CN1185691C - 晶片表面清洗装置及方法 - Google Patents

Abstract

一种去除微电子制造中衬底(13)表面(12)上的污染物(11)的衬底清洗装置(10)和方法。清洗装置(10)包括用于测位和映射衬底表面上的至少一种污染物(11)的物质测位器(15)；分配装置(16)，其形成和规格为沿路径(18)分配清洗剂基本控制的冲击流(17)。一个控制装置(20)耦合到映射装置(15)和分配装置(16)，用于控制冲击流(17)，以便根据冲击流(17)的路径(18)定位探测到的污染物(11)，从而可以基本上进行局部冲击，从衬底表面(12)上去掉污染物(11)。

Description

晶片表面清洗装置及方法

技术领域

本发明一般涉及表面清洗装置，特别涉及利用颗粒测位映射信息用于局部清洗的敏感微电子表面清洗装置。

背景技术

随着技术的进步，电子工业的发展趋势向着由更小更薄集成电路(IC)封装需求推动的提高电路密度的方向发展。所以，由于相邻电路间的间距减小，这些IC封装的制造变得越来越困难。由于这种尺寸的减小，各种工艺局限使得IC的制造越来越难。例如，集成电路的制造和处理期间存在或产生的不希望的污染颗粒(例如小到0.10微米以上的灰尘颗粒或水汽小滴)，会经常引起物理缺陷或其它质量控制问题。这种失效进而会造成微电子工业成品率的显著降低。这在半导体制造业中尤其严重，例如，半导体晶片加工的几何图形可能达0.1微米(μm)以下，线宽为0.35微米。

IC或微电子电路制造需要许多处理步骤，一般这些步骤必须在极其清洁的条件下进行。然而，在微电路中产生致命缺陷所需的污染物相当小，而且在完成电路所需的许多步骤中随时都可以发生这种污染。因此，制造期间，必须进行晶片的周期性清洗，以保持经济的生产成品率。

目前用于清洗电子工业用衬底表面的方法至少有三种常规技术(即，湿法清洗，气体或液体射流清洗和液化汽清洗)。根据要去除的颗粒尺寸，某一技术可能比其它技术更有效。例如，如下所述的，污染颗粒的直径大于约50000埃，较适合的是源于用于射流和液化汽技术的碰撞气体、液体或固体的动量传递技术。对于小于约50000埃的颗粒来说，湿法清洗的化学试剂或溶剂溶液技术更有效。而且，比起固体的附着能量，化学键污染颗粒有更高的附着能量，很难利用多数清洗技术将它们移去，需要将它们溅射掉或用湿法清洗技术将它们溶解。一般情况下，物理键污染颗粒可以利用来自用于喷射、超声和液化汽清洗的碰撞气体、液体或固体的动量传递移去。

简言之，也称为溶剂或化学清洗的湿法清洗技术一般是将整个衬底(例如晶片或平板)浸于溶剂中或化学槽中，去除表面上的污染膜。由于溶剂对于可以溶解的材料是有选择性的，所以必须选择合适的溶剂，去除目标污染物。化学溶液还可以与产生高能声波的兆声波或超声波清洗器一起去掉有机膜、离子杂质和小到约3000埃的颗粒。

关于这种技术的一个问题是用于溶剂或化学溶液的试剂必须相当纯和相当清洁，要得到这样的溶剂或化学溶液相当困难和/或昂贵。另外，由于采用试剂，所以会使得污染更加严重，这样必须周期性地进行处理。周期性更换试剂的失败会造成污染物再沉积，进而造成清洗工艺的无效。而且，不管衬底上颗粒污染物的位置、数量和/或密度如何，都必须把整个晶片浸入，才能去掉污染物。因此，在槽溶液相当脏的情况下，衬底表面会存在比湿法清洗前更明显的污染物。

如上所述，后两种方法采用动量传递技术，作为从衬底表面移去污染物的一种方法。气体或液体喷射清洗例如分别采用加压的氟里昂、过滤的氮或去离子水以预定角度喷射衬底表面。目前采用气体喷射清洗从硅晶片表面洗掉较大颗粒，这种方法对于去除小于约50000埃的颗粒一般是无效的。由于趋于把颗粒保持在表面上的较小颗粒的附着力正比于颗粒的直径，而由颗粒产生的趋于去掉颗粒的空气动力学牵引力正比于直径的平方，所以去除较小颗粒通常更成问题。因此，随着颗粒尺寸的缩小，这些力的比趋于有助于附着。另外，由于较小粒可能位于表面界面层内，在这种地方气体速度小，所以较小颗粒不处于喷射的强牵引力范围内。相反，液体喷射具有去除颗粒的较强剪切力，但要实现高纯度既贵又困难，而且干燥后可能留下污染物残余。

另一方面，低温液化汽清洗采用加压液化二氧化碳、氮或氩，以便有效地“砂喷”污染物表面。由于膨胀气体流出喷嘴，并下降到大气压，所以由于冷却产生固体颗粒(例如固体二氧化碳)，它们以预定的角度从表面界面层扫过。这种冷冻颗粒能够穿透衬底界面层，并打到污染颗粒上，克服其附着力。已取得专利的低温液化汽清洗的典型装置见美国专利5372652，5147466，5062898，5035750，4974375，4806171，4747421，4617064。

尽管射流清洗和液化汽清洗法具有优于多数现有技术的优点，但它们也存在几个固有的问题。例如，不管颗粒的位置、尺寸和数量(即密度)如何，这两种技术都以恒定的高撞击速度喷射或撞冲整个衬底表面，以克服污染颗粒的附着力。这样一来，尽管需要较大的喷射和液化汽速度移去较小颗粒，但对于更容易去掉的较大污染颗粒来说不需要这种速度。而且，喷嘴喷射或液化汽喷射不加区别地来回线性地通过整个衬底表面，以从衬底的一端到另一端扫除污染颗粒。这种工艺不仅耗时，而且在同时具有高流速和所需的高或超高纯溶液时，清洗成本相当昂贵。

更重要的是，这种高冲击速度和不加区别的对整个衬底表面进行清洗不必要地暴露了敏感的电子产品和清洗过的区域，并使它们可能受损伤。对于其中的高压液化汽中的固化颗粒以接近声速的恒定速度喷射，以在液化汽颗粒和污染颗粒间进行动量传递，且污染颗粒在几分之一秒内去除的液化汽清洗来说，这种现象尤其明显。因此实际的瞬间力不仅打到污染颗粒上，而且还打到了衬底表面和微电子产品上。不需要清洗的表面不可避免地受到可能的不必要的微电子损伤并可能产生麻坑。

相反，关于现有技术的其它例子，对衬底表面的清洗效果不够好。这部分是由于被严重污染和/或具有较小污染颗粒的衬底表面的污染物区，需要比实际恒定的预定设定的压力更高的冲击射流或液化汽流输出压力。这种情况下，由于清洗试剂的冲击压力不合适，在清洗工艺期间可能无法从衬底表面有效去掉这些污染颗粒。

发明内容

本发明提供了一种用于微电子产品制造中能够从衬底表面上去掉污染物的衬底清洗装置。简言之，这种清洗装置包括：适于测位和映射衬底表面上至少一种污染物的物质测位映射装置(location map device)；及分配装置，其被形成和规格化为能够沿路径分配清洗剂基本控制的冲击流。还包括一个耦合到映射装置和分配装置的控制装置，该装置用于控制冲击流，以便根据冲击流的路径定位测位到的污染物。这种装置可以进行局部冲击，从衬底表面上去掉污染物。

测位映射装置还用于测位、映射和数字式表示衬底表面上的基本上所有的污染物，例如颗粒和薄膜。然后控制装置可以根据冲击流路径选择性地定位一个冲击流和表面上的至少一种选定污染物。因此，可以对污染物的最近周围区域基本上进行局部冲击，从而从该表面上去除污染物。

测位映射装置还可用于确定每种污染物的相对尺寸和规格。以此方式，分配装置的输出控制器可以根据特定物质的相对尺寸和规格调节冲击流，以便能够更有效地进行去除。

例如，输出控制器可以控制分配喷嘴处气流的输出速度和压力。另一方面，还可以控制气流的输出直径，并调节对污染物的冲击角度。该输出还可以包括有助于污染物的定位去除的脉动作用。

按本发明的另一方案，提供一种在微电子制造中从衬底表面上去除污染物的方法、该污染物去除方法包括以下步骤：测位步骤，用于测位位于衬底表面上的至少一种污染物；沿路径分配清洗剂的受控冲击流。下一步骤包括定位步骤，用于根据冲击流的路径定位一个冲击流和至少一种污染物，以便能够局部冲击和去除表面上的污染物。

测位和映射步骤还包括测位和映射衬底上基本上所有的污染物的步骤；测位步骤还包括根据冲击流的路径选择性定位至少一种所选污染物，以便能够基本上准确地对污染物最近周围区域进行局部冲击，从而从表面上去除污染物的步骤。按本发明方法的另一方案，测位和映射步骤包括确定每个测位的污染物的尺寸和规格。根据这种信息，该方法还包括以能够去除选定污染物的方式调节冲击流的步骤。

附图说明

结合各附图，从下面的说明和权利要求书中，可以容易地得出本发明装置和方法的其它目的、特点和优点，其中：

图1是根据本发明构成的衬底清洗装置的示意图。

图2是由本发明的映射装置产生的晶片表面的颗粒位置映射的示意图。

图3是用于微电子制造中清洗衬底的本发明方法的示意图。

具体实施方式

下面将参照各具体实施例说明本发明，以下的说明是为了展示本发明，并不构成对本发明的限制。所属领域的技术人员对于所展示的实施例，可以作出各种改形，但它们不背离如所附权利要求书所限定的本发明实质和范围。应注意，为了更好地理解本发明，各附图中相同的元件用相同的标号表示。

现参见图1和2，这些图中展示了用于在电子制造中从如半导体晶片等衬底13的表面12去除污染物11、11’的衬底清洗装置，该装置由10表示。例如，该衬底用于制造半导体器件或集成电路(IC)。IC例如包括存储电路，例如，随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)或只读存储器(ROM)。另外，IC还可以是逻辑器件，如可编程逻辑阵列(PLA)、专用IC(ASIC)、合并DRAM逻辑IC(掩埋DRAM)或其它电路器件。这些IC例如用于如计算机系统、包括复印机和打印机等的办公设备、蜂窝电话、个人数字助手(PAD)和其它电子产品等用户产品。

简言之，清洗装置10包括：物质测位映射装置，一般由数字15表示，用于测位和映射衬底13的表面12上的至少一种污染物11’(如果有的话)；分配装置16，用于准确地沿路径18分配清洗剂的受控冲击流17。还包括耦合到映射装置15和分配装置16的中心控制装置20，所述中心控制装置20用于控制冲击流17，以便将所测污染物11’定位在所述冲击流17的路径18。这种装置基本上能够进行局部冲击去除衬底表面的污染物。

因此，本发明的衬底清洗装置引入了晶片颗粒测位映射信息，以便至少测位衬底表面上的一种污染物。利用这种测位映射信息，及沿着路径准确地分配冲击流(或者是气体、液体、固体颗料或者是它们的混合物)，可以采用该衬底清洗装置实际进行“点”或“选择性”清洗衬底表面的需要清洗的某部分，而不会对成品率造成不良影响。与现有技术装置的不加区别的清洗技术相比，这种选择和局部清洗技术可以减少由于冲击流打到衬底表面上导致的清洗对衬底表面造成的损伤，例如，可以在衬底表面不需要清洗的区域，避免由于射流清洗技术或液化汽清洗技术导致的对微电子电路的可能的清洗诱生损伤。而且，还可以基本上减少在不需要清洗的区域，由于液化汽清洗造成的对裸硅衬底表面的可能的麻坑损伤。

而且，如以下更详细的说明所述，除颗粒测位信息外，本发明的映射装置还可以确定污染颗粒的数量以及估测每种颗粒的相对尺寸和规格。利用这种信息能够从分配装置定量输出冲击流，例如输出压力、汽直径或冲击角度，以便最有效地局部去除分析的污染物。

最后，由于本发明能够选择区域清洗，只需要对要求的区域进行清洗，所以可以减少清洗剂的浪费。

简言之，可以理解，术语“污染物”将限定为利用常规射流清洗或液化汽清洗技术从衬底表面上去除的任何污染颗粒、膜等。然而，为容易描述，在整个说明书中可以统一地使用术语“污染颗粒”。而且，术语“衬底”将限定为任何用于制造微电子器件的任何空白或构图的晶片、光刻掩模或平板器件。因此衬底表面实际上可以是制造和清洗期间微电子器件的特定层的任何表面。

如图1和2所示，映射装置15包括扫描或检查装置21，用于光或电扫描所述衬底13的衬底表面12。来自扫描或检查装置21的数据可以被用于确定在衬底表面上所探测到的污染颗粒的数量。而且，映射装置15能够估测每种探测到的污染颗粒的尺寸，以及衬底表面上颗粒的位置。例如，可以相对于晶片13上的预定参考切口或标记19计算每种污染颗粒的x，y坐标(图2的颗粒位置映射图所示)。

这些检查装置21一般包括光或扫描电子显微镜(SEM)仪器，通常这些仪器用于进行质量控制。这种检查仪设计成扫描和检查衬底表面，用以监控晶片制造各阶段期间腐蚀和淀积工艺的质量。这些检查仪包括由KLA/Tencor Corp.of Milpitas，CA提供的(如7700型，6420型或AIT)，由隶属于Applied Material of Santa Clara，CA的Orbot Corp.提供的(如WF720型)，由A.D.E.Corp.of Boston.，MA提供的(如WIS81型或WIS82型)。

一旦检查装置21适当地检查了衬底表面12上的污染颗粒(即读取衬底表面的颗粒映射图)，映射装置15的常规映射电路或软件24便分析该数据，确定衬底表面上的颗粒数、颗粒的相对位置和尺寸规格。实际上，颗粒位置映射图是由映射装置产生的，如图所示。这种映射软件还可以用于确定是否超过了颗粒污染物的阈值数量，或是否可允许的表面污染物数在标准容差范围内。阈值数量例如由用户限定，该数量可以根据不同的应用而改变。该数量可利用历史信息最佳化。

数据总线22联系映射装置15和控制装置20间的分析颗粒映射信息。对于这种输出数据，中心控制装置20控制分配装置的操作，和其间的相对晶片运动，以将所选污染颗粒11’定位在清洗剂的冲击流17的路径18。

提供衬底固定装置23用于相对于分配装置16使衬底固定就位。可以采用各种常规衬底固定器，包括机械夹盘、真空夹盘、静电夹盘等。按优选形式，衬底固定器23构成为使衬底13相对于分配装置16的分配喷嘴25运动，以将衬底表面上选定区定位到喷嘴25喷出的冲击流的路径。尽管衬底13最好是相对于这种分配喷嘴25运动，但应理解，还可以使分配喷嘴25进行相对运动，或两种相对运动一起进行，这些皆不背离本发明的实质和范围。

最好是在含有衬底表面的平面的两个轴向进行这种计算机控制的运动，并且最好是通过衬底固定装置23的控制电路26进行这种操作，而衬底固定装置23的控制电路最好是由中心控制装置20控制的。控制电路26一般操纵直接或间接利用齿轮、传送带等的编程运动的精密电机(未示出)。因此，一旦探测到污染颗粒和其相对位置已确定，通过映射装置15，可以通过数据总线22将数据传送到控制装置20。如果确定了映射的污染颗粒11’对随后的晶片制造不利，由控制装置20命令固定器控制电路26移动衬底固定器23(通过控制电路26)，以便将衬底表面12上的污染颗粒11’移到来自分配喷嘴25的分配流的路径18中。在分配装置16的作用下，从衬底表面将选定污染颗粒或颗粒选择性地或局部的去除，不需要不加区分地清洗整个衬底表面。

如上所述，这种技术减少了对微电子产品或裸硅表面的可能的清洗诱生损伤，以及减少了昂贵清洗剂的浪费。而且，能够在衬底的一个区域内检测污染颗粒，不会对整个成品率造成不良影响，不会造成可靠性问题，不会对衬底表面造成干扰。

本发明实际上还适用于清洗颗粒检查失效的再利用晶片，初始的随机检查后，许多晶片“区”(约25片)被确定为落在可接受的污染物容差范围外。这种情况下，本发明可用于只在污染颗粒污染密度大的各特定区域局部地清洗某些或全部晶片。这种“点”清洗足以使全部“区”落入阈值容差内，而不需要不加区分地清洗整个晶片的某些或全部“区”。

根据本发明，分配装置16可以由应用于该领域的常规气体射流清洗、液体射流清洗或液化汽清洗装置提供。这些装置的分配喷嘴25能够基本精确地沿预定路18传送清洗剂的冲击流。而且，这些分配装置一般能够根据要求传送冲击流17，以便该传送能够准确地起动和停止。

这些常规气体射流清洗或液休射流清洗分配装置一般可由FSIInternational，Inc.，Chaska，Mn提供，而合适的射流液化汽清洗分配装置可以FSI International，Ina提供。

然而，这些分配装置包括附加的分配控制电路27，它们可操作地耦合到中心控制装置20上，用以按使清洗效率最好的方式控制冲击流17的输出。例如，冲击流17的输出直径可以通过调节分配喷嘴25进行控制，而分配喷嘴25又控制打到衬底表面上的冲击流的接触面积和压力。

因此，在需要去除较小污染颗粒的情况下，分配喷嘴25可以被调节以输出直径约为0.15mm的较小直径的冲击流，气体/液体控制压力为约482633.2N/m²，以便局部清洗。因此，只利用冲击流全力接触污染颗粒的最近周围区域，以减小可能的清洗诱生损伤，并提供对污染颗粒去除合适的强液化汽压力。此外，分配喷嘴出口的直径应小，以便使物质显著地膨胀成低压，从而由于用于产生液化汽的物质的Joule-Thompson冷却，至少使物质的基本部分固化。在需要从衬底表面上去除污染颗粒簇或较大污染颗粒的情况下，分配喷嘴25可以被调节以输出约为2mm的大直径冲击流，气体/液体控制压力约为620528.4N/m²，以便提供较大直径的接触面积。这可以保证去除污染物的较大几率，以及能够更好地在更少的时间内由冲击流覆盖。

而且，清洗装置10的分配控制电路27还控制冲击流的压力，以便使相对于估测的污染颗粒尺寸清洗效率最好。如上所述，由于较小污染颗粒的较小表面积，以及它们相对于颗粒直径来说具有增大的附着力，所以它们更难去除。因此，冲击流的输出压力可以被设定为要去除期望的污染颗粒所需的压力。

分配控制电路27还可以控制分配喷嘴25的相对运动，以便在冲击流的路径18定位污染颗粒。与衬底固定器23的相对运动类似，这种分配喷嘴的相对运动可以是通过常规控制装置计算机操作的。

这些机构还可以调节冲击流相对于污染物和衬底表面的角度，以便使局部去除效果最好。冲击的优选角度为约0度-约90度，更好是约45度。而且，冲击流的传送可以是脉动的，以便进一步促进污染物的去除。

从对本装置的上述说明中可以理解，提供本发明的方法用于从电子制造中的衬底13的表面12上去除污染物11、11’。如图3所示，该污染物去除方法包括以下步骤：提供衬底29；探测位于衬底13的表面12上的至少一种污染物；基本上沿路径18准确地分配清洗剂和控制的冲击流17。下一步(32)包括定位一个冲击流，并且在所述冲击流17的路径定位至少一种污染物，以便基本准确地局部冲击去除衬底表面12上的污染物11’。

应理解，分配步骤31和定位步骤32可以按图3所示的顺序。然而，最好是衬底和分配装置在分配步骤前对准。

测位步骤包括以下步骤：读取衬底13的表面12的颗粒映射图33，检测污染物11’；并相对于衬底表面映射污染物的位置(34)。

测位和映射步骤33，34还包括测位和映射衬底表面上基本上所有污染物11、11’的步骤；定位步骤32还包括在冲击流的路径上选择性定位至少一种所选污染物，以便能够基本上准确地对污染物最近周围区进行局部冲击，以去除表面上的污染物的步骤。

按本发明方法的另一方案，测位和映射步骤33，34包括估测每种检测到的污染物的相对尺寸和规格的步骤。根据这种信息，该方法还包括以能够从衬底表面12去除所选污染物的方式调节冲击流的步骤。

调节步骤是通过相对于各污染物调节来自分配装置16的气流的压力进行的。这种气流压力最好在约137895.2N/m²-4757384.4N/m²的范围内。调节步骤还可以通过调节冲击流的输出直径、或者单独地或者一起进行速度和/或压力调节实现。输出直径最好为约0.15mm-约2mm。最后，调节步骤可以通过使冲击流脉动进行。

尽管以上结合各实施例展示和说明了本发明，但所属领域的技术人员应认识到，可以对本发明作出各种改形和改变，而不会背离本发明的范围。因此，本发明的范围不是由上述说明书确定的，而是由权利要求书及它们的等同物的所有范围确定的。

Claims (25)

1、一种用于微电子技术制造中从衬底表面上去掉污染物的衬底清洗装置，包括：

用于测位和映射衬底表面上的至少一种污染物的物质测位映射装置；

分配装置，其被形成和规格化为能够沿路径分配控制的清洗剂冲击流；

耦合到所述映射装置和所述分配装置的控制装置，用于控制所述冲击流，以便根据冲击流的路径定位探测到的污染物，从而可以进行局部冲击，从衬底表面上去掉污染物。

2、如权利要求1所述的衬底清洗装置，其中所述物质测位映射装置用于确定所述污染物的尺寸。

3、如权利要求1所述的衬底清洗装置，其中

所述物质测位映射装置用于测位、映射和数字化显示所述衬底表面上所有的污染物；以及

所述控制装置用于选择性地控制所述分配装置或其上可以固定衬底的衬底固定装置的移动，以便将至少一个选择的污染物定位在所述冲击流的路径中，以能够对所述污染物的周围区域进行局部冲击，去除所述表面的污染物。

4、如权利要求3所述的衬底清洗装置，其中

所述物质测位映射装置用于确定每种所述污染物的尺寸和空间大小；以及

所述控制装置耦合到所述分配装置的分配控制电路上，形成所述分配控制电路以便能够根据所述尺寸和空间大小调节冲击流。

5、如权利要求4所述的衬底清洗装置，其中所述分配控制电路包括用于调节分配装置喷嘴处冲击流的压力的装置。

6、如权利要求5所述的衬底清洗装置，其中所述冲击流的所述压力为137895.2N/m²-4757384.4N/m²。

7、如权利要求5所述的衬底清洗装置，其中所述分配控制电路还包括用于调节由所述分配器的喷嘴分配的冲击流的输出直径的装置。

8、如权利要求7所述的衬底清洗装置，其中所述冲击流的所述压力为137895.2N/m²-4757384.4N/m²，并且所述输出直径为0.15mm-2mm。

9、如权利要求4所述的衬底清洗装置，其中所述分配控制电路包括用于调节由所述分配器的喷嘴分配的冲击流的输出直径的装置。

10、如权利要求9所述的衬底清洗装置，其中所述输出直径为0.15mm-2mm。

11、如权利要求4所述的衬底清洗装置，其中所述分配器构形成分配液化汽清洗剂。

12、如权利要求4所述的衬底清洗装置，其中所述分配器构形成分配射流清洗剂。

13、如权利要求1所述的衬底清洗装置，其中所述分配器构形成分配液化汽清洗剂。

14、如权利要求1所述的衬底清洗装置，其中所述分配器构形成分配射流清洗剂。

15、一种在微电子技术制造中从衬底表面上去除污染物的方法，包括以下步骤：

测位步骤，用于测位位于衬底表面上的至少一种污染物；

沿路径分配清洗剂的受控冲击流；

定位步骤，用于根据冲击流的路径定位一个冲击流和至少一种污染物，以便能够局部冲击和去除所述表面上的污染物。

16、如权利要求15所述的方法，其中所述测位步骤包括以下步骤：

读取衬底表面的颗粒映射图，以检测污染物；及

相对于衬底的表面映射污染物的位置。

17、如权利要求16所述的方法，还包括以下步骤：

确定所述污染物的尺寸。

18、如权利要求16所述的方法，其中所述测位步骤还包括测位和映射所述衬底的表面上的所有的污染物的步骤；

所述定位步骤还包括根据冲击流的路径至少选择性定位一种所选污染物，以便能够对所述污染物的周围区域进行局部冲击以去除所述表面上的污染物。

19、如权利要求18所述的方法，还包括以下步骤：

确定每种所检测污染物的尺寸和空间大小；及

调节步骤，用于根据所述尺寸和空间大小调节冲击流。

20、如权利要求19所述的方法，其中所述调节步骤通过调节冲击流相对于各污染物的压力进行。

21、如权利要求20所述的方法，其中所述冲击流的压力为137895.2N/m²-4757384.4N/m²。

22、如权利要求20所述的方法，其中所述调节步骤还通过调节冲击流的输出直径进行。

23、如权利要求22所述的方法，其中所述冲击流的所述压力为137895.2N/m²-4757384.4N/m²，并且所述输出直径为0.15mm-2mm。

24、如权利要求19所述的方法，其中所述调节步骤通过调节冲击流的输出直径进行。

25、如权利要求19所述的方法，其中所述调节步骤通过脉动冲击流进行。

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