CN118009216B - 一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，包括储罐、输送管道、调压管道和输出管道，所述输送管道上设有第一加热器，所述第一加热器用于将所述储罐内的二氧化碳气化；所述输送管道两端分别与所述储罐和所述调压管道连接，所述调压管道包括并联设置的第一调压管路和第二调压管路，所述第一调压管路和第二调压管路的一端均与所述输出管道连接，基于所述第一调压管路和第二调压管路的控制方式进行优先级排序，采用优先级最高的调压管道进行二氧化碳的输送。本发明提供的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，通过多路调压的方式来对二氧化碳气体进行连续供应，连续供应能力更强，稳定性更好。

Description

一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统

技术领域

本发明涉及亚临界二氧化碳供应技术领域，具体涉及一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统。

背景技术

以集成电路为核心的电子信息产业已成为我国第一大产业，集成电路产业的核心半导体技术在我国快速发展，晶圆清洗是半导体行业发展中最重要、最频繁的工序。半导体晶圆清洗工艺细分为工业标准湿法清洗工艺、稀释化学法、超声波清洗法、气相清洗法、等离子清洗法等，可归纳为湿法和干法两种，湿法清洗是目前主流技术路线，占芯片制造清洗步骤数量的90％以上。

由于集成电路特征尺寸的逐渐减小，器件结构会要求更高的纵横比，常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部，不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构，直接影响沟槽内的污染物去除效果；常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显；而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和粘附、结构损伤、废气处理等一系列问题。

近年来，随着全球水资源持续紧缺和化学品造成的环境污染，世界各国大力发展清洁生产工艺以及创新技术，减少水资源污染；其中，超临界二氧化碳由于在清洗时的零表面张力和高扩散性成为了新型绿色无损伤清洗工艺的首选。

在目前的超临界二氧化碳芯片清洗工艺上，对于二氧化碳的供应和输送目前存在问题，由于通常二氧化碳输送基本上都是远距离输送，目前CO2通常采用超临界状态和液体状态进行输送，但采用超临界状态进行二氧化碳长距离输送的话，由于受外界的影响，在输送过程中会存在相态变化从而存在输送管道破裂或其他危险性的情况；

而液态输送，通常不会存在这种情况，但液体状态的二氧化碳需要另外的加工步骤才能达到超临界状态，其加工过程会经过液/气态转换，然后通过气态进行输送；由于二氧化碳受温度和压力的影响，故气态二氧化碳在输送过程中需要对其温度和压力进行严格的把控，防止其进行相态的转变，同时供应的气态二氧化碳需要达到临界状态然后再加工成超临界状态并应用于芯片清洗工艺上，由于芯片清洗是一个可持续的过程，故二氧化碳在输送供应过程中必须保持可持续性供应，如若供应不稳定导致停供，对后端芯片清洗将会造成非常大的影响，从而造成较大的经济损失，而目前对于二氧化碳稳定输送的技术并不成熟，故需提供一种能够解决该技术问题的方案。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统及供应系统，通过多路调压的方式来对二氧化碳气体进行连续供应，连续供应能力更强，稳定性更好。

为了实现本发明的目的，本发明提供一种亚临界二氧化碳调压系统，包括储罐、输送管道、调压管道和输出管道，所述输送管道上设有第一加热器，所述第一加热器用于将所述储罐内的二氧化碳气化；所述输送管道两端分别与所述储罐和所述调压管道连接，所述调压管道包括并联设置的第一调压管路和第二调压管路，所述第一调压管路和第二调压管路的一端均与所述输出管道连接，基于所述第一调压管路和第二调压管路的控制方式进行优先级排序，采用优先级最高的调压管道进行二氧化碳的输送。

优选的，所述调压管道还包括第三调压管路，所述第一调压管路、第二调压管路和第三调压管路之间均并联设置，所述第一调压管路采用气动电控控制方式，所述第二调压管路采用气动气控控制方式，所述第三调压管路采用自力式控制方式。

优选的，所述调压管道还包括第三调压管路，所述第一调压管路包括依次连接的第一阀门、第一过滤器、第一调压阀和第二阀门；所述第二调压管路包括依次连接的第三阀门、第二过滤器、第二调压阀和第四阀门；所述第三调压管路包括依次连接的第五阀门、第三过滤器、第三调压阀和第六阀门，所述第一调压管路、第二调压管路和第三调压管路上均设有排空阀。

优选的，所述输送管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道两端连接储罐和第一加热器，所述第二管道两端连接所述第一加热器和调压管道，所述第一管道上设有保温组件；所述第二管道、调压管道和输出管道上均设有伴热保温组件。

优选的，所述输出管道包括并联设置的第三管道和第四管道，所述第三管道上依次设置有第七阀门、第一预滤器和第八阀门，所述第四管道上依次设置有第九阀门、第二预滤器和第十阀门，所述第三管道和第四管道上均设有排空阀。

优选的，所述调压系统还包括气化管道和回流管道，所述气化管道上第二加热器，所述气化管道还与所述储罐连接，所述回流管道两端分别与所述第二加热器和储罐连接，所述第一加热器和第二加热器均为水浴加热装置，所述第一加热器和第二加热器上均设有外部供水口。

优选的，所述气化管道上设有保温组件，所述回流管道上设有伴热保温组件，所述回流管道上还设有排空管道。

优选地，本发明还提供一种亚临界二氧化碳供应系统，包括上述任一实施例所述的亚临界二氧化碳调压系统和液态输送系统，所述液态输送系统包括原料罐和液态输送管道，所述液态输送管道用于输送液态二氧化碳；所述液态输送管道的输入端与所述原料罐连接，所述液态输送管道的输出端与所述储罐连接。

本发明的有益效果为：本发明提供的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统及供应系统，通过多路调压的方式来对二氧化碳气体进行连续供应，连续供应能力更强，稳定性更好。

附图说明

通过附图中所示的本发明优选实施例更具体说明，本发明上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本的主旨。

图1为本发明实施例提供的亚临界二氧化碳调压系统的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的储罐和输送管道的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的调压管道的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的芯片清洗装置的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的罐体的具备结构剖面示意图；

图中：1-储罐、11-第一调压管路、111-第一阀门、112-第一过滤器、113-第一调压阀、114-第二阀门、115-排空阀、12-第二调压管路、121-第三阀门、122-第四阀门、123-安全阀、13-第三调压管路、131-第五阀门、132-第三过滤器、133-第三调压阀、134-第六阀门、14-第三管道、141-第七阀门、142-第一预滤器、143-第八阀门、15-第四管道、151-第九阀门、152-第二预滤器、153-第十阀门、16-第一外部供水口、161-液位控制阀、17-第二外部供水口、2-第五管道、3-第六管道、31-第四调压阀、311-罐体、312-过滤网、313-清洗腔、32-第十一阀门、33-第一电动推杆、34-出料口、35-回料泵、36-回料管、37-支撑件、38-底座、39-进料口、391-单向阀、392-输料管、4-排空管道、41-背压阀、43-喷淋组件、5-气化管道、6-输送管道、7-第二加热器、8-第一加热器。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。

请参考图1-3，本发明实施例提供一种亚临界二氧化碳调压系统，包括储罐1、输送管道6、调压管道和输出管道，所述输送管道6上设有第一加热器8，所述第一加热器8用于将所述储罐1内的二氧化碳气化；所述输送管道6两端分别与所述储罐1和所述调压管道连接，所述调压管道包括并联设置的第一调压管路11和第二调压管路，所述第一调压管路11和第二调压管路的一端均与所述输出管道连接，基于所述第一调压管路11和第二调压管路的控制方式进行优先级排序，采用优先级最高的调压管道进行二氧化碳的输送。

请参考图1-3，在第一实施例中，所述调压管道还包括第三调压管路13，所述第一调压管路11、第二调压管路和第三调压管路13之间均并联设置，所述第一调压管路11采用气动电控控制方式，所述第二调压管路采用气动气控控制方式，所述第三调压管路13采用自力式控制方式；

三路调压(第一调压管路11、第二调压管路和第三调压管路13的控制方式不相同，为了保证二氧化碳的连续供应性，在进行二氧化碳供应时，优先使用气动电控调压管路(采用外部程序进行控制)进行输送，如若第一调压管路11存在故障或其他不能继续供应的情况，则切换至第二调压管路(气动气控)进行供应，当第二调压管路也存在上述问题时则切换至第三调压管路13(自力式)进行二氧化碳气体供应)；基于自力式是所承受的机械压力更低，同时自力式控制方式更加稳定，通过三路调压控制方式来保证二氧化碳气体的连续供应性，从而保证在芯片清洗过程中的连续供应；

在进一步的实施例中，第一调压管路11和第二调压管路12同时输送二氧化碳气体，采用第三调压管路13作为备用连续供应管路(气体输送管路)，当第一调压管路11或第二调压管路存在故障等情况时，采用第一调压管路11和第三调压管路13进行同时输送，或采用第二调压管路和第三调压管路13进同时输送；以此来保证气态二氧化碳的连续供应性，稳定性更高(当基于控制方式的优先级进行各调压管道进行气体的输送时，其各调压管道的压力值相同)。

优选地，在第二实施例中，调压管道进行二氧化碳的输送也可根据各路调压管路的压力值来进行二氧化碳的输送；例如：第一调压管路的压力值为5.7MPA；第二调压管路的压力值为5.5MPA；第三调压管路的压力值为5.4MPA；当输送管道输送的气压的压力值临近某一调压管路的压力值时，则打开相应的调压管道进行二氧化碳的气体输送；具体的，第一调压管路、第二调压管路和第三调压管路的压力值占比为(1-1.5)：(1-1.55)：(1-1.6)或(1-1.5)：(1-1.45)：(1-1.4)或1:1.1:1.2，各管道的压力数值的比例设定主要是为了确保二氧化碳气体的连续供应性。

具体的，为了确保气态二氧化碳的连续供应性，对于调压管道的各种控制方式以及压力的数值可采用其他的设定方式，此处对其他的设定方式不做限定，只要能实现二氧化碳的连续供应性和稳定输送即可。

请参考图1-3，在优选实施例中，所述调压管道还包括第三调压管路13，所述第一调压管路11包括依次连接的第一阀门111、第一过滤器112、第一调压阀113(气动电控)和第二阀门114；所述第二调压管路包括依次连接的第三阀门121、第二过滤器、第二调压阀(气动气控)和第四阀门122；所述第三调压管路13包括依次连接的第五阀门131、第三过滤器132、第三调压阀133(自力式)和第六阀门134，所述第一调压管路11、第二调压管路和第三调压管路13上均设有排空阀115(排空阀115主要为了确保管道内的气体气压数值稳定，当气压数值过高时则通过排空阀115进行适当的排出)，第一过滤器112、第二过滤器和第三过滤器132主要为了过滤二氧化碳中的杂质。

请参考图1-3，在优选实施例中，所述输送管道6包括第一管道和第二管道，所述第一管道两端连接储罐1和第一加热器8，所述第二管道两端连接所述第一加热器8和调压管道，所述第一管道上设有保温组件(保证储罐1内输送的二氧化碳液体的温度，从而防止二氧化碳进行相变)；所述第二管道、调压管道和输出管道上均设有伴热保温组件(保证气化后的气态二氧化碳的温度和压力，从而防止相变的产生，保温组件和伴热保温组件均是为了确保二氧化碳在输送过程中的连续供应性，稳定性更强)。

请参考图1-3，在优选实施例中，所述输出管道包括并联设置的第三管道14和第四管道15，所述第三管道14上依次设置有第七阀门141、第一预滤器142和第八阀门143，所述第四管道15上依次设置有第九阀门151、第二预滤器152和第十阀门153，所述第三管道14和第四管道15上均设有排空阀115(第一预滤器142和第二预滤器152用于进一步的滤除二氧化碳中的杂质)。

请参考图1-3，在优选实施例中，所述调压系统还包括气化管道5和回流管道，所述气化管道5上第二加热器7，所述气化管道5还与所述储罐1连接，所述回流管道两端分别与所述第二加热器7和储罐1连接，所述第一加热器8和第二加热器7均为水浴加热装置，所述第一加热器8和第二加热器7上均设有外部供水口(第一外部供水口16和第二外部供水口17)。

在本实施例中，当储罐1内的气压较低会存在部分液体(液态二氧化碳)不能排出的情况，故采用气化管道5和回流管道来对储罐1进行自增压，确保储罐1内的液体能正产排出；具体的：

所述回流管道包括第五管道和第六管道3，所述第五管道和第六管道3并联设置且两端均与所述第二加热器7和储罐1连接；所述储罐1上设有第一气压检测器，所述第五管道上设有阀门，所述第二加热器7上设有第二气压检测器，当液位高度低于第一预设值且第一数值为第二预设值时，将第二加热器7气化后的气体通过第五管道输送至储罐1内，所需要补充的气压的计算公式为：

P2＝PH-η₁PH-P1

其中，P2为第二加热器7气化后的气压数值或往储罐1内补充的气压数值，PH为储罐1的气压上限值，P1为储罐1内的当前气压数值或第一数值，η₁为数值范围[5％-10％]。

在本实施例中，η₁的具体数值可根据P1的当前气压数值进行设定，也可设定为标准数值5％-6.5％、7％-9％、5.5％-10％，当储罐1内的液位高度低于预设值时，通过根据储罐1内当前气压数值以及储罐1的标准上限气压数值来计算出需要往储罐1内补充的气压数值，然后通过阀门控制相应的二氧化碳液体流出进行气化，在保证储罐1内的液体能够正常排出，同时储罐1内的气压处于稳定值，一定程度上保证了储罐1的正常使用，避免存在储罐1内气压抵达上限值或下限值，提高了安全性。

在本实施例中，也可先检测储罐1内的气压数值，当气压数值开始降低或即将达到第二预设值时，则开始通过自增压方式进行二氧化碳的气化，并经过回流管道输送至储罐1内进行自增压，确保储罐1的正常排出；下列实施例中气压的泄放也可采用此种技术手段，故不再赘述。

再进一步的实施例中，第六管道3包括第十一阀门32和与第十一阀门32连接的第四调压阀31。

在优选实施例中，储罐1上还设有泄放管道，所述储罐1上设有第一气压检测器，当第一数值为第三预设值时，打开泄放阀将储罐1内气体排出至第二储存箱；所泄放的气压的计算公式为：

P3＝PL+η₂PL-P1

其中，P3为所需要泄放的气体气压数值；PL为储罐1的气压下限值；P1为储罐1内当前气压数值或第一数值；η₂为数值范围[30％-50％]，具体数值范围也可为30％-35％、35％-50％、40％-45％，根据储罐1的下限压力数值来计算储罐1内需要排除的气体，在保证储罐1正常运行的同时还能确保储罐1内的液体正常流出，储罐1内的气压也能保持恒定值，一定程度上提高了安全性，同时还能保证二氧化碳(液态和气态)的连续供应性。

在优选实施例中，所述储罐1上还设有第一气压检测器、防爆装置和预警装置；当液位高度低于第一预设值时，或当第一气压检测器检测的储罐1气体气压数值为第二预设值时，或当第一气压检测器检测的储罐1气体气压数值为第三预设值时，发出预警提示，通过预警提示得出储罐1内当前气压数值，从而进行储罐1内气体补充或泄放，保证储罐1内的气体气压恒定，当检测到储罐1内的气压开始变低或即将抵达预设值时，通过自增压系统(气化管道5和回流管道)往储罐1内补充气压，使储罐1内能够可持续的排除二氧化碳液体，保证储罐1的正常使用，相对于传统的自增压系统，节约了一定的时间，同时还能提高其输送效率，保证了连续供应性。

请参考图1-3，在优选实施例中，所述气化管道5上设有保温组件，所述回流管道上设有伴热保温组件，所述回流管道上还设有排空管道4。所述输出管道上还设有安全阀123和压力开关。所述排空管道4上设有保温组件，所述排空管道4包括上设有排空阀115和背压阀41，所述第一加热器8和第二加热器7上均设有液位控制阀161。

请参考图1-5，在进一步的优选实施例中，本发明还提供了一种亚临界二氧化碳供应系统，包括上述任一实施例所述的亚临界二氧化碳调压系统和液态输送系统，所述液态输送系统包括原料罐和液态输送管道，所述液态输送管道用于输送液态二氧化碳；所述液态输送管道的输入端与所述原料罐连接，所述液态输送管道的输出端与所述储罐连接。

本实施例提供的亚临界二氧化碳供应系统，最终输出的为亚临界二氧化碳(温度为32±4℃；压力为55±4barg)，主要应用到芯片清洗领域；在芯片清洗时，先将亚临界二氧化碳转换成超临界二氧化碳在进行芯片清洗，此种转换方式相对于传统通过液体直接转成超临界二氧化碳，连续供应性更好，稳定性更强；只有在需要使用时再通过超临界二氧化碳处理装置对亚临界二氧化碳进行处理，转换效率更高，同时相对于传统通过超临界二氧化碳进行输送更加稳定，适用于远距离输送，同时本发明实施例提供的亚临界二氧化碳供应系统具有更好的稳定性以及二氧化碳在输送过程中的连续性更强。

本发明还提供了一种芯片清洗系统，包括芯片清洗装置、超临界处理系统、纯化系统和上述任一实施例描述的的亚临界二氧化碳调压系统，所述输出管道与所述纯化系统连接，所述纯化系统用于对二氧化碳气体进行纯化；所述超临界处理系统用于将纯化后的二氧化碳气体加工成超临界二氧化碳；所述超临界处理系统的输入端与所述纯化系统连接，所述超临界处理系统的输出端与所述芯片清洗装置连接；

所述芯片清洗装置包括罐体311和喷淋组件43，所述罐体311内形成容纳待清洗芯片的清洗腔313，所述喷淋组件43与所述罐体311连接且位于所述清洗腔313的上方；所述罐体311上设有与所述喷淋组件43连接的进料口39，所述超临界处理系统通过所述进料口39与所述芯片清洗装置连接。

具体的，亚临界二氧化碳调压系统供应的气体，随着各管道的保温组件和伴热保温组件，将管道内输送的气体(调整气体的压力和温度值并保持恒定)转变成亚临界二氧化碳，然后通过纯化系统将亚临界二氧化碳中的杂质进行滤除，并输送至超临界处理系统中转变成超临界二氧化碳并输送至进料口39中，供芯片清洗装置对芯片进行相应的清洗；具体的进料口39通过输入通道与喷淋组件43连接，输入通道上设有电磁阀，用于控制超临界二氧化碳的输入量；在清洗过程中，先将待清洗芯片输送至清洗腔313中的支撑件37上固定住，通过控制喷淋组件43来对待清洗芯片进行全方位清洗；

具体的喷淋组件43包括喷淋头和连接管，喷淋头和连接管可转动连接，连接管一端与输入管道连接；连接管还与外部控制设备连接；用于控制喷淋头进行多角度的转动，从而对芯片进行全方位的清洗，防止二次返工。

请参考图4-5，在优选实施例中，所述罐体311底部设有与所述罐体311可拆卸连接的底座38(通过打开底座38将芯片放入清洗腔313中)，所述底座38上设有与待清洗芯片固定连接的支撑件37，所述支撑件37上还设有漏液孔，用于清洗过程中超临界二氧化碳的收集，所述罐体311上还设有出料口34，用于排出清洗过后的液体和杂质。

在优选实施例中，可拆卸连接的底座38上还设有第一电动推杆33，第一电动推杆33的伸缩端与底板连接，用于实现底座38和罐体的打开和关闭。

在优选实施例中，所述罐体311一侧设置有回料泵35，所述回料泵35的进料端和出料端均固定连接有回料管36和输料管392，所述回料管36的一端与罐体311固定连接，所述输料管392的出料端与进料管之间固定连接有单向阀391。

请参考图4-5，在优选实施例中，所述支撑件37底部还设有过滤网312，用于承接芯片清洗时产生的脏污以及液体和杂质的分离。

在优选实施例中，所述底座上还设有两个相对设置的第二电动推杆，两个所述第二电动推杆的伸缩端均与所述支撑件连接；

在本实施方式中，当通过超临界二氧化碳对芯片进行清洗时，通过其中两个第二电动推杆交替工作，进而让两个第二电动推杆(图未示)交替绕着另一侧转动，进而让支撑板交替往两侧倾斜，从而让芯片往复倾斜，进而增加芯片的清洗范围，进一步提高芯片清洗时的效率。

关于如何回收利用超临界二氧化碳，如图4-5图所示，罐体311一侧设置有回料泵35，回料泵35的进料端和出料端均固定连接有回料管36和输料管392，回料管36的一端与罐体311固定连接，输料管392的出料端与进料管之间固定连接有单向阀391，当超临界二氧化碳流动至底板上方后，通过回料泵35工作，进而让回料泵35通过回料管36抽取超临界二氧化碳，通过输料管392排出超临界二氧化碳，使超临界二氧化碳输送至进料管中，并且通过单向阀391配合，使输料管392中的物料可以流动至进料管中，而进料管中的物料无法流动至输料管392的内部。

本发明的有益效果为：本发明提供了一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，通过多路调压的方式来对二氧化碳气体进行连续供应，连续供应能力更强，稳定性更好。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，包括亚临界二氧化碳调压系统和液态输送系统，所述亚临界二氧化碳调压系统包括储罐、输送管道、调压管道和输出管道，所述输送管道上设有第一加热器，所述第一加热器用于将所述储罐内的二氧化碳气化；所述输送管道两端分别与所述储罐和所述调压管道连接，所述调压管道包括并联设置的第一调压管路和第二调压管路，所述第一调压管路和第二调压管路的一端均与所述输出管道连接，基于所述第一调压管路和第二调压管路的控制方式进行优先级排序，采用优先级最高的调压管道进行二氧化碳的输送；所述液态输送系统包括原料罐和液态输送管道，所述液态输送管道用于输送液态二氧化碳；所述液态输送管道的输入端与所述原料罐连接，所述液态输送管道的输出端与所述储罐连接；

所述调压管道还包括第三调压管路，所述第一调压管路、第二调压管路和第三调压管路之间均并联设置，所述第一调压管路采用气动电控控制方式，所述第二调压管路采用气动气控控制方式，所述第三调压管路采用自力式控制方式；

所述调压管道还包括第三调压管路，所述第一调压管路包括依次连接的第一阀门、第一过滤器、第一调压阀和第二阀门；所述第二调压管路包括依次连接的第三阀门、第二过滤器、第二调压阀和第四阀门；所述第三调压管路包括依次连接的第五阀门、第三过滤器、第三调压阀和第六阀门，所述第一调压管路、第二调压管路和第三调压管路上均设有排空阀；

所述输送管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道两端连接储罐和第一加热器，所述第二管道两端连接所述第一加热器和调压管道，所述第一管道上设有保温组件；所述第二管道、调压管道和输出管道上均设有伴热保温组件；

所述输出管道包括并联设置的第三管道和第四管道，所述第三管道上依次设置有第七阀门、第一预滤器和第八阀门，所述第四管道上依次设置有第九阀门、第二预滤器和第十阀门，所述第三管道和第四管道上均设有排空阀。

2.如权利要求1所述的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述调压系统还包括气化管道和回流管道，所述气化管道上设有第二加热器，所述气化管道还与所述储罐连接，所述回流管道两端分别与所述第二加热器和储罐连接，所述第一加热器和第二加热器均为水浴加热装置，所述第一加热器和第二加热器上均设有外部供水口。

3.如权利要求2所述的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述气化管道上设有保温组件，所述回流管道上设有伴热保温组件，所述回流管道上还设有排空管道。