基座(200)、所述沉积环(300)和所述遮挡环(400)均设于所述腔体(100)内，所述沉积环(300)环绕所述基座(200)设置，所述遮挡环(400)可升降地设于所述腔体(100)的内衬(110)，且所述遮挡环(400)的至少部分延伸至所述基座(200)的边缘区域；

所述第一升降装置(500)包括多个第一升降件(510)，多个所述第一升降件(510)分别与所述遮挡环(400)连接，用于带动所述遮挡环(400)靠近或远离所述基座(200)用于承载晶圆的承载面(210)。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述沉积环(300)的外缘设有多个避让孔(310)，多个所述避让孔(310)沿所述沉积环(300)的周向排布；

多个所述第一升降件(510)一一对应且可移动地穿过多个所述避让孔(310)。

3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述遮挡环(400)包括环形板(410)和环形槽(420)，所述环形槽(420)设于所述环形板(410)面向所述承载面(210)的一侧，并位于所述环形板(410)的外缘处；

所述环形板(410)的内缘与所述承载面(210)的外缘至少部分重合，所述环形槽(420)与所述内衬(110)的局部相适配。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形板(410)的内缘区域且背离所述承载面(210)的表面，自所述环形板(410)的外缘向内缘的方向逐渐向靠近所述承载面(210)的方向倾斜延伸。

5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述遮挡环(400)面向所述承载面(210)的一侧设有多个定位孔(411)，多个所述定位孔(411)沿所述遮挡环(400)的周向排布；

多个所述第一升降件(510)一一对应的穿设于多个所述定位孔(411)。

6.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，在半导体工艺状态下，所述遮挡环(400)面向所述承载面(210)的表面与所述承载面(210)之间的距离范围为0mm至10mm。

7.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一升降装置(500)还包括第一升降驱动机构(520)和第一升降座(530)；

所述第一升降座(530)位于所述腔体(100)内，多个所述第一升降件(510)分别连接于所述第一升降座(530)；

所述第一升降驱动机构(520)至少部分延伸至所述腔体(100)内，并与所述第一升降座(530)连接。

8.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括第二升降装置(600)，所述第二升降装置(600)包括多个第二升降件(610)、第二升降座(630)和第二升降驱动机构(620)；

多个所述第二升降件(610)各自的一端分别与所述基座(200)连接，各自的另一端分别与所述第二升降座(630)连接，所述第二升降驱动机构(620)至少部分延伸至所述腔体(100)内，并与所述第二升降座(630)连接。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述第一升降件(510)位于第一圆周上，多个所述第二升降件(610)位于第二圆周上，所述第一圆周的直径大于所述第二圆周的直径；

和/或，多个所述第一升降件(510)所在圆周的直径的范围为310mm至320mm，多个所述第二升降件(610)所在圆周的直径的范围为250mm至270mm。

10.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括磁控溅射装置(700)，所述磁控溅射装置(700)包括磁控管(710)、靶材(720)和上电极组件；

所述靶材(720)设于所述腔体(100)内并位于所述基座(200)的上方，且所述靶材(720)与所述腔体(100)的顶壁之间隔离出密闭腔室，所述磁控管(710)连接于所述腔体(100)的顶壁，并位于所述密闭腔室内，所述上电极组件用于为所述靶材(720)施加电压。

11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至10中任意一项所述的工艺腔室。