CN118401050A

CN118401050A - 显示装置和显示面板

Info

Publication number: CN118401050A
Application number: CN202410073566.0A
Authority: CN
Inventors: 金玟知; 金官洙; 宋旼根; 郑翔元; 卢智贤
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2023-01-25
Filing date: 2024-01-17
Publication date: 2024-07-26
Also published as: US20240251640A1; KR20240117404A

Abstract

本公开涉及显示装置和显示面板。显示装置包括：光学区域，该光学区域包括在可以显示图像的显示区域中并且允许透射光；正常区域，该正常区域包括在显示区域中并且位于光学区域的外部；阴极电极，该阴极电极共同设置在光学区域和正常区域中，并且在光学区域中包括多个阴极孔；以及复合图案化层，该复合图案化层与多个阴极孔中的对应阴极孔相对应，并且包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料。

Description

显示装置和显示面板

技术领域

本公开涉及电子装置，更具体地，涉及包括在其前表面上不暴露的一个或更多个光学电子装置的显示装置和显示面板。

背景技术

随着显示技术的进步，显示装置可以提供增加的功能(诸如图像捕获功能、感测功能等)以及图像显示功能。为了提供这些功能，显示装置可能需要包括诸如摄像头之类的一个或更多个光学电子装置、用于检测图像的传感器等。

为了接收穿过显示装置的前表面的光，可以期望这样的光学电子装置位于显示装置的能够越来越多地接收并检测来自前表面的入射光的区域中。为了实现上述目的，在典型的显示装置中，光学电子装置已经被设计为位于显示装置的前部中，以允许作为光学电子装置的摄像头、传感器等越来越多地暴露于入射光。为了以这种方式将光学电子装置安装在显示装置中，显示装置的边框区域可以增大，或者可能需要在相关联的显示面板的显示区域中形成凹口或孔。

因此，当显示装置包括光学电子装置以接收或检测入射光并执行预期功能时，显示装置的前部中的边框的尺寸可能增大，或者在设计显示装置的前部时可能遇到大量缺点。

另外，在光学电子装置被配置在显示装置中的情况下，根据光学电子装置被配置在显示装置中的结构，图像的质量可能意外地降低并且光学电子装置的性能可能被损害。例如，在光学电子装置是摄像头的情况下，由摄像头获取的图像质量可能降低。

发明内容

本公开的一个或更多个实施方式可以提供一种显示面板和显示装置，其包括光透射结构，该光透射结构用于使得一个或更多个光学电子装置能够正常地接收光(例如，可见光、红外光、紫外光等)而不暴露在显示装置的前表面中。

本公开的一个或更多个实施方式可以提供一种显示面板和显示装置，由于一个或更多个光学电子装置位于显示面板的显示区域下方或显示面板的显示区域的下部中的结构，该显示面板和显示装置能够通过屏蔽入射的紫外光避免透射到显示面板的内部来防止像素收缩现象。

本公开的一个或更多个实施方式可以提供一种显示面板和显示装置，其能够使摄像头获取高质量图像，该摄像头是在显示面板的显示区域下方或显示面板的显示区域的下部中的光学电子装置。

根据本公开的方面，可以提供一种显示装置，该显示装置包括：光学区域，该光学区域包括在可以显示图像的显示区域中并且允许透射光；正常区域，该正常区域包括在显示区域中并且位于光学区域的外部；阴极电极，该阴极电极共同设置在光学区域和正常区域中，并且在光学区域中包括多个阴极孔；以及复合图案化层，该复合图案化层与多个阴极孔中的对应阴极孔相对应，并且包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料。

根据本公开的方面，可以提供一种显示面板，该显示面板包括：多个透射区域，该多个透射区域包括在可以显示图像的显示区域中并且允许透射光；阴极电极，该阴极电极包括分别对应于多个透射区域的多个阴极孔；以及复合图案化层，该复合图案化层与多个阴极孔中的对应阴极孔相对应，并且包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料。

根据本公开的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，其包括光透射结构，该光透射结构用于使得一个或更多个光学电子装置能够正常地接收光(例如，可见光、红外光、紫外光等)而不暴露在显示装置的前表面中。

根据本公开的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，由于一个或更多个光学电子装置位于显示面板的显示区域下方或显示面板的显示区域的下部中的结构，该显示面板和显示装置能够通过屏蔽入射的紫外光避免透射到显示面板的内部来防止像素收缩现象。

根据本公开的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，其能够通过防止像素收缩现象并提高像素的寿命来以低功耗操作。

根据本公开的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，其能够使摄像头获取高质量图像，该摄像头是在显示面板的显示区域下方或显示面板的显示区域的下部中的光学电子装置。

附加特征和方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述变得明显，或者可以通过本文提供的发明构思的实践来习得。发明构思的其它特征和方面可以通过在书面说明书、本文的权利要求书和附图中特别指出或者可以从其得出的结构来实现和获得。其它系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员在查看以下附图和详细描述后将是或将变得显而易见。所有这样的附加系统、方法、特征和优点旨在包括在本说明书内，处于本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。该部分中的任何内容都不应被视为对这些权利要求的限制。

应当理解，对本公开的以上一般描述和以下详细描述都是示例和说明性的，并且不旨在限制本公开的范围。

附图说明

包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本公开中并构成本公开的一部分，附图示出了本公开的方面，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1A、图1B和图1C示出了根据本公开的方面的示例显示装置；

图2示出了根据本公开的方面的显示装置的示例系统配置；

图3示出了根据本公开的方面的示例显示面板；

图4示意性地示出了根据本公开的方面的显示面板中的示例第一类型的光学区域和在第一类型的光学区域周围的示例正常区域；

图5和图6示出了根据本公开的方面的示例发光元件和用于驱动发光元件的示例像素电路，它们设置在显示面板中的正常区域、光学边框区域和光学区域中；

图7是根据本公开的方面的包括在显示面板中的正常区域、光学边框区域和光学区域的示例平面图；

图8和图9是根据本公开的方面的显示面板的示例截面图，并且更多地例如是显示面板的光学边框区域和光学区域的截面图；

图10示出了根据本公开的方面的包括在显示面板中的示例第二类型的光学区域和在所述第二类型的光学区域周围的示例正常区域；

图11是根据本公开的方面的显示面板中的第二类型的光学区域的示例平面图；

图12是根据本公开的方面的显示面板中的第二类型的光学区域的示例截面图；

图13示出了根据本公开的方面的在显示面板的光学区域中形成阴极孔的示例过程；

图14示出了根据本公开的方面的堤部的一部分的示例不平坦表面以及形成在显示面板的光学区域中的阴极孔中的示例复合图案化层；

图15示出了根据本公开的方面的形成在显示面板的光学区域中的阴极孔中的示例紫外光吸收层和金属图案化层；

图16A和图16B示出了根据本公开的方面在显示面板中形成图8中所示的阴极孔的示例过程；

图17示出了根据本公开的方面在显示面板中形成图15中所示的阴极孔的示例过程；

图18A和图18B示出了根据本公开的方面的堤部的示例开口区域以及形成在显示面板的光学区域中的阴极孔中的示例复合图案化层；

图19A和图19B示出了根据本公开的方面的堤部的示例开口区域、示例紫外光吸收层以及形成在显示面板的光学区域中的阴极孔中的示例金属图案化层；

图20A和图20B示出了根据本公开的方面的第二平坦化层的示例开口区域以及形成在显示面板的光学区域中的阴极孔中的示例复合图案化层；以及

图21A和图21B示出了根据本公开的方面的第二平坦化层的示例开口区域、示例紫外光吸收层以及形成在显示面板的光学区域中的阴极孔中的示例金属图案化层。

具体实施方式

通过参照附图参考如下所述详细描述的本公开的实施方式，本公开的优点和特征以及实现其的方法将是显而易见的。然而，本公开可以按照不同的形式来实施，并且不应被解释为限于包围阐述的示例实施方式。相反，提供这些示例实施方式使得本公开可以足够彻底和完整，以帮助本领域技术人员完全理解本公开的范围。此外，本公开的保护范围由权利要求及其等同物限定。

在附图中示出以描述本公开的各种示例实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅通过示例的方式给出。因此，本公开不限于附图中的图示。除非另有说明，否则相同的附图标记始终表示相同的元件。在以下说明中使用的相应元件的名称仅是为了便于撰写说明书而选择的，因此可以与实际产品中使用的那些不同。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的各方面的情况下，可以省略此类已知功能或配置的详细描述。在使用术语“包括”、“具有”、“含有”、“包含”、“构成”、“组成”、“形成”等时，可以添加一个或更多个其它元件，除非使用诸如“仅”之类的术语。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之亦然。

在解释一个元件时，该元件要被解释为包括误差或公差范围，即使没有提供这种误差或公差范围的明确描述。此外，术语“可以”完全涵盖术语“能够”的所有含义。

在描述位置关系的情况下，例如，在使用“上”、“之上”、“下方”、“上方”、“之下”、“旁边”、“接近”等来描述两个部件之间的位置关系，除非使用诸如“紧接”、“直接”或“紧邻”之类的更限制性的术语，否则一个或更多个其它部件可以位于两个部件之间。例如，在一个元件或层设置在另一元件或层“上”的情况下，第三元件或层可以插设在它们之间。此外，术语“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“向下”、“向上”、“上”、“下”等指代任意参照系。对于一个元件或层与另一元件或层“接触”、“交叠”等的表述，除非另有说明，否则一个元件或层不仅可以与另一元件或层直接接触、交叠等，还可以与另一元件或层间接接触、交叠等，其中一个或更多个中间元件或层设置或插设在元件或层之间。

用于描述事件、操作等之间的时间关系的时间相关术语，诸如“之后”、“随后”、“接下来”、“之前”等，通常旨在包括不连续发生的事件、情形、情况、操作等，除非使用诸如“直接”、“紧接”等术语。在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”时，除非使用诸如“仅仅”、“紧接”或“直接”的更具限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。

尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但不应将这些元件解释为受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

对于一个元件或层“连接”、“联接”或“粘附”到另一元件或层的表述，该一个元件或层不仅可以直接连接、联接或粘附到另一元件或层，而且还可以间接连接、联接或粘附到另一元件或层，在元件或层之间“设置”、“插设”有一个或更多个中间元件或层，除非另有规定。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种示例实施方式。另外，为了便于描述，在附图中示出每个元件的比例可以不同于实际比例。因此，示出的元件不限于它们在附图中示出的特定比例。在描述本公开的示例实施方式时，将不重复讨论与先前描述的实施方式等同或对应的元件或配置。下文提供关于本公开的示例实施方式的论述。

图1A、图1B和图1C示出了根据本公开的方面的示例显示装置。

参照图1A、图1B和图1C，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示装置100可以包括用于显示一个或更多个图像的显示面板110和一个或更多个光学电子装置(11和/或12)。这里，光学电子装置可以被称为光检测器、光接收器或光感测装置。光学电子装置可以包括摄像头、摄像头镜头、传感器、用于检测图像的传感器等中的一者或更多者。

显示面板110可以包括其中可以显示一个或更多个图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NDA。

可以在显示区域DA中布置多个子像素，并且可以在显示区域DA中布置用于驱动多个子像素的多种类型的信号线。

非显示区域NDA可以指显示区域DA之外的区域。可以在非显示区域NDA中布置多种类型的信号线，并且多种类型的驱动电路可以与多种类型的信号线连接。非显示区域NDA的至少一部分可以被弯曲以从显示装置100的前表面不可见，或者可以被显示装置100的外壳或壳体(未示出)覆盖。非显示区域NDA也可以称为边框或边框区域。

参照图1A、图1B和图1C，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示装置100中，一个或更多个光学电子装置(11和/或12)可以独立于显示面板110制备并且安装在显示面板110中，并且位于显示面板110下方或显示面板110的下部中(与显示面板110的观看表面相反的一侧)。

光可以进入显示面板110的前表面(观看表面)，穿过显示面板110，到达一个或更多个光学电子装置(11和/或12)，该一个或更多个光学电子装置(11和/或12)位于显示面板110下方或显示面板110的下部中(与观看表面相反的一侧)。穿过显示面板110的光可以包括例如可见光、红外光或紫外光。

一个或更多个光学电子装置(11和/或12)可以是能够接收或检测穿过显示面板110的光的装置并且基于接收到的光执行预定义功能。例如，一个或更多个光学电子装置(11和/或12)可以包括以下各项中的一者或更多者：诸如摄像头(图像传感器)等的图像捕获装置；或诸如接近传感器、照度传感器等的传感器。这样的传感器可以是例如能够检测红外光的红外传感器。

参照图1A、图1B和图1C，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示面板110中，显示区域DA可以包括一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)以及正常区域NA。这里，术语“正常区域”NA是当存在于显示区域DA中时不与一个或更多个光学电子装置(11和/或12)交叠的区域，并且也可以称为非光学区域。一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)可以是在显示面板110的截面图中分别与一个或更多个光学电子装置(11和/或12)交叠的一个或更多个区域。

根据图1A的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1和正常区域NA。在该示例中，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11交叠。

根据图1B的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和正常区域NA。在该示例中，正常区域NA的一部分可以存在于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间。第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11交叠，第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子装置12交叠。

根据图1C的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和正常区域NA。在该示例中，正常区域NA可以不存在于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间。例如，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以彼此接触(例如，彼此直接接触)。在该示例中，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11交叠，第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子装置12交叠。

在根据本公开的方面的显示面板110或显示装置100中，可以期望在一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)中实现图像显示结构和光透射结构两者。例如，由于一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)是显示区域DA的部分，因此期望的是，用于显示一个或更多个图像的子像素的发光区域设置在一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)中。此外，为了使光能够透射穿过一个或更多个光学电子装置(11和/或12)，可以期望在一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)中实现光透射结构。

应当注意的是，即使一个或更多个光学电子装置(11和/或12)是需要接收光的装置，一个或更多个光学电子装置(11和/或12)也可以位于显示面板110的背面上(例如，在与其观看表面相反的一侧)，并且因此可以接收已经穿过显示面板110的光。例如，一个或更多个光学电子装置(11和/或12)可以不暴露在显示面板110或显示装置100的前表面(观看表面)中。因此，当用户面对显示面板110的前表面时，一个或更多个光学电子装置(11和/或12)定位成使得它们对于用户不可见。

第一光学电子装置11可以例如是摄像头，第二光学电子装置12可以例如是传感器。传感器可以是接近传感器、照度传感器、红外传感器等。在一个或更多个实施方式中，摄像头可以是摄像头镜头、图像传感器或包括摄像头镜头和图像传感器中的至少一者的单元，并且传感器可以是能够检测红外光的红外传感器。在另一实施方式中，第一光学电子装置11可以是传感器，第二光学电子装置12可以是摄像头。

在下文中，为了便于与光学电子装置(11和12)相关的描述，第一光学电子装置11被视为摄像头，而第二光学电子装置12被视为红外传感器。然而，应当理解，本公开的范围包括其中第一光学电子装置11是红外传感器并且第二光学电子装置12是摄像头的示例。摄像头可以例如是摄像头镜头、图像传感器或包括摄像头镜头和图像传感器中的至少一者的单元。

在第一光学电子装置11是摄像头的示例中，该摄像头可以位于显示面板110的背面上(例如，在显示面板110下方或显示面板110的下部中)，并且是能够在显示面板110的前方向上捕获对象或图像的前摄像头。因此，用户可以在观看显示面板110的观看表面的同时通过在观看表面上不可见的摄像头捕获图像或对象。

尽管在图1A、图1B和图1C中的每一个中包括在显示区域DA中的正常区域NA和一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)是允许显示图像的区域，正常区域NA是不需要实现光透射结构的区域，但是一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)是需要实现光透射结构的区域。因此，在一个或更多个实施方式中，正常区域NA是其中没有实现或包括光透射结构的区域，并且一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)是其中实现或包括光透射结构的区域。

因此，一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)可以具有大于或等于预定水平的透射率，即，相对高的透射率，并且正常区域NA可以具有小于预定水平的透射率，或者可以不具有光透射率。

例如，一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)可以具有与正常区域NA的那些不同的分辨率、子像素布置结构、每单位面积的子像素的数量、电极结构、线结构、电极布置结构、线布置结构等。

在一个实施方式中，一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)中的每单位面积的子像素的数量可以小于正常区域NA中的每单位面积的子像素的数量。例如，一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)的分辨率可以低于正常区域NA的分辨率。在该示例中，每单位面积的子像素的数量可以与分辨率、像素密度或像素的集成度具有相同的含义。例如，每单位面积的子像素的数量的单位可以是每英寸像素(PPI)，其表示1英寸内的像素的数量。

在图1A、图1B和图1C的示例中，第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素的数量可以小于正常区域NA中的每单位面积的子像素的数量。在图1B和图1C的示例中，第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素的数量可以大于或等于第一光学区域OA1中每单位面积的子像素的数量，并且小于正常区域NA中的每单位面积的子像素的数量。

在一个或更多个实施方式中，作为用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者的相应透射率的方法，可以应用如上所述的像素密度差异化设计方案，在该方案中可以在第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和正常区域NA之间产生像素(或子像素)的密度或像素(或子像素)的集成度的差异。根据像素密度差异化设计方案，在一个实施方式中，显示面板110可以被配置成或设计成使得第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者的每单位面积的子像素的数量大于正常区域NA的每单位面积的子像素的数量。

在一个或更多个实施方式中，作为用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者的相应透射率的另一方法，可以应用像素尺寸差异化设计方案，在该方案中可以在第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和正常区域NA之间产生像素(或子像素)的大小的差异。根据像素尺寸差异化设计方案，显示面板PNL可以被配置或设计成使得当第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者的每单位面积的子像素的数量等于或近似于正常区域NA的每单位面积的子像素的数量时，设置在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者中的每个子像素的尺寸(即，对应发光区域的尺寸)小于设置在正常区域NA中的每个子像素的尺寸(即，对应发光区域的尺寸)。

在一个或更多个方面中，为了便于描述，基于用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者的相应透射率的两个方案(即，像素密度差异化设计方案和像素尺寸差异化设计方案)的像素密度差异化设计方案来提供以下讨论，除非另有明确说明。因此，应当理解，在下面的描述中，每单位面积的子像素的小数量可以被认为对应于子像素的小尺寸，并且每单位面积的子像素的大数量可以被认为对应于子像素的大尺寸。

在图1A、图1B和图1C的示例中，第一光学区域OA1可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形、八边形等。在图1B和图1C的示例中，第二光学区域OA2可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形、八边形等。第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以具有相同或基本上或几乎相同的形状，或者不同的形状。

参照图1C，在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2彼此接触(例如，彼此直接接触)的示例中，包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的整个光学区域也可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形、八边形等。在下文中，为了便于与光学区域(OA1和OA2)的形状相关的描述，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一者被认为具有圆形形状。然而，应当理解，本公开的范围包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一者具有与圆形形状不同的形状的示例。

根据本公开的一个或更多个方面，当显示装置100具有其中诸如摄像头等的第一光学电子装置11位于显示面板110下方或显示面板110的下部中而不暴露于外部的结构时，这种显示装置可以被称为应用显示器下摄像头(UDC)技术的显示器。

应用这种显示器下摄像头(UDC)技术的显示装置100可以提供防止显示区域DA的面积或尺寸减小的优点，因为不需要在显示面板110中形成用于暴露摄像头的凹口或摄像头孔。实际上，由于不需要在显示面板110中形成用于摄像头暴露的凹口或摄像头孔，因此显示装置100可以提供减小边框区域的尺寸和提高设计自由度的进一步优点，因为消除了对设计的这种限制。

尽管一个或更多个光学电子装置(11和/或12)位于显示装置100的显示面板110的背面上(例如，在显示面板110下方或显示面板110的下部中)(例如，隐藏或不暴露于外部)，但是需要一个或更多个光学电子装置(11和/或12)通过接收或检测光来执行其正常预定义功能。

此外，尽管一个或更多个光学电子装置(11和/或12)位于显示面板110的背面上(例如在显示面板110的下方或显示面板110的下部中)以被隐藏并且定位成与显示区域DA交叠，但是期望显示装置100被配置成在与显示区域DA中的一个或更多个光学电子装置(11和/或12)交叠的一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)中正常地显示一个或更多个图像。因此，即使一个或更多个光学电子装置(11和/或12)位于显示面板的背面上，根据本公开的方面的显示装置100也可以被配置成在与显示区域DA中的一个或更多个光学电子装置(11和/或12)交叠的一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)中以正常方式(例如，不降低图像质量)显示图像。

由于上述第一光学区域OA1被配置或设计为可透射区域，因此第一光学区域OA1中的图像显示质量可以不同于正常区域NA中的图像显示质量。

此外，当以提高图像显示质量为目的而设计第一光学区域OA1时，可能产生第一光学区域OA1的透射率降低的情况。

为了解决这些问题，如下所述，一个或更多个实施方式可以提供第一光学区域OA1的结构，该结构能够防止在第一光学区域OA1和正常区域NA之间出现图像质量的差异(例如，不均匀性)，并且能够提高第一光学区域OA1的透射率。

此外，一个或更多个实施方式不仅可以提供第一光学区域OA1的结构，而且可以提供第二光学区域OA2的结构，该第二光学区域OA2的结构能够提高第二光学区域OA2的图像质量并提高第二光学区域OA2的透射率。

还应当注意，包括在根据本公开的方面的显示装置100或显示面板110中的第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以被不同地实现或具有不同的应用示例，同时在光可透射区域方面具有相似性。考虑到这样的区别，根据本公开的方面的显示装置100中的第一光学区域OA1的结构和第二光学区域OA2的结构可以彼此不同地配置或设计。

图2示出了根据本公开的方面的显示装置100的示例系统配置。

参照图2，显示装置100可以包括显示面板110和显示驱动电路作为用于显示一个或更多个图像的部件。

显示驱动电路可以是用于驱动显示面板110的电路，并且可以包括数据驱动电路220、选通驱动电路230、显示控制器240和其它电路部件。

显示面板110可以包括其中可显示一个或更多个图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以是显示区域DA之外的区域，并且也可以被称为边缘区域或边框区域。非显示区域NDA的全部或一部分可以是从显示装置100的前表面可见的区域，或者是从显示装置100的前表面弯曲并且不可见的区域。

显示面板110可以包括基板SUB和设置在基板SUB上的多个子像素SP。显示面板110还可以包括各种类型的信号线以驱动多个子像素SP。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示装置100可以是液晶显示装置等，或者从显示面板110自身发射光的自发光显示装置。在根据本公开的方面的显示装置100被实现为自发光显示装置的示例中，多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件。例如，根据本公开的方面的显示装置100可以是利用一个或更多个有机发光二极管(OLED)实现的有机发光显示装置。在另一示例中，根据本公开的方面的显示装置100可以是利用一个或更多个基于无机材料的发光二极管实现的无机发光显示装置。在又一示例中，根据本公开的方面的显示装置100可以是利用量子点实现的量子点显示装置，该量子点是自发光半导体晶体。

多个子像素SP中的每个子像素的结构可以根据显示装置100的类型而不同地配置或设计。例如，在显示装置100是包括自发光子像素SP的自发光显示装置的示例中，每个子像素SP可以包括自发光发光元件、一个或更多个晶体管以及一个或更多个电容器。

在一个或更多个实施方式中，布置在显示装置100中的各种类型的信号线可以包括例如用于承载数据信号(可以被称为数据电压或图像信号)的多条数据线DL、用于承载选通信号(可以被称为扫描信号)的多条选通线GL等。

多条数据线DL和多条选通线GL可以彼此交叉。多条数据线DL中的每条数据线可以在第一方向上延伸。多条选通线GL中的每条选通线可以在与第一方向不同的第二方向上延伸。例如，第一方向可以是列或竖直方向，第二方向可以是行或水平方向。在另一示例中，第一方向可以是行或水平方向，第二方向可以是列或竖直方向。

数据驱动电路220可以是用于驱动多条数据线DL的电路，并且可以向多条数据线DL供应数据信号。选通驱动电路230可以是用于驱动多条选通线GL的电路，并且可以向多条选通线GL供应选通信号。

显示控制器240可以是用于控制数据驱动电路220和选通驱动电路230的装置，并且可以控制用于多条数据线DL的驱动次数和用于多条选通线GL的驱动次数。

显示控制器240可以向数据驱动电路220供应数据驱动控制信号DCS以控制数据驱动电路220，并且向选通驱动电路230供应选通驱动控制信号GCS以控制选通驱动电路230。

显示控制器240可以从主机系统250接收输入图像数据，并基于输入图像数据将图像数据Data供应到数据驱动电路220。

数据驱动电路220可以从显示控制器240接收数字图像数据Data，将接收到的图像数据Data转换为模拟数据信号，并将得到的模拟数据信号供应到多条数据线DL。

选通驱动电路230可以接收与导通电平电压相对应的第一选通电压和与截止电平电压相对应的第二选通电压连同各种选通驱动控制信号GCS，生成选通信号，并将生成的选通信号供应到多条选通线GL。

在一个或更多个实施方式中，数据驱动电路220可以以带式自动接合(TAB)类型连接到显示面板110，或者以玻璃上芯片(COG)类型或面板上芯片(COP)类型连接到显示面板110的诸如接合焊盘之类的导电焊盘，或者以膜上芯片(COF)类型连接到显示面板110。

在一个或更多个实施方式中，选通驱动电路230可以以带式自动接合(TAB)类型连接到显示面板110，或者以玻璃上芯片(COG)类型或面板上芯片(COP)类型连接到显示面板110的诸如接合焊盘之类的导电焊盘，或者以膜上芯片(COF)类型连接到显示面板110。在另一实施方式中，选通驱动电路230可以以面板内栅极(GIP)类型设置在显示面板110的非显示区域NDA中。选通驱动电路230可以设置在基板上，或者连接到基板。也就是说，在GIP类型的情况下，选通驱动电路230可以设置在基板的非显示区域NDA中。在玻璃上芯片(COG)类型、膜上芯片(COF)类型等的情况下，选通驱动电路230可以连接到基板。

在一个或更多个实施方式中，数据驱动电路220和选通驱动电路230中的至少一者可以设置在显示面板110的显示区域DA中。例如，数据驱动电路220和选通驱动电路230中的至少一者可以设置成使得其不与子像素SP交叠，或者设置成使得其与子像素SP中的一个或更多个或全部交叠，或与一个或更多个子像素的至少相应的一个或更多个部分交叠。

数据驱动电路220可以位于和/或电连接到但不限于显示面板110的仅一个边或部分(例如，上边缘或下边缘)。在一个或更多个实施方式中，根据驱动方案、面板设计方案等，数据驱动电路220可以位于和/或电连接到但不限于显示面板110的两个边或部分(例如，上边缘和下边缘)或显示面板110的四个边或部分(例如，上边缘、下边缘、左边缘和右边缘)中的至少两个边或部分。

选通驱动电路230可以位于和/或电连接到但不限于显示面板110的仅一个边或部分(例如，左边缘或右边缘)。在一个或更多个实施方式中，根据驱动方案、面板设计方案等，选通驱动电路230可以位于和/或电连接到但不限于显示面板110的两个边或部分(例如，左边缘和右边缘)或显示面板110的四个边或部分(例如，上边缘、下边缘、左边缘和右边缘)中的至少两个边或部分。

显示控制器240可以实现为与数据驱动电路220分离的部件，或者被并入数据驱动电路220中并因此实现为集成电路。

显示控制器240可以是在典型显示技术中使用的定时控制器，或者可以是能够执行除了典型定时控制器的功能之外的其它控制功能的控制器或控制装置。在一个或更多个实施方式中，显示控制器240可以是与定时控制器不同的控制器或控制装置，或者是包括在控制器或控制装置中的电路系统或部件。显示控制器240可以用诸如集成电路(IC)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用应用集成电路(ASIC)、处理器等的各种电路或电子部件来实现。

显示控制器240可以安装在印刷电路板、柔性印刷电路等上，并且通过印刷电路板、柔性印刷电路等电连接到选通驱动电路230和数据驱动电路220。

显示控制器240可以经由一个或更多个预定义接口向数据驱动电路220发送信号以及从数据驱动电路220接收信号。例如，这种接口可以包括低电压差分信令(LVDS)接口、嵌入式时钟点对点接口(EPI)、串行外围接口(SPI)等。

在一个或更多个实施方式中，为了进一步提供触摸感测功能以及图像显示功能，根据本公开的方面的显示装置100可以包括至少一个触摸传感器和触摸感测电路，该触摸感测电路能够通过感测触摸传感器，来检测通过诸如手指、笔等的触摸对象进行的触摸事件的发生，或者能够检测对应的触摸位置(或触摸坐标)。

触摸感测电路可以包括：能够通过驱动并感测触摸传感器来生成并提供触摸感测数据的触摸驱动电路260；能够使用触摸感测数据来检测触摸事件的发生或检测触摸位置(或触摸坐标)的触摸控制器270；以及一个或更多个其它部件。

触摸传感器可以包括多个触摸电极。触摸传感器还可以包括多条触摸线，用于将多个触摸电极电连接到触摸驱动电路260。

触摸传感器可以在显示面板110的外部以触摸面板的形式实现，或者可以集成在显示面板110的内部。在触摸传感器在显示面板110外部以触摸面板的形式实现的示例中，这种触摸传感器可以被称为附加(add-on)类型。在附加类型的触摸传感器设置在显示装置100中的示例中，触摸面板和显示面板110可以单独制造并在组装过程中组合。附加类型的触摸面板可以包括触摸面板基板和在触摸面板基板上的多个触摸电极。

在触摸传感器集成在显示面板110的内部的示例中，触摸传感器可以在制造显示面板110的工艺期间与和显示驱动相关的信号线和电极一起形成在基板SUB上。

触摸驱动电路260可以向多个触摸电极中的至少一个提供触摸驱动信号，并且感测多个触摸电极中的至少一个以生成触摸感测数据。

触摸感测电路可以使用自电容感测技术或互电容感测技术来执行触摸感测。

在触摸感测电路使用自电容感测技术执行触摸感测的示例中，触摸感测电路可以基于每个触摸电极与触摸对象(例如，手指、笔等)之间的电容来执行触摸感测。根据自电容感测技术，多个触摸电极中的每一个可以充当驱动触摸电极和感测触摸电极两者。触摸驱动电路260可以驱动多个触摸电极中的全部或一个或更多个，并且感测多个触摸电极中的全部或一个或更多个。

在触摸感测电路使用互电容感测技术执行触摸感测的示例中，触摸感测电路可以基于触摸电极之间的电容执行触摸感测。根据互电容感测技术，多个触摸电极被划分为驱动触摸电极和感测触摸电极。触摸驱动电路260可以驱动驱动触摸电极并感测感测触摸电极。

包括在触摸感测电路中的触摸驱动电路260和触摸控制器270可以实现为单独的装置或单个装置。此外，触摸驱动电路260和数据驱动电路220可以实现为单独的装置或单个装置。

显示装置100还可以包括电源电路，以用于向显示驱动电路和/或触摸感测电路供应各种类型的电力。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示装置100可以表示但不限于诸如智能电话、平板电脑等之类的移动终端、监视器、电视(TV)等。本公开的实施方式不限于此。在一个或更多个实施方式中，显示装置100可以是用于显示信息或图像的各种类型、大小和形状的显示装置，或者可以包括用于显示信息或图像的各种类型、大小和形状的显示器。

如上所述，显示面板110的显示区域DA可以包括正常区域NA和一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)，如图1A、图1B和图1C所示。正常区域NA和一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)可以是能够显示图像的区域。这里应当注意的是，正常区域NA可以是不需要实现光透射结构的区域，并且一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)可以是需要实现光透射结构的区域。

如上文关于图1A、图1B和图1C的示例所论述的，即使显示面板110的显示区域DA可以包括一个或更多个光学区域(OA1和/或OA2)以及正常区域NA，但是为了便于描述，将基于以下实施方式提供下面的论述，在以下实施方式中，显示区域DA包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2(即，图1A、图1B和图1C的第一光学区域OA1，以及图1B和图1C的第二光学区域OA2)两者以及正常区域NA(即，图1A、图1B和图1C的正常区域NA)。

图3示出了根据本公开的方面的显示面板110的示例配置。

参照图3，多个子像素SP可以设置在显示面板110的显示区域DA中。多个子像素SP可以设置在包括在显示面板110的显示区域DA中的正常区域(例如，图1A、图1B和图1C的正常区域)、第一光学区域(例如，图1A、图1B和图1C的第一光学区域OA1)和第二光学区域(例如，图1B和图1C的第二光学区域OA2)中。

参照图3，多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件ED和被配置成驱动发光元件ED的像素电路SPC。

参照图3，像素电路SPC可以包括用于驱动发光元件ED的驱动晶体管DT、用于将数据电压Vdata传输到驱动晶体管DT的第一节点N1的扫描晶体管ST、用于在一帧期间将电压维持在近似恒定电平的存储电容器Cst等。

驱动晶体管DT可以包括被施加数据电压的第一节点N1、电连接到发光元件ED的第二节点N2、以及通过驱动电压线DVL被施加驱动电压ELVDD的第三节点N3。在驱动晶体管DT中，第一节点N1可以是栅极节点，第二节点N2可以是源极节点或漏极节点，并且第三节点N3可以是漏极节点或源极节点。为了便于描述，将基于驱动晶体管DT的第一节点、第二节点和第三节点(N1、N2和N3)分别是栅极节点、源极节点和漏极节点的示例来提供以下描述，除非另有明确说明。然而，应当理解，本公开的范围包括驱动晶体管DT的第一节点、第二节点和第三节点(N1、N2和N3)分别是栅极节点、漏极节点和源极节点的示例。

发光元件ED可以包括阳极电极AE、发光层EL和阴极电极CE。阳极电极AE可以表示设置在每个子像素SP中的像素电极，并且可以电连接到每个子像素SP的驱动晶体管DT的第二节点N2。阴极电极CE可以表示共同设置在多个子像素SP中的公共电极，并且诸如低电平电压、接地电压等的基础电压ELVSS可以被施加到阴极电极CE。

例如，阳极电极AE可以是像素电极，阴极电极CE可以是公共电极。在另一示例中，阳极电极AE可以是公共电极，阴极电极CE可以是像素电极。为了便于描述，除非另有明确说明，否则将基于阳极电极AE是像素电极并且阴极电极CE是公共电极的示例来提供下面的讨论。然而，应当理解，本公开的范围包括阳极电极AE是公共电极并且阴极电极CE是像素电极的示例。

发光元件ED可以包括具有预定尺寸或面积的发光区域EA。发光元件ED的发光区域EA可以被定义为例如阳极电极AE、发光层EL和阴极电极CE彼此交叠的区域。

发光元件ED可以是例如有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管、量子点发光元件等。在有机发光二极管(OLED)用作发光元件ED的示例中，其发光层EL可以包括包含有机材料的有机发光层。

扫描晶体管ST可以通过扫描信号SCAN而导通和截止，该扫描信号SCAN是通过选通线GL施加的选通信号，并且扫描晶体管ST可以电连接在驱动晶体管DT的第一节点N1和数据线DL之间。

存储电容器Cst可以电连接在驱动晶体管DT的第一节点N1和第二节点N2之间。

如图3所示，像素电路SPC可以配置有两个晶体管(2T：DRT和SCT)和一个电容器(1C：CST)(其可以称为“2T1C结构”)，并且在一个或更多个实现方式中，还可以包括一个或更多个晶体管，和/或还包括一个或更多个电容器。

在一个或更多个实施方式中，可以存在于驱动晶体管DT的第一节点N1和第二节点N2之间的存储电容器Cst可以是有意配置或设计成位于驱动晶体管DT外部的外部电容器，而不是内部电容器，诸如寄生电容器(例如，栅极到源极电容Cgs、栅极到漏极电容Cgd等)。驱动晶体管DT和扫描晶体管ST中的每一者可以是n型晶体管或p型晶体管。

由于包括在每个子像素SP中的电路元件(具体地，利用包括有机材料的有机发光二极管实现的发光元件ED)容易受到外部水分或氧气的影响，所以可以在显示面板110中设置封装层ENCAP，以防止外部水分或氧气渗透到这种电路元件中。封装层ENCAP可以设置成使得其覆盖发光元件ED。

在下文中，为了便于描述，使用术语“光学区域OA”而不是区分地描述上述第一光学区域OA1和第二光学区域OA2。因此，应当注意，以下描述的光学区域可以表示上述第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的任一者或两者，除非另有明确说明。

同样，为了便于描述，使用术语“光学电子装置”而不是区分地描述上述第一光学电子装置11和第二光学电子装置12。因此，应当注意，以下描述的光学电子装置可以表示上述第一光学电子装置11和第二光学电子装置12中的任一者或两者，除非另有明确说明。

在下文中，将参照图4至图9描述示例第一类型的光学区域OA，并且将参照图10至图12描述示例第二类型的光学区域OA。

第一类型的光学区域OA和第二类型的光学区域OA被简要描述如下。

在第一类型的光学区域OA的情况下，用于驱动设置在光学区域OA中的一个或更多个发光元件ED的一个或更多个像素电路SPC可以设置在光学区域OA外部的区域中，而不在光学区域OA中。

在第二类型的光学区域OA的情况下，用于驱动设置在光学区域OA中的一个或更多个发光元件ED的一个或更多个像素电路SPC可以设置在光学区域OA中。

图4示意性地示出了根据本公开的方面的显示面板110中的示例第一类型的光学区域OA和在第一类型的光学区域OA周围的示例正常区域NA。

参照图4，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括可以显示一个或更多个图像的显示区域(例如，上述附图的显示区域DA)和不显示图像的非显示区域(例如，上述附图的非显示区域NDA)。

参照图4，显示区域DA可以包括光可以透射穿过的光学区域OA和在光学区域OA周围的正常区域NA。

图4中所示类型的光学区域OA可被定义为第一类型的光学区域OA。因此，在以第一类型实现光学区域OA的示例中，光学边框区域OBA可以设置在光学区域OA的外部。在一个或更多个实施方式中，光学边框区域OBA可以表示正常区域NA的一部分。

换句话说，当光学区域OA被实现为第一类型时，显示区域DA可以包括光学区域OA、位于光学区域OA外部的正常区域NA、以及在光学区域OA和正常区域NA之间的光学边框区域OBA。

参照图4，光学区域OA可以是与光学电子装置交叠的区域，并且可以是用于光学电子装置的操作的光能够透射穿过的可透射区域。

穿过光学区域OA的光可以包括单个波段的光或各种波段的光。例如，光学区域OA可以被配置成允许但不限于透射可见光、红外光、紫外光等中的至少一种。

设置在光学区域OA中的光学电子装置可以接收穿过光学区域OA的光，并且使用接收到的光执行预定义操作。穿过光学区域OA由光学电子装置接收的光可以包括可见光、红外光和紫外光中的至少一种。

例如，在光学电子装置是摄像头的示例中，已经穿过光学区域OA的用于光学电子装置的预定义操作的光可以包括可见光。

在另一示例中，在光学电子装置为红外传感器的示例中，已经穿过光学区域OA的用于光学电子装置的预定义操作的光可以包括红外线(也称为红外光)。

参照图4，光学边框区域OBA可以表示位于光学区域OA的外部的区域。正常区域NA可以表示位于光学边框区域OBA的外部的区域。光学边框区域OBA可以设置在光学区域OA和正常区域NA之间。

例如，光学边框区域OBA可以设置在光学区域OA的边缘的仅一部分的外部，或者设置在光学区域OA的整个边缘的外部。

在光学边框区域OBA设置在光学区域OA的整个边缘的外部的示例中，光学边框区域OBA可以具有围绕光学区域OA的环形形状。

例如，光学区域OA可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、多边形、不规则形状等。光学边框区域OBA可以具有围绕具有各种形状的光学区域OA的各种环形形状(例如，圆环形、椭圆环形、多边形环形、不规则环形等)。

参照图4，显示区域DA可以包括多个发光区域EA。由于光学区域OA、光学边框区域OBA和正常区域NA是包括在显示区域DA中的区域，所以光学区域OA、光学边框区域OBA和正常区域NA中的每一者可以包括多个发光区域EA。

例如，多个发光区域EA可以包括发射第一颜色的光的第一颜色发光区域、发射第二颜色的光的第二颜色发光区域和发射第三颜色的光的第三颜色发光区域。

第一颜色发光区域、第二颜色发光区域和第三颜色发光区域中的至少一者可以与其余的一个或更多个发光区域具有不同的面积或尺寸。

第一颜色、第二颜色和第三颜色可以是彼此不同的颜色，并且可以是各种颜色。例如，第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是或包括红色、绿色和蓝色。

在下文中，为了便于描述，第一颜色、第二颜色和第三颜色分别被认为是红色、绿色和蓝色。然而，本公开的实施方式不限于此。

在第一颜色、第二颜色和第三颜色分别是红色、绿色和蓝色的示例中，蓝色发光区域EA_B的面积可以大于红色发光区域EA_R的面积和绿色发光区域EA_G的面积。

设置在红色发光区域EA_R中的发光元件ED可以包括发射红光的发光层EL。设置在绿色发光区域EA_G中的发光元件ED可以包括发射绿光的发光层EL。设置在蓝色发光区域EA_B中的发光元件ED可以包括发射蓝光的发光层EL。

包括在发射蓝光的发光层EL中的有机材料在材料方面可以比包括在发射红光的发光层EL和发射绿光的发光层EL中的相应有机材料更容易劣化。

在一个或更多个实施方式中，由于蓝色发光区域EA_B被配置或设计成具有最大的面积或尺寸，所以供应到设置在蓝色发光区域EA_B中的发光元件ED的电流密度可以是最小的。因此，设置在蓝色发光区域EA_B中的发光元件ED的劣化程度可以近似于设置在红色发光区域EA_R中的发光元件ED的劣化程度和设置在绿色发光区域EA_G中的发光元件ED的劣化程度。

结果，不能产生或可以减小设置在红色发光区域EA_R中的发光元件ED、设置在绿色发光区域EA_G中的发光元件ED和设置在蓝色发光区域EA_B中的发光元件ED之间的劣化差异，因此，根据本公开的方面的显示装置100或显示面板110可以提供提高图像质量的优点。另外，由于消除或减小了设置在红色发光区域EA_R中的发光元件ED、设置在绿色发光区域EA_G中的发光元件ED和设置在蓝色发光区域EA_B中的发光元件ED之间的劣化差异，因此,根据本公开的方面的显示装置100或显示面板110可以提供减小设置在红色发光区域EA_R中的发光元件ED、设置在绿色发光区域EA_G中的发光元件ED和设置在蓝色发光区域EA_B中的发光元件ED之间的寿命差异的优点。

参照图4，期望作为可透射区域的光学区域OA具有高透射率。为了满足该要求，阴极电极(例如，图3的阴极电极CE)可以在光学区域OA中包括多个阴极孔CH。也就是说，在光学区域OA中，阴极电极CE可以包括多个阴极孔CH。

参照图4，在一个或更多个实施方式中，阴极电极CE可以不在正常区域NA中包括阴极孔CH。也就是说，在正常区域NA中，阴极电极CE可以不包括阴极孔CH。

在一个或更多个实施方式中，阴极电极CE可以不在光学边框区域OBA中包括阴极孔CH。也就是说，在光学边框区域OBA中，阴极电极CE可以不包括阴极孔CH。

在光学区域OA中，形成在阴极电极CE中的多个阴极孔CH可以被称为多个透射区域TA或多个开口区域。尽管图4示出了每个阴极孔CH具有相应的圆形形状，一个或更多个阴极孔CH可以具有除圆形形状之外的各种形状，例如椭圆形、多边形、不规则形状等。

图5示出了根据本公开的方面的显示面板110的示例配置。如图5所示，显示面板110可以包括设置在正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA中的发光元件(ED1、ED2、ED3和ED4)以及用于驱动发光元件(ED1、ED2、ED3和ED4)的像素电路(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)。

这里应当理解，像素电路(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)中的每一个可以包括晶体管(DT和ST)、存储电容器Cst等，如图3所示。然而，应当注意，为了便于解释，像素电路(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)中的每一个仅被简单地表示为相应的驱动晶体管(DT1、DT2、DT3和DT4)。

参照图5，正常区域NA、光学区域OA和光学边框区域OBA可以具有结构差异以及位置差异。

作为这种结构差异的一个示例，可以在光学边框区域OBA和正常区域NA中设置一个或更多个像素电路(SPC1、SPC2、SPC3和/或SPC4)，但是可以不在光学区域OA中设置像素电路。例如，光学边框区域OBA和正常区域NA可以被配置成允许一个或更多个晶体管(DT1、DT2、DT3和/或DT4)设置在其中，但是光学区域OA可以被配置成不允许晶体管设置在其中。

包括在像素电路(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)中的晶体管和存储电容器可以是导致透射率降低的部件。因此，由于像素电路(例如，SPC1、SPC2、SPC3或SPC4)不设置在光学区域OA中，所以可以进一步提高光学区域OA的透射率。

在一个或更多个实施方式中，尽管像素电路(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)可以仅设置在正常区域NA和光学边框区域OBA中，但是发光元件(ED1、ED2、ED3和ED4)也可以设置在正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA中。

参照图5，尽管第一发光元件ED1可以设置在光学区域OA中，但是用于驱动第一发光元件ED1的第一像素电路SPC1可以不位于光学区域OA中。

参照图5，用于驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1的第一像素电路SPC1可以设置在光学边框区域OBA中，而不是光学区域OA中。

在下文中，将更详细地描述正常区域NA、光学区域OA和光学边框区域OBA。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，包括在根据本公开的方面的显示面板110中的多个发光区域EA可以包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。在这些实施方式中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以分别包括在光学区域OA、光学边框区域OBA和正常区域NA中。在下文中，假设第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3是发射相同颜色的光的区域。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括：设置在光学区域OA中并具有第一发光区域EA1的第一发光元件ED1；设置在光学边框区域OBA中并具有第二发光区域EA2的第二发光元件ED2；以及设置在正常区域NA中并具有第三发光区域EA3的第三发光元件ED3。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括被配置成驱动第一发光元件ED1的第一像素电路SPC1、被配置成驱动第二发光元件ED2的第二像素电路SPC2和被配置成驱动第三发光元件ED3的第三像素电路SPC3。

参照图5，第一像素电路SPC1可以包括第一驱动晶体管DT1。第二像素电路SPC2可以包括第二驱动晶体管DT2。第三像素电路SPC3可以包括第三驱动晶体管DT3。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示面板110中，第二像素电路SPC2可以位于设置有与第二像素电路SPC2相对应的第二发光元件ED2的光学边框区域OBA中，并且第三像素电路SPC3可以位于设置有与第三像素电路SPC3相对应的第三发光元件ED3的正常区域NA中。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示面板110中，第一像素电路SPC1可以不位于设置有与第一像素电路SPC1相对应的第一发光元件ED1的光学区域OA中。相反，第一像素电路SPC1可以位于定位在光学区域OA外部的光学边框区域OBA中。结果，能够提高光学区域OA的透射率。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括阳极延伸线AEL，该阳极延伸线AEL将设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1电连接到设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1。

阳极延伸线AEL可以电性地延伸或将第一发光元件ED1的阳极电极AE电连接到第一像素电路SPC1中的第一驱动晶体管DT1的第二节点N2。

如上所述，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示面板110中，用于驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1的第一像素电路SPC1可以设置在光学边框区域OBA中，而不是光学区域OA中。这样的结构可以被称为阳极延伸结构。同样地，第一类型的光学区域OA也可以称为阳极延伸类型。

在根据本公开的方面的显示面板110具有这样的阳极延伸结构的实施方式中，阳极延伸线AEL的全部或一部分可以设置在光学区域OA中，并且阳极延伸线AEL可以包括透明材料，或者可以是或包括透明线。因此，即使当用于将第一像素电路SPC1连接到第一发光元件ED1的阳极延伸线AEL设置在光学区域OA中时，根据本公开的方面的显示装置或显示面板110也可以防止光学区域OA的透射率降低。

参照图5，多个发光区域EA还可以包括与第一发光区域EA1发射相同颜色的光并且包括在光学区域OA中的第四发光区域EA4。

参照图5，第四发光区域EA4可以沿行方向或列方向与第一发光区域EA1相邻地设置。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括设置在光学区域OA中并具有第四发光区域EA4的第四发光元件ED4，以及被配置成驱动第四发光元件ED4的第四像素电路SPC4。

参照图5，第四像素电路SPC4可以包括第四驱动晶体管DT4。为了便于描述，从图5中省略了包括在第四像素电路SPC4中的扫描晶体管ST和存储电容器Cst。

参照图5，尽管第四像素电路SPC4是用于驱动设置在光学区域OA中的第四发光元件ED4的电路，但是第四像素电路SPC4也可以设置在光学边框区域OBA中。

参照图5，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括用于将第四发光元件ED4电连接到第四像素电路SPC4的阳极延伸线AEL。

阳极延伸线AEL的全部或一部分可以设置在光学区域OA中，并且阳极延伸线AEL可以包括透明材料，或者可以是或包括透明线。

如上所述，设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1可以被配置成驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1。这样的电路连接方案可以被称为一对一(1：1)电路连接方案。

结果，可以显著地增加设置在光学边框区域OBA中的像素电路SPC的数量。此外，光学边框区域OBA的结构可能变得复杂，并且可以减小光学边框区域OBA的开口区域(或孔径比、或发光区域)。这里，开口区域可以被称为发光区域，并且还可以被称为开口率或孔径比。

为了在具有阳极延伸结构的同时增大光学边框区域OBA的开口区域，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示装置100可以以1:N(其中，N是2或更大)电路连接方案来配置。

根据1:N电路连接方案，设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1可以被配置成同时或一起驱动设置在光学区域OA中的两个发光元件ED。

图6示出了1:2电路连接方案作为示例以便于描述。在该示例中，设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1可以被配置成同时或一起驱动设置在光学区域OA中的两个或更多个发光元件(ED1和ED4)。

在一个或更多个实施方式中，参照图6，设置在正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA中的发光元件(ED1、ED2、ED3和ED4)以及用于驱动发光元件(ED1、ED2、ED3和ED4)的像素电路(SPC1、SPC2和SPC3)可以设置在显示面板110中。

参照图6，设置在光学区域OA中的第四发光元件ED4可以由第一像素电路SPC1驱动，该第一像素电路SPC1用于驱动位于光学区域OA中的第一发光元件ED1。也就是说，设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1可以被配置成一起或基本同时地驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1和第四发光元件ED4。

因此，即使当显示面板110具有阳极延伸结构时，设置在光学边框区域OBA中的像素电路SPC的数量也可以减少，从而可以增大光学边框区域OBA的开口区域和发光区域。

在图6的示例中，由设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1一起驱动的第一发光元件ED1和第四发光元件ED4可以是发射相同颜色的光的发光元件，并且在行方向或列方向上彼此相邻。

参照图6，阳极延伸线AEL可以将设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1和第四发光元件ED4连接到设置在光学边框区域OBA中的第一像素电路SPC1。

图7是根据本公开的方面的显示面板110中的正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA的示例平面图。

参照图7，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示面板110中，设置在正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA中的每一者中的多个发光区域EA可以包括红色发光区域EA_R、绿色发光区域EA_G和蓝色发光区域EA_B。

参照图7，在一个或更多个实施方式中，在根据本公开的方面的显示面板110中，阴极电极(例如，图3的阴极电极CE)可以共同设置在正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA中。

阴极电极CE可以包括多个阴极孔CH，并且阴极电极CE的多个阴极孔CH可以设置在光学区域OA中。

正常区域NA和光学边框区域OBA可以是光不能透射穿过的区域，并且光学区域OA可以是光可以透射穿过的区域。因此，光学区域OA的透射率可以高于光学边框区域OBA和正常区域NA的相应透射率。

所有的光学区域OA可以是光可以透射穿过的区域，并且光学区域OA的多个阴极孔CH可以是可以光能够更有效地透射穿过的可透射区域TA。例如，光学区域OA中的除了多个阴极孔CH之外的其余区域可以是光可以透射穿过的区域，并且光学区域OA中的多个阴极孔CH的相应透射率可以高于光学区域OA中的除了多个阴极孔(CH)之外的其余区域的透射率。

在另一示例中，光学区域OA中的多个阴极孔CH可以是光能够透射穿过的可透射区域TA，并且光学区域OA中的除了多个阴极孔CH之外的其余区域可以是光不能透射穿过的区域。

参照图7，在光学区域OA中的发光区域EA的布置、在光学边框区域OBA中的发光区域EA的布置以及在正常区域NA中的发光区域EA的布置可以彼此相同。

参照图7，多个发光区域EA可以包括包含在光学区域OA中的第一发光区域EA1、包含在光学边框区域OBA中并与第一发光区域EA1发射相同颜色的光的第二发光区域EA2、以及包含在正常区域NA中并与第一发光区域EA1发射相同颜色的光的第三发光区域EA3。

参照图7，多个发光区域EA还可以包括第四发光区域EA4，第四发光区域EA4包括在光学区域OA中并且与第一发光区域EA1发射相同颜色的光。

参照图7，在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括设置在光学区域OA中的第一阳极电极AE1、设置在光学边框区域OBA中的第二阳极电极AE2、设置在正常区域NA中的第三阳极电极AE3和设置在光学区域OA中的第四阳极电极AE4。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括共同设置在正常区域NA、光学边框区域OBA和光学区域OA中的阴极电极(例如，图3中的阴极电极CE)。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括设置在光学区域OA中的第一发光层EL1、设置在光学边框区域OBA中的第二发光层EL2、设置在正常区域NA中的第三发光层EL3和设置在光学区域OA中的第四发光层EL4。

第一发光层EL1至第四发光层EL4可以是发射相同颜色的光的发光层。在这些实施方式中，第一发光层EL1至第四发光层EL4可以设置为单独的发光层或者集成到单个发光层中。

参照图7，根据本公开的方面的显示面板110的发光元件可以被配置成使得：第一发光元件ED1配置有第一阳极电极AE1、第一发光层EL1和阴极电极CE；第二发光元件ED2配置有第二阳极电极AE2、第二发光层EL2和阴极电极CE；第三发光元件ED3配置有第三阳极电极AE3、第三发光层EL3和阴极电极CE；第四发光元件ED4配置有第四阳极电极AE4、第四发光层EL4和阴极电极CE。

在下文中，将参照图8和图9更加详细地讨论沿着图7的线X-Y截取的截面结构。

由图7中的线X-Y指示的部分相对于光学边框区域OBA和光学区域OA之间的边界包括光学边框区域OBA的一部分和光学区域OA的一部分。

由图7中的线X-Y指示的部分可以包括包含在光学区域OA中的第一发光区域EA1和第四发光区域EA4，以及包含在光学边框区域OBA中的第二发光区域EA2。第一发光区域EA1、第四发光区域EA4和第二发光区域EA2可以表示发射相同颜色的光的发光区域EA。

图8示出了根据本公开的方面的显示面板110的示例截面图，并且例如更多地示出了显示面板110的光学边框区域OBA和光学区域OA中的示例截面图。这里应该注意的是，图8示出了基于应用1:1电路连接方案的截面图，如图5所示。

参照图8，在堆叠配置方面，显示面板110可以包括晶体管形成部分、发光元件形成部分和封装部分。

晶体管形成部分可以包括基板SUB、基板SUB上的第一缓冲层BUF1、形成在第一缓冲层BUF1上的各种类型的晶体管DT1和DT2、存储电容器Cst以及各种电极和信号线。

基板SUB可以包括例如第一基板SUB1和第二基板SUB2，并且可以包括插设在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间的中间层INTL。在该示例中，中间层INTL可以是无机层并且可以用于防止水分渗透。

下屏蔽金属BSM可以设置在基板SUB上方。下屏蔽金属BSM可以位于第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1下方。

第一缓冲层BUF1可以包括单层的叠层或多层的叠层。在第一缓冲层BUF1包括多层的叠层的示例中，第一缓冲层BUF1可以包括多缓冲层MBUF和有源缓冲层ABUF。

各种类型的晶体管(DT1、DT2等)、至少一个存储电容器Cst和各种电极或信号线可以设置在第一缓冲层BUF1上。

例如，形成在第一缓冲层BUF1上的晶体管DT1和DT2可以包括相同的材料，并且可以位于一个或更多个同一层中。在另一示例中，如图8所示，晶体管(DT1、DT2等)中的第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2可以包括不同的材料并且位于不同的层中。

参照图8，第一驱动晶体管DT1可以表示用于驱动包括在光学区域OA中的第一发光元件ED1的驱动晶体管DT，并且第二驱动晶体管DT2可以表示用于驱动包括在光学边框区域OBA中的第二发光元件ED2的驱动晶体管DT。

例如，第一驱动晶体管DT1可以表示包括在第一像素电路SPC1中的用于驱动包括在光学区域OA中的第一发光元件ED1的驱动晶体管，第二驱动晶体管DT2可以表示包括在第二像素电路SPC2中的用于驱动包括在光学边框区域OBA中的第二发光元件ED2的驱动晶体管。

下面将描述第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2的堆叠配置。

第一驱动晶体管DT1可以包括第一有源层ACT1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。

第二驱动晶体管DT2可以包括第二有源层ACT2、第二栅极电极G2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2。

第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2可以比第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1在堆叠配置中位于更高的位置。

第一缓冲层BUF1可以设置在第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1下方，并且第二缓冲层BUF2可以设置在第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2下方。

例如，第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以位于第一缓冲层BUF1上，并且第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2可以位于第二缓冲层BUF2上。在这种情况下，第二缓冲层BUF2可以比第一缓冲层BUF1被放置在更高的位置。

第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以设置在第一缓冲层BUF1上，第一栅极绝缘层GI1可以设置在第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1上。第一驱动晶体管DT1的第一栅极电极G1可以设置在第一栅极绝缘层GI1上，并且第一层间绝缘层ILD1可以设置在第一驱动晶体管DT1的第一栅极电极G1上。

在该实现方式中，第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以包括与第一栅极电极G1交叠的第一沟道区域、位于第一沟道区域的一侧的第一源极连接区域、以及位于第一沟道区域的另一侧的第一漏极连接区域。

第二缓冲层BUF2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。

第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2可以设置在第二缓冲层BUF2上，并且第二栅极绝缘层GI2可以设置在第二有源层ACT2上。第二驱动晶体管DT2的第二栅极电极G2可以设置在第二栅极绝缘层GI2上，并且第二层间绝缘层ILD2可以设置在第二栅极电极G2上。

在该实现方式中，第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2可以包括与第二栅极电极G2交叠的第二沟道区域、位于第二沟道区域的一侧的第二源极连接区域、以及位于第二沟道区域的另一侧的第二漏极连接区域。

第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2和第二漏极电极D2也可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。

第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以通过形成在第二层间绝缘层ILD2、第二栅极绝缘层GI2、第二缓冲层BUF2、第一层间绝缘层ILD1和第一栅极绝缘层GI1中的通孔分别连接到第一有源层ACT1的第一源极连接区域和第一漏极连接区域。

第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2和第二漏极电极D21可以通过形成在第二层间绝缘层ILD2和第二栅极绝缘层GI2中的通孔分别连接到第二有源层ACT2的第二源极连接区域和第二漏极连接区域。

应当理解的是，图8仅示出了包括在第二像素电路SPC2中的电路部件当中的第二驱动晶体管DT2和存储电容器Cst，并且省略了诸如一个或更多个晶体管等的其它部件。还应当理解的是，图8仅示出了包括在第一像素电路SPC1中的电路部件当中的第一驱动晶体管DT1，并且省略了诸如一个或更多个晶体管、存储电容器等的其它部件。

参照图8，包括在第二像素电路SPC2中的存储电容器Cst可以包括第一电容器电极PLT1和第二电容器电极PLT2。

第一电容器电极PLT1可以电连接到第二驱动晶体管DT2的第二栅极电极G2，第二电容器电极PLT2可以电连接到第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2。

在一个或更多个实施方式中，参照图8，下金属BML可以设置在第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2下方。该下金属BML可以与第二有源层ACT2的全部或一部分交叠。

下金属BML可以电连接到例如第二栅极电极G2。在另一示例中，下金属BML可以用作遮光罩，以用于屏蔽从比下金属BML低的位置传播的光。在该实现方式中，下金属BML可以电连接到第二源极电极S2。

即使第一驱动晶体管DT1是用于驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1的晶体管，第一驱动晶体管DT1也可以设置在光学边框区域OBA中，而不是光学区域OA中。

第二驱动晶体管DT2是用于驱动设置在光学边框区域OBA中的第二发光元件ED2的晶体管，并且可以设置在光学边框区域OBA中。

参照图8，第一平坦化层PLN1可以设置在第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2上。平坦化层PLN可以包括第一平坦化层PLN1和设置在第一平坦化层PLN1上的第二平坦化层PLN2。

参照图8，第一平坦化层PLN1可以设置在第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2上。例如，第一平坦化层PLN1可以设置在第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1以及第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2和第二漏极电极D2上。

参照图8，第一中继电极RE1和第二中继电极RE2可以设置在第一平坦化层PLN1上。

第一中继电极RE1可以表示用于中继第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1和第一发光元件ED1的第一阳极电极AE1之间的电互连的电极。第二中继电极RE2可以表示用于中继第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2和第二发光元件ED2的第二阳极电极AE2之间的电互连的电极。

第一中继电极RE1可以通过形成在第一平坦化层PLN1中的孔电连接到第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1。第二中继电极RE2可以通过形成在第一平坦化层PLN1中的另一孔电连接到第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2。

参照图8，第一中继电极RE1和第二中继电极RE2可以设置在光学边框区域OBA中。

参照图8，阳极延伸线AEL可以连接到第一中继电极RE1并且从光学边框区域OBA延伸到光学区域OA。

在一个或更多个实施方式中，参照图8，阳极延伸线AEL可以是设置在第一中继电极RE1上的金属层，并且包括透明材料。

参照图8，第二平坦化层PLN2可以设置在第一中继电极RE1、第二中继电极RE2和阳极延伸线AEL上，使得第二平坦化层PLN2覆盖第一中继电极RE1、第二中继电极RE2和阳极延伸线AEL。

参照图8，发光元件形成部分可以位于第二平坦化层PLN2上。

参照图8，发光元件形成部分可以包括设置在第二平坦化层PLN2上的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第四发光元件ED4。

参照图8，第一发光元件ED1和第四发光元件ED4可以设置在光学区域OA中，并且第二发光元件ED2可以设置在光学边框区域OBA中。

在图8的示例中，第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第四发光元件ED4可以是发射相同颜色的光的发光元件。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第四发光元件ED4的相应发光层EL可以彼此独立地形成。然而，在下面的讨论中，为了便于说明，假设第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第四发光元件ED4的相应发光层EL共同形成为一个公共发光层。

参照图8，第一发光元件ED1可以配置(即，构成)在第一阳极电极AE1、发光层EL和阴极电极CE彼此交叠的区域中。第二发光元件ED2可以配置(即，构成)在第二阳极电极AE2、发光层EL和阴极电极CE彼此交叠的区域中。第四发光元件ED4可以配置(即，构成)在第四阳极电极AE4、发光层EL和阴极电极CE彼此交叠的区域中。

参照图8，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第四阳极电极AE4可以设置在第二平坦化层PLN2上。

第二阳极电极AE2可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的孔连接到第二中继电极RE2。

第一阳极电极AE1可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的另一孔连接到从光学边框区域OBA延伸到光学区域OA的阳极延伸线AEL。

第四阳极电极AE4可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的另一孔连接到从光学边框区域OBA延伸到光学区域OA的另一阳极延伸线AEL。

参照图8，堤部BK可以设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第四阳极电极AE4上。

堤部BK可以包括多个堤部孔，并且可以通过相应堤部孔暴露第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第四阳极电极AE4的相应部分。也就是说，形成在堤部BK中的多个堤部孔可以分别与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第四阳极电极AE4的相应部分交叠。

参照图8，发光层EL可以设置在堤部BK上。发光层EL可以通过多个堤部孔接触第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第四阳极电极AE4的相应部分。

参照图8，至少一个间隔件SPCR可以存在于发光层EL和堤部BK之间。

参照图8，阴极电极CE可以设置在发光层EL上。阴极电极CE可以包括多个阴极孔CH。形成在阴极电极CE中的多个阴极孔CH可以设置在光学区域OA中。

参照图8，复合图案化层MVL可以设置在阴极孔CH中。复合图案化层MVL可以包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料(其可以由紫外光吸收体形成)。复合图案化层MVL可以设置在光学区域OA中。

由于复合图案化层MVL包括紫外光吸收材料，因此因为复合图案化层MVL吸收穿过光学区域OA(特别是阴极孔CH)入射的紫外光，并且屏蔽显示面板内部的紫外光的透射，所以可以防止像素收缩现象。

包括在复合图案化层MVL中的阴极图案化材料与紫外光吸收材料的重量比可以在1:1至10:1的范围内。如果包括在复合图案化层中的阴极图案化材料与紫外光吸收材料的重量比小于约1:1，则由于紫外光吸收材料的含量相对大于阴极图案化材料的含量，所以形成阴极电极CE的材料可以粘附到复合图案化层，从而可以不均匀地形成阴极孔。如果包括在复合图案化层中的阴极图案化材料与紫外光吸收材料的重量比大于约10:1，则由于紫外光吸收材料的含量相对较小，所以不能吸收足够量的紫外光，从而可能导致像素收缩现象。

阴极图案化材料可以包括有机材料。例如，阴极图案化材料可以包括多环化合物，该多环化合物可以可选地包括一个或更多个杂原子，例如氮(N)、硫(S)、氧(O)、磷(P)和铝(Al)。多环化合物可以是不含有杂原子的多环芳香族化合物，或其中至少一个碳原子被杂原子取代的多环芳香族杂化合物。

多环化合物可以含有至少一个氟(F)原子。例如，多环化合物可以含有1、2、3、4个或更多个氟原子。多环化合物可以含有1至3个氟原子。

紫外光吸收材料可以包括能够吸收波长在200至400nm范围内的紫外光的材料。例如，紫外光吸收材料可以是二苯甲酮基化合物、苯并三唑基化合物、苯甲酸酯类化合物、氰基丙烯酸酯类化合物、三嗪基化合物、氧苯胺基化合物和水杨酸基化合物中的至少一种。

二苯甲酮基化合物可以包括2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-辛基二苯甲酮、4-十二烷氧基-2-羟基二苯甲酮、4-苄氧基-2-羟基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮、2,2’-二羟基4,4’-二甲氧基二苯甲酮等。

苯并三唑基化合物可以包括2-(5-甲基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苯基)苯基]-2H-苯并三唑、2-(3,5-di-t-丁基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-(3-t-丁基-5-甲基2-羟基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3,5-di-t-丁基-2-羟基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3,5-di-t-酰基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-(2'-羟基5'-t-辛基苯基)苯并三唑，等等。

苯甲酸酯类化合物可以包括2,4-di-t-丁基苯基-3',5'-di-t-丁基-4-羟基苯甲酸酯，等等。

三嗪基化合物可以包括2-[4-[(2-羟基-3-十二烷氧基丙基)氧基]-2-羟苯基]-4,6-双(2,4-二甲苯基)1,3,5-三嗪，等等。

水杨酸基化合物可以包括水杨酸苯酯、4-t-丁基水杨酸，等等。

例如，二苯甲酮基化合物和苯并三唑基化合物可以具有羟基(-OH)。然而，根据本公开的实施方式的具有羟基(-OH)的材料或化合物不限于二苯甲酮基化合物和苯并三唑基化合物。例如，上述用于吸收紫外光的材料也可以具有羟基。由于这种紫外光吸收材料由具有羟基(-OH)的单分子物质形成，所述羟基是能够氢键合的官能团，因此紫外光吸收材料能够通过激发态分子内质子转移(ESIPT)现象来吸收从外部入射的紫外光。

例如，在紫外光吸收材料中，具有非共用电子对的原子(例如氧(O)原子或氮(N)原子)可以与分子中的羟基(-OH)相邻地存在，并且可以在具有非共用电子对的原子与羟基(-OH)之间形成氢键。在这种情况下，通过吸收紫外光而处于激发态的紫外光吸收材料可以导致光异构化，其中质子在激发的分子中移动，因此，随着氢(H)从羟基(-OH)逸出，可以变成处于稳定态的酮形式的分子，导致发生热释放。结果，入射在紫外光吸收材料上的紫外光可以被转换成热能并发射到外部，由此，可以屏蔽紫外光避免穿透到显示面板的内部。

图8所示的一个阴极孔CH可以表示位于第一发光区域EA1和第四发光区域EA4之间的阴极孔。

参照图8，封装部分可以位于阴极电极CE上。封装部分可以包括设置在阴极电极CE上的封装层ENCAP。

参照图8，封装层ENCAP可以用于防止水分或氧气渗透到设置在封装层ENCAP下方的发光元件(ED1、ED2和ED4)中。具体地，封装层ENCAP可以包括有机材料或膜，并且可以用于防止水分或氧气渗透到发光层EL中。在一个或更多个实施方式中，封装层ENCAP可以包括单层的叠层或多层的叠层。

参照图8，封装层ENCAP可以包括第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。第一封装层PAS1和第三封装层PAS2可以是例如无机材料层，第二封装层PCL可以是例如有机材料层。

由于使用有机材料来实现第二封装层PCL，所以第二封装层PCL可以用作平坦化层。

在一个或更多个实施方式中，触摸传感器可以集成到根据本公开的方面的显示面板110中。在这些实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括设置在封装层ENCAP上的触摸传感器层TSL。

参照图8，触摸传感器层TSL可以包括触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG，并且还可以包括一个或更多个绝缘层，诸如传感器缓冲层S-BUF、传感器层间绝缘层S-ILD、传感器保护层S-PAC等。

传感器缓冲层S-BUF可以设置在封装层ENCAP上。桥接金属BRG可以设置在传感器缓冲层S-BUF上，传感器层间绝缘层S-ILD可以设置在桥接金属BRG上。

触摸传感器金属TSM可以设置在传感器层间绝缘层S-ILD上。一个或更多个触摸传感器金属TSM可以通过形成在传感器层间绝缘层S-ILD中的一个或更多个相应的孔连接到桥接金属BRG当中的相应桥接金属BRG。

参照图8，触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以设置在光学边框区域OBA中。触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以设置成不与光学边框区域OBA的第二发光区域EA2交叠。

多个触摸传感器金属TSM可以被配置为一个触摸电极(或一条触摸电极线)。例如，多个触摸传感器金属TSM可以布置成网格图案并因此彼此电连接。触摸传感器金属TSM中的一个或更多个和其余一个或更多个触摸传感器金属TSM可以通过一个或更多个相应的桥接金属BRG电连接，从而被配置为一个触摸电极(或一条触摸电极线)。

传感器保护层S-PAC可以设置成使得其覆盖触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG。

在触摸传感器集成到显示面板110中的实施方式中，位于封装层ENCAP上的触摸传感器金属TSM中的至少一个或者触摸传感器金属TSM中的至少一个的至少一部分可以沿着形成在封装层ENCAP的边缘中的倾斜表面延伸，并且电连接到位于显示面板110的更远离封装层ENCAP的边缘的倾斜表面的边缘中的焊盘。焊盘可以设置在非显示区域NDA中，并且可以是与触摸驱动电路260电连接的金属图案。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括设置在第一阳极电极(例如，第一阳极电极AE1)上并具有暴露第一阳极电极AE1的一部分的堤部孔的堤部(例如，堤部BK)，并且包括设置在堤部BK上并接触第一阳极电极AE1的通过堤部孔暴露的部分的发光层(例如，发光层EL)。

形成在堤部BK中的堤部孔可以不与多个阴极孔CH交叠。例如，堤部BK可以不在存在多个阴极孔CH的部位处凹陷或穿孔(即，保持为平坦状态)。因此，在存在多个阴极孔CH的部位处，位于堤部BK下方的第二平坦化层PLN2和第一平坦化层PLN1也可以不凹陷或穿孔(即，保持为平坦状态)。

堤部BK的上表面的位于多个阴极孔CH中的任一个下方的相应部分的平坦状态可以表示位于多个阴极孔CH中的任一个下方的一个或更多个绝缘层或一个或更多个金属图案(例如，一个或更多个电极、一条或更多条线等)、或者发光层EL没有被在阴极电极CE中形成多个阴极孔CH的工艺损坏。

下面对在阴极电极CE中形成阴极孔CH的工艺进行简要描述。可以在要形成阴极孔CH的相应位置处沉积特定的掩模图案，然后可以在该掩模图案上沉积阴极电极材料。因此，可以仅在不定位有特定掩模图案的区域中沉积阴极电极材料，从而可以形成包括阴极孔CH的阴极电极CE。特定掩模图案可以包括例如有机材料。阴极电极材料可以包括镁-银(Mg-Ag)合金。

在一个或更多个实施方式中，在形成具有阴极孔CH的阴极电极CE之后，显示面板110可以处于特定掩模图案被完全去除、部分去除(其中特定掩模图案的一部分保留)或未去除(所有特定掩模图案保留而未去除)的情形。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110可以包括第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2，第一驱动晶体管DT1设置在光学边框区域OBA中以驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1，第二驱动晶体管DT2设置在光学边框区域OBA中以驱动设置在光学边框区域OBA中的第二发光元件ED2。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括设置在第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2上的第一平坦化层PLN1、设置在第一平坦化层PLN1上并通过形成在第一平坦化层PLN1中的孔电连接到第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1的第一中继电极(例如，第一中继电极RE1)、设置在第一平坦化层PLN1上并通过形成在第一平坦化层PLN1中的另一孔电连接到第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2的第二中继电极(例如，第二中继电极RE2)、以及设置在第一中继电极RE1和第二中继电极RE2上的第二平坦化层PLN2。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括将第一中继电极RE1和第一阳极电极AE1互连并位于第一平坦化层PLN1上的阳极延伸线(例如，阳极延伸线AEL)。

第二阳极电极AE2可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的孔电连接到第二中继电极RE2，并且第一阳极电极AE1可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的另一孔电连到阳极延伸线AEL。

第一像素电路SPC1可以包括用于驱动第一发光元件ED1的第一驱动晶体管DT1，并且第二像素电路SPC2可以包括用于驱动第二发光元件ED2的第二驱动晶体管DT2。

第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以与第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2位于不同的层中。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括基板SUB、设置在基板SUB与第一驱动晶体管DT1之间的第一缓冲层BUF1、以及设置在第一驱动晶体管DT1和第二驱动晶体管DT2之间的第二缓冲层BUF2。

第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以与第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2包括不同的半导体材料。

例如，第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2可以包括氧化物半导体材料。例如，这样的氧化物半导体材料可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌镓锡(IGZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氧化铟(InO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌铟锡(ZITO)等。

例如，第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以与第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2包括不同的半导体材料。

例如，第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1可以包括硅基半导体材料。例如，硅基半导体材料可以包括低温多晶硅(LTPS)等。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的显示面板110还可以包括位于第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3上的封装层(例如，封装层ENCAP)，以及位于封装层ENCAP上的一个或更多个触摸传感器金属TSM。

触摸传感器金属TSM可以设置在正常区域NA和光学边框区域OBA中。例如，触摸传感器金属TSM可以不设置在光学区域OA中。在另一示例中，触摸传感器金属TSM可以设置在光学区域OA、正常区域NA和光学边框区域OBA中，使得光学区域OA比正常区域NA和光学边框区域OBA中的每一者具有更低的触摸传感器金属密度。

参照图8，光学区域OA可以与光学电子装置交叠。光学边框区域OBA可以不与光学电子装置交叠。在一个或更多个实施方式中，光学边框区域OBA的一部分可以与光学电子装置交叠。

与光学区域OA交叠的光学电子装置可以是上文所述的第一光学电子装置11和/或第二光学电子装置12。例如，光学电子装置可以包括摄像头、红外传感器、紫外传感器等。例如，光学电子装置可以是能够接收可见光并执行预定操作的装置，或者是能够接收不同于可见光的光(例如，红外光和/或紫外光)并执行预定操作的装置。

参照图8，正常区域NA的截面结构可以与光学边框区域OBA的截面结构基本相同或几乎相同。这里应当注意，设置在光学边框区域OBA中以驱动设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1的第一像素电路SPC1可以不设置在正常区域NA中。

图9示出了根据本公开的方面的显示面板110的示例截面图，并且例如更多地示出了显示面板110的光学边框区域OBA和光学区域OA中的示例截面图。这里应该注意的是，图9示出了基于应用1:2电路连接方案的示例截面图，如图6所示。

图9的截面图与图8的截面图基本相同。这里应该注意的是，图8和图9的截面图之间的一个区别在于，图8采用如图5所示的1:1电路连接方案，图9采用如图6所示的1:2电路连接方案。考虑到它们之间的相似性，在下文中，对图9的截面结构的描述将集中于与图8的截面结构不同的特征。

参照图9，设置在光学区域OA中的第一发光元件ED1和第四发光元件ED4可以由设置在光学边框区域OBA中的第一驱动晶体管DT1一起或基本上同时驱动。

因此，如图9所示，阳极延伸线AEL(例如，图8的阳极延伸线AEL)可以进一步电连接到与第一阳极电极AE1不同的第四阳极电极AE4以及第一阳极电极AE1。因此，阳极延伸线AEL可以电连接到第一发光元件ED1的第一阳极电极AE1和第四发光元件ED4的第四阳极电极AE4两者。

参照图9，阳极延伸线AEL可以与多个阴极孔CH当中的位于第一发光元件ED1和第四发光元件ED4之间的阴极孔CH交叠。

参照图9，由第一发光元件ED1配置的第一发光区域EA1和由第四发光元件ED4配置的第四发光区域EA4可以是发射相同颜色的光的发光区域。

图10示意性地示出了根据本公开的方面的显示面板110中的示例第二类型的光学区域OA和在第二类型的光学区域OA周围的示例正常区域NA。

参照图10，显示区域DA可以包括光学区域OA。光学区域OA可以具有第二类型的结构。在以第二类型实现光学区域OA的示例中，光学区域OA可以包括多个透射区域TA和非透射区域NTA。光学区域OA的第二类型也可以被称为孔型。

在光学区域OA中，非透射区域NTA可以表示除了多个透射区域TA之外的区域。

参照图10，光学区域OA中的非透射区域NTA可以包括多个发光区域EA。用于多个发光区域EA的多个发光元件ED可以设置在光学区域OA中的非透射区域NTA中。

此外，用于驱动多个发光元件ED的多个像素电路SPC可以设置在光学区域OA中的非透射区域NTA中。因此，多个像素电路SPC可以设置在光学区域OA中的非透射区域NTA中。相反，在第一类型的情况下，多个子像素电路SPC不设置在光学区域OA中。

在第二类型的情况下，晶体管(DT、ST)和存储电容器Cst可以设置在光学区域OA中。在第一类型的情况下，晶体管(DT、ST)和存储电容器Cst可以不设置在光学区域OA中。

参照图10，光学区域OA中的发光区域EA的布置可以与正常区域NA中的发光区域EA的布置相同。

在一个或更多个实施方式中，参照图10，包括在光学区域OA中的多个发光区域EA中的每个发光区域的相应区域可以与包括在正常区域NA中的多个发光区域EA中的每个发光区域的相应区域相同或基本上相同或几乎相同或者在预定范围内不同。

阴极电极(例如，图3中的阴极电极CE)可以共同设置在正常区域NA和光学区域OA中，并且可以在光学区域OA中包括多个阴极孔CH。阴极电极CE的多个阴极孔CH可以分别对应于光学区域OA的透射区域TA。

由于光学区域OA包括多个透射区域TA，所以光学区域OA可以比正常区域NA具有更高的透射率。

光学区域OA的全部或一部分可以与光学电子装置交叠。

图11是根据本公开的方面的显示面板110中的第二类型的光学区域OA(例如，如在图10的配置中)的示例平面图。

参照图11，在以第二类型实现光学区域OA的示例中，光学区域OA可以包括非透射区域(例如，图10的非透射区域NTA)和除了非透射区域NTA之外的一个或更多个透射区域TA。

非透射区域NTA可以包括多个发光区域EA。

相应发光元件ED可以设置在多个发光区域EA中的每一个中。

用于驱动多个发光元件ED的多个像素电路SPC可以设置在非透射区域NTA中。

在第二类型的光学区域OA中，发光元件ED和像素电路SPC可以彼此部分交叠。

在第二类型的光学区域OA的情况下，数据线(DL1、DL2和DL3)和选通线(GL1、GL2、GL3和GL4)可以延伸横跨光学区域OA。

在光学区域OA中，数据线(DL1、DL2和DL3)可以沿行方向(或列方向)布置，同时避开与一个或更多个相应阴极孔CH相对应的一个或更多个透射区域TA。

在光学区域OA中，选通线(GL1、GL2、GL3和GL4)可以沿列方向(或行方向)布置，同时避开与一个或更多个相应阴极孔CH相对应的一个或更多个透射区域TA。

数据线(DL1、DL2和DL3)和选通线(GL1、GL2、GL3和GL4)可以连接到设置在光学区域OA中的像素电路(SPC1、SPC2和SPC3)。

例如，四个发光元件(EDr、EDg1、EDg2和EDb)可以设置在非透射区域NTA的位于四个相邻的透射区域TA之间的部分中。四个发光元件(EDr、EDg1、EDg2和EDb)可以包括一个红色发光元件EDr、两个绿色发光元件EDg1和EDg2、以及一个蓝色发光元件EDb。

例如，用于驱动一个红色发光元件EDr的像素电路SPC1可以连接到第一数据线DL1和第一选通线GL1。用于驱动两个绿色发光元件EDg1和EDg2的像素电路SPC2可以连接到第二数据线DL2、第二选通线GL2和第三选通线GL3。用于驱动一个蓝色发光元件EDb的像素电路SPC3可以连接到第三数据线DL3和第四选通线GL4。

图12是根据本公开的方面的显示面板110中的第二类型的光学区域OA(例如，如在图10和图11的配置中)的示例截面图。

图12的截面结构中的金属层和绝缘层可以与图8和图9的截面结构中的金属层和绝缘层相同、或基本上相同或几乎相同。考虑到它们之间的相似性，对图12的截面结构的讨论将集中于与图8和图9的截面结构的特征不同的特征。

参照图12，光学电子装置可以设置成使得其与光学区域OA的全部或一部分交叠。光学电子装置可以是上文所述的第一光学电子装置11和/或第二光学电子装置12。

参照图12，第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以设置在光学区域OA中。由第一发光元件ED1配置的第一发光区域EA1和由第二发光元件ED2配置的第二发光区域EA2可以是发射相同颜色的光的发光区域。

参照图12，设置第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的区域可以是非透射区域NTA，并且透射区域TA可以存在于第一发光元件ED1和第二发光元件ED2之间。也就是说，透射区域TA可以存在于由第一发光元件ED1配置的第一发光区域EA1和由第二发光元件ED2配置的第二发光区域EA2之间。

像素电路SPC可以被配置成驱动第一发光元件ED1，并且设置成在光学区域OA中与第一发光元件ED1的全部或一部分交叠。

参照图12，用于驱动第一发光元件ED1的像素电路SPC可以包括第一驱动晶体管DT1、第一扫描晶体管ST1和第一存储电容器Cst1。

像素电路SPC可以被配置成驱动第二发光元件ED2，并且设置成在光学区域OA中与第二发光元件ED2的全部或一部分交叠。

参照图12，用于驱动第二发光元件ED2的像素电路SPC可以包括第二驱动晶体管DT2、第二扫描晶体管ST2和第二存储电容器Cst2。

参照图12，第一驱动晶体管DT1可以包括第一有源层ACT1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。

第一发光元件ED1可以被配置(即，构成)在第一阳极电极AE1、发光层(例如上面讨论的发光层EL)和阴极电极(例如上面讨论的阴极电极CE)彼此交叠的区域中。

第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1可以通过第一中继电极RE1连接到第一阳极电极AE1。

第一存储电容器Cst1可以包括第一电容器电极PLT1和第二电容器电极PLT2。

第一驱动晶体管DT1的第一源极电极S1可以连接到第一存储电容器Cst1的第二电容器电极PLT2。

第一驱动晶体管DT1的第一栅极电极G1可以连接到第一存储电容器Cst1的第一电容器电极PLT1。

第一扫描晶体管ST1的有源层ACT1s可以位于第一缓冲层BUF1上并且比第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1位于更低的位置。

包括在第一扫描晶体管ST1的有源层ACT1s中的半导体材料可以不同于包括在第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1中的半导体材料。例如，包括在第一驱动晶体管DT1的第一有源层ACT1中的半导体材料可以是氧化物半导体材料，并且包括在第一扫描晶体管ST1的有源层ACT1s中的半导体材料可以是硅基半导体材料(例如，低温多晶硅(LTPS))。

参照图12，第二驱动晶体管DT2可以包括第二有源层ACT2、第二栅极电极G2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2。

第二发光元件ED2可以配置(即，构成)在第二阳极电极AE2、发光层EL和阴极电极CE彼此交叠的区域中。

第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2可以通过第二中继电极RE2连接到第二阳极电极AE2。

第二存储电容器Cst2可以包括第一电容器电极PLT1和第二电容器电极PLT2。

第二驱动晶体管DT2的第二源极电极S2可以连接到第二存储电容器Cst2的第二电容器电极PLT2。

第二驱动晶体管DT2的第二栅极电极G2可以连接到第二存储电容器Cst2的第一电容器电极PLT1。

第二扫描晶体管ST2的有源层ACT2s可以位于第一缓冲层BUF1上并且比第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2位于更低的位置。

包括在第二扫描晶体管ST2的有源层ACT2s中的半导体材料可以与包括在第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2中的半导体材料不同。例如，包括在第二驱动晶体管DT2的第二有源层ACT2中的半导体材料可以是氧化物半导体材料，并且包括在第二扫描晶体管ST2的有源层ACT2s中的半导体材料可以是硅基半导体材料(例如，低温多晶硅(LTPS))。

阴极电极CE的多个阴极孔CH可以定位成分别对应于光学区域OA的透射区域TA。

形成在堤部BK中的堤部孔可以不与阴极孔CH中的任一个交叠。

比阴极孔CH位于更低的位置的堤部BK的上表面可以是平坦的，而不凹陷或被蚀刻。例如，堤部BK可以不在存在阴极孔CH的部位处凹陷或穿孔(即，保持为平坦状态)。因此，在存在阴极孔CH的部位处，比堤部BK位于更低的位置的第二平坦化层PLN2和第一平坦化层PLN1也可以不凹陷或穿孔(即，保持为平坦状态)。

堤部BK的上表面的位于阴极孔CH下方的相应部分的平坦状态可以表示位于阴极电极CE下方的一个或更多个绝缘层或者一个或更多个金属图案(例如，一个或更多个电极、一条或更多条线等)、或者发光层EL没有被在阴极电极CE中形成阴极孔CH的工艺损坏。

在阴极电极CE中形成多个阴极孔CH的工艺可以与上面已经描述的图8的图示中的形成多个阴极孔CH的工艺相同。

图13示出了根据本公开的方面的在显示面板110的光学区域中形成阴极孔的示例过程。

参照图13，可以通过包含图案化材料的蒸发器1020在真空下蒸发或升华图案化材料。蒸发的(升华的)图案化材料可以朝向基板1000移动。具有开口或狭缝的掩模1010(例如，精细金属掩模FMM)可以设置在蒸发的(升华的)图案化材料的移动路径中，使得移动穿过开口或狭缝的图案化材料的通量(flux)的一部分可以选择性地入射在基板1000的表面上，由此，图案化材料可以形成图案化层1100。

在图案化层1100沉积在基板1000上的情况下，电极材料可以沉积在基板的不存在图案化材料的区域上。

通过包含电极材料的蒸发器1120，电极材料可以朝向基板1000移动。在这种情况下，掩模1110(例如，开口金属掩模OMM)可以设置在电极材料的移动路径中，使得电极材料可以入射在沉积有图案化材料的图案化层1100和没有沉积图案化材料的区域两者上。在电极材料穿过掩模1110之后，电极材料可以不沉积在沉积有图案化材料的图案化层1100上，而是可以沉积在除了图案化层1100之外的区域中。结果，可以形成对应的电极层1200。

同时，可以从基板1000选择性地去除图案化层1100。

图14示出了堤部的一部分的示例不平坦表面以及形成在根据本公开的方面的显示面板110的光学区域OA中的阴极孔中的示例复合图案化层。

参照图14，堤部的上表面的位于阴极孔CH下方的部分可以形成为不平坦表面EMB，并且复合图案化层MVL可以设置在不平坦表面EMB上。

由于堤部BK的上表面的一部分形成为不平坦表面EMB，所以复合图案化层MVL的两个表面中的至少一个也可以在堤部BK上形成为不平坦表面EMB。因此，堤部BK的上表面的面积可以由于不平坦表面EMB的形状而增大，并且形成在堤部BK上的复合图案化层MVL的面积也可以增大，这导致用于吸收入射的紫外光的表面面积增大。

图15示出了形成在根据本公开的方面的显示面板110的光学区域OA中的阴极孔CH中的示例紫外光吸收层UVA和金属图案化层MPL。

参照图15，设置在阴极孔CH中的复合图案化层MVL可以包括紫外光吸收层UVA和设置在紫外光吸收层UVA上的金属图案化层MPL。

紫外光吸收层UVA可以设置在堤部BK上。例如，发光层EL可以设置在堤部BK上，并且紫外光吸收层UVA可以设置在发光层EL上。

设置紫外光吸收层UVA的区域可以不限于与阴极孔CH交叠的区域。例如，紫外光吸收层UVA可以设置在发光层EL的整个表面上。由于紫外光吸收层UVA形成在发光层EL的整个表面上，所以可以吸收入射到除了阴极孔CH之外的其它区域以及阴极孔CH的紫外光。

金属图案化层MPL可以形成在紫外光吸收层UVA上。由于金属图案化层MPL形成在紫外光吸收层UVA上，所以阴极电极CE可以形成在除了金属图案化层MPL之外的区域中，并且阴极孔CH可以形成为对应于金属图案化层MPL。

图16A和图16B示出了在根据本公开的方面的显示面板110中形成图8中所示的阴极孔CH的示例过程。

参照图8，多个复合图案化层MVL中的每一个可以设置成对应于阴极孔CH中的相应阴极孔，并且每个复合图案化层MVL可以包括包含阴极图案化材料和紫外光吸收材料的单层的叠层。

在复合图案化层MVL包括单层的叠层的示例中，形成复合图案化层MVL的工艺可以包括沉积阴极图案化材料和紫外光吸收材料的混合物的工艺，以及同时沉积阴极图案化材料和紫外光吸收材料中的每一种的工艺。然而，本公开的实施方式不限于此。

首先，图16A示意性地示出了使用沉积阴极图案化材料和紫外光吸收材料的混合物的工艺来形成复合图案化层MVL的单层的工艺。

参照图16A，阴极图案化材料和紫外光吸收材料的混合物可以在真空下通过包含该混合物的蒸发器1020被蒸发或升华。在这种情况下，可以调节混合物的阴极图案化材料和紫外光吸收材料的相应含量。例如，混合物的阴极图案化材料含量与混合物的紫外光吸收材料含量的比率可被调节成1:1、2:1、5:1或10:1。

具有与每个阴极孔CH的相应尺寸相对应的开口的精细金属掩模1010可以设置在混合物的通量的移动路径中。混合物的通量可以通过精细金属掩模1010的开口选择性地入射在基板1000的表面上，从而可以形成复合图案化层1300。复合图案化层1300包括从复合图案化层1300的远离基板1000的表面1302朝向基板1000延伸的凹部1301。

在复合图案化层1300沉积在基板1000上的情况下，阴极电极材料可以沉积在基板的不存在阴极图案化材料的区域上。

阴极电极材料可以通过包含阴极电极材料的蒸发器1120朝向基板1000移动。在这种情况下，开口金属掩模1110可以设置在阴极电极材料的移动路径中。在阴极电极材料穿过开口金属掩模1110之后，虽然没有沉积在沉积有混合物的复合图案化层1300上，但是阴极电极材料可以沉积在除了复合图案化层1300之外的区域中，例如凹部1301中，从而可以形成阴极1200。

首先，图16B示意性地示出了使用同时沉积阴极图案化材料和紫外光吸收材料中的每一种的工艺来形成复合图案化层MVL的单层的工艺。

首先，分别通过包含阴极图案化材料的蒸发器1020和包含紫外光吸收材料的蒸发器1021，可以在真空下同时蒸发或升华阴极图案化材料和紫外光吸收材料。在这种情况下，可以通过调节要蒸发(升华)的阴极图案化材料与紫外光吸收材料的沉积率来调节复合图案化层的阴极图案化材料和紫外光吸收材料的相应含量。例如，阴极图案化材料沉积率与紫外光吸收材料沉积率的比率可以被调节成1:1、2:1、5:1或10:1，因此，复合图案化层的阴极图案化材料含量与复合图案化层的紫外光吸收材料含量的比率可被调节成1:1、2:1、5:1或10:1。

具有与每个阴极孔CH的相应尺寸相对应的开口的精细金属掩模1010可以设置在阴极图案化材料和紫外光吸收材料的相应通量的移动路径中。阴极图案化材料和紫外光吸收材料的通量可以通过精细金属掩模1010的开口选择性地入射在基板1000的表面上，从而可以形成复合图案化层1300。

阴极电极材料可以通过包含阴极电极材料的蒸发器1120朝向基板1000移动。在这种情况下，开口金属掩模1110可以设置在阴极电极材料的移动路径中。在阴极电极材料穿过开口金属掩模1110之后，虽然没有沉积在沉积有阴极图案化材料和紫外光吸收材料的复合图案化层1300上，但是阴极电极材料可以沉积在除了复合图案化层1300之外的区域中，从而可以形成阴极1200。

图17示出了在根据本公开的方面的显示面板110中形成图15中所示的阴极孔的示例过程。

参照图15，多个复合图案化层MVL中的每一个可设置成对应于阴极孔CH中的相应阴极孔，并且每个复合图案化层MVL可以包括两层的叠层，该两层包括紫外光吸收层UVA和设置在紫外光吸收层UVA上的金属图案化层MPL。

首先，可以通过包含紫外光吸收材料的蒸发器1021在真空下蒸发或升华紫外光吸收材料。在这种情况下，开口金属掩模1011可以设置在紫外光吸收材料的移动路径中。紫外光吸收材料可以穿过开口金属掩模1011，并沉积在基板1000上以形成紫外光吸收层1400。

具有与每个阴极孔CH的相应尺寸相对应的开口的精细金属掩模1010可以设置在阴极图案化材料的移动路径中。阴极图案化材料可以通过精细金属掩模1010的开口选择性地入射在沉积在基板1000上的紫外光吸收层1400的表面上，从而可以形成金属图案化层1100。金属图案化层1100包括从金属图案化层1100的远离基板1000的表面1102朝向紫外光吸收层1400延伸的凹部1101。

阴极电极材料可以通过包含阴极电极材料的蒸发器1120朝向基板1000移动。在这种情况下，开口金属掩模1110可以设置在阴极电极材料的移动路径中。在阴极电极材料穿过开口金属掩模1110之后，虽然没有沉积在沉积有阴极图案化材料的金属图案化层1100上，但是阴极电极材料可以沉积在除了金属图案化层1100之外的区域中，例如凹部1101中，从而可以形成阴极1200。

同时，用于形成紫外光吸收层1400的开口金属掩模1011和用于形成阴极的开口金属掩模1011可以是相同的掩模或者可以是不同的掩模。

图18A和图18B示出了堤部的示例开口区域以及形成在根据本公开的方面的显示面板110的光学区域OA中的阴极孔CH中的示例复合图案化层。

参照图18A和图18B，第一发光区域EA1和阴极孔CH可以形成在光学区域OA中。

参照图18A和图18B，堤部BK可以设置在平坦化层PLN上。平坦化层PLN可以是上述附图中的第二平坦化层PLN2。

阴极孔CH可以位于堤部BK上。

堤部BK可以位于阴极孔CH下方，并且可以包括暴露第二平坦化层PLN2的一部分的开口区域OP1。

复合图案化层MVL可以设置在堤部BK的开口区域OP1中。在该实现方式中，复合图案化层MVL可以在堤部BK的开口区域OP1中设置在第二平坦化层PLN2上。

参照图18A和图18B，复合图案化层MVL可以设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的一个或更多个侧表面和堤部BK的上表面，但是本公开的实施方式不限于此。例如，复合图案化层MVL可以设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的一个或更多个侧表面，或者设置成延伸到在堤部BK的开口区域OP1下方与第二平坦化层PLN2相邻的区域。

图19A和图19B示出了堤部的示例开口区域、示例紫外光吸收层以及形成在根据本公开的方面的显示面板110的光学区域OA中的阴极孔CH中的示例金属图案化层。

参照图19A和图19B，第一发光区域EA1和阴极孔CH可以形成在光学区域OA中。

参照图19A和图19B，堤部BK可以设置在平坦化层PLN上。平坦化层PLN可以是上述附图中的第二平坦化层PLN2。

阴极孔CH可以位于堤部BK上。

复合图案化层MVL可以设置在堤部BK的开口区域OP1中。

复合图案化层MVL可以包括两层的叠层，该两层包括包含紫外光吸收材料的紫外光吸收层UVA和位于紫外光吸收层UVA上并包含阴极图案化材料的金属图案化层MPL。

紫外光吸收层UVA可以设置在堤部BK的开口区域OP1中。例如，发光层EL可以设置在堤部BK的开口区域OP1中并且设置在堤部BK上，并且紫外光吸收层UVA可以设置在发光层EL上。

设置紫外光吸收层UVA的区域可以不限于与阴极孔CH交叠的区域。例如，紫外光吸收层UVA可以设置在发光层EL的整个表面上。由于紫外光吸收层UVA形成在发光层EL的整个表面上，所以入射到除了阴极孔CH之外的其它区域以及阴极孔CH的紫外光可以被吸收。

金属图案化层MPL可以在堤部BK的开口区域OP1中设置在紫外光吸收层UVA上。在该实现方式中，金属图案化层MPL可以在堤部BK的开口区域OP1中设置在第二平坦化层PLN2上。

参照图19A和图19B，金属图案化层MPL可以设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的一个或更多个侧表面和堤部BK的上表面，但是本公开的实施方式不限于此。例如，金属图案化层MPL可以设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的一个或更多个侧表面，或者设置成延伸到在堤部BK的开口区域OP1下方与第二平坦化层PLN2相邻的区域。

图20A和图20B示出了第二平坦化层的示例开口区域以及形成在根据本公开的方面的显示面板110的光学区域OA中的阴极孔CH中的示例复合图案化层。

参照图20A和图20B，第一发光区域EA1和阴极孔CH可以形成在光学区域OA中。

参照图20A和图20B，堤部BK可以设置在平坦化层PLN上。平坦化层PLN可以包括第一平坦化层PLN1和在第一平坦化层PLN1上的第二平坦化层PLN2。

阴极孔CH可以位于堤部BK的一部分中，和/或位于堤部BK上。

平坦化层PLN可以位于堤部BK的开口区域OP1下方，并且包括第二平坦化层PLN2的暴露第一平坦化层PLN1的一部分的开口区域OP2。

复合图案化层MVL可以设置在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2中。复合图案化层MVL可以与阴极孔CH的侧表面接触，并且还可以与发光层EL接触。

在该实现方式中，复合图案化层MVL可以在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2中设置在第一平坦化层PLN1上。

参照图20A和图20B，复合图案化层MVL可以设置成延伸到第二平坦化层PLN2的开口区域OP2的一个或更多个侧表面和第二平坦化层PLN2的上表面，但是本公开的实施方式不限于此。例如，复合图案化层MVL可以设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的一个或更多个侧表面，或者设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的上表面。例如，复合图案化层MVL可以设置成延伸到第二平坦化层PLN2的开口区域OP2的一个或更多个侧表面，或者设置成延伸到在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2下方与第一平坦化层PLN1相邻的区域。

图21A和图21B示出了第二平坦化层的示例开口区域、示例紫外光吸收层以及形成在根据本公开的方面的显示面板110的光学区域OA中的阴极孔CH中的示例金属图案化层。

参照图21A和图21B，第一发光区域EA1和阴极孔CH可以形成在光学区域OA中。

参照图21A和图21B，堤部BK可以设置在平坦化层PLN上。平坦化层PLN可以包括第一平坦化层PLN1和在第一平坦化层PLN1上的第二平坦化层PLN2。

阴极孔CH可以位于堤部BK的一部分中。

平坦化层PLN可以位于堤部BK的开口区域OP1下方，并且可以包括第二平坦化层PLN2的暴露第一平坦化层PLN1的一部分的开口区域OP2。

复合图案化层MVL可以设置在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2中。

紫外光吸收层UVA可以设置在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2中。例如，发光层EL可以形成在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2中、形成在第二平坦化层PLN2上、形成在堤部BK的一个或更多个侧表面上、并且形成在堤部BK上，并且紫外光吸收层UVA可以形成在发光层EL上。

设置有紫外光吸收层UVA的区域可以不限于与阴极孔CH交叠的区域。例如，紫外光吸收层UVA可以设置在发光层EL的整个表面上。由于紫外光吸收层UVA形成在发光层EL的整个表面上，所以入射到除了阴极孔CH之外的其它区域以及阴极孔CH的紫外光可以被吸收。

在该实现方式中，金属图案化层MPL可以在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2中设置在第一平坦化层PLN1上。

参照图21A和图21B，金属图案化层MPL可以设置成延伸到第二平坦化层PLN2的开口区域OP2的一个或更多个侧表面和第二平坦化层PLN2的上表面，但是本公开的实施方式不限于此。例如，金属图案化层MPL可以设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的一个或更多个侧表面，或者设置成延伸到堤部BK的开口区域OP1的上表面。例如，金属图案化层MPL可以设置成延伸到第二平坦化层PLN2的开口区域OP2的一个或更多个侧表面，或者设置成延伸到在第二平坦化层PLN2的开口区域OP2下方与第一平坦化层PLN1相邻的区域。

下面将简要描述上述实施方式。

包括在复合图案化层中的阴极图案化材料与紫外光吸收材料的重量比可以在1:1至10:1的范围内。

复合图案化层可以包括包含紫外光吸收材料的紫外光吸收层，以及位于紫外光吸收层上并包含阴极图案化材料的金属图案化层。

显示装置还可以包括阳极电极、设置在阳极电极上并包括暴露阳极电极的一部分的堤部孔的堤部、以及设置在堤部上并接触阳极电极的通过堤部孔暴露的部分的发光层。阴极电极可以位于发光层上，并且多个阴极孔可以位于堤部上。

堤部的上表面的位于多个阴极孔中的对应阴极孔下方的部分可以形成为不平坦表面，并且复合图案化层可以设置在不平坦表面上。

显示装置还可以包括设置在堤部下方的平坦化层。堤部可以包括位于多个阴极孔中的对应阴极孔下方并暴露平坦化层的一部分的开口区域，并且复合图案化层可以设置在堤部的开口区域中。

复合图案化层可以在堤部的开口区域中包括包含紫外光吸收材料的紫外光吸收层，以及位于紫外光吸收层上并包含阴极图案化材料的金属图案化层。

平坦化层可以包括第一平坦化层和设置在第一平坦化层上的第二平坦化层。第二平坦化层可以包括位于堤部的开口区域下方并且暴露第一平坦化层的一部分的开口区域。复合图案化层可以设置在第二平坦化层的开口区域中。

复合图案化层可以在第二平坦化层的开口区域中包括包含紫外光吸收材料的紫外光吸收层，以及位于紫外光吸收层上并包含阴极图案化材料的金属图案化层。

显示装置还可以包括在阴极电极上的封装层和在封装层上的触摸传感器金属。触摸传感器金属中的至少一个可以设置在正常区域中。触摸传感器金属可以不设置在光学区域中，或者光学区域可以比正常区域包括更低密度的触摸传感器金属。

显示装置还可以包括在光学区域和正常区域之间的光学边框区域。可以在光学区域中设置一个或更多个发光元件，并且可以在光学边框区域中设置用于驱动设置在光学区域中的一个或更多个发光元件的一个或更多个像素电路。像素电路可以包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器。多个阴极孔可以与光学区域的未设置发光元件的区域交叠。

显示装置的光学区域可以包括多个透射区域和非透射区域。多个发光元件和多个像素电路可以设置在非透射区域中，多个像素电路中的每一个可以包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器。多个阴极孔可以与多个透射区域交叠。

显示装置还可以包括与光学区域交叠的光学电子装置，并且可以使用穿过光学区域的光来获得图像。

显示面板还可以包括阳极电极、设置在阳极电极上并包括暴露阳极电极的一部分的堤部孔的堤部、以及设置在堤部上并接触阳极电极的通过堤部孔暴露的部分的发光层。阴极电极可以位于发光层上，并且多个阴极孔可以位于堤部上。

根据本公开的方面，可以提供一种显示装置，该显示装置包括：阳极电极；堤部结构，该堤部结构在阳极电极上；堤部孔，该堤部孔在堤部结构中，该堤部孔暴露阳极电极的一部分；发光层，该发光层在堤部结构上，发光层与堤部孔中的阳极电极交叠；阴极电极，该阴极电极在发光层上；阴极孔，该阴极孔在阴极电极中，阴极孔覆于堤部结构上并且从堤部孔偏移；以及复合图案化层，该复合图案化层在阴极孔中，复合图案化层包括金属图案化层和紫外光吸收层。

复合图案化层可以与发光层和阴极电极接触。

根据本公开的方面，可以提供一种方法，该方法包括以下步骤：在基板上方形成阳极电极；在阳极电极上形成堤部结构；在堤部结构中形成暴露阳极电极的一部分的堤部孔；在堤部结构上形成发光层，发光层与堤部孔中的阳极电极交叠；使用蒸发器和掩模在基板上形成复合图案化层，复合图案化层包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料，并且包括均远离复合图案化层延伸的凹部；以及通过在凹部中沉积阴极电极材料来形成阴极电极。

形成复合图案化层的步骤可以包括：使用开口金属掩模在基板上形成紫外光吸收材料的层；使用精细金属掩模在紫外光吸收材料的层上形成阴极图案化材料的层，其中，凹部均可以从阴极图案化材料的层的远离基板的表面朝向紫外光吸收材料的层延伸。

掩模可以是精细金属掩模。

通过在凹部中沉积阴极电极材料来形成阴极电极的步骤可以包括使用开口金属掩模。

根据本文描述的实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，其包括光透射结构，该光透射结构用于使得一个或更多个光学电子装置能够正常地接收光(例如，可见光、红外光、紫外光等)而不暴露在显示装置的前表面中。

根据本文描述的实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，由于一个或更多个光学电子装置位于显示面板的显示区域下方或显示面板的显示区域的下部中的结构，该显示面板和显示装置能够通过屏蔽入射的紫外线避免透射到显示面板的内部来防止像素收缩现象。

根据本文描述的实施方式，可以提供一种显示面板和显示装置，其能够使摄像头获取高质量图像，该摄像头是在显示面板的显示区域下方或显示面板的显示区域的下部中的光学电子装置。

附加特征和方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述变得明显，或者可以通过本文提供的发明构思的实践来习得。发明构思的其它特征和方面可以通过在书面说明书、本文的权利要求书和附图中特别指出或者可以从其得出的结构来实现和获得。其它系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员在查看以下附图和详细描述后将是或将变得显而易见。所有这样的附加系统、方法、特征和优点旨在包括在本说明书内，处于本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。该部分中的任何内容都不应被视为对这些权利要求的限制。应当理解，对本公开的以上一般描述和以下详细描述都是示例和说明性的，并旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步的解释。

以上描述是为了使本领域技术人员能够做出、使用和实践本公开的技术特征而提出的，并且是在特定应用及其要求的上下文中作为示例而提供的。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员将是显而易见的，并且在不脱离本公开的范围的情况下，本文描述的原理可以应用于其它实施方式和应用。以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本公开的技术特征的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本公开的技术特征的范围。

可以组合上述各种实施方式以提供进一步的实施方式。本说明书中提及的和/或在申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利出版物通过引用整体并入本文。如果需要，可以修改实施方式的方面，以采用各种专利、申请和公开的构思来提供进一步的实施方式。

根据以上详细描述，可以对实施方式进行这些和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所赋予的等同范围的全部范围。因此，权利要求不受公开的限制。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

光学区域，所述光学区域包括在显示区域中，所述光学区域被配置成允许透射光；

正常区域，所述正常区域包括在所述显示区域中并且位于所述光学区域的外部；

阴极电极，所述阴极电极设置在所述光学区域和所述正常区域中，并且在所述光学区域中具有多个阴极孔；以及

复合图案化层，所述复合图案化层定位在所述多个阴极孔中的对应阴极孔中，并且包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阴极图案化材料与所述紫外光吸收材料的重量比在1:1至10:1的范围内。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述复合图案化层包括：

紫外光吸收层，所述紫外光吸收层包括所述紫外光吸收材料；以及

金属图案化层，所述金属图案化层位于所述紫外光吸收层上，并且包括所述阴极图案化材料。

4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

阳极电极；

堤部，所述堤部设置在所述阳极电极上，并且具有暴露所述阳极电极的一部分的堤部孔；以及

发光层，所述发光层设置在所述堤部上并且接触所述阳极电极的通过所述堤部孔暴露的部分，

其中，所述阴极电极设置在所述发光层上，并且所述多个阴极孔位于所述堤部上并与所述堤部交叠。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述堤部的上表面的位于所述多个阴极孔中的所述对应阴极孔下方的部分包括不平坦表面，并且所述复合图案化层设置在所述不平坦表面上。

6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：平坦化层，所述平坦化层设置在所述堤部下方，

其中，所述堤部包括开口区域，所述开口区域位于所述多个阴极孔中的所述对应阴极孔下方并且暴露所述平坦化层的一部分，并且所述复合图案化层设置在所述堤部的开口区域中。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述复合图案化层在所述堤部的开口区域中包括包含所述紫外光吸收材料的紫外光吸收层，以及位于所述紫外光吸收层上并且包含所述阴极图案化材料的金属图案化层。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括第一平坦化层和设置在所述第一平坦化层上的第二平坦化层，并且

其中，所述第二平坦化层包括位于所述堤部的开口区域下方并且暴露所述第一平坦化层的一部分的开口区域，并且所述复合图案化层设置在所述第二平坦化层的开口区域中。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述复合图案化层在所述第二平坦化层中包括包含所述紫外光吸收材料的紫外光吸收层，以及位于所述紫外光吸收层上并且包含所述阴极图案化材料的金属图案化层。

10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

封装层，所述封装层位于所述阴极电极上；以及

触摸传感器金属，所述触摸传感器金属位于所述封装层上，

其中，所述触摸传感器金属中的至少一些触摸传感器金属设置在所述正常区域中，并且所述触摸传感器金属不设置在所述光学区域中，或者所述触摸传感器金属在所述光学区域和所述正常区域中设置成使得所述光学区域比所述正常区域具有更低的触摸传感器金属密度。

11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：光学边框区域，所述光学边框区域位于所述光学区域和所述正常区域之间，

其中，在所述光学区域中设置至少一个发光元件，并且在所述光学边框区域中设置至少一个像素电路，所述至少一个像素电路被配置成驱动设置在所述光学区域中的所述至少一个发光元件，

其中，所述像素电路包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器，并且

其中，所述多个阴极孔与所述光学区域的未设置所述至少一个发光元件的区域交叠。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光学区域包括非透射区域和多个透射区域，

其中，多个发光元件和多个像素电路设置在所述非透射区域中，

其中，所述多个像素电路中的每个像素电路包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器，并且

其中，所述多个阴极孔与所述多个透射区域交叠。

13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：光学电子装置，所述光学电子装置与所述光学区域交叠并且被配置成使用穿过所述光学区域的光来获得图像。

14.一种显示面板，所述显示面板包括：

多个透射区域，所述多个透射区域包括在显示区域中，所述多个透射区域被配置成允许透射光；

阴极电极，所述阴极电极具有分别对应于所述多个透射区域的多个阴极孔；以及

复合图案化层，所述复合图案化层与所述多个阴极孔中的对应阴极孔相对应，并且包括阴极图案化材料和紫外光吸收材料。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述阴极图案化材料与所述紫外光吸收材料的重量比在1:1至10:1的范围内。

16.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述复合图案化层包括：

17.根据权利要求14所述的显示面板，所述显示面板还包括：

阳极电极；

堤部，所述堤部设置在所述阳极电极上，并且包括暴露所述阳极电极的一部分的堤部孔；以及

其中，所述阴极电极设置在所述发光层上，并且所述多个阴极孔均从所述堤部孔偏移。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述堤部的上表面的位于所述多个阴极孔中的所述对应阴极孔下方的部分包括不平坦表面，并且所述复合图案化层设置在所述不平坦表面上。

19.一种显示装置，所述显示装置包括：

阳极电极；

堤部结构，所述堤部结构位于所述阳极电极上；

堤部孔，所述堤部孔位于所述堤部结构中并且暴露所述阳极电极的一部分；

发光层，所述发光层位于所述堤部结构上，所述发光层与所述堤部孔中的所述阳极电极交叠；

阴极电极，所述阴极电极位于所述发光层上；

阴极孔，所述阴极孔位于所述阴极电极中，所述阴极孔覆于所述堤部结构上并且从所述堤部孔偏移；以及

复合图案化层，所述复合图案化层位于所述阴极孔中，所述复合图案化层包括金属图案化层和紫外光吸收层。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述复合图案化层与所述发光层和所述阴极电极接触。