CN118039575A - 封装结构及封装结构的形成方法 - Google Patents

Abstract

一种封装结构及封装结构的形成方法，结构包括：第一基板，包括第一面和第二面；位于第一基板第一面的器件，器件包括第三面和第四面，第三面朝向第一基板第一面；位于第一基板第一面的第一连接部，所述器件第三面与第一基板第一面通过第一连接部电连接；位于第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面的密封膜，密封膜从器件第四面表面延伸至第一基板第一面表面；位于第一基板第二面的第二连接部，第二连接部贯穿第一基板与第一连接部电连接；第二基板，包括第五面和第六面，第二连接部位于第二基板第五面上；位于第二基板第五面上的密封层，密封层覆盖第一基板、密封膜及器件。所述封装结构的体积得到缩小。

Description

封装结构及封装结构的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装结构及封装结构的形成方法。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，简称RF)前端器件包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(IntegratedPassive Devices，IPD)滤波器等。

目前，无线通信设备的射频前端器件的封装过程还有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种封装结构及封装结构的形成方法，以改善无线通信设备的射频前端器件的封装过程。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种封装结构，包括：第一基板，所述第一基板包括相对的第一面和第二面；位于第一基板第一面的器件，所述器件包括第三面和第四面，所述第三面朝向所述第一基板第一面；位于第一基板第一面的第一连接部，所述器件第三面与第一基板第一面通过第一连接部电连接；位于第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面的密封膜，所述密封膜从所述器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面；位于第一基板第二面的第二连接部，所述第二连接部贯穿所述第一基板与所述第一连接部电连接；第二基板，所述第二基板包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部位于所述第二基板第五面上；位于第二基板第五面上的密封层，所述密封层覆盖所述第一基板、所述密封膜及所述器件。

可选的，所述密封膜的材料包括高分子聚合材料。

可选的，所述密封膜的厚度范围为：10纳米至200纳米。

可选的，所述密封层的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。

可选的，所述器件包括芯片、功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器或低噪声放大器。

可选的，所述器件倒置于所述第一基板上。

可选的，所述器件与第一基板之间包括空隙。

相应地，本发明技术方案还提供一种封装结构的形成方法，包括：提供第一基板，所述第一基板包括相对的第一面和第二面；提供器件，所述器件包括第三面和第四面；在器件第三面形成第一连接部，所述器件与所述第一连接部电连接；将器件放置于第一基板上，所述器件第三面朝向所述第一基板第一面；在第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面形成密封膜，所述密封膜从所述器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面；形成位于第一基板第二面的第二连接部，所述第二连接部贯穿所述第一基板与所述第一连接部电连接；提供第二基板，所述第二基板包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部放置于所述第二基板第五面上；在第二基板第五面上形成密封层，所述密封层覆盖所述第一基板、所述密封膜及所述器件。

可选的，所述器件倒置于所述第一基板上

可选的，形成所述密封膜包括：将所述密封膜贴在第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面；固化所述密封膜。

可选的，形成所述密封层的工艺包括：模塑工艺。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

本发明的技术方案，通过在第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面形成密封膜，所述密封膜从器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面，对所述器件进行保护，以避免后续水汽进入影响封装后的器件的性能，所述密封膜的厚度较薄，从而减小了封装结构的体积，实现器件的微小化。

进一步，所述密封膜的材料包括高分子聚合材料，所述密封膜具有较好的延伸性及密封性，能够从器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面，对所述器件进行保护。

附图说明

图1是一实施例中封装结构的结构示意图；

图2至图5是本发明实施例中封装结构形成过程的结构示意图。

具体实施方式

如背景技术所述，无线通信设备的射频前端器件的封装过程还有待改善。现结合具体的实施例中进行分析说明。

需要注意的是，本说明书中的“表面”、“上”，用于描述空间的相对位置关系，并不限定于是否直接接触。

图1是一实施例中封装结构的结构示意图。

请参考图1，所述封装结构包括：第一基板100，所述第一基板100包括相对的第一面和第二面；位于第一基板100第一面的器件101，所述器件101包括第三面和第四面，所述第三面朝向所述第一基板100第一面；位于第一基板100第一面的第一连接部102，所述器件101第三面与第一基板100第一面通过第一连接部102电连接；位于第一基板100第一面上的第一密封层103，所述器件101位于所述第一密封层103内；位于第一基板100第二面的第二连接部104，所述第二连接部104与所述第一连接部102通过贯穿所述第一基板100的导线电连接；第二基板200，所述第二基板200包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部104位于所述第二基板200第五面上；位于第二基板200第五面上的第二密封层202，所述器件101、第一基板100和第一密封层103位于所述第二密封层202内；位于第二密封层202表面和第一密封层103表面的屏蔽层203。

所述封装结构包括：位于第一基板100第一面上的第一密封层103；以及位于第二基板200第五面上的第二密封层202，所述器件101、第一基板100和第一密封层103位于所述第二密封层202内。所述第一密封层103和第二密封层202的整体厚度较厚，第一，不利于器件散热；第二，所述封装结构的体积较大，不利于器件小型化；第三，柔韧性不足，受外力引起的应力较大，易产生不良，还加大切割划片时的加工量；第四，用料较多，增加成本。

为了解决上述问题，本发明技术方案提供一种封装结构及封装结构的形成方法，通过在第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面形成密封膜，所述密封膜从器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面，对所述器件进行保护，以避免后续水汽进入影响封装后的器件的性能，所述密封膜的厚度较薄，从而减小了封装结构的体积，实现器件的微小化。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图2至图5是本发明实施例中封装结构形成过程的结构示意图。

请参考图2，提供第一基板300，所述第一基板300包括相对的第一面和第二面。

所述第一基板300包括高温共烧陶瓷电路板或印刷电路板。

请继续参考图2，提供器件301，所述器件301包括相对的第三面和第四面。

所述器件301包括：芯片、功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器或低噪声放大器。

请继续参考图2，在器件301第三面形成第一连接部302，所述第一连接部302与所述器件301电连接。

在本实施例中，所述第一连接部302的材料包括金属，所述金属包括锡或金。

请继续参考图2，将所述器件301放置于第一基板300第一面，所述器件301第三面与第一基板300第一面通过第一连接部302电连接，所述第三面朝向所述第一基板300第一面。

在本实施例中，所述器件301与第一基板300之间包括空隙，所述第一连接部302位于所述空隙内。

在本实施例中，所述器件301倒置于所述第一基板300上。即所述器件301具有功能性的一面朝向所述第一基板300第一面。

在其他实施例中，所述器件还可以根据需求在第一基板上进行其他方式的放置。

请继续参考图2，形成位于第一基板300第二面的第二连接部304，所述第二连接部304与所述第一连接部302电连接。

所述第二连接部304的材料包括金属，所述金属包括：铜、金或铝。

在本实施例中，所述第二连接部304通过贯穿所述第一基板300的导线与所述第一连接部302电连接。在其他实施例中，第二连接部还可以采用其他的方式与第一连接部电连接。

请参考图3，在第一基板300第一面表面、器件301第四面表面以及器件301侧壁表面形成密封膜303，所述密封膜303从所述器件301第四面表面延伸至所述第一基板300第一面表面。

所述密封膜303的材料包括高分子聚合材料。所述密封膜303具有较好的延伸性和密封性，能够从器件第四面表面延伸至所述第一基板300第一面表面，对所述器件301进行保护。

在本实施例中，所述密封膜303还对器件301与第一基板300之间的空隙进行密封。

在本实施例中，形成所述密封膜303包括：将所述密封膜303贴在第一基板300第一面表面、器件301第四面表面以及器件301侧壁表面；固化所述密封膜303。

在本实施例中，所述密封膜303的厚度范围为：10纳米至200纳米。所述密封膜303的厚度较薄，能够减小封装结构的体积。

请参考图4，提供第二基板400，所述第二基板400包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部304放置于所述第二基板400第五面上。

所述第二基板400包括印刷电路板或硅板。

在本实施例中，所述第二连接部304通过焊接层401放置于所述第二基板400第五面上。在其他实施例中，所述第二连接部可通过其他方式放置于所述第二基板第五面上。

在本实施例中，所述焊接层401的材料包括焊锡。

请参考图5，在第二基板400第五面上形成密封层402，所述密封层402覆盖所述第一基板300、所述密封膜303及所述器件301，所述密封层402位于密封膜303表面。

在本实施例中，所述密封层402的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。

在本实施例中，形成所述密封层402的工艺包括：模塑工艺。

请继续参考图5，在密封层402表面形成屏蔽层403，所述屏蔽层403用于防止信号干扰。

在本实施例中，所述屏蔽层403的材料包括金属。

在其他实施例中，能够不形成所述屏蔽层。

所述封装结构，通过在第一基板300第一面表面、器件301第四面表面以及器件301侧壁表面形成密封膜303，所述密封膜303具有较好的延伸性及密封性，能够从器件301第四面表面延伸至所述第一基板300第一面表面，对所述器件301进行保护，以避免后续水汽进入影响封装后的器件的性能，所述密封膜303的厚度较薄，从而减小了封装结构的体积，实现器件的微小化。

相应地，本发明实施例就还提供一种封装结构，请继续参考图5，包括：

第一基板300，所述第一基板300包括相对的第一面和第二面；

位于第一基板300第一面的器件301，所述器件301包括相对的第三面和第四面，所述第三面朝向所述第一基板300第一面；

位于第一基板300第一面的第一连接部302，所述器件301第三面与第一基板300第一面通过第一连接部302电连接；

位于第一基板300第一面表面、器件301第四面表面以及器件301侧壁表面的密封膜303，所述密封膜303从所述器件301第四面表面延伸至所述第一基板300第一面表面；

位于第一基板300第二面的第二连接部304，所述第二连接部304与所述第一连接部302电连接；

第二基板400，所述第二基板400包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部304位于所述第二基板400第五面上；

位于第二基板400第五面上的密封层402，所述器件301和第一基板300位于所述密封层402内，所述密封层402位于密封膜303表面。

在本实施例中，所述密封膜的材料包括高分子聚合材料。

在本实施例中，所述密封膜的厚度范围为：10纳米至200纳米。

在本实施例中，还包括：位于密封层402表面的屏蔽层403。

在本实施例中，所述密封层402的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。

在本实施例中，所述器件301包括芯片、功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器或低噪声放大器。

在本实施例中，所述器件301倒置于所述第一基板300上。

在本实施例中，所述器件301与第一基板300之间包括间隙。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (11)

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板包括相对的第一面和第二面；

位于第一基板第一面的器件，所述器件包括相对的第三面和第四面，所述器件第三面朝向所述第一基板第一面；

位于第一基板第一面的第一连接部，所述器件与第一基板第一面通过第一连接部电连接；

位于第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面的密封膜，所述密封膜从所述器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面；

位于第一基板第二面的第二连接部，所述第二连接部与所述第一连接部电连接；

第二基板，所述第二基板包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部位于所述第二基板第五面上；

位于第二基板第五面上的密封层，所述密封层覆盖所述第一基板、所述密封膜及所述器件。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封膜的材料包括高分子聚合材料。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封膜的厚度范围为：10纳米至200纳米。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封层的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件包括芯片、功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器或低噪声放大器。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件倒置于所述第一基板上。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述器件与第一基板之间包括空隙。

8.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括相对的第一面和第二面；

提供器件，所述器件包括相对的第三面和第四面；

在器件第三面形成第一连接部，所述器件与所述第一连接部电连接；

将器件放置于第一基板上，所述器件第三面朝向所述第一基板第一面；

在第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面形成密封膜，所述密封膜从所述器件第四面表面延伸至所述第一基板第一面表面；

形成位于第一基板第二面的第二连接部，所述第二连接部与所述第一连接部电连接；

提供第二基板，所述第二基板包括相对的第五面和第六面，所述第二连接部放置于所述第二基板第五面上；

在第二基板第五面上形成密封层，所述密封层覆盖所述第一基板、所述密封膜及所述器件。

9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述器件倒置于所述第一基板上。

10.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成所述密封膜包括：将所述密封膜贴在第一基板第一面表面、器件第四面表面以及器件侧壁表面；固化所述密封膜。

11.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成所述密封层的工艺包括：模塑工艺。