CN117296011A - 定位系统、光刻装置、驱动力衰减方法和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于移动或定位可移动物体的定位系统，包括：动态支撑系统和致动器，该动态支撑系统包括：反作用质体；第一支撑件；第一弹簧系统，其用于从第一支撑件支撑反作用质体；第二支撑件；第二弹簧系统，其用于从第二支撑件支撑第一支撑件；阻尼系统，其用于向动态支撑系统提供阻尼；该致动器用于在可移动物体与反作用质体之间生成用于移动或定位物体的驱动力，其中动态支撑系统的第一本征频率和第二本征频率基本相同。

Description

定位系统、光刻装置、驱动力衰减方法和器件制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年5月6日提交的EP申请21172395.2的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种定位系统。本发明还涉及一种包括这种定位系统的光刻装置。本发明还涉及一种用于衰减可移动物体与动态支撑系统之间的驱动力传递的方法、以及一种用于使用光刻装置制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻装置可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程的不断进步，几十年来，电路元件的尺寸已经不断减小，而每个器件的诸如晶体管之类的功能元件的数量已经在稳定地增加，这遵循通常被称为‘摩尔定律’的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体工业正在追求使得能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投射在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以在经图案化的衬底上的特征的最小大小。当前处于使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4nm至20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以被用来在衬底上形成更小特征。

光刻装置通常包括一个或多个定位系统，其用于定位诸如图案形成装置的支撑件、衬底支撑件、或投射系统或照射系统的光学元件等的物体。

定位系统通常包括动态支撑系统和致动器，该致动器用于在可移动物体与动态支撑系统之间产生驱动力，以移动或定位物体。由动态支撑系统传递的力与驱动力的比率被定义为致动器力传递性。当比率太大时，它可能会对定位系统的位置精度产生负面影响，尤其是对于更高的频率，从而限制可实现的控制带宽。

发明内容

考虑到上述情况，本发明的目的是提供一种具有改进的(即，降低的)致动器力传递性的定位系统。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于移动或定位可移动物体的定位系统，包括：

-动态支撑系统，包括：

反作用质体，

第一支撑件，

第一弹簧系统，用于从第一支撑件支撑反作用质体，

第二支撑件，

第二弹簧系统，用于从第二支撑件支撑第一支撑件，以及阻尼系统，用于向动态支撑系统提供阻尼，

-致动器，用于在可移动物体与反作用质体之间生成用于移动或定位物体的驱动力，

其中动态支撑系统在一个方向上的第一本征频率和第二本征频率基本相同。

根据本发明的另一实施例，提供了一种光刻装置，包括根据本发明的定位系统。

根据本发明的另一实施例，提供了一种用于衰减施加在可移动物体和动态支撑系统的反作用质体之间的驱动力的传递的方法，所述方法通过将动态支撑系统配置为多弹簧质体阻尼器系统来实现，该多弹簧质体阻尼器系统在一方向上具有基本相同的第一本征频率和第二本征频率来。

根据本发明的另一实施例，提供了一种器件制造方法，其中使用根据本发明的光刻装置。

附图说明

现在，参考所附示意图仅通过示例对本发明的实施例进行描述，其中

-图1描绘了根据本发明的实施例的光刻装置的示意性概图；

-图2描绘了图1的光刻装置的一部分的详细视图；

-图3示意性地描绘了作为根据本发明的实施例的定位系统的一部分的位置控制系统；

-图4示意性地描绘了根据本发明的另一实施例的具有定位系统的光刻装置的一部分。

具体实施方式

在本文件中，术语“辐射”和“射束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，其中波长为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)和EUV辐射(极紫外辐射，例如，波长范围介于约5nm与100nm之间)。

如上下文中所采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以以广义方式被解释为是指通用图案形成装置，该通用图案形成装置可以被用来向入射辐射射束赋予经图案化的横截面，该经图案化的横截面与要在衬底的目标部分中产生的图案相对应。在该上下文中，还可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射式掩模或反射式掩模；二进制掩模、相移掩模、混合掩模等)以外，其他这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻装置LA。该光刻装置LA包括照射系统(还被称为照射器)IL，被配置为调节辐射射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为按照某些参数精确定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为按照某些参数精确定位衬底；以及投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS，被配置为通过图案形成装置MA将赋予辐射射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。

操作时，照射系统IL例如经由射束传送系统BD从辐射源SO接收辐射射束。照射系统IL可以包括各种类型的用于引导、整形或控制辐射的光学部件，诸如折射型部件、反射型部件、磁性型部件、电磁型部件、静电型部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合。照射器IL可以被用来调节辐射射束B，以使其在图案形成装置MA的平面处的横截面中具有期望空间和角度强度分布。

本文中所使用的术语“投射系统”PS应当以广义方式被解释为包括视所使用的曝光辐射或适合于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素而定的任何类型的投射系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反折射型光学系统、失真型光学系统、磁型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统，或它们的任何组合。本文中的术语“投射透镜”的任何使用可以被认为是与更通用的术语“投射系统”PS同义。

光刻装置LA可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被折射率相对较高的液体(例如，水)覆盖，以便填充投射系统PS与衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸渍技术的更多信息在通过引用并入本文的US6952253中给出。

光刻装置LA还可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT(还被称为“双载物台”)的类型。在这种“多载物台”机器中，可以并行使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W上执行准备后续曝光衬底W的步骤，同时另一衬底支撑件WT上的另一衬底W正在被用来曝光另一衬底W上的图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻装置LA还可以包括测量载物台。测量载物台被布置为保持传感器和/或清洁设备。传感器可以被布置为测量投射系统PS的特性或辐射射束B的特性。测量载物台可以容纳多个传感器。清洁设备可以被布置为清洁光刻装置的一部分，例如，投射系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量载物台可以在投射系统PS下面移动。

操作时，辐射射束B入射在保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过存在于图案形成装置MA上的图案(设计布局)进行图案化。在已经穿过图案形成装置MA之后，辐射射束B穿过投射系统PS，该投射系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，可以精确移动衬底支撑件WT，例如，以便在辐射射束B的路径中将不同的目标部分C定位在经聚焦和对齐的位置处。同样，第一定位器PM以及可能的另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以被用来相对于辐射射束B的路径精确定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对齐标记P1、P2占据专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对齐标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对齐标记。

为了阐明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即，x轴、y轴和z轴。三个轴中的每个轴都与其他两个轴正交。围绕x轴的旋转被称为Rx旋转。围绕y轴的旋转被称为Ry旋转。围绕z轴的旋转被称为Rz旋转。x轴和y轴限定水平面，而z轴在垂直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明，而仅用于说明。相反，可以使用诸如柱面坐标系之类的另一坐标系来阐明本发明。笛卡尔坐标系的方位可能不同，例如，使得z轴具有沿着水平平面的分量。

图2示出了图1的光刻装置LA的一部分的更详细视图。光刻装置LA可以设有基本框架BF、平衡质体BM、量测框架MF和隔振系统IS。量测框架MF支撑投射系统PS。附加地，量测框架MF可以支撑位置测量系统PMS的一部分。量测框架MF经由隔振系统IS由基本框架BF支撑。隔振系统IS被布置为防止或减少振动从基本框架BF传播到量测框架MF。

第二定位器PW被布置为通过在衬底支撑件WT与平衡质体BM之间提供驱动力来使得衬底支撑件WT加速。该驱动力使衬底支撑件WT在期望方向上加速。由于动量守恒，所以驱动力也以相等幅度施加在平衡质体BM上，但方向与期望方向相反。通常，平衡质体BM的质量明显大于第二定位器PW的移动部分和衬底支撑件WT的质量。

在一个实施例中，第二定位器PW由平衡质体BM支撑。例如，其中第二定位器PW包括平面电机，其用于将衬底支撑件WT悬浮在平衡质体BM上方。在另一实施例中，第二定位器PW由基本框架BF支撑。例如，其中第二定位器PW包括线性电机，并且其中第一定位器PW包括轴承，如气体轴承，以使衬底支撑件WT悬浮在基本框架BF上方。

位置测量系统PMS可以包括适用于确定衬底支撑件WT的位置的任何类型的传感器。位置测量系统PM可以包括适用于确定掩模支撑件MT的位置的任何类型的传感器。传感器可以是光学传感器，诸如干涉仪或编码器。位置测量系统PMS可以包括干涉仪和编码器的组合系统。传感器可以是另一类型的传感器，诸如磁传感器、电容传感器或电感传感器。位置测量系统PMS可以确定相对于参考(例如，量测框架MF或投射系统PS)的位置。位置测量系统PM可以通过测量位置或通过测量位置的时间导数(诸如速度或加速度)来确定衬底台WT和/或掩模支撑件MT的位置。

位置测量系统PMS可以包括编码器系统。根据例如在此通过引用并入的于2006年9月7日提交的美国专利申请US2007/0058173A1获知编码器系统。编码器系统包括编码器头、光栅和传感器。编码器系统可以接收初级辐射射束和次级辐射射束。初级辐射射束和次级辐射射束两者均源自相同的辐射射束，即，原始辐射射束。初级辐射射束和次级辐射射束中的至少一个辐射射束通过使用光栅使得原始辐射射束衍射而产生。如果初级辐射射束和次级辐射射束两者均通过使用光栅使得原始辐射射束衍射而产生，则初级辐射射束需要具有与次级辐射射束不同的衍射级。不同的衍射级例如是+1级、-1级、+2级和-2级。编码器系统将初级辐射射束和次级辐射射束光学组合成组合辐射射束。编码器头中的传感器确定组合辐射射束的相位或相位差。传感器基于相位或相位差来生成信号。该信号表示编码器头相对于光栅的位置。编码器头和光栅中的一个可以被布置在衬底结构WT上。编码器头和光栅中的另一个可以被布置在量测框架MF或基本框架BF上。例如，多个编码器头被布置在量测框架MF上，而光栅被布置在衬底支撑件WT的顶部表面上。在另一示例中，光栅被布置在衬底支撑件WT的底部表面上，并且编码器头被布置在衬底支撑件WT下方。

位置测量系统PMS可以包括干涉仪系统。根据例如在此通过引用并入的于1998年7月13日提交的美国专利US 6,020,964获知干涉仪系统。干涉仪系统可以包括分束器、反射镜、参考反射镜和传感器。辐射射束被分束器分为参考射束和测量射束。测量射束传播到反射镜，并且被反射镜反射回到分束器。参考射束传播到参考反射镜，并且被参考反射镜反射回到分束器。在分束器处，测量射束和参考射束被组合成组合辐射射束。组合辐射射束入射在传感器上。传感器确定组合辐射射束的相位或频率。传感器基于相位或频率来生成信号。该信号代表反射镜的位移。在一个实施例中，反射镜被连接到衬底支撑件WT。参考反射镜可以连接到量测框架MF。在一个实施例中，测量射束和参考射束通过附加光学部件而非分束器组合成组合辐射射束。

第一定位器PM可以包括长行程模块和短行程模块。短行程模块被布置为在小移动范围内以高精度相对于长行程模块移动掩模支撑件MT。长行程模块被布置为在大移动范围内以相对较低的精度相对于投射系统PS移动短行程模块。通过长行程模块和短行程模块的组合，第一定位器PM能够在大移动范围内以高精度相对于投射系统PS移动掩模支撑件MT。同样，第二定位器PW可以包括长行程模块和短行程模块。短行程模块被布置为在小移动范围内以高精度相对于长行程模块移动衬底支撑件WT。长行程模块被布置为在大移动范围内以相对较低的精度相对于投射系统PS移动短行程模块。通过长行程模块和短行程模块的组合，第二定位器PW能够在大移动范围内以高精度相对于投射系统PS移动衬底支撑件WT。

第一定位器PM和第二定位器PW均设有致动器，以分别移动掩模支撑件MT和衬底支撑件WT。致动器可以是线性致动器，以沿着单个轴(例如，y轴)提供驱动力。可以应用多个线性致动器以沿着多个轴提供驱动力。致动器可以是平面致动器，以沿着多个轴提供驱动力。例如，平面致动器可以被布置为在6个自由度中移动衬底支撑件WT。致动器可以是包括至少一个线圈和至少一个磁体的电磁致动器。致动器被布置为通过向至少一个线圈施加电流来相对于至少一个磁体移动至少一个线圈。致动器可以是移动磁体型致动器，该移动磁体型致动器具有分别耦合到衬底支撑件WT和耦合到掩模支撑件MT的至少一个磁体。致动器可以是移动线圈型致动器，该移动线圈型致动器具有分别耦合到衬底支撑件WT和耦合到掩模支撑件MT的至少一个线圈。致动器可以是音圈致动器、磁阻致动器、洛伦兹致动器或压电致动器或任何其他合适致动器。

光刻装置LA包括位置控制系统PCS，如图3所示意性地描绘的。位置控制系统PCS包括设定点生成器SP、前馈控制器FF和反馈控制器FB。位置控制系统PCS向致动器ACT提供驱动信号。致动器ACT可以是第一定位器PM或第二定位器PW的致动器。致动器ACT驱动一设备P，该设备P可以包括衬底支撑件WT或掩模支撑件MT。设备P的输出是位置量，诸如位置或速度或加速度。使用位置测量系统PMS测量位置量。位置测量系统PMS生成信号，该信号是代表设备P的位置量的位置信号。设定点生成器SP生成信号，该信号是代表设备P的期望位置量的参考信号。例如，参考信号表示衬底支撑件WT的期望轨迹。参考信号与位置信号之间的差形成反馈控制器FB的输入。基于该输入，反馈控制器FB向致动器ACT提供驱动信号的至少一部分。参考信号可以形成前馈控制器FF的输入。基于该输入，前馈控制器FF向致动器ACT提供驱动信号的至少一部分。前馈FF可以利用关于设备P的动态特点的信息，诸如质量、刚度、共振模式和本征频率。

图4示意性地描绘了根据本发明的另一实施例的具有定位系统的光刻装置的一部分。光刻装置包括经由第一隔振系统VIS1彼此连接的力框架FFR(可替代地，被称为基本框架)和测量框架MFR。在该实施例中，测量框架MFR经由第一隔振系统VIS1被力框架FFR支撑，而力框架FFR又经由第二隔振系统VIS2被地面GR支撑。该配置可以被称为串联配置，其中测量框架MFR经由力框架FFR被地面支撑。还设想了一种平行配置，其中测量框架MFR和力框架FFR经由相应隔振系统由地面GR支撑。

光刻装置包括可移动物体OB，该可移动物体要被移动和/或定位以允许光刻装置运转。因此，物体OB可以是衬底支撑件WT、掩模支撑件MT或投射系统PS的部件，例如，反射镜或透镜元件，如比如图1所示。

光刻装置还包括用于移动或定位物体OB的定位系统。定位系统包括动态支撑系统DSS，该动态支撑系统包括反作用质体RM、第一支撑件S1、第一弹簧系统FS、第二支撑件S2和第二弹簧系统SS。反作用质体RM经由第一弹簧系统FS被第一支撑件S1支撑。第一支撑件S1经由第二弹簧系统SS被第二支撑件S2支撑。第二支撑件S2和动态支撑系统DSS经由第三弹簧系统TS被力框架FFR支撑。第三弹簧系统TS代表动态支撑系统DSS与力框架FFR的连接，该连接可以是相对刚性的连接。

定位系统还包括致动器ACT，该致动器ACT用于在可移动物体OB与反作用质体RM之间生成驱动力F。驱动力F由动态支撑系统DSS传递到力框架FFR。施加到力框架FFR的力与驱动力F的比率被定义为致动器力传递性。致动器ACT可以是非接触式致动器，例如，洛伦兹致动器或音圈致动器。

定位系统还包括测量系统MS，其用于测量物体OB相对于参考(在本实施例中，测量框架MFR上的参考RF)的位置。

相对较高的致动器力传递性可能会影响测量框架MFR，从而影响对物体OB的位置的测量。定位系统还包括控制单元CU，其用于基于测量系统MS的输出来驱动致动器ACT。因此，当对位置的测量受到致动器力传递性的负面影响时，控制单元CU不能实现一定水平的位置准确性。

为了比如通过获得较高的控制带宽来降低致动器的力传递性且因此提高位置准确性性能，动态支撑系统DSS的第一本征频率和第二本征频率基本相同。这可以比如通过配置动态支撑系统DSS来获得，该动态支撑系统DSS被配置为使得第一本征频率由第一弹簧系统FS和由其支撑的质体确定并且使得第二本征频率由第二弹簧系统SS和由其支持的质体确定。附加地，由第一弹簧系统FS限定的弹簧刚度、由第二弹簧系统限定的弹簧刚度、以及反作用质体RM的质量、以及第一支撑件S1和第二支撑件S2的质量被选取为使得第一本征频率和第二本征频率基本相同。优选地，第一本征频率和第二本征频率相等或几乎相等(在5％以内)，但基本相同也包括第一本征频率与第二本征频率之间的较大差异(5％至20％)，只要与第一本征频率和第二本征频率相对应的两个模式之间存在显著的相互作用即可。换言之，动态支撑系统被配置为多质体弹簧阻尼器系统，其具有基本相同的第一本征频率和第二本征频率。

定位系统还包括阻尼系统，其用于向动态支撑系统DSS提供阻尼。在第一实施例中，阻尼器DS被布置在反作用质体RM与第一支撑件S1之间，可能作为第一弹簧系统FS的一部分。在第二实施例中，阻尼器DS'被布置在第一支撑件S1与第二支撑件S2之间。图4以虚线描绘了两种备选方案。第三实施例包括第一实施例和第二实施例的组合。

包括阻尼系统在内的、基本相同的第一本征频率和第二本征频率导致动态支撑系统DSS类似于调谐质体阻尼器而起作用，而无需如现有技术中目前所做的那样的使用附接到反作用质体上的单独调谐质体阻尼器以降低致动器力传递性。其优点可以是动态支撑系统需要的空间更少，或可用空间可以更有效地被使用或被用来优化定位系统的功能。

当阻尼系统处于从反作用质体RM到力框架FFR的力路径中时，另一优点是阻尼系统能够高度衰减致动器力传递性的峰值，从而允许减弱高阶动力学。

阻尼系统可以包括粘弹性阻尼器。例如，阻尼器DS和/或阻尼器DS'可以是粘弹性阻尼器。

阻尼系统可替代地或附加地包括调谐质体阻尼器，该调谐质体阻尼器附接到反作用质体RM、第一支撑件S1和/或第二支撑件S2。

尽管上述示例已经针对在特定方向上提供驱动力的单个致动器进行了描述，但本发明还可以应用于衰减其他方向上的反作用力和/或衰减其他方向上的驱动力，例如，当多个致动器被用来以更大的自由度移动或定位物体时。

尽管在本文中可以具体参考光刻装置在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中所描述的光刻装置可以具有其他应用。可能的其他应用包括集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。

尽管在本文中可以在光刻装置的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用于其他装置。本发明的实施例可以形成掩模检查装置、量测装置、或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)之类的物体的任何装置的一部分。这些装置通常被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管上文已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻术的上下文中的使用，但是应当领会，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻术，并且可以用于其他应用，例如，压印光刻术。

在上下文允许的情况下，本发明的各实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的各实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，这些指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁性存储介质；光学存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的经传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。进一步地，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应当领会，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生，并且这样做时，可以使得致动器或其他设备与物理世界交互。

虽然上文已经对本发明的特定实施例进行了描述，但是应当领会，本发明可以以与所描述的方式不同的方式来实施。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域的技术人员而言，显而易见的是，在没有背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

Claims (14)

1.一种用于移动或定位可移动物体的定位系统，包括：

-动态支撑系统，包括：

反作用质体，

第一支撑件，

第一弹簧系统，用于从所述第一支撑件支撑所述反作用质体，

第二支撑件，

第二弹簧系统，用于从所述第二支撑件支撑所述第一支撑件，以及

阻尼系统，用于向所述动态支撑系统提供阻尼，

-致动器，用于在所述可移动物体与所述反作用质体之间生成用于移动或定位所述物体的驱动力，

其中所述动态支撑系统在一方向上的第一本征频率和第二本征频率基本相同。

2.根据权利要求1所述的定位系统，其中所述阻尼系统布置在所述反作用质体与所述第一支撑件之间。

3.根据权利要求1所述的定位系统，其中所述阻尼系统布置在所述第一支撑件与所述第二支撑件之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的定位系统，其中所述致动器是非接触式致动器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的定位系统，其中所述阻尼系统包括粘弹性阻尼器。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的定位系统，其中所述阻尼系统包括调谐质体阻尼器，所述调谐质体阻尼器附接到所述反作用质体、所述第一支撑件和/或所述第二支撑件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的定位系统，其中所述可移动物体是反射镜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的定位系统，还包括测量系统，所述测量系统用于测量所述可移动物体相对于参考的位置；以及控制单元，所述控制单元用于基于所述测量系统的输出来控制所述致动器。

9.一种光刻装置，包括根据权利要求1至8中任一项所述的定位系统。

10.根据权利要求9所述的光刻装置，还包括：

-照射系统，被配置为调节辐射射束；

-支撑件，被构造为支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在辐射的横截面中向所述辐射赋予图案以形成经图案化的辐射射束；

-衬底台，被构造为保持衬底；以及

-投射系统，被配置为将经图案化的所述辐射射束投射到所述衬底的目标部分上，

其中所述可移动物体是所述投射系统的部件。

11.根据权利要求9或10所述的光刻装置，还包括力框架和测量框架，所述力框架和所述测量框架经由振动隔离系统彼此连接，其中所述第二支撑件由所述力框架支撑。

12.根据权利要求11所述的光刻装置，其中所述定位系统是根据权利要求8所述的定位系统，并且其中所述参考被布置在所述测量框架上。

13.一种用于衰减施加在可移动物体和动态支撑系统的反作用质体之间的驱动力的传递的方法，所述方法通过将所述动态支撑系统配置为多质体弹簧阻尼器系统来实现，所述多质体弹簧阻尼器系统在一方向上具有基本相同的第一本征频率和第二本征频率。

14.一种器件制造方法，其中使用根据权利要求9至12中任一项所述的光刻装置。