CN118100857A - 一种体声波谐振器阵列及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种体声波谐振器阵列及其制备方法，应用于体声波谐振器技术领域，包括多个体声波谐振器；相邻体声波谐振器之间设置有电极连接部，电极连接部连接相邻体声波谐振器中位于压电层同一侧的电极，电极连接部的厚度大于连接电极的厚度。通过增加位于相邻体声波谐振器之间的，用于连接相邻体声波谐振器的电极连接部的厚度，可以使相邻体声波谐振器之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

Description

一种体声波谐振器阵列及其制备方法

技术领域

本发明涉及体声波谐振器技术领域，特别是涉及一种体声波谐振器阵列以及一种体声波谐振器阵列的制备方法。

背景技术

在通信基站中，射频信号的收发功率特别大，尤其是发射的功率，对射频前端要求较高。因此，射频前端器件中滤波器的功率容量急需增大，在5G通信时代主要运用的滤波器为BAW(体声波)滤波器。

如何增大BAW滤波器的功率容量同时又要保持较低的通带插入损耗成为一个较大的难点。现有技术通过增大BAW滤波器中谐振器的面积或者将单个谐振器改成多个谐振器串联或并联的形式增大功率容量，这两种方法都不可避免的增加滤波器的电信号的传播路径，进而增加了电极中的欧姆损耗。所以如何降低体声波谐振器阵列的欧姆损耗是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种体声波谐振器阵列，具有较低的欧姆损耗；本发明的另一目的在于提供一种体声波谐振器阵列的制备方法，可以降低体声波谐振器阵列的欧姆损耗。

为解决上述技术问题，本发明提供一种体声波谐振器阵列，包括多个体声波谐振器；

相邻所述体声波谐振器之间设置有电极连接部，所述电极连接部连接相邻所述体声波谐振器中位于压电层同一侧的电极，所述电极连接部的厚度大于连接电极的厚度。

可选的，在形成有多个所述体声波谐振器的压电层中，位于相邻所述体声波谐振器之间的区域，设置有暴露所述压电层下方底电极的刻蚀孔；

所述刻蚀孔内设置有与暴露的所述底电极相接触的电极增厚部，形成所述电极连接部。

可选的，所述电极连接部位于压电层的上表面，与相邻所述体声波谐振器的顶电极连接。

可选的，所述电极连接部包括：

在顶电极表面设置电极增厚部所形成的电极连接部，以及在压电层表面设置电极增厚部所形成的电极连接部。

可选的，多个所述体声波谐振器呈线性分布，所述电极连接部位于相邻的两个所述体声波谐振器之间，连接相邻的两个所述体声波谐振器的电极。

可选的，多个所述体声波谐振器呈阵列分布，位于至少三个所述体声波谐振器之间的电极连接部，连接至少三个相邻的所述体声波谐振器的电极。

本发明还提供了一种体声波谐振器阵列的制备方法，包括：

设置多个体声波谐振器；

在相邻所述体声波谐振器之间设置电极连接部，制成所述体声波谐振器阵列；所述电极连接部连接相邻所述体声波谐振器中位于压电层同一侧的电极，所述电极连接部的厚度大于连接电极的厚度。

可选的，在相邻所述体声波谐振器之间设置电极连接部包括：

刻蚀压电层位于相邻所述体声波谐振器之间的区域，形成暴露所述压电层下方底电极的刻蚀孔；

在所述刻蚀孔内设置与暴露的所述底电极相接触的电极增厚部，形成所述电极连接部。

可选的，刻蚀压电层位于相邻所述体声波谐振器之间的区域，形成暴露所述压电层下方底电极的刻蚀孔包括：

同时刻蚀压电层位于相邻所述体声波谐振器之间的区域以及预设的释放孔区域，形成暴露所述压电层下方底电极的刻蚀孔以及释放孔。

可选的，在相邻所述体声波谐振器之间设置电极连接部包括：

在压电层表面位于相邻所述体声波谐振器之间的区域，以及顶电极表面位于相邻所述体声波谐振器之间的区域，设置与相邻所述体声波谐振器的顶电极连接的电极增厚部，形成所述电极连接部。

本发明所提供的一种体声波谐振器阵列，包括多个体声波谐振器；相邻体声波谐振器之间设置有电极连接部，电极连接部连接相邻体声波谐振器中位于压电层同一侧的电极，电极连接部的厚度大于连接电极的厚度。

通过增加位于相邻体声波谐振器之间的，用于连接相邻体声波谐振器的电极连接部的厚度，可以使相邻体声波谐振器之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

本发明还提供了一种体声波谐振器阵列的制备方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列的结构示意图；

图2为本发明实施例所提供的第一种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；

图3为本发明实施例所提供的第二种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；

图4为本发明实施例所提供的第一种设置电极连接部前后体声波谐振器Q值对比图；

图5为本发明实施例所提供的第二种设置电极连接部前后体声波谐振器Q值对比图；

图6为本发明实施例所提供的第三种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；

图7为本发明实施例所提供的第四种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；

图8为本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列制备方法的流程图；

图9为本发明实施例所提供的一种具体的体声波谐振器阵列制备方法的流程图。

图中：1.体声波谐振器、2.声学反射层、3.底电极、4.压电层、5.顶电极、6.电极连接部、61.电极增厚部。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种体声波谐振器阵列。在现有技术中，通过增大BAW滤波器中谐振器的面积或者将单个谐振器改成多个谐振器串联或并联的形式增大功率容量，这两种方法都不可避免的增加滤波器的电信号的传播路径，进而增加了电极中的欧姆损耗。

而本发明所提供的一种体声波谐振器阵列，包括多个体声波谐振器；相邻体声波谐振器之间设置有电极连接部，电极连接部连接相邻体声波谐振器中位于压电层同一侧的电极，电极连接部的厚度大于连接电极的厚度。

通过增加位于相邻体声波谐振器之间的，用于连接相邻体声波谐振器的电极连接部的厚度，可以使相邻体声波谐振器之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1至图5，图1为本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列的结构示意图；图2为本发明实施例所提供的第一种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；图3为本发明实施例所提供的第二种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；图4为本发明实施例所提供的第一种设置电极连接部前后体声波谐振器Q值对比图；图5为本发明实施例所提供的第二种设置电极连接部前后体声波谐振器Q值对比图。

在本发明实施例中，体声波谐振器阵列包括多个体声波谐振器1；相邻所述体声波谐振器1之间设置有电极连接部6，所述电极连接部6连接相邻所述体声波谐振器1中位于压电层4同一侧的电极，所述电极连接部6的厚度大于连接电极的厚度。

对于体声波谐振器阵列来说，其体声波谐振器1的电极需要互联，而在本实施例中具体通过电极连接部6来实现体声波谐振器1中电极的互联。具体的，上述电极连接部6连接相邻体声波谐振器1中位于压电层4同一侧的电极，即该电极连接部6会连接相邻体声波谐振器1的底电极3或顶电极5。在本实施例中所述电极连接部6的厚度大于连接电极的厚度，使得单位面积内电极连接部6的电阻会低于上述顶电极5或底电极3的电阻。相比于传统的仅仅通过电极层直接进行互联，本实施例通过厚度大于连接电极厚度的电极连接部6实现体声波谐振器1之间的互联，可以有效降低相邻体声波谐振器1之间的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

相应的，在本实施例中具体提供两种体声波谐振器阵列，其分别为通过电极连接部6互联相邻体声波谐振器1的底电极3，以及通过电极连接部6互联相邻体声波谐振器1的顶电极5。

第一种，请参考图1，在形成有多个所述体声波谐振器1的压电层4中，位于相邻所述体声波谐振器1之间的区域，设置有暴露所述压电层4下方底电极3的刻蚀孔；所述刻蚀孔内设置有与暴露的所述底电极3相接触的电极增厚部61，形成所述电极连接部6。

首先在本实施例中，相邻体声波谐振器1的底电极3相互连接，即相邻体声波谐振器1之间，位于压电层4下方设置有底电极3。为了形成上述电极连接部6，在本实施例中需要在压电层4中刻蚀出刻蚀孔，该刻蚀孔具体位于相邻体声波谐振器1之间。由于该刻蚀孔是刻蚀压电层4所形成的，因此透过该刻蚀孔可以暴露出位于相邻体声波谐振器1之间的，且位于压电层4下方的底电极3。

在本实施例中具体会在该刻蚀孔内，设置于底电极3相接触的电极增厚部61，该电极增厚部61会与该刻蚀孔暴露出的底电极3共同形成电极连接部6。由于电极增厚部61的存在，使得单位面积的电极连接部6的电阻会低于单位面积的底电极3的电阻，从而通过该电极连接部6可以有效降低体声波谐振器1之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

第二种，参见图2，所述电极连接部6位于压电层4的上表面，与相邻所述体声波谐振器1的顶电极5连接。在本实施例中相邻体声波谐振器1的顶电极5会通过电极连接部6相互连接，该电极连接部6的厚度需要大于体声波谐振器1中顶电极5的厚度。相比于现有的通过顶电极5自身互联体声波谐振器1，使用该电极连接部6可以有效降低体声波谐振器1之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

具体的，所述电极连接部6包括：在顶电极5表面设置电极增厚部61所形成的电极连接部6，以及在压电层4表面设置电极增厚部61所形成的电极连接部6。即相邻体声波谐振器1的顶电极5在未设置电极连接部6之前，可以相互连接也可以相互断开。而在本实施例中，具体可以通过在位于相邻体声波谐振器1之间的顶电极5表面设置电极增厚部61，以形成连接相邻体声波谐振器1之间顶电极5的电极连接部6；其也可以通过直接在压电层4表面设置电极增厚部61，通过该电极增厚部61连接相邻体声波谐振器1之间的顶电极5，构成电极连接部6。

有关上述各个实施例中电极增厚部61的具体厚度，其需要根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。上述电极增厚部61的材质与其接触的顶电极5或底电极3材质可以相同也可以不同，但是其通常也需要具有良好的导电性能，以降低电极连接部6的电阻。作为优选的上述电极增厚部61的材质可以与其接触的顶电极5的材质或底电极3的材质相同。

在本实施例中，体声波谐振器1具体可以设置空腔作为底电极3下方的声学反射层2，也可以设置布拉格反射层(DBR反射层)作为底电极3下方的声学反射层2，即设置高声阻抗材料和低声阻抗材料交替填充所形成的声学反射层2，其在本发明实施例中对其并不做具体限定。上述压电层4的材料可以为多晶氮化铝、单晶氮化铝、掺杂钪元素的氮化铝、铌酸锂、氧化锌中的一种或几种的组合。上述顶电极5、底电极3以及电极增厚部61的材料均可以为金、铝、钼、银、镍、钛、钨中的一种或几种的组合。对于设置在底电极3或顶电极5表面的电极增厚部61，在电极层与电极增厚部61之间还可以包括黏附层，增加电极增厚部61和电极层连接的牢固性，该黏附层材料可以为钛、钨、钛钨合金中的一种或几种。

由公知技术可得，声学谐振器在串联谐振器点的阻抗为0.1Ω左右，并联谐振器点的阻抗为几千欧姆左右。假设电极连接部6长度如果为50um，传统的仅通过单层电极连接体声波谐振器1的方式的阻抗为0.0975Ω，该种连接方式的阻抗对串联谐振器点阻抗影响很大。

请参考图4以及图5，图4为通过电极连接部6互联底电极3前后，基于上述条件，通过波特法计算得到的其对谐振器Q值的影响图；

图5为通过电极连接部6互联顶电极5前后，基于上述条件，通过波特法计算得到的其对谐振器Q值的影响图。

从图4中可以看到本实施例中电极连接部6互联底电极3后，互连阻抗值减小，导致谐振器的Q值增大约150。从图5中可以看到本实施例中电极连接部6互联顶电极5后，顶电极5互连阻抗值减少，导致谐振器的Q值增大约170，其均会降低滤波器通带的插入损耗。

本发明的电极连接部6在相同长度时，阻抗仅为0.041Ω，可极大改善互连部分的阻抗对串联谐振器点阻抗的影响，减少Q值的劣化。

本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列，通过增加位于相邻体声波谐振器1之间的，用于连接相邻体声波谐振器1的电极连接部6的厚度，可以使相邻体声波谐振器1之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

有关本发明所提供的一种体声波谐振器阵列的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图6以及图7，图6为本发明实施例所提供的第三种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图；图7为本发明实施例所提供的第四种具体的体声波谐振器阵列的结构示意图。

区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对体声波谐振器阵列的结构进行限定。其余内容已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

请参考图6，在本发明实施例中，多个所述体声波谐振器1呈线性分布，所述电极连接部6位于相邻的两个所述体声波谐振器1之间，连接相邻的两个所述体声波谐振器1的电极。

即当体声波谐振器阵列呈一条线分布时，一个电极连接部6仅仅在两侧会设置有体声波谐振器1，因此在该种结构分布的体声波谐振器阵列中，电极连接部6具体会位于相邻的两个体声波谐振器1之间，连接相邻的两个体声波谐振器1的电极。

请参考图7，在本发明实施例中，多个所述体声波谐振器1呈阵列分布，位于至少三个所述体声波谐振器1之间的电极连接部6，连接至少三个相邻的所述体声波谐振器1的电极。

即当体声波谐振器1呈阵列分布时，此时一个体声波谐振器1会与至少两个体声波谐振器1相邻，此时上述电极连接部6可以位于至少三个所述体声波谐振器1之间，一个电极连接部6可以连接至少三个相邻的体声波谐振器1的电极。当然，在呈阵列分布的体声波谐振器1中，也可以存在电极连接部6仅连接相邻的两个体声波谐振器1，在本实施例中并不是每个电极连接部6均需要连接至少三个体声波谐振器1的电极。

本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列，通过增加位于相邻体声波谐振器1之间的，用于连接相邻体声波谐振器1的电极连接部6的厚度，可以使相邻体声波谐振器1之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

下面对本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列的制备方法进行介绍，下文描述的制备方法与上文描述的体声波谐振器阵列可相互对应参照。

请参考图8，图8为本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列制备方法的流程图。

参见图8，在本发明实施例中，体声波谐振器阵列的制备方法包括：

S101：设置多个体声波谐振器。

在本步骤中会可以基于一块压电层4设置多个体声波谐振器1。有关设置体声波谐振器1的具体过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。

S102：在相邻体声波谐振器之间设置电极连接部，制成体声波谐振器阵列。

在本发明实施例中，所述电极连接部6连接相邻所述体声波谐振器1中位于压电层4同一侧的电极，所述电极连接部6的厚度大于连接电极的厚度。有关体声波谐振器1的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

在本步骤中，会在设置完体声波谐振器1之后，再设置用于体声波谐振器1之间互联的电极连接部6。根据电极连接部6位置的不同，具体需要通过不同的工艺实现，其具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列的制备方法，通过增加位于相邻体声波谐振器1之间的，用于连接相邻体声波谐振器1的电极连接部6的厚度，可以使相邻体声波谐振器1之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

有关本发明所提供的一种体声波谐振器阵列的制备方法的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图9，图9为本发明实施例所提供的一种具体的体声波谐振器阵列制备方法的流程图。

参见图9，在本发明实施例中，体声波谐振器阵列的制备方法包括：

S201：设置多个体声波谐振器。

本步骤与上述发明实施例中S101基本一致，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。

S202：刻蚀压电层位于相邻体声波谐振器之间的区域，形成暴露压电层下方底电极的刻蚀孔。

在本步骤中需要对压电层4进行刻蚀，以得到位于体声波谐振器1之间区域的刻蚀孔，以暴露出位于体声波谐振器1之间区域的底电极3。

进一步的，本步骤可以包括：同时刻蚀压电层4位于相邻所述体声波谐振器1之间的区域以及预设的释放孔区域，形成暴露所述压电层4下方底电极3的刻蚀孔以及释放孔。

即本步骤可以与常规的在电极层刻蚀释放孔的工艺整合，在现有制备体声波谐振器1的工艺中，通常会设置空腔作为声学反射层2。而在制备是需要先在空腔内填充牺牲层，之后制备出释放孔，通过释放孔释放出空腔内的牺牲层，完成体声波谐振器1的制备。相应的本步骤可以整合进制备释放孔的工艺中，因此本步骤不会过多的增加制备成本。

S203：在刻蚀孔内设置与暴露的底电极相接触的电极增厚部，形成电极连接部。

本步骤中具体会在上述刻蚀孔内通过沉积等工艺设置电极增厚部61，以形成电极连接部6。需要说明的是，在刻蚀孔内设置的，与底电极3相接触的电极增厚部61需要避免与顶电极5相接触，以避免顶电极5与底电极3直接短路连接。

S204：在压电层表面位于相邻所述体声波谐振器之间的区域，以及顶电极表面位于相邻体声波谐振器之间的区域，设置与相邻体声波谐振器的顶电极连接的电极增厚部，形成电极连接部。

在本步骤中，具体会通过设置电极增厚部61来形成设置与顶电极5互联的电极连接部6，具体的可以直接在位于体声波谐振器1之间的顶电极5表面设置电极增厚部61，也可以直接在压电层4表面设置电极增厚部61，通过其侧边与顶电极5相接触，形成与顶电极5互联的电极连接部6。

此处有两点需要说明，第一点是本步骤中电极增厚部61的设置可以与上述S203中电极增厚部61的设置同步执行，以减少制备流程。第二点是本步骤中在压电层4表面设置电极增厚部61，相当于现有技术中在体声波谐振器1之间设置互联结构的步骤，因此本实施例中设置电极增厚部61的工艺可以进一步与传统工艺中设置互联结构的工艺相整合，其通常仅需要调整设置材料的厚度以及位置即可，从而降低工艺流程。

本发明实施例所提供的一种体声波谐振器阵列的制备方法，通过增加位于相邻体声波谐振器1之间的，用于连接相邻体声波谐振器1的电极连接部6的厚度，可以使相邻体声波谐振器1之间具有较低的欧姆损耗，进而增加谐振器的Q值，提升滤波器的性能。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算极软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随极存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种体声波谐振器阵列及其制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种体声波谐振器阵列，其特征在于，包括多个体声波谐振器(1)；

相邻所述体声波谐振器(1)之间设置有电极连接部(6)，所述电极连接部(6)连接相邻所述体声波谐振器(1)中位于压电层(4)同一侧的电极，所述电极连接部(6)的厚度大于连接电极的厚度。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器阵列，其特征在于，在形成有多个所述体声波谐振器(1)的压电层(4)中，位于相邻所述体声波谐振器(1)之间的区域，设置有暴露所述压电层(4)下方底电极(3)的刻蚀孔；

所述刻蚀孔内设置有与暴露的所述底电极(3)相接触的电极增厚部(61)，形成所述电极连接部(6)。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器阵列，其特征在于，所述电极连接部(6)位于压电层(4)的上表面，与相邻所述体声波谐振器(1)的顶电极(5)连接。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器阵列，其特征在于，所述电极连接部(6)包括：

在顶电极(5)表面设置电极增厚部(61)所形成的电极连接部(6)，以及在压电层(4)表面设置电极增厚部(61)所形成的电极连接部(6)。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器阵列，其特征在于，多个所述体声波谐振器(1)呈线性分布，所述电极连接部(6)位于相邻的两个所述体声波谐振器(1)之间，连接相邻的两个所述体声波谐振器(1)的电极。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器阵列，其特征在于，多个所述体声波谐振器(1)呈阵列分布，位于至少三个所述体声波谐振器(1)之间的电极连接部(6)，连接至少三个相邻的所述体声波谐振器(1)的电极。

7.一种体声波谐振器阵列的制备方法，其特征在于，包括：

设置多个体声波谐振器(1)；

在相邻所述体声波谐振器(1)之间设置电极连接部(6)，制成所述体声波谐振器阵列；所述电极连接部(6)连接相邻所述体声波谐振器(1)中位于压电层(4)同一侧的电极，所述电极连接部(6)的厚度大于连接电极的厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在相邻所述体声波谐振器(1)之间设置电极连接部(6)包括：

刻蚀压电层(4)位于相邻所述体声波谐振器(1)之间的区域，形成暴露所述压电层(4)下方底电极(3)的刻蚀孔；

在所述刻蚀孔内设置与暴露的所述底电极(3)相接触的电极增厚部(61)，形成所述电极连接部(6)。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，刻蚀压电层(4)位于相邻所述体声波谐振器(1)之间的区域，形成暴露所述压电层(4)下方底电极(3)的刻蚀孔包括：

同时刻蚀压电层(4)位于相邻所述体声波谐振器(1)之间的区域以及预设的释放孔区域，形成暴露所述压电层(4)下方底电极(3)的刻蚀孔以及释放孔。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在相邻所述体声波谐振器(1)之间设置电极连接部(6)包括：

在压电层(4)表面位于相邻所述体声波谐振器(1)之间的区域，以及顶电极(5)表面位于相邻所述体声波谐振器(1)之间的区域，设置与相邻所述体声波谐振器(1)的顶电极(5)连接的电极增厚部(61)，形成所述电极连接部(6)。