CN119008816B - 微显示器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种微显示器件及其制备方法。所述微显示器件包括多个微发光单元和与所述多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；至少部分所述子像素开口内设置有光转换层，所述光转换层用于将所述微发光单元发出的光进行颜色转换；沿所述微显示器件的厚度方向，所述光转换层的正投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；沿垂直于所述微显示器件的厚度方向的方向，所述光转换层的投影位于对应的所述微发光单元的正投影外。本发明能够提高微显示器件显示的稳定性。

Description

微显示器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微显示器件及其制备方法。

背景技术

微显示器件由微显示单元实现发光显示，微显示单元例如是MicroLED（MicroLight Emitting Diode，微发光二极管）。微显示单元与传统的LCD（Liquid CrystalDisplay，液晶显示器）以及OLED（Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管）相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

相关技术中，在微显示器件中可以集成单色发光芯片作为发光源，并在微显示器件中设置量子点作为光转换层，从而实现全彩显示。然而，由于量子点比较脆弱，发光芯片会严重影响量子点的稳定性，使得量子点的发光性能发生衰减，影响微显示器件显示的稳定性。

发明内容

本发明提供了一种微显示器件及其制备方法，以提高微显示器件显示的稳定性。

根据本发明的一方面，提供了一种微显示器件，所述微显示器件包括多个微发光单元和与所述多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；

至少部分所述子像素开口内设置有光转换层，所述光转换层用于将所述微发光单元发出的光进行颜色转换；

沿所述微显示器件的厚度方向，所述光转换层的正投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；

沿垂直于所述微显示器件的厚度方向的方向，所述光转换层的投影位于对应的所述微发光单元的正投影外。

可选地，每个所述微发光单元对应设有第一光散射层和第二光散射层；

沿所述微显示器件的厚度方向，所述第一光散射层的正投影与所述子像素开口的正投影重合，所述第二光散射层的正投影与所述微发光单元的正投影重合；其中，所述第一光散射层位于所述子像素开口背离所述微显示器件的发光面的一侧，所述第二光散射层位于所述微发光单元靠近所述微显示器件的发光面的一侧；所述第一光散射层的侧壁与所述第二光散射层的侧壁及对应的所述微发光单元的侧壁相接。

可选地，沿所述微显示器件的厚度方向，所述微发光单元的正投影环绕对应的所述子像素开口的正投影。

可选地，所述第二光散射层环绕所述子像素开口形成所述子像素开口的侧壁；所述第一光散射层形成所述子像素开口的底壁。

可选地，所述微显示器件还包括整面覆盖的顶反射层，所述顶反射层暴露所述子像素开口。

可选地，所述第一光散射层与所述第二光散射层靠近所述微显示器件的发光面的一面平齐；

所述微显示器件还包括黑堤坝层，所述黑堤坝层形成所述子像素开口。

可选地，所述微发光单元及对应的所述第二光散射层远离所述子像素开口的一侧设有侧反射层。

可选地，沿所述微显示器件的厚度方向，所述微发光单元的正投影位于对应的所述子像素开口的正投影的一侧。

可选地，所述微显示器件还包括环绕所述微发光单元、所述第一光散射层及所述第二光散射层的侧反射层。

可选地，沿所述微显示器件的厚度方向，所述第二光散射层的顶面位于所述第一光散射层的顶面靠近所述微显示器件的发光面的一侧；所述第一光散射层的顶面作为所述子像素开口的底壁；所述第二光散射层的部分侧面及所述侧反射层的部分侧面作为所述子像素开口的侧壁；

所述微显示器件还包括整面覆盖并暴露所述子像素开口的顶反射层。

可选地，所述第一光散射层与所述第二光散射层靠近所述微显示器件的发光面的一面平齐；

所述微显示器件还包括黑堤坝层，所述黑堤坝层形成所述子像素开口。

可选地，部分所述子像素开口内设有所述光转换层，其余部分所述子像素开口内设置有光散射粒子。

可选地，所述微显示器件还包括衬底和全反射层；所述全反射层设置于所述微发光单元远离所述微显示器件的发光面的一侧；所述衬底设置于所述全反射层远离所述微显示器件的一侧。

根据本发明的另一方面，提供了一种微显示器件的制备方法，包括：

形成多个微发光单元和与所述多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；

于至少部分所述子像素开口内形成光转换层；其中，沿所述微显示器件的厚度方向，所述光转换层的正投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；沿垂直于所述微显示器件的厚度方向的方向，所述光转换层的投影位于对应的所述微发光单元的正投影外。

本发明实施例的技术方案，采用的微显示器件包括多个微发光单元和与多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；至少部分子像素开口内设置有光转换层，光转换层用于将微发光单元发出的光进行颜色转换；沿微显示器件的厚度方向，光转换层的正投影位于对应的微发光单元的正投影外；沿垂直于微显示器件的厚度方向的方向，光转换层的投影位于对应的微发光单元的正投影外。光转换层与对应的微发光单元在水平方向和垂直方向上均有一定的错位，从而保证了微发光单元的出射光不会直射入光转换层，微发光单元与对应的光转换层不直接接触，距离也较远，从而可以降低微发光单元的高亮高热对光转换层稳定性的影响，从而可以提高微显示器件显示的稳定性。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种微显示器件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种微显示器件的俯视图；

图3为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种微显示器件的俯视图；

图5为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种微显示器件的俯视图；

图8为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种微显示器件的制备方法的流程图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

正如相关技术中的微显示器件存在发光芯片影响量子点的问题，发明人经过大量研究发现，产生此技术问题的原因在于：相关技术中发光芯片与量子点直接接触，或者，发光芯片的出射光直射入量子点，或者，发光芯片与量子点的距离过近。而发光芯片在发光时具有高热高亮的特点，发光芯片的高热高亮会严重影响量子点的稳定性，从而使得量子点的发光性能产生衰减。

针对上述技术问题，本发明提出如下解决方案：

图1为本发明实施例提供的一种微显示器件的结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种微显示器件的俯视图，图2和图1对应，参考图1和图2。微显示器件包括多个微发光单元13和与多个微发光单元一一对应的多个子像素开口Gap；至少部分子像素开口Gap内设置有光转换层QD，光转换层QD用于将微发光单元13发出的光进行颜色转换；沿微显示器件的厚度方向Y，光转换层QD的投影位于对应的微发光单元13的正投影外；沿垂直于微显示器件的厚度方向Y的方向，光转换层QD的投影位于对应的微发光单元13的正投影外。

具体地，微发光单元13例如是MicroLED，其具体可包括N型半导体层、发光层、P型半导体层等。微发光单元13可以发出设定颜色的光，例如是蓝光。光转换层QD例如是量子点层。微显示器件中的多个微发光单元可以分为多个第一微发光单元、多个第二微发光单元和多个第三微发光单元，不同微发光单元的不同之处在于对应的子像素开口Gap内的结构不同，从而使得不同微发光单元的发光颜色不同。示例性地，第一微发光单元可以是发出绿光的微发光单元，第一微发光单元中的光转换层QD为蓝光转绿光的QDG；第二微发光单元可以是发出红光的微发光单元，第二微发光单元中的光转换层QD为蓝光转红光转换的QDR；第三微发光单元可以是发出蓝光的微发光单元，第三微发光单元对应的子像素开口内可以不设置用于颜色转换的光转换层。通过红绿蓝三种微发光单元的配合，如一个红色子像素、一个蓝色子像素和一个绿色子像素可以组成一个像素，像素可以发出任意颜色的光，使得微显示器件可以实现全彩显示。

需要说明的是，子像素开口Gap的形状以及微发光单元13的形状可根据需要设定，不局限于图1和图2中所示的矩形。另外，子像素开口Gap可以开设在相关膜层上，相关膜层将在后续进行描述，在此先不展开说明。

相关技术中，发光芯片与量子点直接接触，或者，发光芯片的出射光直射入量子点，或者，发光芯片与量子点的距离过近。而在本实施例中，如图1和图2所示，沿微显示器件的厚度方向Y，光转换层QD的正投影位于对应的微发光单元13的正投影外。也就是说，在水平方向上，光转换层QD和微发光单元13不交叠，存在一定的错位。其中，水平方向为第一方向X和第二方向Z所构成的平面中的方向，第一方向X、第二方向Z和厚度方向Y两两垂直。微发光单元13沿微显示器件厚度方向的出射光不会直射入光转换层QD上。沿垂直于厚度方向Y的方向，光转换层QD的正投影位于对应的微发光单元13的正投影外，也即是说，在垂直方向上，光转换层QD与微发光单元13也不交叠，存在一定的错位。换而言之，光转换层QD与对应的微发光单元13在水平方向和垂直方向上均有一定的错位，从而保证了微发光单元13的出射光不会直射入光转换层QD，微发光单元13与对应的光转换层QD也不直接接触，距离也较远，从而可以降低微发光单元13的高亮高热对光转换层QD稳定性的影响，从而可以提高微显示器件显示的稳定性。

本实施例的技术方案，采用的微显示器件包括多个微发光单元和与多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；至少部分子像素开口内设置有光转换层，光转换层用于将微发光单元发出的光进行颜色转换；沿微显示器件的厚度方向，光转换层的正投影位于对应的微发光单元的正投影外；沿垂直于微显示器件的厚度方向的方向，光转换层的投影位于对应的微发光单元的正投影外。光转换层与对应的微发光单元在水平方向和垂直方向上均有一定的错位，从而保证了微发光单元的出射光不会直射入光转换层，微发光单元与对应的光转换层不直接接触，距离也较远，从而可以降低微发光单元的高亮高热对光转换层稳定性的影响，从而可以提高微显示器件显示的稳定性。

在一些实施方式中，可选地，图3为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图，图4为本发明实施例提供的又一种微显示器件的俯视图，图4与图3对应，参考图3和图4。每个微发光单元13对应设有第一光散射层15和第二光散射层14。沿微显示器件的厚度方向Y，第一光散射层15的正投影与子像素开口的正投影重合，第二光散射层14的正投影与微发光单元13的正投影重合；其中，第一光散射层15位于子像素开口背离微显示器件的发光面的一侧，第二光散射层14位于微发光单元13靠近微显示器件的发光面的一侧；第一光散射层15的侧壁与第二光散射层14的侧壁及微发光单元13的侧壁相接。

具体地，在上述实施方式中，微发光单元13沿垂直于微显示器件的厚度方向出射的光具有较高的能量，此部分光虽然并未直接入射至光转换层；但可能会有部分与厚度方向Y有角度的光直接入射至光转换层QD，此部分光仍具有较高的强度。在本实施例中，通过设置第一光散射层15和第二光散射层14，微发光单元13发出的光会经过第一光散射层15和/或第二光散射层14的散射后才会进入对应的光转换层QD，而经过多次散射后的光会均匀分散到整个光转换层QD，从而进一步降低微发光单元出射的强光对光转换层QD的影响。

进一步可选地，在上述实施方式中，第一光散射层15和第二光散射层14为一体结构。第一光散射层15和第二光散射层14可以是任意具有散射功能的膜层，优选地可以是掺杂有机或无机的散射粒子的光刻胶层。

进一步可选地，继续参考图3和图4，沿微显示器件的厚度方向Y，微发光单元13的正投影环绕对应的子像素开口Gap的正投影。

具体地，在本实施例中，微发光单元13为中空结构，微发光单元13的形状可以是圆环状、矩形状或者其他任意多边形等。子像素开口位于对应的中空结构位置，也就是说，光转换层QD位于对应的中空结构位置，那么光转换层QD从各个方向均能接收到微发光单元13发出的光，从而使得光转换层QD接收到的光更为均匀，使得子像素的出光更为均匀。

进一步可选地，沿微显示器件的厚度方向Y，光转换层QD的正投影与对应的子像素开口Gap的正投影重合；子像素开口Gap的正投影与对应的微发光单元13的中空结构的正投影重合。

进一步可选地，沿第一方向X及第二方向Z，子像素开口与微发光单元13远离子像素开口的边缘的距离处处相等，由此设置，使得微发光单元13从各个方向朝向光转换层QD出射的光的强度更为接近，也就使得光转换层QD从各个方向接收到的微发光单元13发出的光更为均匀，使得子像素的出光更为均匀。

进一步可选地，在一些实施方式中，部分子像素开口Gap内设有光转换层QD，其余部分子像素开口内设置有光散射粒子层19。

具体地，光散射粒子层19可以是掺杂有散射粒子的光刻胶，散射粒子可以改变光的传播路径，从而提高出光率。本实施例中，光散射粒子层19处的出光颜色与微发光单元13的出光颜色相同。

进一步可选地，继续参考图3和图4，第二光散射层14环绕子像素开口Gap形成子像素开口Gap的侧壁；第一光散射层15形成子像素开口Gap的底壁。

具体地，在本实施例中，子像素开口Gap在第一光散射层15和第二光散射层14组成的一体结构上形成。可以是先形成第一光散射层15和第二光散射层14的一体结构，随后刻蚀出子像素开口Gap。这样设置，光转换层QD的侧壁会和第二光散射层14接触，光转换层QD的底壁会和第一光散射层15接触。也即是说，光转换层QD的侧壁和底壁均能够接收到来自光散射层散射的光，从而可以提高出光效率。

进一步可选地，继续参考图3和图4，微显示器件还包括整面覆盖的顶反射层17，顶反射层17暴露子像素开口。

具体地，顶反射层17覆盖第二光散射层14，并可以和第二光散射层14接触。顶反射层17例如是金属层或分布式布拉格反射层，金属层可以是具有高反射率的金属如Al、Ag、Ti、Mg等形成，分布式布拉格反射层又称分布式布拉格反射镜（Distributed BraggReflector，DBR），是由两种折射率不同的材料交替层叠排列组成的周期结构。通过设置顶反射层17，使得第二光散射层14中的光线到达第二光散射层14的顶面后，被顶反射层17将光线反射，并最终到达到光转换层QD，可以进一步提高光转换层QD的光转换效率。

进一步可选地，继续参考图3，微发光单元13及对应的第二光散射层14远离子像素开口Gap的一侧设有侧反射层16。

具体地，微发光单元13、对应的第一光散射层15、对应的第二光散射层14以及对应的子像素开口内的结构（如光转换层QD）构成的整体结构可以理解为一个子像素。本实施例中，在子像素的侧壁处设置侧反射层16，可以起到隔离不同子像素之间光串扰的效果。也即是说，子像素发出的光在到达子像素的侧壁时，会被侧反射层16反射，不会入射到其他子像素中，进而可以避免不同子像素之间产生光串扰。侧反射层16例如是金属层或分布式布拉格反射层，金属层可以是具有高反射率的金属如Al、Ag、Ti、Mg等形成。

进一步可选地，继续参考图3，微显示器件还包括衬底11和全反射层12；全反射层12设置于微发光单元13远离微显示器件的发光面的一侧；衬底11设置于全反射层12远离微显示器件的一侧。

具体地，微发光单元13顶面为靠近微显示器件的发光面的一面，衬底11设置于微发光单元13底面的一侧。衬底11可以起到承载各膜层的作用，衬底11可以是包含有像素电路的基板。全反射层12可以是金属层或布拉格反射层，起到将子像素发出的光向微显示器件的出光面一侧反射的效果，从而可以进一步提高出光效率。

在另外一些实施方式中，可选地，图5为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图，参考图5。第一光散射层15和第二光散射层14靠近微显示器件的发光面的一面平齐；微显示器件还包括黑堤坝层18，黑堤坝层18形成子像素开口Gap。

具体地，在本实施例中，第一光散射层15和第二光散射层14靠近微显示器件出光面的一面为平整的平面，黑堤坝层18整面覆盖第二光散射层14。可以是先形成一整层的黑堤坝层，随后刻蚀形成子像素开口Gap。黑堤坝层18具有吸光作用，微发光单元13发出的光，经过第二光散射层14散射后，入射到黑堤坝层18的表面时，会被黑堤坝层18吸收，从而不会影响其它子像素，也就不会产生光串扰问题。

在其他实施例中，黑堤坝层18和第二光散射层14之间设置顶反射层17。

在黑堤坝层18和第二光散射层14之间设置顶反射层17，第一光散射层15和第二光散射层14发出的部分光通过顶反射层17反射回第一光散射层15和第二光散射层14，少量光穿过顶反射层17进入黑堤坝层18并被黑堤坝层18吸收，顶反射层17与黑堤坝层18配合保证最佳的发光效率，同时避免光串扰。

进一步可选地，如图5所示，微发光单元13及对应的第二光散射层14远离子像素开口Gap的一侧设有侧反射层16。

具体地，本实施例中，在子像素的侧壁处设置侧反射层16，可以起到隔离不同子像素之间光串扰的效果。也即是说，子像素发出的光在到达子像素的侧壁时，会被侧反射层16反射，不会入射到其他子像素中，进而可以避免不同子像素之间产生光串扰。侧反射层16例如是金属层或分布式布拉格反射层，金属层可以是具有高反射率的金属如Al、Ag、Ti、Mg等形成。

进一步可选地，继续参考图5，微显示器件还包括衬底11和全反射层12；全反射层12设置于微发光单元13远离微显示器件的发光面的一侧；衬底11设置于全反射层12远离微显示器件的一侧。

具体地，微发光单元13顶面为靠近微显示器件的发光面的一面，衬底11设置于微发光单元13底面的一侧。衬底11可以起到承载各膜层的作用，衬底11可以是包含有像素电路的基板。全反射层12可以是金属层或布拉格反射层，起到将子像素发出的光向微显示器件的出光面一侧反射的效果，从而可以进一步提高出光效率。

在另外一些实施方式中，可选地，图6为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图，图7为本发明实施例提供的又一种微显示器件的俯视图，图7与图6对应，参考图6和图7。沿微显示器件的厚度方向Y，微发光单元13的正投影位于对应的子像素开口Gap的一侧。

具体地，与图3所示的微发光单元13环绕子像素开口Gap不同，本实施例中的微发光单元13位于子像素开口Gap的一侧。如此设置，微发光单元13、第一光散射层15、第二光散射层14以及子像素开口Gap内的光转换层或光散射粒子层所构成的子像素的面积较小，可以在微显示器件面积相同的情况下，设置更多的子像素，也即可以使得微显示器件具有较高的分辨率。

进一步可选地，参考图6和图7，微显示器件还包括环绕微发光单元13、第一光散射层15及第二光散射层14的侧反射层16。

具体地，微发光单元13、对应的第一光散射层15、对应的第二光散射层14及对应的子像素开口内的光转换层或光散射粒子层构成一个子像素，侧反射层16环绕每个子像素的侧壁。在子像素的侧壁处设置侧反射层16，可以起到隔离不同子像素之间光串扰的效果。也即是说，子像素发出的光在到达子像素的侧壁时，会被侧反射层16反射，不会入射到其他子像素中，进而可以避免不同子像素之间产生光串扰。侧反射层16例如是金属层或分布式布拉格反射层，金属层可以是具有高反射率的金属如Al、Ag、Ti、Mg等形成。

进一步可选地，参考图6，沿微显示器件的厚度方向Y，第二光散射层14的顶面位于第一光散射层15的顶面靠近微显示器件的发光面的一侧；第一光散射层15的顶面作为子像素开口Gap的底壁；第二光散射层14的部分侧面及侧反射层的部分侧面作为子像素开口的侧壁；微显示器件还包括整面覆盖并暴露微显示器件的子像素开口Gap的顶反射层17。

具体地，在本实施例中，子像素开口Gap的侧壁由侧反射层16及第二光散射层14的侧壁构成。也就是说，子像素开口Gap内的结构，即光转换层QD或者光散射粒子层19的侧壁与第二光散射层14接触。光转换层QD的侧壁和底壁均能够接收到来自光散射层散射的光，从而可以提高出光效率。

另外，顶反射层17覆盖第二光散射层14，并可以和第二光散射层14接触。顶反射层17例如是金属层或分布式布拉格反射层，金属层可以是具有高反射率的金属如Al、Ag、Ti、Mg等形成，分布式布拉格反射层又称分布式布拉格反射镜，是由两种折射率不同的材料交替层叠排列组成的周期结构。通过设置顶反射层17，使得第二光散射层14中的光线到达第二光散射层14的顶面后，被顶反射层17将光线反射，并最终到达到光转换层QD，可以进一步提高光转换层QD的光转换效率。

进一步可选地，继续参考图6，微显示器件还包括衬底11和全反射层12；全反射层12设置于微发光单元13远离微显示器件的发光面的一侧；衬底11设置于全反射层12远离微显示器件的一侧。

具体地，微发光单元13顶面为靠近微显示器件的发光面的一面，衬底11设置于微发光单元13底面的一侧。衬底11可以起到承载各膜层的作用，衬底11可以是包含有像素电路的基板。全反射层12可以是金属层或布拉格反射层，起到将子像素发出的光向微显示器件的出光面一侧反射的效果，从而可以进一步提高出光效率。

在另外一些实施方式中，可选地，如图8所示，图8为本发明实施例提供的又一种微显示器件的结构示意图。第一光散射层15与第二光散射层14靠近微显示器件的发光面的一面平齐；微显示器件还包括黑堤坝层18，黑堤坝层18形成子像素开口Gap。

具体地，在本实施例中，可以是先形成一整层的黑堤坝层，随后刻蚀形成子像素开口Gap。黑堤坝层18具有吸光作用，微发光单元13发出的光，经过第二光散射层14散射后，入射到黑堤坝层18的表面时，会被黑堤坝层18吸收，从而不会影响其它子像素，也就不会产生光串扰问题。

在其他实施例中，黑堤坝层18和第二光散射层14之间设置顶反射层17。

进一步可选地，继续参考图8，微显示器件还包括衬底11和全反射层12；全反射层12设置于微发光单元13远离微显示器件的发光面的一侧；衬底11设置于全反射层12远离微显示器件的一侧。

具体地，微发光单元13顶面为靠近微显示器件的发光面的一面，衬底11设置于微发光单元13底面的一侧。衬底11可以起到承载各膜层的作用，衬底11可以是包含有像素电路的基板。全反射层12可以是金属层或布拉格反射层，起到将子像素发出的光向微显示器件的出光面一侧反射的效果，从而可以进一步提高出光效率。

本发明还提供了一种微显示器件的制备方法，如图9所示，图9为本发明实施例提供的一种微显示器件的制备方法的流程图。微显示器件的制备方法包括：

步骤S301，形成多个微发光单元和与多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；

具体地，可以是先提供外延晶圆，然后对外延晶圆进行图形化从而形成多个微发光单元。子像素开口可以是在其它膜层上形成。

步骤S302，于至少部分子像素开口内形成光转换层；其中，沿微显示器件的厚度方向，光转换层的正投影位于对应的微发光单元的正投影外；沿垂直于微显示器件的厚度方向的方向，光转换层的投影位于对应的微发光单元的正投影外。

具体地，子像素开口以及微发光单元的具体结构和工作原理可参考本发明关于微显示器件部分的描述，在此不再赘述。

本实施例所采用的制备方法所制备的微显示器件，光转换层与对应的微发光单元在水平方向和垂直方向上均有一定的错位，从而保证了微发光单元的出射光不会直射入光转换层，微发光单元与对应的光转换层不直接接触，距离也较远，从而可以降低微发光单元的高亮高热对光转换层稳定性的影响，从而可以提高微显示器件显示的稳定性。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (6)

1.一种微显示器件，其特征在于，所述微显示器件包括多个微发光单元和与所述多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；

至少部分所述子像素开口内设置有光转换层，所述光转换层用于将所述微发光单元发出的光进行颜色转换；

沿所述微显示器件的厚度方向，所述光转换层的正投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；

沿垂直于所述微显示器件的厚度方向的方向，所述光转换层的投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；

每个所述微发光单元对应设有第一光散射层和第二光散射层；沿所述微显示器件的厚度方向，所述第一光散射层的正投影与所述子像素开口的正投影重合，所述第二光散射层的正投影与所述微发光单元的正投影重合；其中，所述第一光散射层位于所述子像素开口背离所述微显示器件的发光面的一侧，所述第二光散射层位于所述微发光单元靠近所述微显示器件的发光面的一侧；所述第一光散射层的侧壁与所述第二光散射层的侧壁及对应的所述微发光单元的侧壁相接；

沿所述微显示器件的厚度方向，所述微发光单元的正投影环绕对应的所述子像素开口的正投影；所述第二光散射层环绕所述子像素开口形成所述子像素开口的侧壁；所述第一光散射层形成所述子像素开口的底壁。

2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述微显示器件还包括整面覆盖的顶反射层，所述顶反射层暴露所述子像素开口。

3.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述微发光单元及对应的所述第二光散射层远离所述子像素开口的一侧设有侧反射层。

4.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，部分所述子像素开口内设有所述光转换层，其余部分所述子像素开口内设置有光散射粒子。

5.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述微显示器件还包括衬底和全反射层；所述全反射层设置于所述微发光单元远离所述微显示器件的发光面的一侧；所述衬底设置于所述全反射层远离所述微显示器件的一侧。

6.一种微显示器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成多个微发光单元和与所述多个微发光单元一一对应的多个子像素开口；

于至少部分所述子像素开口内形成光转换层；其中，沿所述微显示器件的厚度方向，所述光转换层的正投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；沿垂直于所述微显示器件的厚度方向的方向，所述光转换层的投影位于对应的所述微发光单元的正投影外；每个所述微发光单元对应设有第一光散射层和第二光散射层；沿所述微显示器件的厚度方向，所述第一光散射层的正投影与所述子像素开口的正投影重合，所述第二光散射层的正投影与所述微发光单元的正投影重合；其中，所述第一光散射层位于所述子像素开口背离所述微显示器件的发光面的一侧，所述第二光散射层位于所述微发光单元靠近所述微显示器件的发光面的一侧；所述第一光散射层的侧壁与所述第二光散射层的侧壁及对应的所述微发光单元的侧壁相接；

沿所述微显示器件的厚度方向，所述微发光单元的正投影环绕对应的所述子像素开口的正投影；所述第二光散射层环绕所述子像素开口形成所述子像素开口的侧壁；所述第一光散射层形成所述子像素开口的底壁。