CN118057571A - 一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机，进气喷嘴装置用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，所述进气喷嘴装置包括贯通底部的第一喷孔，以及设置在所述进气喷气装置外周侧的多组第二喷孔，所述第二喷孔相对轴向倾斜设置，且每组所述第二喷孔的倾斜角度不同；所述进气喷嘴装置还包括旋转部，所述旋转部设有第一进气流道，所述旋转部转动可使所述第一进气流道和不同组的所述第二喷孔连通。本申请通过旋转部的旋转，可以选择不同倾斜角度的第二喷孔进行边缘进气，即可以调整边缘进气角度，这样可以针对不同材料的晶圆选取相应倾斜角度的第二喷孔，以调整边缘进气情况，提高刻蚀均匀性。

Description

一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机

技术领域

本发明涉及半导体生产设备技术领域，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。

背景技术

在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序，其中等离子体刻蚀是常用的刻蚀方式之一，通常刻蚀发生在真空反应腔室内，真空的反应腔室内设置机械电极，用于承载晶圆、射频负载及冷却晶圆等作用。

目前在对半导体器件等的制作过程中，通常将机械电极放置在真空的反应腔室中部的基座上，晶圆位于机械电极的上表面，同时施加上射频和下射频，并向反应腔室内引入工艺气体，形成等离子体后对晶圆进行加工处理。刻蚀的均匀性是衡量刻蚀机性能的最直接指标，影响刻蚀均匀性的因素很多，其中工艺进气状况占据很大比重，工艺气体相对于晶圆的位置与分布范围会影响着等离子体相对于晶圆中心与边缘的接触密度，从而影响刻蚀反应的均匀性。目前的刻蚀机难以满足对不同材料的晶圆刻蚀时的均匀性要求。

发明内容

本申请提供一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，所述进气喷嘴装置包括贯通底部的第一喷孔，以及设置在所述进气喷气装置外周侧的多组第二喷孔，所述第二喷孔相对轴向倾斜设置，且每组所述第二喷孔的倾斜角度不同；所述进气喷嘴装置还包括旋转部，所述旋转部设有第一进气流道，所述旋转部转动可使所述第一进气流道和不同组的所述第二喷孔连通。

在一种具体实施方式中，所述进气喷嘴装置包括喷嘴座和喷嘴芯，所述喷嘴座和所述反应腔室密封连接，所述喷嘴座具有轴向通道，所述喷嘴芯安装于所述轴向通道中，所述第一喷孔设于所述喷嘴芯，所述第二喷孔设于所述喷嘴座，所述第二喷孔贯穿所述喷嘴座的内周壁和外周壁。

在一种具体实施方式中，所述喷嘴芯设有多组喷嘴流道，多组所述喷嘴流道分别和多组所述第二喷孔连通；

所述旋转部转动使所述第一进气流道和不同组的所述喷嘴流道连通，以连通对应组的所述第二喷孔。

在一种具体实施方式中，所述进气喷嘴装置包括两组倾斜角度不同的所述第二喷孔，所述喷嘴芯设置两组对应的所述喷嘴流道；所述喷嘴芯和所述旋转部，一者设置凸柱，另一者设置弧形槽，所述旋转部相对所述喷嘴芯转动，所述凸柱转动至所述弧形槽的一端，所述第一进气流道和一组所述喷嘴流道连通，所述凸柱转动至所述弧形槽的另一端，所述第一进气流道和另一组所述喷嘴流道连通。

在一种具体实施方式中，所述喷嘴芯的外周壁设置有多个环形槽，每组所述喷嘴流道和一个所述环形槽连通，所述环形槽连通对应组的所述第二喷孔。

在一种具体实施方式中，所述喷嘴流道沿轴向贯通所述喷嘴芯，所述喷嘴流道贯通所述环形槽的槽侧壁，以和对应的所述环形槽连通。

在一种具体实施方式中，还包括波纹管，所述波纹管的第一端与所述喷嘴座密封连接，所述波纹管的第二端和向所述进气喷嘴供气的进气系统密封连接，所述喷嘴芯的部分位于所述喷嘴座内，另一部分位于所述波纹管内。

在一种具体实施方式中，所述旋转部设置在所述波纹管内，所述波纹管的第二端设置有旋转法兰，所述旋转法兰和所述旋转部固定。

在一种具体实施方式中，还包括定位部，所述旋转法兰转动至预定位置，所述定位部固定所述旋转法兰。

本申请还提供一种等离子体刻蚀机，包括反应腔室和上述任一项所述的进气喷嘴装置。

本申请通过旋转部的旋转，可以选择不同倾斜角度的第二喷孔进行边缘进气，即可以调整边缘进气角度，这样可以针对不同材料的晶圆选取相应倾斜角度的第二喷孔，以调整边缘进气情况，提高刻蚀均匀性。

附图说明

图1为本申请实施例中等离子体刻蚀机的示意图；

图2为图1中进气喷嘴装置的喷嘴座的示意图；

图3为图2中喷嘴座的第一组第二喷孔位置的轴向剖视图；

图4为图2中喷嘴座的第二组第二喷孔位置的轴向剖视图；

图5为图1中进气喷嘴装置的喷嘴芯的示意图；

图6为图5另一视角的示意图；

图7为图5中喷嘴芯在第一喷嘴流道处的轴向剖视图；

图8为图5中喷嘴芯在第二喷嘴流道处的轴向剖视图；

图9为图1中进气喷嘴装置的旋转部的示意图；

图10为图9中旋转部另一视角的示意图；

图11为图9中旋转部和喷嘴芯、喷嘴座装配的示意图；

图12为图1中进气喷嘴装置的示意图，此时的第二喷嘴流道和第一进气流道连通；

图13为图12中进气喷嘴装置在第一喷嘴流道位置的轴向剖视图；

图14为图1中进气喷嘴装置的示意图，此时的第一喷嘴流道和第一进气流道连通；

图15为图14中进气喷嘴装置在第二喷嘴流道位置的轴向剖视图；

图16为通过图1所示的等离子体刻蚀机对多晶硅材料进行刻蚀的刻蚀均匀性云图，通过第一组第二喷孔喷射边缘气流；

图17为通过图1所示的等离子体刻蚀机对多晶硅材料进行刻蚀的刻蚀均匀性云图，通过第二组第二喷孔喷射边缘气流。

图1-17中附图标记说明如下：

100-反应腔室；

200-屏蔽罩；

300-进气系统；

10-进气喷嘴装置；

1-喷嘴芯；11-环形突出部；11a-弧形槽；111-凸起；1a-凹槽；1b-第一喷嘴流道；1c-第一环形槽；1d-第二环形槽；1e-第二喷嘴流道；1f-第一喷孔；12-主体部；121-立筋；

2-喷嘴座；21-环形凸缘部；22-主体部；2a-第二喷孔一；2b-第二喷孔二；2c-缺口；2d-连接孔；2e-环形凹槽；2f-轴向通道；

3-波纹管；31-连接法兰；32-旋转法兰；321-杆部；321a-气流输送通道；322-环形连接部；

4-旋转部；41-环形安装部；42-主体部；4a-第二进气流道；4b-第一进气流道；4c-凹槽；4d-连接孔；

51-第一密封圈；52-第二密封圈；

20-晶圆；

30-下电极；

40-盖板；

50-耦合窗；

60-线圈。

70-上射频装置。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。

请参考图1，图1为本申请实施例中等离子体刻蚀机的示意图。

该实施例中的等离子体刻蚀机包括反应腔室100，反应腔室100的内部用于置放晶圆20，由位于反应腔室100中部的基座支撑，具体地，基座还设置下电极30，晶圆20置放在下电极30的上表面，上、下以图1为视角。图1中，反应腔室100包括设置在顶部的盖板40，盖板40开口，反应腔室100还包括卡盖开口的耦合窗50，耦合窗50之上罩设有屏蔽罩200，屏蔽罩200的顶部设置上射频装置70，反应腔室100的下部设有和下电极20连接的下射频装置(图中未示出)，耦合窗50之上设置和上射频装置70连接的线圈60，此外耦合窗50的位置安装有进气喷嘴装置10，进气喷嘴装置10可以向反应腔室100内喷射工艺气体，进气系统300将工艺气体引入到进气喷嘴装置10。加工时，上射频装置70施加上射频，下射频装置施加下射频，使引入反应腔室100内的工艺气体形成等离子体对晶圆20进行加工处理。

请继续结合图2-4，图2为图1中进气喷嘴装置10的喷嘴座2的示意图；图3为图2中喷嘴座2的第一组第二喷孔位置的轴向剖视图；图4为图2中喷嘴座2的第二组第二喷孔位置的轴向剖视图。

本实施例中的进气喷嘴装置10包括喷嘴芯1和反应腔室100密封连接的喷嘴座2，图1中，喷嘴座2具体和耦合窗50固定，耦合窗50设置有沿上下贯通的安装孔，喷嘴座2插装固定在耦合窗50中。此外，喷嘴座2具有轴向通道2f，进气喷嘴1安装于轴向通道2f中，且能够相对喷嘴座2沿轴向移动，以远离或靠近支撑部，即靠近或远离晶圆20。

具体地，如图3、4所示，喷嘴座2包括主体部22，主体部22的一端径向延伸形成环形凸缘部21，环形凸缘部21搭接到耦合窗50的上表面，环形凸缘部21可以设有多个连接孔2d，可以通过螺钉等紧固件插入连接孔2d以及耦合窗50以进行固定，连接孔2d可以是螺纹孔，当然，喷嘴座2与耦合窗50也可以是其他方式固定，比如粘接、压装等，则喷嘴座2可以固定到耦合窗50。另外，喷嘴座2和耦合窗50之间通过第一密封圈51密封连接。图3中，喷嘴座2的主体部22的外周开设有环形凹槽2e，第一密封圈51的部分可以容置在环形凹槽2e中，当喷嘴座2的主体部22插入耦合窗50的安装孔后，第一密封圈51可以径向挤压在安装孔的孔壁和喷嘴座2的环形凹槽2e的底壁，从而密封喷嘴座2和耦合窗50。

另外，如图3、4所示，本实施例中进气喷嘴装置10的外周侧设有多组第二喷孔，可以实现晶圆20的边缘进气，即从侧面斜向下喷射工艺气体。具体地，该实施例的喷嘴座2设置有两组第二喷孔，每组第二喷孔的数量至少为一个，设置多个时可以沿周向均布，这样利于每组第二喷孔的均匀喷气，两组第二喷孔可以分别定义为第二喷孔一2a、第二喷孔二2b，图3中示意出第二喷孔一2a和喷嘴座2底部的高度距离为H1，和水平方向的倾斜角度为α1，图4中示意出的第二喷孔二2b和喷嘴座2底部的高度距离为H2，和水平方向的倾斜角度为α2，其中，H2>H1，α2>α1。

再看图5-8，图5为图1中进气喷嘴装置的喷嘴芯1的示意图；图6为图5另一视角的示意图；图7为图5中喷嘴芯1在第一喷嘴流道1e处的轴向剖视图；图8为图5中喷嘴芯1在第二喷嘴流道1b处的轴向剖视图。

喷嘴芯1设置有多个轴向贯穿的第一喷孔1f，用于正对晶圆20喷射工艺气体，即中部进气。喷嘴芯1还设置多组喷嘴流道，每组喷嘴流道和每组第二喷孔对应，具体则设置和上述两组第二喷孔对应的两组喷嘴流道，一组中的喷嘴流道定义为第一喷嘴流道1b，另一组中的喷嘴流道定义为第二喷嘴流道1e，每组喷嘴流道的数量至少为一个。其中，上述第二喷孔一2a对应连通第一喷嘴流道1b、上述第二喷孔二2b对应连通第二喷嘴流道1e。

在本实施例中，第一喷嘴流道1b、第二喷嘴流道1e、第一喷孔1f均沿轴向延伸设置，但显然走向不限于是轴向，比如喷嘴流道也可以是轴向流道和径向流道组合的方式。再看图7、8，喷嘴芯2的外周设有第一环形槽1c和第二环形槽1d，第一喷嘴流道1b连通至第一环形槽1c，第二喷嘴流道1e连通至第二环形槽1d，第一环形槽1c和第二喷孔一2a连通，第二环形槽1d和第二喷孔二2b连通，这样利于实现喷嘴流道和第二喷孔的连通，显然，一组第二喷孔和一组喷嘴流道一一对应连通也可以，在设置环形槽时，则一组喷嘴流道和一组第二喷孔的数量不需要一一对应。具体地，第一喷嘴流道1b和第二喷嘴流道1e沿轴向分别贯穿第一环形槽1c、第二环形槽1d的槽侧壁实现连通，如图6所示，两个环形槽开设的深度相同，多个第一喷嘴流道1b和多个第二喷嘴流道1e沿同一周向布置，此时为避免两个喷嘴流道相互导通，位于上侧的第二环形槽1d沿周向分布多个立筋121，第一喷嘴流道1b贯通立筋121和第一环形槽1e连通。

再请看图9-11，图9为图1中进气喷嘴装置10的旋转部4的示意图；图10为图9中旋转部4另一视角的示意图；图11为图9中旋转部4和喷嘴芯2、喷嘴座1装配的示意图。

旋转部4包括主体部42和位于上端并径向延伸的环形安装部41，旋转部4还设有第一进气流道4b，第一进气流道4b和进气系统300连通，用于将工艺气体向上述的第一喷嘴流道1b或第二喷嘴流道1e输送，从而进入到相应的第二喷孔中进行晶圆20的边缘进气。旋转部4还设置有第二进气流道4a，第二进气流道4a用于向第一喷孔1f进气，图9中，多个第一进气流道4b环绕多个第二进气流道4a设置。第一进气流道4b可以和第一喷嘴流道1b连通，转动一定角度后，第一进气流道4b和第一喷嘴流道1b在周向上错开，并和第二喷嘴流道1e连通。

如图12-15所示，图12为图1中进气喷嘴装置10的示意图，此时的第二喷嘴流道1e和第一进气流道4b连通；图13为图12中进气喷嘴装置10在第一喷嘴流道1b位置的轴向剖视图，可以看出第一喷嘴流道1b和第一进气流道4b不导通；图14为图1中进气喷嘴装置10的示意图，此时的第一喷嘴流道1b和第一进气流道4b连通；图15为图14中进气喷嘴装置10在第二喷嘴流道1e位置的轴向剖视图，可以看出第二喷嘴流道1e和第一进气流道4b不导通。

这样，在转动过程中，第一进气流道4b也就可以和不同组的第二喷孔连通，则可以根据刻蚀工艺需求，选择由第二喷孔一2a进行边缘工艺气体的喷射，或者选择由第二喷孔二2b进行边缘工艺气体的喷射。

请继续参考图16、17理解，图16为通过图1所示的等离子体刻蚀机对多晶硅材料进行刻蚀的刻蚀均匀性云图，通过第二喷孔一2a喷射边缘气流，并且设计为α1＝10°；图17为通过图1所示的等离子体刻蚀机对多晶硅材料进行刻蚀的刻蚀均匀性云图，通过第二喷孔二2b喷射边缘气流，并且设计为α2＝20°。

在刻蚀多晶硅材料时，使用边缘进气角度为10°的进气喷嘴装置10进行喷气，刻蚀效果反应到图16所示的均匀性云图，此时中心区域和边缘区域的差距较大，在云图上有很明显的分层；在其他条件不变的情况下，改变进气喷嘴装置10的边缘进气角度为20°时，刻蚀结果如图17所示，此时中心和边缘的刻蚀效果逐渐接近，两者之间的分界有明显的弱化，改善刻蚀均匀性。

由此可见，本实施例中，通过旋转部4的旋转，可以选择不同倾斜角度的第二喷孔进行边缘进气，即可以调整边缘进气角度，这样可以针对不同材料的晶圆20选取相应倾斜角度的第二喷孔，以调整边缘进气情况，提高刻蚀均匀性。

上述实施例中，喷嘴芯1和喷嘴座2相对固定，旋转部4设置为相对喷嘴芯1转动，从而切换和喷嘴芯1的不同喷嘴流道连通，可知，旋转部4不限于如此设置，比如喷嘴芯1本身为旋转部，喷嘴芯1在可以相对喷嘴座2进行转动，进气流道设置在喷嘴芯1，喷嘴芯1转动时可以实现和不同倾斜角度的第二喷孔连通；或者，也可以不设置喷嘴座2，喷嘴芯1直接和反应腔室100密封连接，第二喷孔直接设置在喷嘴芯1上。当然，本实施例中设置喷嘴座2便于喷嘴芯1的连接，以及易于实现和反应腔室100的密封安装，而设置旋转部4旋转，喷嘴芯1和喷嘴座2保持不动，更利于实现密封。

此外，本实施例中两组第二喷孔的出口高度相同，仅仅是喷射倾斜角度不同，可知，还可以设置为出口高度不同，即出口高度和喷射倾斜角度均设置为不同，或者设置更多组第二喷孔，出口高度相同、高度不同的情况都予以设置，以进一步增加灵活性。

可知，该实施例以两组倾斜角度不同的第二喷孔为例进行说明，显然，还可以设置更多组不同倾斜角度的第二喷孔，可以根据实际工艺需求进行设计，再此不做具体限制。

请继续参考图5，该实施例中的喷嘴芯1包括主体部12和设置在主体部12上端径向向外延伸的环形突出部11，环形突出部11可以搭接在喷嘴座2的轴向通道2f的上端台阶位置，另外，环形突出部11设有凸起111，如图2所示，喷嘴座2安装孔的内侧边缘设置有缺口2c，凸起111可以沿径向插入到缺口2c中，以限制喷嘴座2相对喷嘴芯1转动，即防止旋转部4转动时，带动喷嘴芯1转动，确保喷嘴座2的第二喷孔和喷嘴芯1的喷嘴流道的连通对应关系。当然，喷嘴芯1和喷嘴座2也可以采取其他限位方式，比如压装或者是通过紧固件紧固等，凸起111和缺口2c配合的限位方式既简单且可靠。

进一步地，如图1所示，该实施例中的进气喷嘴装置10还包括波纹管3，波纹管3可以拉伸、压缩以及旋转，波纹管3的两端分别为第一端和第二端，其第一端与喷嘴座2密封连接，图12中，波纹管3的第一端设置有连接法兰31，连接法兰31贴合在喷嘴座2的环形凸缘部21的上表面，二者可以通过插入连接孔2d的螺钉等紧固件紧固，紧固件也可以同步插入到耦合窗50以将三者同时固定。连接法兰31和环形凸缘部21之间可以设置第二密封圈52，实现二者的密封。波纹管3的第二端和向进气喷嘴1供气的进气系统300密封连接，进气喷嘴1的一部分位于喷嘴座2中，另一部分位波纹管3中，设置旋转部4时，则旋转部4同样也设置在波纹管3中，这样喷嘴芯1和旋转部4都处于密闭的空间中，避免在转动过程中产生气体泄漏。

波纹管3的第二端设置旋转法兰32，旋转法兰32和旋转部4固定，如图12所示，旋转法兰32包括杆部321，杆部321设置气流输送通道321a，气流输送通道321a和进气系统300的进气管路通过接头连通，气流输送通道321a和旋转部4的第一进气流道4b、第二进气流道4a连通，以实现工艺气体的输送。旋转法兰32的端部设有径向向外延伸的环形连接部322，环形连接部322和旋转部4的上端面连接固定。可以通过转动旋转法兰32，实现旋转部4的转动，这样可以在保证密封的前提下，实现操控旋转部4的转动，可以手动操作或者通过驱动件操作，当然，在波纹管3内部设置驱动件驱动旋转部4转动也可以。

此外，如图12所示，旋转部4的顶部设有凹槽4c，这样，当杆部321的环形连接部322贴合到旋转部4的上端时，具体是贴合到主体部42的上端面以及环形安装部41的上端面，气流输送通道321a输送的工艺气体可以聚集到凹槽4c中，多个第一进气流道4b以及多个第二进气流道4a的上侧端口均和凹槽4c连通，从而可以均衡地向多个第一进气流道4b以及多个第二进气流道4a输送工艺气体。可知，不设置凹槽4c也可以，比如杆部321的底部设置出凹槽。同样，如图1所示，喷嘴芯1的顶部设有凹槽1a，当旋转部4抵靠在喷嘴芯1的顶部时，旋转部4的进气输送流道均连通到凹槽1a，第一喷嘴流道1b和第二喷嘴流道1e均连通到凹槽1a，则旋转部4流出的工艺气体可以相对均衡地向第一喷嘴流道1b和第二喷嘴流道1e连通。

如图1所示，该实施例中的进气喷嘴装置10还包括定位部，当旋转法兰32转动至预定位置，定位部可以固定旋转法兰32，即将旋转法兰32固定到该预定位置，以保持当前的连通状态。预定位置，即上述的第一进气流道4b和一组第二喷孔连通的位置，本实施例中的预定位置包括第一预定位置和第二预定位置，在第一预定位置，第一进气流道4b和第二喷孔一2a连通，在第二预定位置，第一进气流道4b和第二喷孔二2b连通。定位部具体可以是图1所示的限位钉，当预定位置确定后，可以通过限位钉将旋转法兰32和连接法兰31连接固定。

再结合图5、11理解，该实施例中喷嘴芯1设置有弧形槽11a，具体设置在喷嘴芯1的环形突出部11，旋转部4的底部设置有凸柱421，凸柱421插入在弧形槽11a中，旋转部4相对喷嘴芯1转动时，当凸柱421转动至弧形槽11a的一端，第一进气流道4b和第一喷嘴流道1b连通，凸柱421转动至弧形槽11a的另一端，第一进气流道4b和第二喷嘴流道1e连通。即转动过程中，由凸柱421和弧形槽11a进行限位，从而可以限定旋转部4的转动角度，以明确是否转动至所需的第一预定位置或者是第二约定位置，这种控制方式简单可靠。当然，也可以采取其他方式实现转动角度的限制，比如自动控制、设置相应的外部标识等。

该实施例还提供一种等离子体刻蚀机，包括反应腔室100和上述任一实施例所述的进气喷嘴装置10，具有与上述进气喷嘴装置10相同的技术效果，不再赘述。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括贯通底部的第一喷孔，以及设置在所述进气喷气装置外周侧的多组第二喷孔，所述第二喷孔相对轴向倾斜设置，且每组所述第二喷孔的倾斜角度不同；所述进气喷嘴装置还包括旋转部，所述旋转部设有第一进气流道，所述旋转部转动可使所述第一进气流道和不同组的所述第二喷孔连通。

2.根据权利要求1所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括喷嘴座和喷嘴芯，所述喷嘴座和所述反应腔室密封连接，所述喷嘴座具有轴向通道，所述喷嘴芯安装于所述轴向通道中，所述第一喷孔设于所述喷嘴芯，所述第二喷孔设于所述喷嘴座，所述第二喷孔贯穿所述喷嘴座的内周壁和外周壁。

3.根据权利要求2所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷嘴芯设有多组喷嘴流道，多组所述喷嘴流道分别和多组所述第二喷孔连通；

所述旋转部转动使所述第一进气流道和不同组的所述喷嘴流道连通，以连通对应组的所述第二喷孔。

4.根据权利要求3所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括两组倾斜角度不同的所述第二喷孔，所述喷嘴芯设置两组对应的所述喷嘴流道；所述喷嘴芯和所述旋转部，一者设置凸柱，另一者设置弧形槽，所述旋转部相对所述喷嘴芯转动，所述凸柱转动至所述弧形槽的一端，所述第一进气流道和一组所述喷嘴流道连通，所述凸柱转动至所述弧形槽的另一端，所述第一进气流道和另一组所述喷嘴流道连通。

5.根据权利要求3所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷嘴芯的外周壁设置有多个环形槽，每组所述喷嘴流道和一个所述环形槽连通，所述环形槽连通对应组的所述第二喷孔。

6.根据权利要求5所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷嘴流道沿轴向贯通所述喷嘴芯，所述喷嘴流道贯通所述环形槽的槽侧壁，以和对应的所述环形槽连通。

7.根据权利要求1-6任一项所述的进气喷嘴装置，其特征在于，还包括波纹管，所述波纹管的第一端与所述喷嘴座密封连接，所述波纹管的第二端和向所述进气喷嘴供气的进气系统密封连接，所述喷嘴芯的部分位于所述喷嘴座内，另一部分位于所述波纹管内。

8.根据权利要求7所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述旋转部设置在所述波纹管内，所述波纹管的第二端设置有旋转法兰，所述旋转法兰和所述旋转部固定。

9.根据权利要求7所述的进气喷嘴装置，其特征在于，还包括定位部，所述旋转法兰转动至预定位置，所述定位部固定所述旋转法兰。

10.一种等离子体刻蚀机，其特征在于，包括反应腔室和权利要求1-9任一项所述的进气喷嘴装置。