CN118411946A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开的一方面旨在提供一种发光显示装置，其可在阳极复位时段期间将与数据线和发光器件的阳极相连的开关晶体管开通至少一次。发光显示装置包括：发光显示面板，其设有包括像素驱动电路和发光器件的像素；向像素驱动电路供应栅极信号的栅极驱动器，像素驱动电路包括开关晶体管和第一发光晶体管，第一发光晶体管连接在阳极与第一节点之间，开关晶体管连接在发光显示面板中的数据线与第一节点之间，在发光显示装置的使用期间栅极驱动器每秒开通第一发光晶体管M次(M为3或更大的自然数)且开通开关晶体管S次(S为2或更大的自然数)，S次小于M次且大于1次，1秒被分为刷新时段和阳极复位时段，开关晶体管在阳极复位时段期间被开通至少一次。

Description

发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2023年1月30日提交的韩国专利申请No.10-2023-0012057的权益，该韩国专利申请通过引用被并入本文，如同在本文中被完整阐述一样。

技术领域

本公开涉及一种发光显示装置。

背景技术

发光显示装置本身可输出光以显示图像。

发光显示装置安装在诸如电视、监视器、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、电子平板、可穿戴设备、手表手机、便携式信息设备、导航设备或车辆(运载工具)控制显示设备等的电子产品上或电子产品中，以实现显示图像的功能。

发明内容

例如，在应用于诸如电子表的其中图像变化不大的电子设备的发光显示装置中，为了改善功耗，仅在1秒之中的刷新时段(refresh period)期间向数据线供应数据电压，并且在1秒之中的除了刷新时段以外的阳极复位时段(或阳极重置时段，anode resetperiod)期间通过使用发光控制信号来控制发光器件的光发射。

然而，在通过上述方法驱动的发光显示装置中，仅在刷新时段期间被开通(或导通)之后在阳极复位时段期间应当被关断的晶体管可能在阳极复位时段期间被异常开通。

尤其是，如果其中发生上述缺陷的晶体管影响了发光器件的驱动，则可能出现其中在发光显示面板中呈现或显示出水平线的缺陷。

因此，本公开旨在提出一种基本上消除由于相关技术的局限性和缺点而产生的一个或更多个问题的发光显示装置。

本公开的一个方面旨在提出一种发光显示装置，其中，与发光器件的阳极和数据线相连的开关晶体管可以在阳极复位时段期间被开通至少一次。

本公开的附加优点和特征将部分地在下面的描述中给出，且部分地对于本领域的普通技术人员而言将在阅读下面的内容后变得明显，或者可从本公开的实践中了解到。本公开的目标(或目的)和其他优点可通过由书面描述和权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和达到。

为了实现这些和其他优点，并根据本公开的目的，如本文所实施和广义描述，提供了一种发光显示装置，该发光显示装置包括：发光显示面板，其设置有像素，所述像素包括像素驱动电路和发光器件；以及栅极驱动器，所述栅极驱动器向像素驱动电路供应栅极信号，其中，所述像素驱动电路包括开关晶体管和第一发光晶体管，所述第一发光晶体管连接在发光器件的阳极与第一节点之间，所述开关晶体管连接在设置于发光显示面板中的数据线与所述第一节点之间，在所述发光显示装置的使用期间，栅极驱动器使第一发光晶体管每秒开通M次(M为3或更大的自然数)并且使开关晶体管每秒开通S次(S为2或更大的自然数)，其中S次小于M次且大于1次，并且1秒被分为刷新时段和阳极复位时段，且开关晶体管在阳极复位时段期间被开通至少一次。

将会理解的是，本公开的上述总体描述和下述详细描述均为示例性和解释性的，并且意在提供对要求保护的本公开的进一步解释。

附图说明

被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入本申请中且构成其一部分的附图图示了本公开的实施例，并且与所述描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是示意性地图示根据本公开的发光显示装置的框图；

图2是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的像素驱动电路和发光器件的示例性图形；

图3是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的控制驱动器的结构的示例性图形；

图4是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的栅极驱动器的结构的示例性图形；

图5是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的方法的示例性图形；

图6是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的刷新时段的方法的时序图；

图7A至图7D是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的刷新时段的方法的示例性图形；

图8是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的阳极复位时段的方法的时序图；以及

图9是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的发光显示面板的堆叠形式的截面图。

具体实施方式

现在将详细参照本公开的示例性实施例，其示例在附图中示出。在可行的情况下，整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。

本公开的优点和特征及其实施方法将通过以下参照附图描述的实施例阐明。然而，本公开可以以不同的形式实现，并且不应被解释为仅限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将变得全面且完整，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。

附图中用于描述本公开的实施例而公开的形状、大小、比例、角度和数量仅仅为示例，因此，本公开不限于所图示的细节。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的要素(或元件)。在以下描述中，当对相关已知功能或配置的详细描述被确定为会不必要地模糊本公开的要点时，将省略该详细描述。当使用在本公开中描述的“包括”、“具有”和“包含”时，除非使用了“仅”，否则可添加另一部件。单数形式的术语可包括复数形式，除非指出了相反的情况。

在解释要素时，该要素被解释为包括误差或公差范围，尽管没有对这样的误差或公差范围的明确描述。

例如，在描述位置关系时，当两个部件之间的位置关系被描述为例如“上”、“之上(上方)”、“之下(下方)”和“邻接”时，一个或更多个其他部件可被设置在所述两个部件之间，除非使用了诸如“刚好(正)”或“直接(地)”的更具限制性的术语。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了诸如“刚好(正好)”、“立即(地)”或“直接(地)”的更具限制性的术语。

将会理解的是，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应受到这些术语的限制。这些术语仅被用来将一个要素与另一要素区分。例如，第一要素可以被称为第二要素，类似地，第二要素可以被称为第一要素，而不脱离本公开的范围。

在描述本公开的要素时，可使用术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等。这些术语意在从其他要素中识别出相应要素，而相应要素的基础、顺序或数量不应受到这些术语的限制。一个要素或层“连接”、“耦合(或耦接)”或“附着”至另一要素或层的表述应当被理解为，该要素或层不仅可以直接地连接或附着至另一要素或层，而且可以间接地连接或附着至另一要素或层，其中在所述要素或层之间“设置”或“插入”一个或更多个中间要素或层，除非另有说明。

术语“至少一个”应被理解为包括相关所列项目中的一个或更多个的任意和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个中所提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。

本公开的各种实施例的特征可以部分或整体地相互耦合或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样进行各种相互操作和技术驱动。本公开的实施例可以相互独立地实施，或者可以以相互依赖的关系实施。

下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。

图1是示意性地图示根据本公开的发光显示装置的框图。

参照图1，发光显示装置10包括：(或包含)发光显示面板100，该发光显示面板100包括像素P(更具体地说，多个像素P，且为简化起见，图1中仅示出了一个像素P)；控制驱动器400；向像素P中的每一个供应栅极信号的栅极驱动器200；向像素P中的每一个供应数据电压的数据驱动器300；以及向像素P中的每一个供应电力的电源500。

发光显示面板100包括设置有像素P的显示区域以及设置有栅极驱动器200和数据驱动器300的非显示区域。非显示区域NDA(如图9所示)被设置为围绕显示区域DA(如图9所示)。

在发光显示面板100中，栅极线GL和数据线DL相互交叉，像素P中的每一个与栅极线GL和数据线DL相连。具体来说，像素P通过栅极线GL接收来自栅极驱动器200的栅极信号，通过数据线DL接收来自数据驱动器300的数据电压，以及接收来自电源500的高电位驱动电压(例如，第一电压)EVDD和低电位驱动电压(例如，第二电压)EVSS。

此处，栅极线GL供应扫描信号Scan和发光控制信号EM，而数据线DL供应数据电压Vdata。此外，在各种实施例中，栅极线GL中的每一个可包括供应扫描信号Scan的至少一个扫描线SCL和供应发光控制信号EM的至少一个发光控制信号线EML。而且，像素P可通过电源线VL接收偏置电压Vobs和初始化电压Var或Vini。

像素P中的每一个可包括发光器件ED和控制发光器件ED的操作(或运行)的像素驱动电路。此处，发光器件ED可包括阳极电极(或简称为阳极)、阴极电极(或简称为阴极)以及在阳极电极和阴极电极之间的发光层。

像素驱动电路可包括开关器件、驱动器件和电容器。此处，开关器件和驱动器件中的每一个可由薄膜晶体管构成。在像素驱动电路中，驱动器件可基于数据电压来控制供应至发光器件ED的电流的量，以调整由发光器件ED发射的光的量。此外，开关器件可接收通过扫描线SCL供应的扫描信号Scan和通过发光控制线EML供应的发光控制信号EM，以操作像素驱动电路。

发光显示面板100可实现为非透射型显示面板或透射型显示面板。透射型显示面板可应用于其中图像显示在屏幕上并且背景的真实物体可见的透明显示装置。发光显示面板100可制造为柔性显示面板。柔性显示面板可实现为使用塑料基板的OLED面板。

像素P可包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，以用于彩色实现。像素P可进一步包括白色像素。像素P中的每一个可包括像素驱动电路。

可在发光显示面板100上设置触摸传感器。触摸输入可使用分离的触摸传感器被感测，或者可通过像素P被感测。触摸传感器可以单元格上(on-cell)型式或附加(add-on)型式设置在发光显示面板上，或者可实现为嵌入在发光显示面板100中的单元格内(in-cell)型式触摸传感器。

控制驱动器400根据发光显示面板100的大小和分辨率处理从外部输入的图像数据Ri、Gi和Bi，并将图像数据供应至数据驱动器300。控制驱动器400通过使用从外部输入的同步信号(例如，点时钟信号CLK、数据使能信号DE、水平同步信号Hsync和竖直同步信号Vsync)生成栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。控制驱动器400将在控制驱动器中生成的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS分别供应至栅极驱动器200和数据驱动器300，以控制栅极驱动器200和数据驱动器300。

控制驱动器400可与各种处理器(例如，微处理器、移动处理器、应用处理器等)组合配置。

主机系统可以是电视(TV)系统、机顶盒、导航系统、个人电脑(PC)、家庭影院系统、移动设备、可穿戴设备和车辆系统中的任一种。

控制驱动器400可将输入帧频与i相乘，以利用输入帧频×i(i为大于0的正整数)Hz的帧频控制发光显示面板驱动器(例如，栅极驱动器和数据驱动器)的操作时序。输入帧频在美国国家电视标准委员会(NTSC)方法中为60Hz(赫兹)，在相位交替线(Phase-Alternating Line，即PAL)方法中为50Hz。

控制驱动器400生成信号，使得像素P可以各种刷新率被驱动。也就是说，控制驱动器400生成与驱动相关的信号，使得像素P可以以可变刷新率(VRR)模式被驱动，或者可以在第一刷新率与第二刷新率之间被驱动。例如，控制驱动器400可简单地改变时钟信号的速度，生成同步信号以生成水平空白或竖直空白，或者以掩码方式驱动栅极驱动器200，以在各种刷新率下驱动像素P。

基于从主机系统接收到的时序信号Vsync、Hsync和DE，控制驱动器400生成栅极控制信号GCS以控制栅极驱动器200的操作时序，并且生成数据控制信号DCS以控制数据驱动器300的操作时序。控制驱动器400控制发光显示面板驱动器的操作时序，以同步栅极驱动器200和数据驱动器300。

控制驱动器400输出的栅极控制信号GCS的电压电平可以通过电平移位器(或电平转换器)转换为栅极开通(或导通)电压VGL或VEL和栅极关断电压VGH或VEH，并供应至栅极驱动器200。电平移位器将栅极控制信号GCS的低电平电压转换为栅极低电压VGL，并将栅极控制信号GCS的高电平电压转换为栅极高电压VGH。栅极控制信号GCS包括启动脉冲和移位时钟。在以下描述中，VGH、VEH、VGL、VEL等可以不同的术语描述。例如，VGH可被描述为栅极开通电压、栅极关断电压或栅极第一(gate-first)电压。此外，在以下描述中，可根据需要以不同的术语来描述元件中的每一个。

栅极驱动器200基于从控制驱动器400供应的栅极控制信号GCS向栅极线GL供应扫描信号Scan。栅极驱动器200可以面板中栅极(GIP)型式设置在发光显示面板100的一侧或两侧。

在控制驱动器400的控制下，栅极驱动器200将栅极信号依次输出至多条栅极线GL。栅极驱动器200可通过使用移位寄存器对栅极信号进行移位，以将栅极信号依次供应至栅极线GL。

栅极信号可以是扫描信号Scan或发光控制信号EM。

扫描信号Scan可包括在栅极开通电压(VGL或VGH)和栅极关断电压(VGH或VGL)之间摆动的栅极脉冲。

发光控制信号EM可包括在栅极开通电压(VEL或VEH)和栅极关断电压(VEH或VEL)之间摆动的发光控制信号脉冲。

栅极脉冲选择待与数据电压Vdata同步地被供应数据电压Vdata的线的像素P。发射控制信号EM确定像素P的光发射(或发光)时间。

栅极驱动器200可包括发光控制信号驱动器和扫描驱动器。发光控制信号驱动器可包括至少一个发射控制信号生成器，扫描驱动器可包括至少一个扫描信号生成器。

发光控制信号驱动器响应于从控制驱动器400传输的启动脉冲和移位时钟而输出发光控制信号脉冲，并基于移位时钟依次移位发光控制信号脉冲。

扫描驱动器响应于从控制驱动器400传输的启动脉冲和移位时钟而输出栅极脉冲，并基于移位时钟时序移位栅极脉冲。

数据驱动器300基于从控制驱动器400供应的数据控制信号DCS将图像数据RGB转换为数据电压Vdata，并通过数据线DL将转换的数据电压Vdata供应至像素P。

在图1中，图示了数据驱动器300以一种形式设置在发光显示面板100的一侧，但数据驱动器300的数量和位置不限于此。

也就是说，数据驱动器300可由多个集成电路(IC)组成，并且可在发光显示面板100的一侧被分成多个部分(或单元)。

电源500使用DC-DC转换器以生成驱动发光显示面板100的像素阵列和发光显示面板驱动器所需的DC电力。DC-DC转换器可包括电荷泵、稳压器、降压转换器、升压转换器等。电源500接收从主机系统供应的DC输入电压，以生成DC电压，例如栅极开通电压VGL和VEL、栅极关断电压VGH和VEH、高电位驱动电压EVDD、低电位驱动电压EVSS等。栅极开通电压VGL和VEL以及栅极关断电压VGH和VEH被供应至电平移位器和栅极驱动器。高电位驱动电压EVDD和低电位驱动电压EVSS被共同地供应至像素P。栅极开通电压和栅极关断电压的幅值(magnitude)可基于晶体管的类型而进行各种变化。例如，N型晶体管中的栅极开通电压可具有高电平，而P型晶体管中的栅极开通电压可具有低电平。

图2是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的像素驱动电路和发光器件的示例性图形。

发光显示面板100设置有栅极线GL、数据线DL和像素P。相应地，在显示区域中输出图像。可向数据线DL供应数据电压Vdata或补偿电压Vpark。例如，在将在下文描述的刷新时段期间，可向数据线DL供应数据电压Vdata，而在将在下文描述的阳极复位时段期间，可向数据线DL供应补偿电压Vpark。

每个像素P包括像素驱动电路和发光器件ED。在图2中，图示了沿数据线DL设置的第n个像素P。也就是说，图2中图示了与第n个栅极线GL相连的像素P。如上所述，栅极线GL可包括供应扫描信号Scan的扫描信号线SCL和供应发光控制信号EM的发光控制信号线EML。在图2中，图示了包括向其供应两个扫描信号Scan1(n)和Scan2(n)的两条扫描信号线SCL1和SCL2以及向其供应两个发光控制信号EM(n-2)和EM(n)的两条发光控制信号线EML1和EML2的像素P。

如图2所示，像素驱动电路可包括开关晶体管T1、第一发光晶体管T5、驱动晶体管T2、第二发光晶体管T4、扫描晶体管T3、初始化晶体管T6和存储电容器Cst。

开关晶体管T1连接在设置于发光显示面板100中的数据线DL与第一节点N1之间，并由通过第二扫描信号线SCL2供应的第二扫描信号Scan2(n)驱动。也就是说，开关晶体管T1的栅极与第二扫描信号线SCL2相连，开关晶体管T1的第一电极与数据线DL相连，且开关晶体管T1的第二电极与第一节点N1相连。

第一发光晶体管T5连接在发光器件ED的阳极与第一节点N1之间，并由通过第一发光控制信号线EML1供应的第一发光控制信号EM(n-2)驱动。也就是说，第一发光晶体管T5的第一电极与第一节点N1相连，第一发光晶体管T5的第二电极与发光器件ED的阳极相连，且第一发光晶体管T5的栅极与第一发光控制信号线EML1相连。

此处，供应至第一发光控制信号线EML1的第一发光控制信号EM(n-2)可以是与供应至与第n-2个栅极线相连的像素P的第二发射晶体管T4的第二发光控制信号相同的信号。也就是说，在图2中，第二发光控制信号EM(n)可被供应至与第n个栅极线GL相连的像素P的第二发射晶体管T4，且第一发光控制信号EM(n-2)可被供应至图2中所示的像素P的第一发光晶体管T5。

驱动晶体管T2执行控制供应至发光器件ED的电流的幅值(或大小)的功能。为此，第一电压EVDD被供应至驱动晶体管T2的第一电极，驱动晶体管T2的第二电极与第一节点N1相连，且驱动晶体管T2的栅极与扫描晶体管T3的第一电极和存储电容器Cst的第一电极相连。

第二发光晶体管T4的第一电极与供应有第一电压EVDD的第一电压线11相连，第二发光晶体管T4的第二电极与驱动晶体管T2的第一电极相连，且第二发光晶体管T4的栅极与供应有第二发光控制信号EM(n)的第二发光控制信号线EML2相连。

扫描晶体管T3的第一电极与驱动晶体管T2的栅极相连，扫描晶体管T3的第二电极与驱动晶体管T2的第一电极相连，且扫描晶体管T3的栅极与向其供应第一扫描信号Scan1(n)的第一扫描信号线SCL1相连。也就是说，扫描晶体管T3由第一扫描信号Scan1(n)驱动。

初始化晶体管T6的第一电极与发光器件ED的阳极相连，初始化晶体管T6的第二电极与供应有初始化电压Vini的初始化线IL相连，且初始化晶体管T6的栅极与第一发光晶体管T5的栅极相连。初始化线IL可以是电源线VL中的一个。第一发光控制信号EM(n-2)被供应至初始化晶体管T6的栅极。

存储电容器Cst连接在驱动晶体管T2的栅极和发光器件ED的阳极之间。也就是说，存储电容器Cst的第一电极与驱动晶体管T2的栅极和扫描晶体管T3的第一电极相连，存储电容器Cst的第二电极与初始化晶体管T6的第一电极、第一发光晶体管T5的第二电极和发光器件ED的阳极相连。存储电容器Cst可存储数据电压Vdata和驱动晶体管T2的阈值电压。

配置像素驱动电路的晶体管中的每一个可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，如图2所示，第一发光晶体管T5和第二发光晶体管T4可以是P型薄膜晶体管，而其余晶体管T1至T3和T6可以是N型薄膜晶体管。

此外，配置像素驱动电路的晶体管中的每一个可以是氧化物薄膜晶体管或使用低温多晶硅(LTPS)的薄膜晶体管(在下文中，简称为低温多晶硅薄膜晶体管或多晶薄膜晶体管)。

氧化物薄膜晶体管是指使用氧化物半导体的晶体管，而多晶薄膜晶体管是指使用多晶晶体管的晶体管。

尤其是，在根据本公开的发光显示装置中，驱动晶体管T2和扫描晶体管T3可以是使用氧化物半导体的氧化物薄膜晶体管，而其余晶体管T1和T4至T6可以是使用多晶半导体的低温多晶硅薄膜晶体管。例如，氧化物薄膜晶体管在速度上比低温多晶硅薄膜晶体管慢，但氧化物薄膜晶体管的漏电流比低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流小。也就是说，氧化物薄膜晶体管的开通和关断速度小于低温多晶硅薄膜晶体管的开通和关断速度，但氧化物薄膜晶体管的漏电流较小。因此，氧化物薄膜晶体管的开关特性可能优于低温多晶硅薄膜晶体管的开关特性。

然而，除了上述示例之外，晶体管的型式和种类可以进行各种变化。

发光器件ED可包括阳极和阴极。发光器件ED的阳极可与第一发光晶体管T5的第二电极相连，而发光器件ED的阴极可与向其供应第二电压EVSS的第二电压线12相连。

应用于本公开的像素P的结构不限于图2所示的结构。因此，像素P的结构可以各种形式变化。然而，在下文中，为了描述的方便，将作为根据本公开的发光显示装置的示例描述包括图2所示的像素P的发光显示装置。

图3是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的控制驱动器的结构的示例性图形，图4是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的栅极驱动器的结构的示例性图形。

根据本公开的发光显示装置可被用作各种电子设备。电子设备可包括例如电视和监视器。

根据本公开的发光显示装置可包括：发光显示面板100，其包括显示图像的显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA；栅极驱动器200，其向设置在发光显示面板100的显示区域DA中的多条栅极线GL供应栅极信号；数据驱动器300，其向设置在发光显示面板100中的多条数据线DL供应数据电压Vdata；控制驱动器400，其控制栅极驱动器200和数据驱动器300的驱动；以及电源500，其向控制驱动器400、栅极驱动器200、数据驱动器300和发光显示面板100供应电力。

控制驱动器400可通过使用从外部系统传输的时序同步信号重新配准(或再调整)从外部系统传输的输入图像数据Ri、Gi和Bi。控制驱动器400可生成待供应至数据驱动器300的数据控制信号DCS和待供应至栅极驱动器200的栅极控制信号GCS。

为此，如图3所示，控制驱动器400可包括：数据配准器(或调整器)430，其重新配准(或再调整)输入图像数据Ri、Gi和Bi，以生成图像数据Data并将图像数据Data供应至数据驱动器300；控制信号生成器420，其通过使用时序同步信号生成栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS；控制单元410，其接收从外部系统传送的时序同步信号和输入图像数据，将时序同步信号传送到控制信号生成器并将输入图像数据传送到数据配准器；输出单元440，其向数据驱动器300供应由数据配准器430生成的图像数据Data和由控制信号生成器420生成的数据控制信号DCS，并向栅极驱动器200供应由控制信号生成器420生成的栅极控制信号GCS。

控制信号生成器420可生成供应至电源500的电源控制信号。

控制驱动器400可进一步包括用于存储各种信息的存储单元450。存储单元450可包括在控制驱动器400中，但也可与控制驱动器400分离并独立地设置。

外部系统可实现驱动控制驱动器400和电子设备的功能。

例如，当电子设备是电视(TV)时，外部系统可通过通信网络接收各种声音信息、图像信息和字符信息，并可将接收到的图像信息传输至控制驱动器400。

此外，当电子设备是监视器时，外部系统可通过与计算机相连的通信网络接收图像信息，将接收到的图像信息转换为输入图像数据Ri、Gi和Bi，并将其传输至控制驱动器400。

也就是说，外部系统可将通过通信网络接收到的图像信息改变为由控制驱动器400识别的信号。在这种情况下，由控制驱动器400识别的信号可以是输入图像数据Ri、Gi和Bi。也就是说，外部系统可将图像信息转换为输入图像数据Ri、Gi和Bi，而输入图像数据Ri、Gi和Bi可被传输至控制驱动器400。

电源500可生成各种电力(或功率)，并将所生成的电力供应至控制驱动器400、栅极驱动器200、数据驱动器300和发光显示面板100。

电源500可通过数据线DL向像素P供应补偿电压Vpark。补偿电压Vpark可直接从电源500供应至像素P，或者可通过数据驱动器300从电源500供应至像素P。

数据驱动器300可向数据线DL供应数据电压Vdata。

为此，数据驱动器300可包括：移位寄存器，其输出采样信号；锁存部分，其锁存从控制驱动器400接收到的图像数据Data；数模转换器，其将从锁存部分320传送的图像数据Data转换为数据电压Vdata并输出数据电压Vdata；以及输出缓冲器，其基于源输出使能信号将从数模转换器传送的数据电压输出至数据线DL。

栅极驱动器200可通过使用面板中栅极(GIP)型式直接嵌入到非显示区域NDA中。此外，栅极驱动器200可设置在其中设置有发光器件ED的显示区域DA中，或者可设置在安装于非显示区域NDA中的膜上芯片(chip-on film)上。

栅极驱动器200可向栅极线GL中的每一个供应栅极信号。如上所述，栅极信号可包括扫描信号Scan和发光控制信号EM。扫描信号Scan实现向像素P供应数据电压Vdata的功能，而发光控制信号EM可控制发光器件ED发光的时序。在图2中，图示了向其供应两个扫描信号Scan1(n)和Scan2(n)以及两个发光控制信号EM(n-2)和EM(n)的像素P。为此，两条扫描信号线SCL1和SCL2以及两条发光控制信号线EML1和EML2与图2所示的像素相连。

图4中图示了用于生成两个扫描信号Scan1(n)和Scan2(n)以及两个发光控制信号EM(n-2)和EM(n)的栅极驱动器200的示例。

尤其是，图4所示的栅极驱动器200包括第一扫描信号生成器210、第二扫描信号生成器220、奇数发光控制信号生成器230和偶数发光控制信号生成器240，它们设置在显示区域DA的两侧的非显示区域NDA中。

第一扫描信号生成器210生成第一扫描信号Scan1，并将第一扫描信号Scan1依次供应至设置在显示区域DA中的水平线HL。为此，第一扫描信号生成器210包括第一扫描信号级Scan1_Stage。

第一扫描信号级Scan1_Stage中的每一个生成第一扫描信号Scan1并将其供应至第一扫描信号线SCL1。

也就是说，第一扫描信号级Scan1_Stage中的每一个通过与一个水平线HL相连的第一扫描信号线SCL1向一个水平线HL供应第一扫描信号Scan1。

此处，水平线HL是指具有与第一扫描信号线SCL1(第一扫描信号Scan1向其供应)相连的像素的虚拟线。例如，在第一水平线HL(1st)中设置有第一扫描信号线SCL1、第二扫描信号线SCL2、第一发光控制信号线EML1、第二发光控制信号线EML2和像素P。设置在第一水平线HL(1st)中的像素P与第一扫描信号线SCL1、第二扫描信号线SCL2、第一发光控制信号线EML1和第二发光控制信号线EML2相连。

可向第一扫描信号生成器210供应第一扫描信号生成器启动信号G1VST、栅极第一电压VGH、栅极第二低电压VGL以及第一栅极时钟G1CLK1和G1CLK2。这些信号可从控制驱动器400或电源500供应。

例如，在设置于第一扫描信号生成器210中的第一扫描信号级Scan1_Stage之中，第一级Scan1_Stage1可由从控制驱动器400传输的第一扫描信号生成器启动信号G1VST驱动。剩余级(Scan1_Stage2、Scan1_Stage3、...)中的每一个可使用从先前级供应的信号作为启动信号来驱动。此处，先前级可以是与当前被驱动的级相邻的级，但还可以是与当前被驱动的级间隔开并在其间具有至少一个其他级的级。

栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可从电源500供应。

栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可开通或关断设置在第一扫描信号级Scan1_Stage中的上拉晶体管或下拉晶体管。此处，上拉晶体管是指例如供应能够开通开关晶体管T1的信号的晶体管，而下拉晶体管是指供应能够关断开关晶体管T1的信号的晶体管。也就是说，上拉晶体管或下拉晶体管可由栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL开通或关断，并且由此，开关晶体管T1可被开通或关断。

第二扫描信号生成器220生成第二扫描信号Scan2并将第二扫描信号Scan2依次供应至设置在显示区域DA中的水平线HL。为此，第二扫描信号生成器220包括第二扫描信号级Scan2_Stage。

第二扫描信号级Scan2_Stage中的每一个生成第二扫描信号Scan2并将其供应至第二扫描信号线SCL2。

也就是说，第二扫描信号级Scan2_Stage中的每一个通过与一条水平线HL相连的第二扫描信号线SCL2向一条水平线HL供应第二扫描信号Scan2。

可以向第二扫描信号生成器220供应第二扫描信号生成器启动信号G2VST、栅极第一电压VGH、栅极第二电压VGL、栅极第三电压VSL以及第二栅极时钟G2CLK1和G2CLK2。这些信号可从控制驱动器400或电源500供应。

例如，在设置于第二扫描信号生成器220中的第二扫描信号级Scan2_Stage之中，第一级Scan2_Stage1可由从控制驱动器400传输的第二扫描信号生成器启动信号G2VST驱动。剩余级(Scan2_Stage2、Scan2_Stage3、...)可使用从先前级供应的信号作为启动信号来驱动。此处，先前级可以是与当前被驱动的级相邻的级，但还可以是与当前被驱动的级间隔开且在其间具有至少一个其他级的级。

栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可从电源500供应。栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可开通或关断设置在第二扫描信号级Scan2_Stage中的上拉晶体管或下拉晶体管。此处，上拉晶体管是指例如供应能够开通开关晶体管T1的信号的晶体管，而下拉晶体管是指供应能够关断开关晶体管T1的信号的晶体管。也就是说，上拉晶体管或下拉晶体管可由栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL开通或关断，并且由此，开关晶体管T1可被开通或关断。栅极第三电压VSL还可控制设置在第二扫描信号级Scan2_Stage中的晶体管中的至少一个的开通和关断。

奇数发光控制信号生成器230和偶数发光控制信号生成器240供应发光控制信号。从奇数发光控制信号生成器230和偶数发光控制信号生成器240供应的发光控制信号可以是参照图2描述的第一发光控制信号EM(n-2)和第二发光控制信号EM(n)。

为了生成发光控制信号，奇数发光控制信号生成器230包括奇数虚设级Dummy odd和奇数发光控制信号级(EM_Stage1、EM_Stage3、...)。偶数发光控制信号生成器240包括偶数虚设级Dummy even和偶数发光控制信号级(EM_Stage2、EM_Stage4、...)。

可以向奇数发光控制信号生成器230供应奇数发光控制信号生成器启动信号EVST1、栅极第一电压VGH、栅极第二电压VGL以及奇数发光时钟ECLK1和ECLK3。可以向偶数发光控制信号生成器240供应偶数发光控制信号生成器启动信号EVST2、栅极第一电压VGH、栅极第二电压VGL以及偶数发光时钟ECLK2和ECLK4。这些信号可从控制驱动器400或电源500供应。

例如，设置在奇数发光控制信号生成器230中的奇数虚设级Dummy odd可由从控制驱动器400传输的奇数发光控制信号生成器启动信号EVST1驱动。在这种情况下，设置在奇数发光控制信号生成器230中的奇数发光控制信号级(EM_Stage1、EM_Stage3、....)可使用从先前级供应的信号作为启动信号来驱动。此处，先前级可以是与当前被驱动的级相邻的级，但还可以是与当前被驱动的级间隔开且在其间具有至少一个其他级的级。

栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可从电源500供应。栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可控制设置在奇数虚设级Dummy odd和奇数发光控制信号级(EM_Stage1、EM_Stage3、...)中的晶体管的开通和关断。

奇数发光时钟ECLK1和ECLK3被供应至奇数发光控制信号级(EM_Stage1、EM_Stage3、...)，并且可以被用于生成发光控制信号EM。

奇数发光控制信号级(EM_Stage1、EM_Stage3、...)中的每一个可对应于四个第二扫描信号级Scan2_Stage。而且，奇数发光控制信号级(EM_Stage1、EM_Stage3、...)中的每一个可向四条水平线HL供应发光控制信号EM。

例如，设置在偶数发光控制信号生成器240中的偶数虚拟级Dummy even可由从控制驱动器400传输的偶数发光控制信号生成器启动信号EVST2驱动。在这种情况下，设置在偶数发光控制信号生成器240中的偶数发光控制信号级(EM_Stage2、EM_Stage4、...)可由从先前级提供的信号作为启动信号来驱动。此处，先前级可以是与当前被驱动的级相邻的级，但还可以是与当前被驱动的级间隔开且在其间具有至少一个其他级的级。

栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可从电源500供应。栅极第一电压VGH和栅极第二电压VGL可控制设置在偶数虚设级Dummy even和偶数发光控制信号级(EM_Stage2、EM_Stage4、...)中的晶体管的开通和关断。

偶数发光时钟ECLK2和ECLK4被供应至偶数发光控制信号级(EM_Stage2、EM_Stage4、...)，并且可以被用于生成发光控制信号EM。

偶数发光控制信号级(EM_Stage2、EM_Stage4、...)中的每一个可对应于四个第一扫描信号级Scan1_Stage。而且，偶数发光控制信号级(EM_Stage2、EM_Stage4、...)中的每一个可向四条水平线HL供应发光控制信号EM。

如图4所示，第一扫描信号生成器210和第二扫描信号生成器220可设置在彼此面对的两个非显示区域NDA中，其中显示区域DA位于所述两个非显示区域NDA之间，以便它们彼此面对。

在这种情况下，第二扫描信号生成器220可设置在奇数发光控制信号生成器230与显示区域DA之间，而第一扫描信号生成器210可设置在偶数发光控制信号生成器240与显示区域DA之间。

也就是说，在将参照图9描述的非显示区域NDA中，第一扫描信号生成器210与坝部DAM之间的距离可比偶数发光控制信号生成器240与坝部DAM之间的距离更近。而且，在将参照图9描述的非显示区域NDA中，第二扫描信号生成器220与坝部DAM之间的距离可比奇数发光控制信号生成器230与坝部DAM之间的距离更近。

然而，奇数发光控制信号生成器230和偶数发光控制信号生成器240可设置在彼此面对的两个非显示区域NDA中，其中显示区域DA位于所述两个非显示区域NDA之间，以便它们彼此面对。

在这种情况下，奇数发光控制信号生成器230可设置在第二扫描信号生成器220与显示区域DA之间，而偶数发光控制信号生成器240可设置在第一扫描信号生成器210与显示区域DA之间。

也就是说，在将参照图9描述的非显示区域NDA中，偶数发光控制信号生成器240与坝部DAM之间的距离可比第一扫描信号生成器210与坝部DAM之间的距离更近。而且，在将参照图9描述的非显示区域NDA中，奇数发光控制信号生成器230与坝部DAM之间的距离可比第二扫描信号生成器220与坝部DAM之间的距离更近。

然而，除了上述布置结构之外，第一扫描信号生成器210、第二扫描信号生成器220、奇数发光控制信号生成器230和偶数发光控制信号生成器240还可以各种布置结构设置在非显示区域NDA中。

此外，应用于本公开的栅极驱动器200的结构不限于图4所示的结构。因此，栅极驱动器200的结构可以各种形式变化。

图5是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的方法的示例性图形。在以下描述中，与上文参照图1至图4所给出的描述相同或类似的描述被省略或将被简要给出。

如上所述，根据本公开的发光显示装置包括：发光显示面板100，其设置有像素P；栅极驱动器200，其向像素驱动电路供应栅极信号；数据驱动器300；控制驱动器400；以及电源500。

像素驱动电路包括开关晶体管T1和第一发光晶体管T5，第一发光晶体管T5连接在发光器件ED的阳极与第一节点N1之间。开关晶体管T1连接在设置于发光显示面板100中的数据线DL与第一节点N1之间。作为示例，在发光显示装置的使用期间，栅极驱动器可以每秒开通第一发光晶体管M次(M为3或更大的自然数)并且每秒开通开关晶体管S次，其中S次小于M次且多于1次(S为2或更大的自然数)。

在这种情况下，1秒可被分为刷新时段RF和阳极复位时段AR。阳极复位时段AR可被设定为长于刷新时段RF。

例如，当1秒被分为60帧时段时，如图5所示，在第一帧时段中，第二扫描信号Scan2(n)被依次供应至第二扫描信号线SCL2，并且由此，发光显示面板100中可显示一个图像。也就是说，在第一帧时段中，数据电压Vdata可被供应至数据线DL，并且由此，可以显示一个图像。第一帧时段可以是刷新时段RF。

在剩余的59个帧时段(第2帧时段至第60帧时段)中，第一发光晶体管T5被重复性地开通和关断。尤其是，作为示例，在剩余的59个帧时段的每一个中，第一发光晶体管T5可以被开通一次，并且由此，可以从发光器件输出光。剩余的59个帧时段被称为阳极复位时段AR。也就是说，1秒的时段之中除去刷新时段RF的剩余时段被称为阳极复位时段AR。

在刷新时段期间，发光器件可以使用充入驱动晶体管T2的数据电压输出光，并且在阳极复位时段期间，发光器件也可以使用在驱动晶体管T2中充入(换句话说，存储)的数据电压输出光。因此，即使在第2帧时段至第60帧时段中，也可显示与在刷新时段RF中输出的图像相同的图像。

在刷新时段RF期间，可通过数据线DL、开关晶体管T1和第一节点N1向驱动晶体管的栅极供应数据电压Vdata(如图7B中所示)，并且可基于数据电压Vdata的大小(或幅值)从发光器件ED输出光。在阳极复位时段AR中，在刷新时段RF期间供应的数据电压Vdata被使用，第一发光晶体管T5被重复性地开通和关断，并且由此，可从发光器件输出光。

在这种情况下，开关晶体管T1可在刷新时段RF期间被开通一次，并且可在阳极复位时段期间被开通S-1次。

也就是说，当第一发光晶体管T5每秒被开通M次(M为3或更大的自然数)且开关晶体管T1每秒被开通小于M次且大于1次的S次(S为2或更大的自然数)时，开关晶体管T1可在刷新时段RF期间被开通一次，并且开关晶体管T1可在阳极复位时段期间被开通S-1次。

例如，当S为2时，如图5所示，开关晶体管T1可在刷新时段RF中被开通一次，并且可在阳极复位时段AR期间的第n帧时段中被开通一(＝2-1)次。

在这种情况下，在第n帧时段中，开关晶体管T1仅通过供应至第二扫描信号线SCL2的第二扫描信号Scan2(n)被开通一次。

在这种情况下，可基于发光显示装置的特性和功耗等不同地设定S。尤其是，在根据本公开的发光显示装置中，S被设定为小于M，以便降低功耗。

尤其是，开关晶体管T1被开通的次数可基于施加至开关晶体管T1的栅极的电压的特性来设定。

例如，在应用于诸如电子表等的其中图像变化不大的电子设备的发光显示装置中，可仅在1秒之中的刷新时段期间向数据线供应数据电压，以便改善功耗，并且可通过在1秒之中除了刷新时段以外的阳极复位时段期间使用发光控制信号来控制发光器件的光发射。然而，在通过上述方法驱动的发光显示装置中，仅在刷新时段期间被开通之后在阳极复位时段期间应当被关断的开关晶体管可能在阳极复位时段期间被异常开通。

然而，如图5所示，当开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间被开通至少一次时，可以防止其中开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间被异常开通的缺陷。在这种情况下，如上所述，开关晶体管T1被开通的次数可基于开关晶体管T1的特性等被不同地设定。尤其是，在阳极复位时段AR期间开关晶体管T1被开通的次数可基于发光显示装置的功耗被不同地设定。

在这种情况下，在阳极复位时段AR期间，与数据电压不同的补偿电压Vpark被供应至数据线DL。

因此，当开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间被开通时，补偿电压Vpark通过数据线DL和开关晶体管T1被供应至第一节点N1。

补偿电压Vpark可以被设定为不影响在发光器件ED中生成的光的亮度的电压。

例如，在阳极复位时段AR中，当开关晶体管T1被开通时，第一发光晶体管T5可被开通且补偿电压Vpark可被供应至第一节点N1，并且由此，补偿电压Vpark可被施加到发光器件ED的阳极。然而，在这种情况下，因为第二发光晶体管T4被关断，不会向发光器件ED供应电流。因此，即使当向第一节点N1供应补偿电压Vpark时，也不从发光器件ED输出光。

然而，因为当第二发光晶体管T4被开通时，电流通过第一节点N1被供应至发光器件ED，因此从发光器件ED输出的光的亮度可能受到刚好在发光器件ED输出光之前施加到第一节点N1的补偿电压Vpark的影响。

为了防止这种情况的发生，可以在发光显示装置的制造过程期间通过各种测试和模拟来计算补偿电压Vpark，并且尤其是，可将补偿电压Vpark设定为不影响从发光器件ED输出的光的亮度的值，或者设定为对从发光器件ED输出的光的亮度具有最小影响的值。

例如，在测试或模拟中，在将对应于所有色阶(或灰度)的数据电压Vdata中的每一个施加于像素之后，可将各种大小(或幅值)的补偿电压Vpark施加于像素。通过这种测试或模拟，可以设定生成与所有色阶中的每一个对应的亮度相同或类似的亮度的补偿电压Vpark。

也就是说，可以通过各种测试和模拟来设定补偿电压Vpark，并且在阳极复位时段AR期间可以通过数据线DL供应补偿电压Vpark。

作为示例，第一发光晶体管T5在刷新时段RF期间被开通一次，并且在阳极复位时段AR期间被开通M-1次。

也就是说，当第一发光晶体管T5在刷新时段RF期间被开通时，电流可通过驱动晶体管T2被供应至发光器件ED，并且由此，可从发光器件输出光。

在这种情况下，在刷新时段RF期间通过数据线DL供应的数据电压Vdata可以存储在与驱动晶体管T2的栅极相连的存储电容器Cst中，并且由此，即使在阳极复位时段AR中，驱动晶体管T2也可向发光器件ED传输与存储在存储电容器Cst中的数据电压Vdata对应的电流。因此，在阳极复位时段AR期间从发光器件ED输出的光的亮度可与在刷新时段RF期间从发光器件ED输出的光的亮度相同。因此，在发光显示面板100中，可以在刷新时段RF和阳极复位时段AR期间持续地显示一个图像。此外，为了防止存储在驱动晶体管T2中的数据电压Vdata的泄漏，扫描晶体管T3和驱动晶体管T2可以是具有小关断漏电流的氧化物薄膜晶体管。

在阳极复位时段AR期间开关晶体管T1被开通的次数少于在阳极复位时段AR期间第一发光晶体管T5被开通的次数。也就是说，在上述示例中，当第一发光晶体管T5每秒被开通M次(M为3或更大的自然数)且开关晶体管T1每秒被开通小于M次且大于1次的S次(S为2或更大的自然数)时，在阳极复位时段期间，开关晶体管T1可被开通S-1次且第一发光晶体管T5可被开通M-1次。

由于S小于M，因此开关晶体管T2在阳极复位时段AR期间被开通的次数小于第一发光晶体管T5在阳极复位时段AR期间被开通的次数。

图6是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的刷新时段的方法的时序图，图7A至图7D是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的刷新时段的方法的示例性图形。在以下描述中，与上文参照图1至图5给出的描述相同或类似的描述被省略或将被简要描述。

首先，在刷新时段RF期间的初始化时段A中，如图6所示，高电平第一发光控制信号EM(n-2)、低电平第二发光控制信号EM(n)、高电平第一扫描信号Scan1(n)和低电平第二扫描信号Scan2(n)被供应至像素P。

因此，如图7A所示，初始化电压Vini被供应至发光器件ED的阳极，并且由此，发光器件ED的阳极被初始化为初始化电压Vini。

接下来，在采样时段B中，如图6所示，高电平第一发光控制信号EM(n-2)、高电平第二发光控制信号EM(n)、高电平第一扫描信号Scan1(n)和高电平第二扫描信号Scan2(n)被供应至像素P。

因此，如图7B所示，数据电压Vdata通过开关晶体管T1、驱动晶体管T2和扫描晶体管T3被存储在存储电容器Cst中。在这种情况下，驱动晶体管T2的栅极的电压为数据电压Vdata与驱动晶体管T2的阈值电压之和。

接下来，在程序时段C中，如图6所示，低电平第一发光控制信号EM(n-2)、高电平第二发光控制信号EM(n)、低电平第一扫描信号Scan1(n)和低电平第二扫描信号Scan2(n)被供应至像素P。

因此，如图7C所示，开关晶体管T1、扫描晶体管T3、第二发光晶体管T4和初始化晶体管T6被关断。在这种情况下，与采样时段B中一样，驱动晶体管T2的栅极的电压被保持为数据电压Vdata与驱动晶体管T2的阈值电压之和。

最后，在发光时段D中，如图6所示，低电平第一发光控制信号EM(n-2)、低电平第二发光控制信号EM(n)、低电平第一扫描信号Scan1(n)和低电平第二扫描信号Scan2(n)被供应至像素P。

因此，如图7D所示，第一发光晶体管T5和第二发光晶体管T4被开通，且驱动晶体管T2也以与数据电压Vdata对应的大小被开通，并且由此，与数据电压Vdata对应的电流被供应至发光器件ED。因此，从发光器件ED输出具有与数据电压Vdata对应的亮度的光。

在这种情况下，驱动晶体管T2的栅极-源极电压Vgs可由数据电压Vdata和初始化电压Vini确定，并且不受驱动晶体管T2的阈值电压的影响。

也就是说，在发光时段D中从发光器件ED输出的光的亮度可由供应至发光器件ED的电流Ids的大小确定。如下面的[公式1]所描述，供应至发光器件ED的电流Ids的大小由数据电压Vdata和初始化电压Vini确定，而不受驱动晶体管T2的阈值电压的影响。也就是说，供应至发光器件ED的电流Ids可与数据电压Vdata和初始化电压Vini之间的电压差值(差分电压)的平方成比例(正比)。

[公式1]

Ids∝(Vdata-Vini)²

因此，即使当由于发光显示装置的持续使用而导致驱动晶体管T2的阈值电压变化时，发光器件ED也可以正常地输出具有与数据电压Vdata对应的亮度的光。

图8是用于描述驱动根据本公开的实施例的发光显示装置的阳极复位时段的方法的时序图。尤其是，图8是其中开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间开通的帧时段中的时序图，并且例如，图8可以是图5所示的第n个帧时段中的时序图。在以下描述中，与参照图1至图7D所描述的细节相同或类似的细节被省略或将被简要描述。

如上文参照图1至图7D所述，当第一发光晶体管T2每秒被开通M次(M为三或更大的自然数)且开关晶体管T1每秒被开通小于M次且大于1次的S次(S为2或更大的自然数)时，在阳极复位时段AR期间，第一发光晶体管T2被开通M-1次，并且开关晶体管T1被开通S-1次。

也就是说，如上所述，当开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间持续关断时，开关晶体管T1的栅极的电压可能异常升高，并且开关晶体管T1可能被异常开通，因此可能出现各种噪声。

然而，如果开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间被至少开通一次，则可以防止其中开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间被异常开通的缺陷。因此，在根据本公开的发光显示装置中，开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间至少被开通一次。

此外，当开关晶体管T1在阳极复位时段AR期间开通时，补偿电压Vpark被供应至数据线DL，并且补偿电压Vpark被供应至第一节点N1。如上所述，补偿电压Vpark可被设定为对从发光器件ED输出的光的亮度具有最小影响的电压，并且可通过各种测试和模拟来设定。

而且，为了使发光器件ED的特性的变化最小化，刚好在从发光器件ED输出光之前补偿电压Vpark被供应至第一节点N1。为此，如图8所示，在刚好在发光时段D之前的时段中(即，刚好在从发光器件ED输出光之前)，第二扫描信号Scan2(n)具有高电平，同时第一发光控制信号EM(n-2)保持在低电平且第二发光控制信号EM(n)保持在高电平。

也就是说，即使当第一发光控制信号EM(n-2)具有低电平时，如果第二发光控制信号EM(n)具有高电平，因为第二发光晶体管T4被关断，电流Ids不会流向发光器件ED。因此，不从发光器件ED输出光。在这种情况下，当第二扫描信号Scan2(n)具有高电平时，开关晶体管T1被开通，并且补偿电压Vpark被供应至第一节点N1。补偿电压Vpark通过由具有低电平的第一发光控制信号EM(n-2)开通的第一发光晶体管T5被供应至发光器件ED的阳极。

因此，刚好在发光器件ED输出光之前，发光器件ED的阳极可以通过补偿电压Vpark被初始化。

当发光器件ED的阳极通过补偿电压Vpark被初始化后第二发光控制信号EM(n)具有低电平时，第一发光晶体管T5和第二发光晶体管T4两者均被开通，使得与存储在存储电容器Cst中的数据电压Vdata对应的电流可通过第二发光晶体管T4、驱动晶体管T2和第一发光晶体管T5流向发光器件ED。因此，即使在阳极复位时段AR中，也可输出具有与刷新时段RF中的亮度对应的亮度的光。

为了提供附加描述，在根据本公开的发光显示装置中，开关晶体管T1可以刚好在从发光器件输出光之前被开通。也就是说，在第一发光晶体管T5被开通且第二发光晶体管T4被关断使得不从发光器件输出光的时段中，开关晶体管T1可以被开通。因此，发光器件ED的阳极可通过补偿电压Vpark被初始化。在发光器件ED的阳极通过补偿电压Vpark被初始化后，第一发光晶体管T5和第二发光晶体管T4立即被开通，因此可以从发光器件ED输出光。因此，与在刷新时段RF中一样，发光器件ED可以输出具有与阳极复位时段AR中的数据电压Vdata对应的亮度的光。

因此，根据本公开的发光显示装置，具有相同或类似亮度的光可以在刷新时段RF和阳极复位时段AR中输出，并且相应地，在刷新时段RF中从发光显示面板100输出的图像可以在阳极复位时段AR中被持续地输出。

图9是图示应用于根据本公开的实施例的发光显示装置的发光显示面板的堆叠形式的截面图。也就是说，图9是用于描述应用于本公开的发光显示面板的堆叠结构的示例性图形。因此，参照图9描述的术语可能与参照图1至图8描述的术语不同。也就是说，独立于图1至图8，图9被用作用于描述应用于本公开的发光显示面板的堆叠结构的示例。

尤其是，在图9中，图示了其中设置有两个开关薄膜晶体管TFT1和TFT2以及一个电容器CST的发光显示面板的截面图。所述两个薄膜晶体管TFT1和TFT2可以是由多晶半导体材料形成的薄膜晶体管和由氧化物半导体材料形成的氧化物薄膜晶体管TFT2。在这种情况下，由多晶半导体材料形成的薄膜晶体管被称为多晶薄膜晶体管TFT1，而由氧化物半导体材料形成的薄膜晶体管被称为氧化物薄膜晶体管TFT2。

图9中所示的多晶薄膜晶体管TFT1可以是与发光器件ED相连的薄膜晶体管，而氧化物薄膜晶体管TFT2可以是与电容器CST相连的薄膜晶体管。

像素P包括发光器件ED和向发光器件ED供应驱动电流的像素驱动电路。像素驱动电路设置在基板111上，且发光器件ED设置在像素驱动电路上。此外，封装层120设置在发光器件ED上。封装层120保护发光器件ED。

像素驱动电路可被称为像素阵列单元，该像素阵列单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和电容器。

此外，发光器件ED可被称为阵列单元，该阵列单元包括阳极电极、阴极电极以及设置在它们之间用于光发射的发光层。

在一实施例中，驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管可使用氧化物半导体作为有源层。使用氧化物半导体材料作为有源层的薄膜晶体管具有优异的漏电流阻断效果，且在制造成本上比使用多晶半导体材料作为有源层的薄膜晶体管相对更便宜。因此，为了降低功耗和制造成本，根据一个实施例的像素驱动电路可包括使用氧化物半导体材料的驱动薄膜晶体管和使用氧化物半导体材料的至少一个开关薄膜晶体管。例如，在图2所示的像素驱动电路中，驱动晶体管T2和扫描晶体管T3可以是氧化物薄膜晶体管。

配置像素驱动电路的所有薄膜晶体管均可通过使用氧化物半导体材料来实现，或者仅一些开关薄膜晶体管可通过使用氧化物半导体材料来实现。

然而，因为使用氧化物半导体材料的薄膜晶体管难以确保可靠性，而使用多晶半导体材料的薄膜晶体管具有快速的工作速度和优异的可靠性，因此一个实施例可包括使用氧化物半导体材料的开关薄膜晶体管和使用多晶半导体材料的开关薄膜晶体管两者。

基板111可被实现为其中有机层和无机层交替地堆叠的多层。例如，基板111可以利用诸如聚酰亚胺的有机层和诸如氧化硅(SiO₂)的无机层交替地堆叠。

基板111上设置有下缓冲层112a。下缓冲层112a用于阻挡可能从外部渗入的水分(或湿气)等，并可以通过在多层中堆叠氧化硅(SiO₂)层等来使用。在下缓冲层112a上可进一步设置辅助缓冲层112b，以保护发光显示面板中的器件免受水分渗入的影响。

多晶薄膜晶体管TFT1形成于基板111上。多晶薄膜晶体管TFT1可使用多晶半导体作为有源层。多晶薄膜晶体管TFT1包括第一有源层ACT1(其包括沟道，电子和空穴通过所述沟道移动)、第一栅极电极GE1、第一源极电极SD1和第一漏极电极SD2。

第一有源层ACT1包括第一沟道区、设置在一侧的第一源极区以及设置在另一侧的第一漏极区，其中第一沟道区位于第一源极区与第一漏极区之间。

第一源极区和第一漏极区是利用诸如磷(P)或硼(B)的5族或3族杂质离子以预先确定的浓度掺杂本征多晶半导体材料以形成导体的区域。第一沟道区是其中多晶半导体材料保持本征(或固有)状态的区域，且第一沟道区提供电子或空穴通过其移动的路径。

多晶薄膜晶体管TFT1包括与第一有源层ACT1的第一沟道区重叠的第一栅极电极GE1。第一栅极绝缘层113设置在第一栅极电极GE1与第一有源层ACT1之间。第一栅极绝缘层113可通过以单层或多层堆叠诸如氧化硅(SiO₂)层和氮化硅(SiNx)层等的无机层来形成。

在一个实施例中，多晶薄膜晶体管TFT1为顶栅结构，其中第一栅极电极GE1设置在第一有源层ACT1上方。因此，包括在电容器CST中的第一电极CST1和包括在氧化物薄膜晶体管TFT2中的光阻挡层(阻光层)LS可由与第一栅极电极GE1相同的材料形成。通过经由一个掩模工艺形成第一栅极电极GE1、第一电极CST1和光阻挡层LS，可以减少掩模工艺。

第一栅极电极GE1由金属材料制成。例如，第一栅极电极GE1可为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金制成的单层或多层，但不限于此。

第一层间绝缘层114设置在第一栅极电极GE1上。第一层间绝缘层114可由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)等形成。

发光显示面板100可进一步包括依次设置在第一层间绝缘层114上的上缓冲层115、第二栅极绝缘层116和第二层间绝缘层117。多晶薄膜晶体管TFT1可包括分别与第一源极区和第一漏极区相连的第一源极电极SD1和第一漏极电极SD2。

第一源极电极SD1和第一漏极电极SD2可为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金制成的单层或多层，但不限于此。

上缓冲层115为将由氧化物半导体材料制成的氧化物薄膜晶体管TFT2的第二有源层ACT2与由多晶半导体材料制成的第一有源层ACT1分开以及形成第二有源层ACT2提供了基础。

第二栅极绝缘层116覆盖氧化物薄膜晶体管TFT2的第二有源层ACT2。因为第二栅极绝缘层116在由氧化物半导体材料形成的第二有源层ACT2上形成，第二栅极绝缘层116被实现为无机层。例如，第二栅极绝缘层116可为氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)等。

第二栅极电极GE2由金属材料制成。例如，第二栅极GE2可为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金制成的单层或多层，但不限于此。

氧化物薄膜晶体管TFT2包括：第二有源层ACT2，其形成于上缓冲层115上并由氧化物半导体材料形成；位于第二栅极绝缘层116上的第二栅极电极GE2；位于第二层间绝缘层117上的第二源极电极SD3；以及位于第二层间绝缘层117上的第二漏极电极SD4。

第二有源层ACT2包括由氧化物半导体材料制成且未利用杂质掺杂的本征第二沟道区，以及利用杂质掺杂以成为导体的第二源极区和第二漏极区。

氧化物薄膜晶体管TFT2还包括光阻挡层LS，该光阻挡层LS设置于上缓冲层115下方并与第二有源层ACT2重叠。光阻挡层LS可通过阻挡光入射到有源层401上来确保氧化物薄膜晶体管TFT2的可靠性。光阻挡层LS可由与第一栅极电极GE1相同的材料形成，并可形成于第一栅极绝缘层113的上表面上。光阻挡层LS可与第二栅极电极GE2电连接，以形成双栅极。

第二源极电极SD3和第二漏极电极SD4可与第一源极电极SD1和第一漏极电极SD2一起由相同的材料在第二层间绝缘层117上形成，从而减少了掩模工艺的数量。

电容器CST可通过将第二电极CST2放置在第一层间绝缘层114上以与第一电极CST1重叠来实现。第二电极CST2例如可为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金制成的单层或多层。

电容器CST将通过数据线DL施加的数据电压存储一定的时间(时段)，然后将数据电压提供给发光器件ED。电容器CST包括相互对应的两个电极和设置在所述两个电极之间的电介质。第一层间绝缘层114设置在第一电极CST1和第二电极CST2之间。

电容器CST的第一电极CST1或第二电极CST2可与氧化物薄膜晶体管TFT2的第二源极电极SD3或第二漏极电极SD4电连接。然而，本公开不限于此，而且电容器CST的连接关系可基于像素驱动电路而改变。

在像素驱动电路上依次设置第一平坦化层118和第二平坦化层119，以对像素驱动电路的上端进行平坦化。第一平坦化层118和第二平坦化层119可以是诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂的有机层。

此外，发光器件ED形成于第二平坦化层119上。

发光器件ED包括阳极电极ANO、阴极电极CAT以及设置在阳极电极ANO和阴极电极CAT之间的发光层EL。当在像素驱动电路中共同地使用与阴极电极CAT相连的低电位电压时，阳极电极ANO被设置为用于每个子像素的单独的电极。

发光器件ED通过设置在第一平坦化层118上的中间电极CNE与驱动器件电连接。具体来说，发光器件ED的阳极电极ANO和配置像素驱动电路的多晶薄膜晶体管TFT1的第一源极电极SD1通过中间电极CNE相互连接。

阳极电极ANO与通过穿透第二平坦化层119的接触孔暴露的中间电极CNE相连。此外，中间电极CNE与通过穿透第一平坦化层118的接触孔暴露的第一源极电极SD1相连。

中间电极CNE充当连接第一源极电极SD1和阳极电极ANO的介质。中间电极CNE可由诸如铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)或钛(Ti)的导电材料形成。

阳极电极ANO可形成为多层结构，所述多层结构包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层。透明导电层可由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的具有相对大的功函数值的材料制成，不透明导电层可具有单层结构或多层结构，其包括铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、铅(Pb)、钼(Mb)、钛(Ti)或其合金。例如，阳极电极ANO可形成为其中透明导电层、不透明导电层和透明导电层依次堆叠的结构，或者形成为其中透明导电层和不透明导电层依次堆叠的结构。

发光层EL通过在阳极电极ANO上按顺序或倒序堆叠空穴相关层、有机发光层和电子相关层而形成。

堤层BNK可为暴露每个像素P的阳极电极ANO的像素限定层。堤层BNK可由不透明材料(例如黑色材料)形成，以防止相邻像素P之间的光干扰。在这种情况下，堤层BNK包括由彩色颜料、有机黑和碳中的至少一种制成的光阻挡材料。在堤层BNK上可进一步设置间隔件。

阴极电极CAT面向阳极电极ANO，其中发光层EL位于阴极电极CAT和阳极电极ANO之间，并且阴极电极CAT形成于发光层EL的上表面和侧表面上。阴极电极CAT可在整个显示区域DA之上形成为一个整体。当阴极电极CAT应用于前发射类型的有机发光显示装置时，阴极电极CAT可由透明导电层形成，其中所述透明导电层由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的材料制成。

在阴极电极CAT上可进一步设置用于防止水分渗入的封装层120。

封装层120可以防止外部水分或氧气渗入易受外部水分或氧气影响的发光器件ED中。为此，封装层120可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，但不限于此。在本公开中，作为示例，将对其中第一封装层121、第二封装层122和第三封装层123依次堆叠的封装层120的结构进行描述。

第一封装层121形成于其上形成有阴极电极CAT的基板111上。第三封装层123形成于其上形成有第二封装层122的基板111上，并且可形成为与第一封装层121一起围绕第二封装层122的上表面、下表面和侧表面。第一封装层121和第三封装层123可最小化或防止外部水分或氧气渗入发光器件ED。第一封装层121和第三封装层123可由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al₂O₃)的能够低温沉积的无机绝缘材料形成。因为第一封装层121和第三封装层123在低温环境(或气氛)中沉积，可以防止在第一封装层121和第三封装层123的沉积期间对易受高温环境影响的发光器件ED造成损害。

第二封装层122可以充当缓冲器，以减轻各层之间由于发光显示装置10的弯曲而产生的应力，并可以使各层之间的台阶平坦化。第二封装层122可形成于其上形成有第一封装层121的基板111上，并且可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯和硅氧碳(SiOC)的非光敏有机绝缘材料或诸如光丙烯的光敏有机绝缘材料形成，但不限于此。当第二封装层122通过喷墨方法形成时，可设置坝部DAM，以防止液态的第二封装层122扩散到基底111的边缘。坝部DAM可比第二封装层122更靠近基板111的边缘地设置。通过坝部DAM，可以防止第二封装层122扩散到焊盘区域，其中在所述焊盘区域处，设置有在基板111的最外侧设置的导电焊盘。

坝部DAM被设计成防止第二封装层122的扩散，但是当第二封装层122在其制造过程期间被形成为超过坝部DAM的高度时，作为有机层的第二封装层122可能暴露于外部，并且由此水分等可能很容易渗入发光器件ED中。因此，为了防止这种情况的发生，可重复性地形成至少10个坝部。

坝部DAM可设置在非显示区域NDA的第二层间绝缘层117上。

此外，坝部DAM可与第一平坦化层118和第二平坦化层119同时形成。例如，在形成第一平坦化层118时，一起形成坝部DAM的下层，而在形成第二平坦化层119时，一起形成坝部DAM的上层，并且由此坝部DAM可形成为双层结构。

因此，坝部DAM可由与第一平坦化层118和第二平坦化层119相同的材料形成，但不限于此。

可将坝部DAM形成为与低电位驱动电源线VSS重叠。例如，低电位驱动电源线VSS可形成于非显示区域NDA中的其中设置有坝部DAM的区域的下层中。

低电位驱动电源线VSS和以GIP(面板中栅极)型式形成的栅极驱动器200被形成为围绕显示面板的外部部分，并且低电位驱动电源线VSS可设置在栅极驱动器200外部。此外，低电位驱动电源线VSS可与阴极电极CAT相连，以供应公共电压。栅极驱动器200简明地以平面图和截面图被图示，但可以通过使用具有与显示区域DA中的薄膜晶体管相同的结构的薄膜晶体管来形成。

低电位驱动电源线VSS设置在栅极驱动器200外部。低电位驱动电源线VSS设置在栅极驱动器200外部并围绕显示区域DA。例如，低电位驱动电源线VSS可由与第一栅极电极GE1相同的材料制成，但不限于此，并且由此可由与第二电极CST2或第一源极电极SD1和第一漏极电极SD2相同的材料制成。

此外，低电位驱动电源线VSS可与阴极电极CAT电连接。低电位驱动电源线VSS可向显示区域DA的多个像素供应低电位驱动电压EVSS。

触摸层可设置在封装层120上。在触摸层中，触摸缓冲层151可设置在包括触摸电极连接线152和154以及触摸电极155和156的触摸传感器金属与发光器件ED的阴极电极CAT之间。

触摸缓冲层151可防止在触摸缓冲层151上设置的触摸传感器金属的制造过程期间使用的液态化学物质(例如显影剂/显色剂或蚀刻剂)或来自外部的水分渗入到包括有机材料的发光层EL中。因此，触摸缓冲层151可防止对易受液体化学物质或水分影响的发光层EL造成损害。

触摸缓冲层151由可在低于一定温度(例如100度(℃))的低温下形成并具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料制成，以防止对包括易受高温影响的有机物质的发光层EL造成损害。例如，触摸缓冲层151可由丙烯酸、环氧树脂或硅氧烷基材料形成。由有机绝缘材料形成且具有平坦化性能的触摸缓冲层151可以防止由于发光显示装置10的弯曲而导致对封装层120造成损害以及形成于触摸缓冲层151上的触摸传感器金属的断裂。

根据基于互电容的触摸传感器结构，触摸电极155和156设置在触摸缓冲层151上，且触摸电极155和156可以相互交叉地布置。

触摸电极连接线152可电连接触摸电极155和156。触摸电极连接线152和154以及触摸电极155和156可设置在不同的层上，其中触摸绝缘层153位于它们之间。

触摸电极连接线152和154可设置为与堤层重叠，从而防止开口率(或孔径比)减小。

触摸电极连接线152的一部分可延伸通过封装层120的上端和侧端以及堤部DAM的上端和侧端，以通过触摸焊盘PAD与触摸驱动电路电连接。

触摸电极连接线152的一部分可以接收来自触摸驱动电路的触摸驱动信号并将其传输到触摸电极155和156，并且将来自触摸电极155和156的触摸感测信号传输到触摸驱动电路。

触摸钝化层157可设置在触摸电极155和156上。在图9中，触摸钝化层157被示出为仅设置在触摸电极155和156上，但不限于此，并且由此触摸钝化层157可延伸至坝部DAM之前或之后，以设置在触摸电极连接线152上。

此外，封装层120上可进一步设置有滤色器(或滤色片)，且滤色器可设置在触摸层上或者可设置在封装层120和触摸层之间。

根据上述本公开的发光显示装置具有以下特征。

也就是说，根据本公开的发光显示装置包括：发光显示面板，其设置有像素，所述像素包括像素驱动电路和发光器件；以及栅极驱动器，其向像素驱动电路供应栅极信号，其中，所述像素驱动电路包括开关晶体管和第一发光晶体管，所述第一发光晶体管连接在发光器件的阳极与第一节点之间，所述开关晶体管连接在设置于发光显示面板中的数据线与所述第一节点之间，在所述发光显示装置的使用期间，所述栅极驱动器每秒开通第一发光晶体管M次(M为3或更大的自然数)并且每秒开通开关晶体管S次(S为2或更大的自然数)，其中S次小于M次且大于1次，并且1秒(换句话说，每秒)被分为刷新时段和阳极复位时段，所述开关晶体管在所述阳极复位时段期间被开通至少一次。

在刷新时段期间，数据电压通过数据线和开关晶体管被供应至第一节点，且基于数据电压的大小从发光器件输出光，并且在阳极复位时段期间，第一发光晶体管被重复性地开通和关断，并且由此，从发光器件输出光。

开关晶体管在刷新时段期间被开通一次，且在阳极复位时段期间被开通S-1次。

第一发光晶体管在刷新时段期间被开通一次，且在阳极复位时段期间被开通M-1次。

阳极复位时段长于刷新时段。

在阳极复位时段期间，与数据电压不同的补偿电压被供应至数据线。

补偿电压被设定为不影响从发光器件输出的光的亮度的值或对从发光器件输出的光的亮度具有最小影响的值。

刚好在从发光器件输出光之前，补偿电压被供应至数据线并且被供应至第一节点。

在阳极复位时段之中第一发光晶体管被关断的时段中，开关晶体管被开通。

像素驱动电路进一步包括驱动晶体管，第一电压被供应至驱动晶体管的第一电极，驱动晶体管的第二电极与第一节点相连，并且驱动晶体管控制供应至发光器件的电流的大小。

开关晶体管是N型晶体管，且第一发光晶体管是P型晶体管。

像素驱动电路进一步包括：驱动晶体管，其控制供应至发光器件的电流的大小，第一电压被供应至驱动晶体管的第一电极，并且驱动晶体管的第二电极与第一节点相连；第二发光晶体管，第二发光晶体管的第一电极与第一电压线相连，其中第一电压被供应至第一电压线，并且第二发光晶体管的第二电极与驱动晶体管的第一电极相连；扫描晶体管，其由第一扫描信号驱动，扫描晶体管的第一电极与驱动晶体管的栅极相连，并且扫描晶体管的第二电极与驱动晶体管的第一电极相连；初始化晶体管，初始化晶体管的第一电极与发光器件的阳极相连，初始化晶体管的第二电极与初始化线相连，其中初始化电压被供应至初始化线，并且初始化晶体管的栅极与第一发光晶体管的栅极相连；以及存储电容器，其连接在驱动晶体管的栅极与发光器件的阳极之间。

在阳极复位时段期间，开关晶体管在第一发光晶体管被开通且第二发光晶体管被关断的时段中被开通。

初始化晶体管是N型晶体管，并且第一发光晶体管是P型晶体管。

第一发光晶体管和第二发光晶体管是P型薄膜晶体管，并且开关晶体管、驱动晶体管、扫描晶体管和初始化晶体管是N型薄膜晶体管。

驱动晶体管和扫描晶体管是使用氧化物半导体的氧化物薄膜晶体管，并且开关晶体管、第二发光晶体管、第一发光晶体管和初始化晶体管是使用多晶半导体的低温多晶硅薄膜晶体管。

输入到第一发光晶体管的栅极的第一发光控制信号和输入到第二发光晶体管的栅极的第二发光控制信号是不同的信号。

在阳极复位时段中，在第一发光晶体管被开通之后，第二发光晶体管被开通。

开关晶体管在阳极复位时段期间被开通的次数少于第一发光晶体管在阳极复位时段期间被开通的次数。

S基于发光显示装置的特性和功耗被设定。

根据本公开，因为开关晶体管在阳极复位时段期间被开通至少一次(例如，多于一次)，可以防止其中开关晶体管的栅极在阳极复位时段期间被异常开通的缺陷，并且由此，可以增强发光显示装置的质量(品质)。

根据本公开，当开关晶体管在阳极复位时段期间被开通时，通过数据线提供的补偿电压被供应至与发光器件的阳极相连的第一发光晶体管的第一电极。因此，可以正常地驱动第一发光晶体管，并且由此发光器件可以在阳极复位时段期间正常地输出光。

根据本公开，开关晶体管在阳极复位时段期间被开通的次数少于发光器件在阳极复位时段期间发光的次数，因此可以降低发光显示装置的功耗。

上述本公开的特征、结构和效果被包括在本公开的至少一个实施例中，但并不仅仅局限于一个实施例。此外，本领域技术人员可通过组合或修改其他实施例来实现本公开的至少一个实施例中描述的特征、结构和效果。因此，与所述组合和修改相关的内容应被理解为处于本公开的范围内。

对于本领域技术人员而言明显的是，可以对本公开进行各种修改和变化而不脱离本公开的精神或范围。因此，应当理解，本公开涵盖本公开的修改和变化，只要它们落在所附权利要求及其等同内容的范围内即可。

Claims (20)

1.一种发光显示装置，其包括：

发光显示面板，其设置有像素，所述像素包括像素驱动电路和发光器件；以及

栅极驱动器，其向所述像素驱动电路供应栅极信号，

其中，所述像素驱动电路包括开关晶体管和第一发光晶体管，

所述第一发光晶体管连接在所述发光器件的阳极与第一节点之间，

所述开关晶体管连接在设置于所述发光显示面板中的数据线与所述第一节点之间，

在所述发光显示装置的使用期间，所述栅极驱动器使所述第一发光晶体管每秒开通M次并且使所述开关晶体管每秒开通S次，S次小于M次且大于1次，其中M为3或更大的自然数，且S为2或更大的自然数，并且

1秒被分为刷新时段和阳极复位时段，并且所述开关晶体管在所述阳极复位时段期间被开通至少一次。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，在所述刷新时段期间，数据电压通过所述数据线和所述开关晶体管被供应至所述第一节点，并且基于所述数据电压的大小从所述发光器件输出光，以及

在所述阳极复位时段期间，所述第一发光晶体管被重复性地开通和关断，并且由此，从所述发光器件输出光。

3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述开关晶体管在所述刷新时段期间被开通一次且在所述阳极复位时段期间被开通S-1次。

4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第一发光晶体管在所述刷新时段期间被开通一次且在所述阳极复位时段期间被开通M-1次。

5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述阳极复位时段长于所述刷新时段。

6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，在所述阳极复位时段期间，与所述数据电压不同的补偿电压被供应至所述数据线。

7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述补偿电压被设定为不影响从所述发光器件输出的光的亮度的值或对从所述发光器件输出的光的亮度具有最小影响的值。

8.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，刚好在从所述发光器件输出光之前，所述补偿电压被供应至所述数据线并且被供应至所述第一节点。

9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，在所述阳极复位时段之中所述第一发光晶体管被关断的时段中，所述开关晶体管被开通。

10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述像素驱动电路进一步包括驱动晶体管，第一电压被供应至所述驱动晶体管的第一电极，所述驱动晶体管的第二电极与所述第一节点相连，并且所述驱动晶体管控制供应至所述发光器件的电流的大小。

11.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述开关晶体管是N型晶体管，并且所述第一发光晶体管是P型晶体管。

12.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述像素驱动电路进一步包括：

驱动晶体管，其控制供应至所述发光器件的电流的大小，第一电压被供应至所述驱动晶体管的第一电极，并且所述驱动晶体管的第二电极与所述第一节点相连；

第二发光晶体管，所述第二发光晶体管的第一电极与第一电压线相连，其中所述第一电压被供应至所述第一电压线，并且所述第二发光晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极相连；

扫描晶体管，其由第一扫描信号驱动，所述扫描晶体管的第一电极与所述驱动晶体管的栅极相连，并且所述扫描晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极相连；

初始化晶体管，所述初始化晶体管的第一电极与所述发光器件的阳极相连，所述初始化晶体管的第二电极与初始化线相连，其中初始化电压被供应至所述初始化线，并且所述初始化晶体管的栅极与所述第一发光晶体管的栅极相连；以及

存储电容器，其连接在所述驱动晶体管的栅极与所述发光器件的阳极之间。

13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，在所述阳极复位时段期间，所述开关晶体管在所述第一发光晶体管被开通且所述第二发光晶体管被关断的时段中被开通。

14.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述初始化晶体管是N型晶体管，并且所述第一发光晶体管是P型晶体管。

15.根据权利要求14所述的发光显示装置，其中，所述第一发光晶体管和所述第二发光晶体管是P型薄膜晶体管，并且所述开关晶体管、所述驱动晶体管、所述扫描晶体管和所述初始化晶体管是N型薄膜晶体管。

16.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述驱动晶体管和所述扫描晶体管是使用氧化物半导体的氧化物薄膜晶体管，并且所述开关晶体管、所述第二发光晶体管、所述第一发光晶体管和所述初始化晶体管是使用多晶半导体的低温多晶硅薄膜晶体管。

17.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，输入到所述第一发光晶体管的栅极的第一发光控制信号和输入到所述第二发光晶体管的栅极的第二发光控制信号是不同的信号。

18.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，在所述阳极复位时段中，在所述第一发光晶体管被开通之后，所述第二发光晶体管被开通。

19.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述开关晶体管在所述阳极复位时段期间被开通的次数少于所述第一发光晶体管在所述阳极复位时段期间被开通的次数。

20.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，S基于所述发光显示装置的特性和功耗被设定。