CN117238828A - 临时固定用层叠体以及半导体装置的制造方法 - Google Patents
临时固定用层叠体以及半导体装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117238828A CN117238828A CN202311199289.XA CN202311199289A CN117238828A CN 117238828 A CN117238828 A CN 117238828A CN 202311199289 A CN202311199289 A CN 202311199289A CN 117238828 A CN117238828 A CN 117238828A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- temporary fixing
- fixing material
- laminate
- curable resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10P72/0436—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
- C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F287/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to block polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D153/02—Vinyl aromatic monomers and conjugated dienes
- C09D153/025—Vinyl aromatic monomers and conjugated dienes modified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
- C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
-
- H10P52/00—
-
- H10P72/70—
-
- H10P72/74—
-
- H10P72/7448—
-
- H10W74/014—
-
- H10W74/019—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
- B32B2037/1253—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives curable adhesive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
- B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
- B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B32B2310/0825—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using IR radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/085—Copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/37—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for repositionable or removable tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
- C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
- C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2409/00—Presence of diene rubber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
-
- H10P72/7412—
-
- H10P72/7416—
-
- H10P72/744—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种临时固定用层叠体和半导体装置的制造方法。本发明的临时固定用层叠体,其具备支撑构件以及设置于所述支撑构件上的包含吸收光而产生热的导电体的导电体层,所述支撑构件为玻璃基板。
Description
本发明是申请号为201880077311.4(国际申请号为PCT/JP2018/044057)、申请日为2018年11月29日、发明名称为“半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。
背景技术
在半导体装置的领域中,近年来,关于层叠有多个半导体元件的被称为SIP(Systemin Package,系统级封装)的封装的技术显著地发展。在SIP型的封装中,由于要层叠多个半导体元件,因此对半导体元件要求薄壁化。根据该要求,在半导体元件中,将集成电路组装入半导体构件(例如,半导体晶片)中后,实施例如对半导体构件的背面进行磨削的薄壁化、对半导体晶片进行切割的单片化等加工处理。关于这些半导体构件的加工处理,通常利用临时固定材层将半导体构件临时固定于支撑构件上来进行(例如,参照专利文献1~3)。
实施了加工处理的半导体构件隔着临时固定材层而与支撑构件牢固地固定。因此,在半导体装置的制造方法中,要求能够防止半导体构件的损伤等,并且能够将加工处理后的半导体构件从支撑构件分离。在专利文献1中,作为这样的将半导体构件分离的方法,公开了一种对临时固定材层一边加热一边进行物理分离的方法。另外,在专利文献2、3中公开了一种通过对临时固定材层照射激光(相干光)而将半导体构件分离的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-126803号公报
专利文献2:日本特开2016-138182号公报
专利文献3:日本特开2013-033814号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在专利文献1所公开的方法中,存在半导体晶片产生由热历程引起的损伤等,使得成品率降低的问题。另一方面,在专利文献2、3所公开的方法中,存在如下问题:由于激光为相干光,因此照射面积窄,需要对半导体构件整体反复照射多次,因此花费时间;由于控制激光的焦点来进行扫描照射,因此工序变得复杂;以及需要高价的装置。
本发明是鉴于这样的实际情况而完成的,其目的在于提供一种能够容易地将临时固定的半导体构件从支撑构件分离的半导体装置的制造方法。另外,本发明的目的在于提供作为临时固定材有用的临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。
用于解决课题的方法
本发明的一方面提供一种半导体装置的制造方法,其具备:准备工序,准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体;以及分离工序,对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
分离工序中的非相干光的光源可以为氙气灯。分离工序中的非相干光可以为至少包含红外光的光。
分离工序可以为隔着支撑构件对临时固定材层照射非相干光的工序。
作为一个方式,临时固定材层也可以含有固化性树脂组合物的固化物,所述固化性树脂组合物包含吸收光而产生热的导电性粒子。
导电性粒子的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30~90质量份。
固化性树脂组合物可以进一步包含热塑性树脂。固化性树脂组合物也可以进一步包含聚合性单体和聚合引发剂。
作为另一个方式,临时固定材层可以具有吸收光而产生热的光吸收层、和包含固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层。
光吸收层可以是通过溅射或真空蒸镀而形成的。
在另一方面,本发明提供一种临时固定材用固化性树脂组合物,其为用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材用固化性树脂组合物,包含吸收光而产生热的导电性粒子。
导电性粒子的含量相对于临时固定材用固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30~90质量份。
临时固定材用固化性树脂组合物可以进一步包含热塑性树脂。另外,临时固定材用固化性树脂组合物也可以进一步包含聚合性单体和聚合引发剂。
本发明可以进一步涉及固化性树脂组合物作为临时固定材的应用或用于制造临时固定材的应用,所述固化性树脂组合物含有吸收光而产生热的导电性粒子。
在另一方面,本发明提供一种临时固定材用膜,其为用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材用膜,包含上述临时固定材用固化性树脂组合物。
另外,在另一方面,本发明提供一种临时固定材用层叠膜,其为用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材用层叠膜,具有吸收光而产生热的光吸收层、和包含固化性树脂成分的树脂层。
发明效果
根据本发明,可提供一种能够容易地将临时固定的半导体构件从支撑构件分离的半导体装置的制造方法。另外,根据本发明,可提供一种作为临时固定材有用的临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。一些形态中的临时固定材用固化性树脂组合物能够形成耐热性优异的临时固定材层。
附图说明
图1是用于说明本发明的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图,图1的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。
图2是表示临时固定材前体层的一个实施方式的示意截面图。
图3的(a)、(b)、(c)和(d)是表示使用图2所示的临时固定材前体层而形成的层叠体的一个实施方式的示意截面图。
图4是用于说明使用图3的(d)所示的层叠体的本发明的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图,图4的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。
图5的(a)、(b)、(c)是表示临时固定材前体层的另一个实施方式的示意截面图。
图6的(a)、(b)、(c)和(d)是表示使用图5(a)所示的临时固定材前体层而形成的层叠体的一个实施方式的示意截面图。
图7是用于说明使用图6的(d)所示的层叠体的本发明的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图,图7的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。
图8是用于说明图1的(a)所示的层叠体的制造方法的其他实施方式的示意截面图,图8的(a)、(b)和(c)是表示各工序的示意截面图。
具体实施方式
以下,一边适宜参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中,其构成要素(也包含步骤等)除了特别明示的情况以外都不是必须的。各图中的构成要素的大小是概念性的,构成要素间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。
关于本说明书中的数值及其范围也同样,并不限制本发明。在本说明书中,使用“~”来表示的数值范围表示包含“~”的前后所记载的数值分别作为最小值和最大值的范围。在本说明书中阶段性记载的数值范围中,一个数值范围所记载的上限值或下限值可替换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外,在本说明书中所记载的数值范围中,该数值范围的上限值或下限值可替换成实施例中所示的值。
在本说明书中,(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或与其对应的甲基丙烯酸。关于(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰基等其他的类似表述也同样。
[半导体装置的制造方法]
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备:准备工序,准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层(以下,有时简称为“临时固定材层”。)和半导体构件的层叠体;以及分离工序,对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
<层叠体的准备工序>
图1是用于说明本发明的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图,图1的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。如图1(a)所示,在层叠体的准备工序中,准备依次层叠有支撑构件10、临时固定材层20c或30c、和半导体构件40的层叠体100。
支撑构件10没有特别限制,例如可以为玻璃基板、树脂基板、硅晶片、金属薄膜等。支撑构件10可以为不妨碍光透过的基板,也可以为玻璃基板。
支撑构件10的厚度例如可以为0.1~2.0mm。如果厚度大于或等于0.1mm,则有操作变得容易的倾向,如果厚度小于或等于2.0mm,则有能够抑制材料费的倾向。
临时固定材层20c或30c为用于将支撑构件10和半导体构件40临时固定的层,且为在照射光时吸收光而产生热的层。成为临时固定材层20c或30c中的吸收对象的光可以为包含红外光、可见光、或紫外光中的任一者的光。临时固定材层20c或30c如后所述,可以包含吸收光而产生热的导电性粒子(以下,有时简称为“导电性粒子”。),也可以具有吸收光而产生热的光吸收层(以下,有时简称为“光吸收层”。)。由于导电性粒子和光吸收层能够效率良好地产生热,因此成为临时固定材层20c或30c中的吸收对象的光可以为至少包含红外光的光。另外,临时固定材层20c或30c可以为在照射包含红外光的光时吸收红外光而产生热的层。
图1(a)所示的层叠体100例如可以通过以下方法来制作,即:在支撑构件上形成包含固化性树脂成分的临时固定材前体层,将半导体构件配置于临时固定材前体层上,使临时固定材前体层中的固化性树脂成分固化,形成包含固化性树脂成分的固化物的临时固定材层。
(临时固定材前体层:第1实施方式)
作为一个实施方式,临时固定材前体层含有固化性树脂组合物,所述固化性树脂组合物包含吸收光而产生热的导电性粒子。图2是表示临时固定材前体层的一个实施方式的示意截面图。临时固定材前体层20如图2所示,可由导电性粒子22和固化性树脂成分24构成。即,固化性树脂组合物可以含有导电性粒子和固化性树脂成分。固化性树脂成分24可以为通过热或光而进行固化的固化性树脂成分。
导电性粒子22只要是吸收光而产生热的导电性粒子就没有特别限制,可以为吸收红外光而产生热的导电性粒子。导电性粒子22例如可以为选自由银粉、铜粉、镍粉、铝粉、铬粉、铁粉、黄铜粉、锡粉、钛合金、金粉、合金铜粉、氧化铜粉、氧化银粉、氧化锡粉和导电性碳(carbon)粉组成的组中的至少一种。从操作性和安全性的观点考虑,导电性粒子22也可以为选自由银粉、铜粉、氧化银粉、氧化铜粉和碳(carbon)粉组成的组中的至少一种。另外,导电性粒子22也可以为将树脂或金属作为核并用镍、金、银等金属对该核进行镀敷而得到的粒子。进一步,从与溶剂的分散性的观点考虑,导电性粒子22也可以为用表面处理剂对其表面进行了处理的粒子。
表面处理剂例如可以为硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂,例如可列举:3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基丙基)四硫醚、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷等。
导电性粒子22的形状没有特别限制,可以为粒状、扁平状等。导电性粒子22为碳(carbon)粉的情况下,可以为粒状、管状、线状等。
导电性粒子22的平均粒径例如可以为0.1~5.0μm。此处,平均粒径为相对于导电性粒子22整体体积的比率(体积分率)为50%时的粒径(D50)。导电性粒子22的平均粒径(D50)可以如下获得:使用激光散射型粒径测定装置(例如,Microtrac),通过激光散射法来测定使正极活性物质悬浮于水中而得到的悬浮液。
导电性粒子22的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30~90质量份。需要说明的是,固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分中不包含后述的溶剂。导电性粒子22的含量也可以大于或等于35质量份、大于或等于40质量份、或大于或等于45质量份。如果导电性粒子22的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份为大于或等于30质量份,则有能够以更低能量的非相干光的照射而从支撑构件分离的倾向。导电性粒子22的含量也可以小于或等于80质量份、小于或等于70质量份、或小于或等于60质量份。如果导电性粒子22的含量相对于临时固定材层的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份为小于或等于90质量份,则有容易确保临时固定材层的平坦性的倾向。
固化性树脂组合物也可以含有热塑性树脂、聚合性单体和聚合引发剂。
热塑性树脂可以为具有热塑性的树脂、或者为至少在未固化状态下具有热塑性且在加热后形成交联结构的树脂。作为热塑性树脂,例如可列举弹性体、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚酰亚胺、石油树脂、酚醛清漆树脂等。它们可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。它们中,从凸块埋入性和低温贴附性的观点考虑,热塑性树脂可以为弹性体。
作为弹性体的具体例,可列举:乙烯-丙烯共聚物弹性体、乙烯-1-丁烯共聚物弹性体、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物弹性体、乙烯-1-己烯共聚物弹性体、乙烯-1-辛烯共聚物弹性体、乙烯-苯乙烯共聚物弹性体、乙烯-降冰片烯共聚物弹性体、丙烯-1-丁烯共聚物弹性体、乙烯-丙烯-非共轭二烯共聚物弹性体、乙烯-1-丁烯-非共轭二烯共聚物弹性体、乙烯-丙烯-1-丁烯-非共轭二烯共聚物弹性体、聚异戊二烯、聚丁二烯、羧基末端聚丁二烯、羟基末端聚丁二烯、1,2-聚丁二烯、羧基末端1,2-聚丁二烯、羟基末端1,2-聚丁二烯、丙烯酸橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、羟基末端苯乙烯-丁二烯橡胶、丙烯腈-丁二烯橡胶、在聚合物末端含有羧基、羟基、(甲基)丙烯酰基或吗啉基的丙烯腈-丁二烯橡胶、羧基化腈橡胶、羟基末端聚(氧丙烯)、烷氧基甲硅烷基末端聚(氧丙烯)、聚(氧基四亚甲基)二醇、聚烯烃二醇、聚-ε-己内酯等。这些弹性体也可以经过氢化处理。它们中,弹性体可以为包含源自苯乙烯的单体单元的弹性体。
热塑性树脂的Tg可以为-100~500℃、-50~300℃、或-50~50℃。如果热塑性树脂的Tg小于或等于500℃,则有在形成膜状的临时固定材时,容易确保柔软性,能够提高低温贴附性的倾向。如果热塑性树脂的Tg大于或等于-100℃,则有在形成膜状的临时固定材时,能够抑制因柔软性变得过高而引起的操作性和剥离性降低的倾向。
热塑性树脂的Tg为通过差示扫描量热测定(DSC)而获得的中间点玻璃化转变温度。具体而言,热塑性树脂的Tg为在升温速度10℃/分钟、测定温度:-80~80℃的条件下测定热量变化,通过依据JIS K 7121的方法算出的中间点玻璃化转变温度。
热塑性树脂的重均分子量(Mw)可以为1万~500万或10万~200万。如果重均分子量大于或等于1万,则有容易确保所形成的临时固定材层的耐热性的倾向。如果重均分子量小于或等于500万,则有在形成膜状的临时固定材层时容易抑制流动性降低和贴附性降低的倾向。需要说明的是,重均分子量是利用凝胶渗透色谱法(GPC)并使用标准聚苯乙烯的标准曲线的聚苯乙烯换算值。
热塑性树脂的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。热塑性树脂的含量也可以大于或等于30质量份、大于或等于50质量份、或大于或等于70质量份,也可以小于或等于88质量份、小于或等于85质量份、或小于或等于82质量份。如果热塑性树脂的含量处于上述范围,则有临时固定材层的薄膜形成性和平坦性更优异的倾向。
聚合性单体只要是通过加热或紫外光等的照射进行聚合的物质就没有特别限制。从材料的选择性和获取的容易度的观点考虑,聚合性单体例如可以为具有乙烯性不饱和基等聚合性官能团的化合物。作为聚合性单体,例如可列举(甲基)丙烯酸酯、亚乙烯基卤化物(vinylidene halide)、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基吡啶、乙烯基酰胺、芳基化乙烯基等。它们中,聚合性单体可以为(甲基)丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯可以为单官能(1官能)、2官能或3官能以上中的任一种,从获得充分的固化性的观点考虑,可以为2官能以上的(甲基)丙烯酸酯。
作为单官能(甲基)丙烯酸酯,例如可列举:(甲基)丙烯酸;(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、琥珀酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯;(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸邻联苯酯、(甲基)丙烯酸1-萘酯、(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸对枯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸邻苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(邻苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯等。
作为2官能(甲基)丙烯酸酯,例如可列举:乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯;乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯等。
作为3官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯,例如可列举:三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯;苯酚酚醛清漆型环氧(甲基)丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型环氧(甲基)丙烯酸酯等芳香族环氧(甲基)丙烯酸酯等。
这些(甲基)丙烯酸酯可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。进一步,也可以将这些(甲基)丙烯酸酯与其他聚合性单体组合使用。
聚合性单体的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。聚合性单体的含量也可以大于或等于12质量份、大于或等于15质量份、或大于或等于18质量份。如果聚合性单体的含量相对于临时固定材层的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份为大于或等于10质量份,则有临时固定材层的耐热性优异的倾向。聚合性单体的含量也可以小于或等于70质量份、小于或等于50质量份、或小于或等于30质量份。如果聚合性单体的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份为小于或等于90质量份,则有能够抑制工艺中的剥离、破损等的倾向。
聚合引发剂只要通过加热或紫外光等的照射而引发聚合就没有特别限制。例如在使用具有乙烯性不饱和基的化合物作为聚合性单体的情况下,聚合性引发剂可以为热自由基聚合引发剂或光自由基聚合引发剂。
作为热自由基聚合引发剂,例如可列举:过氧化辛酰、过氧化月桂酰、硬脂基过氧化物、过氧化苯甲酰等二酰基过氧化物;过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化新戊酸叔己酯、过氧化-2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯、2,5-二甲基-2,5-双(2-乙基己酰基过氧化)己烷、过氧化-2-乙基己酸叔己酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化异丙基单碳酸叔己酯、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化月桂酸叔丁酯、过氧化异丙基单碳酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己基单碳酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔己酯、2,5-二甲基-2,5-双(苯甲酰基过氧化)己烷、过氧化乙酸叔丁酯等过氧化酯;2,2'-偶氮二异丁腈、2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮双(4-甲氧基-2'-二甲基戊腈)等偶氮化合物等。
作为光自由基聚合引发剂,例如可列举:2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯偶姻缩酮;1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羟基酮;双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等氧化膦等。
这些热和光自由基聚合引发剂可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。
聚合引发剂的含量相对于聚合性单体的总量100质量份可以为0.01~5质量份。聚合引发剂的含量也可以大于或等于0.03质量份、或大于或等于0.05质量份。如果聚合引发剂的含量相对于聚合性单体总量100质量份大于或等于0.01质量份,则有固化性提高、耐热性变得更良好的倾向。聚合引发剂的含量也可以小于或等于3质量份、小于或等于1质量份、或小于或等于0.1质量份。如果聚合引发剂的含量相对于聚合性单体总量100质量份为小于或等于5质量份,则有能够抑制工艺中的气体产生的倾向。
固化性树脂组合物根据需要也可以进一步含有热固性树脂、固化促进剂、绝缘性填料、敏化剂、抗氧化剂等。
热固性树脂只要是通过热而进行固化的树脂就没有特别限制。作为热固性树脂,例如可列举环氧树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂等。它们可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。它们中,从耐热性、作业性和可靠性更优异的方面出发,热固性树脂可以为环氧树脂。在使用环氧树脂作为热固性树脂的情况下,也可以与环氧树脂固化剂组合使用。
环氧树脂只要进行固化而具有耐热作用就没有特别限定。作为环氧树脂,例如可列举双酚A型环氧化物等2官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂等。另外,环氧树脂也可以为多官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂、或脂环式环氧树脂。
环氧树脂固化剂可以使用通常所使用的公知的固化剂。作为环氧树脂固化剂,例如可列举:胺、聚酰胺、酸酐、聚硫醚、三氟化硼、双酚A、双酚F、双酚S等在1分子中具有两个以上的酚羟基的双酚、苯酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂等酚醛树脂等。
热固性树脂和固化剂的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。如果热固性树脂和固化剂的含量为上述范围内,则有耐热性变得更良好的倾向。
作为固化促进剂,例如可列举咪唑衍生物、双氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸盐、1,8-二氮杂双环[5,4,0]十一烯-7-四苯基硼酸盐等。它们可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。
固化促进剂的含量相对于热固性树脂和固化剂的总量100质量份可以为0.01~5质量份。如果固化促进剂的含量为上述范围内,则有固化性提高、耐热性变得更良好的倾向。
绝缘性填料可以出于对树脂组合物赋予低热膨胀性、低吸湿性的目的而添加。作为绝缘性填料,例如可列举二氧化硅、氧化铝、氮化硼、二氧化钛、玻璃、陶瓷等非金属无机填料等。这些绝缘性填料可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。从与溶剂的分散性的观点考虑,绝缘性填料可以为用表面处理剂对其表面进行了处理的粒子。表面处理剂可以使用与上述硅烷偶联剂同样的物质。
绝缘性填料的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为5~20质量份。如果绝缘性填料的含量为上述范围内,则有不妨碍光透过而进一步提高耐热性的倾向。另外,有可能还有助于轻剥离性。
作为敏化剂,例如可列举蒽、菲、苯并芘、荧蒽、红荧烯、芘、呫吨酮、阴丹士林、噻吨-9-酮、2-异丙基-9H-噻吨-9-酮、4-异丙基-9H-噻吨-9-酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮等。
敏化剂的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为0.01~10质量份。如果敏化剂的含量为上述范围内,则有对固化性树脂成分的特性和薄膜性的影响少的倾向。
作为抗氧化剂,例如可列举苯醌、氢醌等醌衍生物;4-甲氧基苯酚、4-叔丁基邻苯二酚等酚衍生物;2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基、4-羟基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基等氨氧基衍生物;甲基丙烯酸四甲基哌啶酯等受阻胺衍生物等。
抗氧化剂的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为0.1~10质量份。如果抗氧化剂的含量为上述范围内,则有能够抑制固化性树脂成分的分解而防止污染的倾向。
临时固定材前体层20可以由含有导电性粒子22和固化性树脂成分24(热塑性树脂、聚合性单体、聚合引发剂等)的固化性树脂组合物形成。
固化性树脂组合物也可以以利用溶剂稀释了的固化性树脂组合物的清漆的形式使用。溶剂只要能够溶解导电性粒子22和绝缘性填料以外的成分就没有特别限制。作为溶剂,例如可列举:甲苯、二甲苯、均三甲苯、异丙苯、对异丙基甲苯等芳香族烃;己烷、庚烷等脂肪族烃;甲基环己烷等环状烷烃;四氢呋喃、1,4-二烷等环状醚;丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮;乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯等酯;碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等碳酸酯;N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等酰胺等。这些溶剂可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。它们中,从溶解性和沸点的观点考虑,溶剂可以为甲苯、二甲苯、庚烷、或环己烷。
清漆中的固体成分浓度以清漆的总质量为基准可以为10~80质量%。
固化性树脂组合物可以通过将导电性粒子22和固化性树脂成分24(热塑性树脂、聚合性单体、聚合引发剂等)混合、混炼而调制。混合和混炼可以将通常的搅拌机、研磨搅拌机、三辊研磨机、珠磨机等分散机适当组合而进行。
固化性树脂组合物可以形成为膜状。形成为膜状的固化性树脂组合物(以下,有时称为“临时固定材用膜”。)可以通过将固化性树脂组合物涂布于支撑膜上来形成。在使用利用溶剂稀释了的固化性树脂组合物的清漆的情况下,可以通过将固化性树脂组合物涂布于支撑膜上,并将溶剂进行加热干燥而除去来形成。
临时固定材用膜的厚度可以根据所期望的临时固定材层的厚度进行调整。从应力缓和的观点考虑,临时固定材用膜的厚度可以为0.1~2000μm(2mm)或10~500μm。
作为支撑膜没有特别限制,例如可列举:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯;聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃;聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚醚硫醚、聚醚砜、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、聚(甲基)丙烯酸酯、聚砜、液晶聚合物的膜等。它们也可以经过脱模处理。支撑膜的厚度例如可以为3~250μm。
作为将固化性树脂组合物涂布于支撑膜上的方法,例如可列举旋涂法、喷雾法、印刷法、膜转印法、狭缝涂布法、扫描涂布法、喷墨法等。
设置于支撑膜上的临时固定材用膜根据需要可以设置保护膜。作为保护膜,例如可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯;聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃等。保护膜的厚度例如可以为10~250μm。
临时固定材用膜例如可以通过卷绕为卷状而容易地保存。另外,也可以将卷状的临时固定材用膜切成合适的尺寸,制成片状而进行保存。
临时固定材前体层20可以通过将固化性树脂组合物直接涂布于支撑构件10上而形成。在使用利用溶剂稀释了的固化性树脂组合物的清漆的情况下,可以通过将固化性树脂组合物涂布于支撑构件10上,并将溶剂进行加热干燥而除去来形成。
将固化性树脂组合物直接涂布于支撑构件10上的方法可以与将固化性树脂组合物涂布于支撑膜上的方法同样。
临时固定材前体层20也可以通过将预先制作的临时固定材用膜层压于支撑构件10上而形成。层压可以使用辊层压机、真空层压机等,在预定条件(例如,室温(20℃)或加热状态)下进行。
从应力缓和的观点考虑,临时固定材前体层20的厚度可以为0.1~2000μm(0.0001~2mm)或10~500μm。
(临时固定材前体层:第2实施方式)
作为另一个实施方式,临时固定材前体层具有吸收光而产生热的光吸收层、和包含固化性树脂成分的树脂层。图5的(a)、(b)和(c)是表示临时固定材前体层的另一个实施方式的示意截面图。作为临时固定材前体层30,只要具有光吸收层32和树脂层34,对其构成就没有特别限制,例如可列举:从支撑构件10侧依次具有光吸收层32和树脂层34的构成(图5(a));从支撑构件10侧依次具有树脂层34和光吸收层32的构成(图5(b));依次具有光吸收层32、树脂层34和光吸收层32的构成(图5(c))等。它们中,临时固定材前体层30可以为从支撑构件10侧依次具有光吸收层32和树脂层34的构成(图5(a))。以下,主要对使用图5(a)所示的构成的临时固定材前体层30的方式进行详细说明。
光吸收层32的一个方式为包含吸收光而产生热的导电体(以下,有时简称为“导电体”。)的层(以下,有时称为“导电体层”。)。构成这样的导电体层的导电体只要是吸收光而产生热的导电体就没有特别限制,可以为吸收红外光而产生热的导电体。作为导电体,例如可列举:铬、铜、钛、银、铂、金等金属;镍-铬、不锈钢、铜-锌等合金;氧化铟锡(ITO)、氧化锌、氧化铌等金属氧化物;导电性碳等碳材料等。它们可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。它们中,导电体可以为铬、钛、铜、铝、银、金、铂、或碳。
光吸收层32也可以由多个导电体层构成。作为这样的光吸收层,例如可列举由设置于支撑构件10上的第一导电体层、以及设置于第一导电体层的与支撑构件10相反侧的面上的第二导电体层构成的光吸收层等。从与支撑构件(例如,玻璃)的密合性、成膜性、导热性、低热容量等观点考虑,第一导电体层中的导电体可以为钛。从高膨胀系数、高导热等观点考虑,第二导电体层中的导电体可以为铜、铝、银、金、或铂,它们中,优选为铜或铝。
光吸收层32可以通过真空蒸镀、溅射等物理气相生长(PVD)、电镀、化学镀、等离子体化学蒸镀等化学气相生长(CVD)将这些导电体直接形成于支撑构件10上。它们中,从能够大面积地形成导电体层的方面出发,导电体层可以使用物理气相生长来形成,也可以使用溅射或真空蒸镀来形成。
从轻剥离性的观点考虑,光吸收层32的一个方式的厚度可以为1~5000nm(0.001~5μm)或50~3000nm(0.05~3μm)。在光吸收层32由第一导电体层和第二导电体层构成的情况下,第一导电体层的厚度可以为1~1000nm、5~500nm、或10~100nm,第二导电体层的厚度可以为1~5000nm、10~500nm、或50~200nm。
光吸收层32的另一个方式为含有固化性树脂组合物的固化物的层,所述固化性树脂组合物包含吸收光而产生热的导电性粒子。固化性树脂组合物可以含有导电性粒子和固化性树脂成分。固化性树脂成分可以为通过热或光而进行固化的固化性树脂成分。导电性粒子可以与作为上述导电性粒子22所例示的粒子同样。作为固化性树脂成分没有特别限制,例如可列举在上述临时固定材前体层的第1实施方式中的固化性树脂成分中例示的物质等。
导电性粒子的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。需要说明的是,固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分中不包含后述的有机溶剂。导电性粒子的含量也可以大于或等于15质量份、大于或等于20质量份、或大于或等于25质量份。导电性粒子的含量也可以小于或等于80质量份或小于或等于50质量份。
固化性树脂组合物也可以含有热固性树脂、固化剂和固化促进剂。热固性树脂的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。固化剂和固化促进剂的含量相对于热固性树脂的总量100质量份可以为0.01~5质量份。
光吸收层32可以由包含吸收光而产生热的导电性粒子的固化性树脂组合物形成。固化性树脂组合物也可以以利用有机溶剂稀释了的固化性树脂组合物的清漆的形式使用。作为有机溶剂,例如可列举丙酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲基乙基酮(MEK)等。这些有机溶剂可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。清漆中的固体成分浓度以清漆的总质量为基准计可以为10~80质量%。
光吸收层32可以通过将固化性树脂组合物直接涂布于支撑构件10上而形成。在使用利用有机溶剂稀释了的固化性树脂组合物的清漆的情况下,可以通过将固化性树脂组合物涂布于支撑构件10上,并将溶剂进行加热干燥而除去来形成。
从轻剥离性的观点考虑,光吸收层32的另一个方式的厚度可以为1~5000nm(0.001~5μm)或50~3000nm(0.05~3μm)。
接着,在光吸收层32上形成树脂层34。
树脂层34为不含有导电性粒子的层,且为包含通过热或光而进行固化的固化性树脂成分的层。树脂层34也可以为由固化性树脂成分构成的层。作为固化性树脂成分没有特别限制,例如可列举在上述临时固定材前体层的第1实施方式中的固化性树脂成分中例示的物质等。树脂层34可以由固化性树脂成分(不包含导电性粒子的固化性树脂组合物)形成。固化性树脂成分也可以以利用溶剂稀释了的固化性树脂成分的清漆的形式使用。清漆中的固体成分浓度以清漆的总质量为基准计可以为10~80质量%。
树脂层34可以通过将固化性树脂成分直接涂布于光吸收层32上而形成。在使用利用溶剂稀释了的固化性树脂成分的清漆的情况下,可以通过将固化性树脂成分涂布于光吸收层32上,并将溶剂进行加热干燥而除去来形成。另外,树脂层34也可以通过制作由固化性树脂成分构成的固化性树脂成分膜来形成。
从应力缓和的观点考虑,树脂层34的厚度可以为0.1~2000μm(0.0001~2mm)或10~150μm。
临时固定材前体层30也可以通过预先制作具有光吸收层32和树脂层34的层叠膜(以下,有时称为“临时固定材用层叠膜”。),将其以光吸收层32与支撑构件10接触的方式进行层压来制作。
临时固定材用层叠膜中的光吸收层32和树脂层34的构成只要具有光吸收层32和树脂层34,对其构成就没有特别限制,例如可列举:具有光吸收层32和树脂层34的构成;依次具有光吸收层32、树脂层34和光吸收层32的构成等。它们中,临时固定材用层叠膜可以为具有光吸收层32和树脂层34的构成。光吸收层32也可以为由导电体构成的层(导电体层),也可以为含有导电性粒子的层。临时固定材用层叠膜可以设置于支撑膜上,也可以在与支撑膜相反侧的表面上根据需要设置保护膜。
从轻剥离性的观点考虑,临时固定材用层叠膜中的光吸收层32的厚度可以为1~5000nm(0.001~5μm)或50~3000nm(0.05~3μm)。
从应力缓和的观点考虑,临时固定材用层叠膜中的树脂层34的厚度可以为0.1~2000μm(0.0001~2mm)或10~150μm。
临时固定材用层叠膜的厚度可以根据所期望的临时固定材层的厚度进行调整。从应力缓和的观点考虑,临时固定材用层叠膜的厚度可以为0.1~2000μm(0.0001~2mm)或10~150μm。
图5(b)所示的构成的临时固定材前体层30例如可以通过在支撑构件10上形成树脂层34,接着形成光吸收层32来制作。图5(c)所示的构成的临时固定材前体层30例如可以通过在支撑构件10上交替地形成光吸收层32、树脂层34和光吸收层32来制作。这些临时固定材前体层30也可以通过预先制作上述构成的临时固定材用层叠膜,并将其层压于支撑构件10上来制作。
接着,将半导体构件配置于所制作的临时固定材前体层上,使临时固定材前体层中的固化性树脂成分固化,形成含有包含导电性粒子的固化性树脂组合物的固化物的临时固定材层、或者形成具有光吸收层和树脂固化物层的临时固定材层,该树脂固化物层包含固化性树脂成分的固化物,从而制作依次层叠有支撑构件10、临时固定材层20c或30c、和半导体构件40的层叠体(图1(a))。图3的(a)、(b)、(c)和(d)是表示使用图2所示的临时固定材前体层而形成的层叠体的一个实施方式的示意截面图。图6的(a)、(b)、(c)和(d)是表示使用图5(a)所示的临时固定材前体层而形成的层叠体的一个实施方式的示意截面图。
半导体构件40可以为半导体晶片或将半导体晶片切断成预定尺寸而单片化为芯片状的半导体芯片。在使用半导体芯片作为半导体构件40的情况下,通常使用多个半导体芯片。从半导体装置的小型化、薄型化以及抑制搬运时、加工工序等时的破裂的观点考虑,半导体构件40的厚度可以为1~1000μm、10~500μm、或20~200μm。也可以在半导体晶片或半导体芯片上具备再配线层、图案层、或具有外部连接端子的外部连接构件。
可以将设置有所制作的临时固定材前体层20或30的支撑构件10设置于真空压制机或真空层压机上,通过压制来压接半导体构件40而配置。
在使用真空压制机的情况下,例如以气压小于或等于1hPa、压接压力1MPa、压接温度120~200℃、保持时间100~300秒,将半导体构件40压接于临时固定材前体层20或30。
在使用真空层压机的情况下,例如以气压小于或等于1hPa、压接温度60~180℃或80~150℃、层压压力0.01~0.5MPa或0.1~0.5MPa、保持时间1~600秒或30~300秒,将半导体构件40压接于临时固定材前体层20或30。
在隔着临时固定材前体层20或30将半导体构件40配置于支撑构件10上后,在预定条件下使临时固定材前体层20或30中的固化性树脂成分进行热固化或光固化。热固化的条件例如可以为小于或等于300℃或100~200℃、1~180分钟或1~60分钟。如此,形成固化性树脂成分的固化物,半导体构件40隔着包含固化性树脂成分的固化物的临时固定材层20c或30c而被临时固定于支撑构件10上,从而获得层叠体200或300。临时固定材层20c如图3(a)所示,可由导电性粒子22和固化性树脂成分的固化物24c构成。临时固定材层30c如图6(a)所示,可由光吸收层32和包含固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层34c构成。
层叠体例如也可以通过在形成临时固定材层后配置半导体构件来制作。图8是用于说明图1(a)所示的层叠体的制造方法的其他实施方式的示意截面图,图8的(a)、(b)和(c)是表示各工序的示意截面图。图8的各工序使用图5(a)所示的临时固定材前体层。层叠体可以通过以下方法来制作:在支撑构件10上形成包含固化性树脂成分的临时固定材前体层30(图8(a)),使临时固定材前体层30中的固化性树脂成分固化而形成包含固化性树脂成分的固化物的临时固定材层30c(图8(b)),将半导体构件40配置于所形成的临时固定材层30c上(图8(c))。在这样的制造方法中,可以在配置半导体构件40之前,将再配线层、图案层等配线层41设置于临时固定材层30c上,因此可以通过将半导体构件40配置于配线层41上来形成具有配线层41的半导体构件40。
层叠体100中的半导体构件40(临时固定于支撑构件10上的半导体构件40)也可以经过进一步加工。通过对图3(a)所示的层叠体200中的半导体构件40进行加工,可获得层叠体210(图3(b))、220(图3(c))、230(图3(d))等。通过对图6(a)所示的层叠体300中的半导体构件40进行加工,可获得层叠体310(图6(b))、320(图6(c))、330(图6(d))等。半导体构件的加工没有特别限制,例如可列举半导体构件的薄化、贯通电极的制作、再配线层、图案层等配线层的形成、蚀刻处理、镀敷回流焊处理、溅射处理等。
半导体构件的薄化可以如下进行:利用研磨机等对半导体构件40的与接触于临时固定材层20c或30c的面相反侧的面进行磨削。经薄化的半导体构件的厚度例如可以小于或等于100μm。
磨削条件可以根据所期望的半导体构件的厚度、磨削状态等而任意地设定。
贯通电极的制作可以如下进行:在经薄化的半导体构件40的与接触于临时固定材层20c或30c的面相反侧的面进行干式离子蚀刻、波希工艺(Bosch process)等加工而形成贯通孔后,进行镀铜等处理。
如此操作来对半导体构件40实施加工,例如可将半导体构件40薄化,能够获得设有贯通电极44的层叠体210(图3(b))或层叠体310(图6(b))。
图3(b)所示的层叠体210或图6(b)所示的层叠体310也可以如图3(c)和图6(c)所示那样被密封层50所覆盖。密封层50的材质没有特别限制,但从耐热性、以及可靠性等观点考虑,可以为热固性树脂组合物。作为密封层50所用的热固性树脂,例如可列举:甲酚酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、联苯二环氧树脂、萘酚酚醛清漆环氧树脂等环氧树脂等。也可以在用于形成密封层50的组合物中添加填料和/或溴化合物等阻燃性物质等添加剂。
密封层50的供给形态没有特别限制,可以为固体材、液态材、细粒材、膜材等。
利用由密封膜形成的密封层50对加工半导体构件42进行密封时,例如使用压缩密封成形机、真空层压装置等。使用上述装置,例如在40~180℃(或60~150℃)、0.1~10MPa(或0.5~8MPa)、且0.5~10分钟的条件下,利用经热熔融的密封膜覆盖加工半导体构件42,从而能够形成密封层50。密封膜也可以以层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等剥离衬垫上的状态准备。在该情况下,将密封膜配置于加工半导体构件42上而埋入加工半导体构件42后,将剥离衬垫剥离,从而能够形成密封层50。如此,可获得图3(c)所示的层叠体220或图6(c)所示的层叠体320。
将密封膜的厚度调整为密封层50成为大于或等于加工半导体构件42的厚度。密封膜的厚度可以为50~2000μm、70~1500μm、或100~1000μm。
如图3(d)和图6(d)所示,具有密封层50的加工半导体构件42也可以通过切割来进行单片化。如此,可获得图3(d)所示的层叠体230或图6(d)所示的层叠体330。需要说明的是,利用切割而进行的单片化也可以在后述的半导体构件的分离工序后实施。
<半导体构件的分离工序>
如图1(b)所示,在半导体构件的分离工序中,对层叠体100中的临时固定材层20c或30c照射非相干光,将半导体构件40从支撑构件10分离。
图4是用于说明使用图3(d)所示的层叠体的本发明的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图,图4的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。
图7是用于说明使用图6(d)所示的层叠体的本发明的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图,图7的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。
通过对临时固定材层20c或30c照射非相干光,从而导电性粒子22或光吸收层32吸收光而瞬间产生热,在界面或整体中,可能产生:由热引起的固化性树脂成分的固化物24c或树脂固化物层34c的熔融、支撑构件10与半导体构件40(加工半导体构件42)的应力、导电性粒子22或光吸收层32的飞散等。由于产生这样的现象,因此能够容易地将临时固定的加工半导体构件42从支撑构件10分离(剥离)。需要说明的是,在分离工序中,也可以在照射非相干光的同时,在平行于支撑构件10的主面的方向上对加工半导体构件42稍微施加应力。
非相干光为具有不产生干扰条纹、可干扰性低、指向性低这样的性质的电磁波,有光路长度越长则越衰减的倾向。非相干光为不是相干光的光。激光一般为相干光,相对于此,太阳光、荧光灯的光等光为非相干光。非相干光也可以称为除激光以外的光。非相干光的照射面积远宽于相干光(即,激光),因此能够减少照射次数(例如,一次)。
分离工序中的非相干光可以为至少包含红外光的光。分离工序中的非相干光的光源没有特别限制,可以为氙气灯。氙气灯是利用封入有氙气的发光管中基于施加电压、放电产生的发光的灯。氙气灯由于一边反复进行电离和激发一边进行放电,因此稳定地具有从紫外光区域至红外光区域的连续波长。氙气灯与金属卤化物灯等灯相比,启动所需的时间短,因此能够大幅缩短工序所花的时间。另外,为了发光,需要施加高电压,因此会瞬间产生高热,但冷却时间短,能够进行连续的作业。另外,氙气灯的照射面积远宽于激光,因此能够减少照射次数(例如,一次)。
关于氙气灯的照射条件,可任意地设定施加电压、脉冲宽度、照射时间、照射距离(光源与临时固定材层的距离)、照射能量等。氙气灯的照射条件可以设定为通过一次照射即可分离的条件,也可以设定为通过两次以上的照射即可分离的条件,从减少加工半导体构件42的损伤的观点考虑,氙气灯的照射条件可以设定为通过一次照射即可分离的条件。
分离工序可以为隔着支撑构件10对临时固定材层20c或30c照射非相干光的工序(图4(a)和图7(a)的方向A)。即,对于临时固定材层20c或30c的非相干光的照射可以为从支撑构件10侧的照射。通过隔着支撑构件10对临时固定材层20c或30c照射非相干光,能够对临时固定材层20c整体或临时固定材层30c整体进行照射。
将半导体构件40或加工半导体构件42从支撑构件10分离时,在半导体构件40或加工半导体构件42上附着有临时固定材层的残留物20c'(图4(a)、(b))或30c'(图7(a)、(b))的情况下,它们可以通过溶剂来清洗。作为溶剂没有特别限制,可列举乙醇、甲醇、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、己烷等。它们可以单独使用一种或者将两种以上组合使用。另外,可以浸渍于这些溶剂中,也可以进行超声波清洗。进一步,也可以在小于或等于100℃的范围进行加热。
通过这样将半导体构件从支撑构件分离,从而可以获得具备半导体构件40或加工半导体构件42的半导体元件60(图4(b)和图7(b))。可以通过将所获得的半导体元件60连接至其他半导体元件或半导体元件搭载用基板来制造半导体装置。
[临时固定材用固化性树脂组合物]
包含上述吸收光而产生热的导电性粒子的固化性树脂组合物可以合适地用作用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材。
导电性粒子的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30~90质量份。需要说明的是,固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分中不包含溶剂。导电性粒子的含量也可以大于或等于35质量份、大于或等于40质量份、或大于或等于45质量份。导电性粒子的含量也可以小于或等于80质量份、小于或等于70质量份、或小于或等于60质量份。
固化性树脂组合物也可以进一步包含热塑性树脂。热塑性树脂的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。热塑性树脂的含量也可以大于或等于30质量份、大于或等于50质量份、或大于或等于70质量份。热塑性树脂的含量也可以小于或等于88质量份、小于或等于85质量份、或小于或等于82质量份。
固化性树脂组合物也可以进一步包含聚合性单体和聚合引发剂。聚合性单体的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为10~90质量份。聚合性单体的含量也可以大于或等于12质量份、大于或等于15质量份、或大于或等于18质量份。聚合性单体的含量也可以小于或等于70质量份、小于或等于50质量份、或小于或等于30质量份。聚合引发剂的含量相对于聚合性单体的总量100质量份也可以为0.01~5质量份。聚合引发剂的含量也可以大于或等于0.03质量份或大于或等于0.05质量份。聚合引发剂的含量也可以小于或等于3质量份、小于或等于1质量份、或小于或等于0.1质量份。
固化性树脂组合物也可以形成为膜状。
[临时固定材用膜]
包含上述临时固定材用固化性树脂组合物的膜可以合适地用作用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材。
[临时固定材用层叠膜]
具有上述光吸收层和包含固化性树脂成分的树脂层的层叠膜可以合适地用作用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材。
实施例
以下,列举实施例对本发明更具体地进行说明。但是,本发明并不限定于这些实施例。
[实施例1-1~1-4和比较例1-1]
(制造例1-1)
<临时固定材用固化性树脂组合物的调制>
将作为热塑性树脂的氢化苯乙烯-丁二烯弹性体(商品名:Dynaron 2324P,JSR株式会社,Tg:-50℃)80质量份、作为聚合性单体的1,9-壬二醇二丙烯酸酯(商品名:FA-129AS,日立化成株式会社)20质量份、以及作为聚合引发剂的过氧化酯(商品名:Perhexa25O,日油株式会社)1质量份混合。需要说明的是,氢化苯乙烯-丁二烯弹性体是利用甲苯稀释成固体成分40质量%来使用。向其中添加导电性粒子A(铜粉,商品名:1300Y,三井金属矿业株式会社,形状:粒状,平均粒径(D50):3.5μm,振实密度:5.0g/cm3)50质量份。使用自动搅拌装置,以2200转/分钟将所获得的混合物搅拌10分钟,从而获得包含甲苯作为溶剂的临时固定材用固化性树脂组合物的清漆。
<临时固定材用膜的制作>
使用精密涂敷机将所获得的临时固定材用固化性树脂组合物的清漆涂敷于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Purex A31,帝人杜邦膜株式会社,厚度:38μm)的脱模处理面上,在80℃以10分钟干燥除去溶剂,从而制作约100μm的制造例1-1的临时固定材用膜。
<层叠体(评价样品)的制作>
将上述制作的制造例1-1的临时固定材用膜以5mm×5mm切出。使用作为支撑构件的载玻片(尺寸:15mm×20mm,厚度:1mm)和作为半导体构件的硅晶片(尺寸:8mm×10mm,厚度:750μm),将制造例1-1的临时固定材用膜夹入硅晶片与载玻片之间,使用热压接机,在90℃、5秒、1MPa的条件下进行临时热压接。之后,利用防爆干燥机在150℃、1小时的条件下进行热固化而形成临时固定材层,从而制作制造例1-1的层叠体。
(制造例1-2)
将导电性粒子A变更为导电性粒子B(银粉,商品名:K0082P,Metalor公司,形状:粒状,平均粒径(D50):1.5μm,振实密度:5.0g/cm3),除此以外,与制造例1-1同样地操作,制作制造例1-2的临时固定材用膜和层叠体。
(制造例1-3)
将导电性粒子A变更为导电性粒子C(银粉,商品名:AgC-239,福田金属箔粉工业株式会社,形状:扁平状,平均粒径(D50):2.0~3.4μm,振实密度:4.2~6.1g/cm3),除此以外,与制造例1-1同样地操作,制作制造例1-3的临时固定材用膜和层叠体。
(制造例1-4)
将导电性粒子A变更为导电性粒子D(碳(carbon)粉,商品名:MA600,三菱化学株式会社制,形状:粒状),除此以外,与制造例1-1同样地操作,制作制造例1-4的临时固定材用膜和层叠体。
(制造例1-5)
除了未加入导电性粒子A以外,与制造例1-1同样地操作,制作制造例1-5的层叠体。
(实施例1-1~1-4和比较例1-1)
<剥离性试验>
作为非相干光的光源,使用氙气灯。在表1所示的照射条件下,利用氙气灯照射制造例1-1~1-5的层叠体,并评价从支撑构件的剥离性。作为氙气灯,使用Xenon公司制的S2300(波长范围:270nm~近红外区域,每单位面积的照射能量:17J/cm2),并隔着层叠体的支撑构件(载玻片)对临时固定材层进行照射。照射距离为光源与设有载玻片的载台的距离。关于剥离性试验的评价,将在利用氙气灯进行照射后硅晶片自然地从载玻片剥离的情况评价为“A”,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时,硅晶片不发生破损而能够分离的情况评价为“B”,将无法进行分离的情况评价为“C”。将结果示于表1中。
[表1]
层叠体、施加电压、脉冲宽度、照射距离、照射次数(次)、照射时间、评价、实施例、制造例、比较例
<耐热性试验>
对制造例1-1~1-5的层叠体进行加热,评价加热处理后的支撑构件与半导体构件的粘接性和从支撑构件的剥离性作为耐热性。通过将制造例1-1~1-5的层叠体在加热为260℃的加热板上放置1小时来进行加热。关于加热处理后的粘接性,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时未分离的情况评价为“A”,将分离的情况评价为“B”。加热处理后的从载玻片的剥离性与上述剥离性试验同样地进行评价。氙气灯照射是使用与上述剥离性试验同样的氙气灯,在施加电压3000V、脉冲宽度5000μs、照射距离10mm、照射次数一次、以及照射时间5000μs下进行。将结果示于表2中。
[表2]
| 层叠体 | 加热处理后的粘接性 | 加热处理后的剥离性 | |
| 实施例1-1 | 制造例1-1 | A | A |
| 实施例1-2 | 制造例1-2 | A | A |
| 实施例1-3 | 制造例1-3 | A | A |
| 实施例1-4 | 制造例1-4 | A | A |
| 比较例1-1 | 制造例1-5 | A | C |
由实施例1-1~1-4与比较例1-1的对比可知,实施例1-1~1-4与比较例1-1相比在从支撑构件的剥离性方面更优异。另外,可知本发明的临时固定用固化性树脂组合物能够形成耐热性优异的临时固定材层。
[实施例2-1、2-2和比较例2-1]
(制造例2-1)
<固化性树脂成分的调制>
将作为热塑性树脂的氢化苯乙烯-丁二烯弹性体(商品名:Dynaron 2324P,JSR株式会社)80质量份、作为聚合性单体的1,9-壬二醇二丙烯酸酯(商品名:FA-129AS,日立化成株式会社)20质量份、以及作为聚合引发剂的过氧化酯(商品名:Perhexa 25O,日油株式会社)1质量份混合。需要说明的是,氢化苯乙烯-丁二烯弹性体是利用甲苯稀释成固体成分40质量%来使用。如上操作而调制包含甲苯作为溶剂的固化性树脂成分的清漆。
<固化性树脂组合物的调制>
将环氧树脂(商品名:EPICLON EXA-4816,DIC株式会社)14质量份、固化剂(商品名:Curezol 1B2MZ,四国化成工业株式会社)1质量份、导电性粒子E(涂有银的铜粉,商品名:Ag1400YP,三井金属矿业株式会社,形状:扁平状)60质量份、和有机溶剂(乙酸乙酯)25质量份混合,调制固化性树脂组合物的清漆。
<临时固定材用层叠膜的制作>
使用精密涂敷机将所获得的固化性树脂成分的清漆涂敷于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Purex A31,帝人杜邦膜株式会社,厚度:38μm)的脱模处理面上,在80℃以10分钟干燥除去溶剂,制作约100μm的树脂层。
接着,使用精密涂敷机将固化性树脂组合物的清漆涂敷于树脂层上,在80℃以10分钟干燥除去有机溶剂,从而制作1000nm的光吸收层。由此,获得约100μm的制造例2-1的临时固定材用层叠膜。
<层叠体(评价样品)的制作>
将上述制作的制造例2-1的临时固定材用层叠膜以5mm×5mm切出。使用作为支撑构件的载玻片(尺寸:20mm×15mm,厚度:1mm)和作为半导体构件的硅晶片(尺寸:8mm×10mm,厚度:750μm),将制造例2-1的临时固定材用层叠膜以光吸收层与载玻片接触的方式夹入硅晶片与载玻片之间(图5(a)所示的构成),使用热压接机,在90℃、5秒、1MPa的条件下进行临时热压接。之后,利用防爆干燥机在150℃、1小时的条件下进行热固化,从而制作制造例2-1的层叠体。
(制造例2-2)
将光吸收层变更为由两层的导电体层(第一导电体层:钛,第二导电体层:铜)构成的层,除此以外,与制造例2-1同样地操作,获得制造例2-2的临时固定材用层叠膜和层叠体。需要说明的是,对于该光吸收层,在利用反溅射进行前处理(Ar流速:1.2×10-2Pa.m3/s(70sccm),RF电力:300W,时间:300秒)后,在表3所示的处理条件下进行RF溅射,将钛(第一导电体层)/铜(第二导电体层)的厚度设为50nm/200nm。
[表3]
| 溅射处理 | Ar流速 | 电力 |
| 处理1:第一导电体层(钛)的制作 | 1.2×10-2Pa·m3/s(70sccm) | 2000W |
| 处理2:第二导电体层(铜)的制作 | 1.2×10-2Pa·m3/s(70sccm) | 2000W |
(制造例2-3)
除了未设置光吸收层(即,设为仅树脂层)以外,与制造例2-1同样地操作,制作制造例2-3的层叠体。
(实施例2-1、2-2和比较例2-1)
<剥离性试验>
作为非相干光的光源,使用氙气灯。在表4所示的照射条件下,利用氙气灯照射制造例2-1~2-3的层叠体,并评价从支撑构件的剥离性。作为氙气灯,使用Xenon公司制的S2300(波长范围:270nm~近红外区域,每单位面积的照射能量:17J/cm2),并隔着层叠体的支撑构件(载玻片)对临时固定材层进行照射。照射距离为光源与设有载玻片的载台的距离。关于剥离性试验的评价,将在利用氙气灯进行照射后硅晶片自然地从载玻片剥离的情况评价为“A”,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时,硅晶片不发生破损而能够分离的情况评价为“B”,将无法进行分离的情况评价为“C”。将结果示于表4中。
[表4]
由实施例2-1、2-2与比较例2-1的对比可知,实施例2-1、2-2与比较例2-1相比在从支撑构件的剥离性方面更优异。
[实施例3-1~3-3和比较例3-1~3-3]
(制造例3-1)
<评价样品的制作>
将上述制作的实施例2-2的临时固定材用层叠膜以5mm×5mm切出。使用作为支撑构件的载玻片(尺寸:20mm×15mm,厚度:1mm)和作为半导体构件的硅晶片(尺寸:8mm×10mm,厚度:750μm),将实施例2-2的临时固定材用层叠膜以光吸收层与载玻片接触的方式(以成为图5(a)所示的构成的方式)夹入硅晶片与载玻片之间,使用热压接机,在90℃、5秒、1MPa的条件下进行临时热压接。之后,利用防爆干燥机在150℃、1小时的条件下进行热固化,从而制作制造例3-1的层叠体。
(制造例3-2)
将实施例2-2的临时固定材用层叠膜以光吸收层与硅晶片接触的方式(以成为图5(b)所示的构成的方式)夹入硅晶片与载玻片之间,除此以外,与制造例3-1同样地操作,制作制造例3-2的层叠体。
(制造例3-3)
在实施例2-2的临时固定材用层叠膜的未设置光吸收层的面上进一步依次层叠第二光吸收层(铜)和第一光吸收层(钛),制作临时固定材用层叠膜。需要说明的是,对于该光吸收层,与实施例2-2同样地在利用反溅射进行前处理(Ar流速:1.2×10-2Pa·m3/s(70sccm),RF电力:300W,时间:300秒)后,在表3所示的处理条件下进行RF溅射,将钛/铜的厚度设为50nm/200nm。将这样制作的临时固定材用层叠膜以成为图5(c)所示的构成的方式夹入硅晶片与载玻片之间,除此以外,与制造例3-1同样地操作,制作制造例3-3的层叠体。
(实施例3-1~3-3)
<剥离性试验>
作为非相干光的光源,使用氙气灯。在表5所示的照射条件下,利用氙气灯照射制造例3-1~3-3的层叠体,并评价从支撑构件的剥离性。作为氙气灯,使用Xenon公司制的S2300(波长范围:270nm~近红外区域,每单位面积的照射能量:17J/cm2),并隔着层叠体的支撑构件(载玻片)对临时固定材层进行照射。照射距离为光源与设有载玻片的载台的距离。关于剥离性试验的评价,将在利用氙气灯进行照射后硅晶片自然地从载玻片剥离的情况评价为“A”,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时,硅晶片不发生破损而能够分离的情况评价为“B”,将无法进行分离的情况评价为“C”。将结果示于表5中。
[表5]
(比较例3-1~3-3)
<剥离性试验>
作为相干光的光源,使用YAG激光。利用YAG激光照射制造例3-1~3-3的层叠体,并评价从支撑构件的剥离性。作为YAG激光,使用株式会社Keyence公司制的MD-H(波长:1064nm,输出功率:10W,扫描速度:1000mm/s),并隔着层叠体的支撑构件(载玻片)对临时固定材层进行照射。关于剥离性试验的评价,将在利用YAG激光进行照射后硅晶片自然地从载玻片剥离的情况评价为“A”,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时,硅晶片不发生破损而能够分离的情况评价为“B”,将无法进行分离的情况评价为“C”。将结果示于表6中。
[表6]
| 层叠体 | 评价 | |
| 比较例3-1 | 制造例3-1 | C |
| 比较例3-2 | 制造例3-2 | C |
| 比较例3-3 | 制造例3-3 | C |
由实施例3-1~3-3与比较例3-1~3-3的对比可知,使用作为非相干光的氙气灯的实施例3-1~3-3与使用作为相干光的YAG激光的比较例3-1~3-3相比在剥离性方面更优异。
[实施例4-1~4-6]
(制造例4-1~4-6)
<固化性树脂成分的调制>
将作为热塑性树脂的氢化苯乙烯系弹性体(商品名:FG1924,Clayton Polyme日本株式会社)70质量份、作为环氧树脂的二环戊二烯型环氧树脂(商品名:HP-7200H,DIC株式会社)30质量份、以及作为固化促进剂的1-氰基乙基-2-苯基咪唑(商品名:Curezol 2PZ-CN,四国化成株式会社)2质量份混合。需要说明的是,氢化苯乙烯系弹性体是利用甲苯稀释成固体成分25质量%来使用,环氧树脂是利用甲苯稀释成固体成分50质量%来使用。使用混合转子进行混合,以50转/分钟搅拌24小时,从而调制包含甲苯作为溶剂的固化性树脂成分的清漆。
<固化性树脂成分膜的制作>
使用精密涂敷机将所获得的固化性树脂成分的清漆涂敷于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Purex A31,帝人杜邦膜株式会社,厚度:38μm)的脱模处理面上,在80℃以10分钟干燥除去溶剂,制作约20μm的固化性树脂成分膜(树脂层)。
<层叠体(评价样品)的制作>
作为支撑构件,准备载玻片(尺寸:20mm×15mm,厚度:1mm),并使用金属蒸镀装置以表7所示的金属种类和厚度制作导电体层,将其作为光吸收层。需要说明的是,在光吸收层中,依次层叠有支撑构件、第一导电体层和第二导电体层。接着,将上述固化性树脂成分膜以50mm×50mm切出,并准备硅晶片(尺寸:8mm×10mm,厚度:750μm)作为半导体构件。将切出的固化性树脂成分膜以成为图5(a)所示的构成的方式夹入光吸收层与载玻片之间,使用热压接机,在90℃、5秒、1MPa的条件下进行临时热压接。之后,利用防爆干燥机在150℃、1小时的条件下进行热固化,从而制作制造例4-1~4-6的层叠体。
(实施例4-1~4-6)
<剥离性试验>
作为非相干光的光源,使用氙气灯。在表7所示的照射条件下,利用氙气灯照射制造例4-1~4-6的层叠体,并评价从支撑构件的剥离性。作为氙气灯,使用Xenon公司制的S2300(波长范围:270nm~近红外区域,每单位面积的照射能量:17J/cm2),并隔着层叠体的支撑构件(载玻片)对临时固定材层进行照射。照射距离为光源与设有载玻片的载台的距离。关于剥离性试验的评价,将在利用氙气灯进行照射后硅晶片自然地从载玻片剥离的情况评价为“A”,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时,硅晶片不发生破损而能够分离的情况评价为“B”,将无法进行分离的情况评价为“C”。将结果示于表7中。
[表7]
可知实施例4-1~4-6均在从支撑构件的剥离性方面优异。
[实施例5-1~5-7]
(制造例5-1~5-7)
<固化性树脂成分的调制>
将作为热塑性树脂的氢化苯乙烯系弹性体(商品名:FG1924,Clayton Polyme日本株式会社)70质量份、作为环氧树脂的二环戊二烯型环氧树脂(商品名:HP-7200H,DIC株式会社)30质量份、以及作为固化促进剂的1-氰基乙基-2-苯基咪唑(商品名:Curezol 2PZ-CN,四国化成株式会社)2质量份混合。需要说明的是,氢化苯乙烯系弹性体是利用甲苯稀释成固体成分25质量%来使用,环氧树脂是利用甲苯稀释成固体成分50质量%来使用。使用混合转子进行混合,以50转/分钟搅拌24小时,从而调制包含甲苯作为溶剂的固化性树脂成分的清漆。
<固化性树脂成分膜的制作>
使用精密涂敷机将所获得的固化性树脂成分的清漆涂敷于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Purex A31,帝人杜邦膜株式会社,厚度:38μm)的脱模处理面上,在80℃以10分钟干燥除去溶剂,制作约20μm的固化性树脂成分膜(树脂层)。
<层叠体(评价样品)的制作>
作为支撑构件,准备载玻片(尺寸:20mm×15mm,厚度:1mm),并通过溅射以表8所示的金属种类和厚度制作导电体层,将其作为光吸收层。需要说明的是,该光吸收层与实施例2-2同样地,在利用反溅射进行前处理(Ar流速:1.2×10-2Pa·m3/s(70sccm),RF电力:300W,时间:300秒)后,在表3所示的处理条件下进行RF溅射。在具有两层导电体层的光吸收层中,依次层叠有支撑构件、第一导电体层和第二导电体层。接着,将上述固化性树脂成分膜以50mm×50mm切出,并准备硅晶片(尺寸:8mm×10mm,厚度:750μm)作为半导体构件。将切出的固化性树脂成分膜以成为图5(a)所示的构成的方式夹入光吸收层与载玻片之间,使用热压接机,在90℃、5秒、1MPa的条件下进行临时热压接。之后,利用防爆干燥机在150℃、1小时的条件下进行热固化,从而制作实施例5-1~5-7的层叠体。
(实施例5-1~5-7)
<剥离性试验>
作为非相干光的光源,使用氙气灯。在表8所示的照射条件下,利用氙气灯照射制造例5-1~5-7的层叠体,并评价从支撑构件的剥离性。作为氙气灯,使用Xenon公司制的S2300(波长范围:270nm~近红外区域,每单位面积的照射能量:17J/cm2),并隔着层叠体的支撑构件(载玻片)对临时固定材层进行照射。照射距离为光源与设有载玻片的载台的距离。关于剥离性试验的评价,将在利用氙气灯进行照射后硅晶片自然地从载玻片剥离的情况评价为“A”,将在硅晶片与载玻片之间插入镊子时,硅晶片不发生破损而能够分离的情况评价为“B”,将无法进行分离的情况评价为“C”。将结果示于表8中。
[表8]
可知实施例5-1~5-7均在从支撑构件的剥离性方面优异。
由以上结果确认到,本发明的半导体装置的制造方法能够容易地将临时固定的半导体构件从支撑构件分离。
符号说明
10:支撑构件、20:临时固定材前体层、20c:临时固定材层、20c':临时固定材层的残留物、22:导电性粒子、24:固化性树脂成分、24c:固化性树脂成分的固化物、30:临时固定材前体层、30c:临时固定材层、30c':临时固定材层的残留物、32:光吸收层、34:树脂层、34c:树脂固化物层、40:半导体构件、41:配线层、42:加工半导体构件、44:贯通电极、50:密封层、60:半导体元件、100、200、210、220、230、300、310、320、330:层叠体。
Claims (7)
1.一种临时固定用层叠体,其具备支撑构件以及设置于所述支撑构件上的包含吸收光而产生热的导电体的导电体层,
所述支撑构件为玻璃基板。
2.根据权利要求1所述的临时固定用层叠体,所述导电体包含金属或合金。
3.根据权利要求1所述的临时固定用层叠体,所述导电体包含选自铬、钛、铜、铝、银、金和铂中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的临时固定用层叠体,所述导电体层由设置于所述支撑构件上的包含第一导电体的第一导电体层、以及设置于所述第一导电体层的与所述支撑构件相反侧的面上的包含第二导电体的第二导电体层构成。
5.根据权利要求4所述的临时固定用层叠体,所述第一导电体包含钛,
所述第二导电体包含选自铜、铝、银、金和铂中的至少一种。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的临时固定用层叠体,还具备设置于所述导电体层上的包含固化性树脂成分的树脂层。
7.一种半导体装置的制造方法,其具备:
准备临时固定用层叠体的工序,所述临时固定用层叠体具备支撑构件和临时固定材前体层,所述临时固定材前体层从所述支撑构件侧依次具有包含吸收光而产生热的导电体的导电体层以及包含固化性树脂成分的树脂层;
隔着所述临时固定用层叠体的所述临时固定材前体层将半导体构件配置于所述支撑构件上的工序;
使所述临时固定材前体层中的所述固化性树脂成分固化,制作依次层叠有所述支撑构件、临时固定材层和所述半导体构件的层叠体的工序,所述临时固定材层具有所述导电体层以及包含所述固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层;以及
对所述层叠体中的所述临时固定材层照射非相干光而将所述半导体构件从所述支撑构件分离的工序,
所述支撑构件为玻璃基板。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPPCT/JP2017/043363 | 2017-12-01 | ||
| PCT/JP2017/043363 WO2019106846A1 (ja) | 2017-12-01 | 2017-12-01 | 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム |
| CN201880077311.4A CN111418044B (zh) | 2017-12-01 | 2018-11-29 | 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜 |
| PCT/JP2018/044057 WO2019107508A1 (ja) | 2017-12-01 | 2018-11-29 | 半導体装置の製造方法、仮固定材用硬化性樹脂組成物、仮固定材用フィルム、及び仮固定材用積層フィルム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880077311.4A Division CN111418044B (zh) | 2017-12-01 | 2018-11-29 | 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117238828A true CN117238828A (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=66664642
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880077311.4A Active CN111418044B (zh) | 2017-12-01 | 2018-11-29 | 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜 |
| CN202311199289.XA Pending CN117238828A (zh) | 2017-12-01 | 2018-11-29 | 临时固定用层叠体以及半导体装置的制造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880077311.4A Active CN111418044B (zh) | 2017-12-01 | 2018-11-29 | 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11840648B2 (zh) |
| JP (2) | JP7196857B2 (zh) |
| KR (3) | KR102513065B1 (zh) |
| CN (2) | CN111418044B (zh) |
| TW (2) | TWI805655B (zh) |
| WO (2) | WO2019106846A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113840891B (zh) * | 2019-05-22 | 2023-08-29 | 株式会社力森诺科 | 半导体装置的制造方法 |
| JP7447493B2 (ja) * | 2020-01-07 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | 仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法 |
| WO2021241459A1 (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 仮固定用積層フィルム及びその製造方法、仮固定用積層体、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7622367B2 (ja) * | 2020-07-08 | 2025-01-28 | 株式会社レゾナック | ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2022071150A1 (zh) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | ||
| CN116261778A (zh) * | 2020-10-02 | 2023-06-13 | 株式会社力森诺科 | 半导体装置的制造方法、临时固定用膜材料的制造方法及临时固定用膜材料 |
| US11996384B2 (en) | 2020-12-15 | 2024-05-28 | Pulseforge, Inc. | Method and apparatus for debonding temporarily bonded wafers in wafer-level packaging applications |
| WO2022211805A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Ncc Nano, Llc | Method for attaching and detaching substrates during integrated circuit manufacturing |
| US11908708B2 (en) | 2021-06-17 | 2024-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Laser de-bonding carriers and composite carriers thereof |
| WO2023032165A1 (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025161446A (ja) * | 2024-04-12 | 2025-10-24 | 株式会社レゾナック | 半導体装置形成用積層体及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025161447A (ja) * | 2024-04-12 | 2025-10-24 | 株式会社レゾナック | 半導体装置形成用積層体及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63145077A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Ricoh Co Ltd | 熱転写マスタ−シ−トの作成方法 |
| JP4027740B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4565804B2 (ja) | 2002-06-03 | 2010-10-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| TW582099B (en) * | 2003-03-13 | 2004-04-01 | Ind Tech Res Inst | Method of adhering material layer on transparent substrate and method of forming single crystal silicon on transparent substrate |
| JP4405246B2 (ja) | 2003-11-27 | 2010-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体チップの製造方法 |
| JP4868708B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2012-02-01 | 日東電工株式会社 | レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP4736379B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2011-07-27 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート |
| JP4338650B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2009-10-07 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| KR101129762B1 (ko) * | 2006-06-23 | 2012-03-26 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP2009187810A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
| JP5324821B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-10-23 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101006526B1 (ko) * | 2008-10-22 | 2011-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 마운트 테이프, 이를 이용한 웨이퍼 가공 장치 및 방법 |
| JP4725638B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2011-07-13 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010239057A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujifilm Corp | 回路基板の作製方法 |
| US8181688B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-05-22 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus for temporary wafer bonding and debonding |
| JP5257314B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-08-07 | 大日本印刷株式会社 | 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法 |
| JP5463170B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 微細パターン製造方法、微細パターン付き基板、微細パターン付き基板を含む光源装置および画像表示装置 |
| US9064686B2 (en) * | 2010-04-15 | 2015-06-23 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers |
| JP2012064710A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2012109538A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 積層体、およびその積層体の分離方法 |
| JP5789974B2 (ja) | 2010-12-14 | 2015-10-07 | 住友ベークライト株式会社 | 仮固定剤および基材の加工方法 |
| WO2012102310A1 (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、永久マスクレジスト及び永久マスクレジストの製造方法 |
| JP5728265B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-06-03 | リンテック株式会社 | 光照射装置および光照射方法 |
| JP5861304B2 (ja) | 2011-08-01 | 2016-02-16 | Jsr株式会社 | 基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物 |
| JP6060479B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2017-01-18 | Jsr株式会社 | 基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物 |
| US20150017434A1 (en) * | 2012-01-30 | 2015-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus, hybrid laminated body, method, and materials for temporary substrate support |
| US8999817B2 (en) * | 2012-02-28 | 2015-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer |
| US8969177B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film |
| JP5909460B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-04-26 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 |
| JP6216575B2 (ja) | 2012-10-25 | 2017-10-18 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着フィルム |
| JP6059631B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-11 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
| US9543197B2 (en) * | 2012-12-19 | 2017-01-10 | Intel Corporation | Package with dielectric or anisotropic conductive (ACF) buildup layer |
| JP6157890B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-07-05 | 日東電工株式会社 | アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP6050170B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-12-21 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法 |
| CN105636991A (zh) * | 2013-09-04 | 2016-06-01 | 日立化成株式会社 | 曲面形状构件形成用感光性树脂组合物、使用其的曲面形状构件形成用感光性树脂膜和使用它们的透镜构件 |
| JP6381994B2 (ja) | 2014-06-27 | 2018-08-29 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物及び剥離方法 |
| JP2016048729A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社東芝 | 仮接着用支持基板及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6404787B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
| JP2016086158A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-19 | セントラル硝子株式会社 | ウエハ加工用積層体、ウエハ加工用仮接着材および薄型ウエハの製造方法 |
| WO2016080346A1 (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに可撓性樹脂層形成用樹脂組成物 |
| JP6325432B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-05-16 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
| JP6404723B2 (ja) | 2015-01-27 | 2018-10-17 | デンカ株式会社 | 仮固定用接着剤組成物、それを用いた部材の仮固定方法及び硬化体残渣の除去方法 |
| JP6634795B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2020-01-22 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7266961B2 (ja) * | 2015-12-31 | 2023-05-01 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光装置 |
| US10468472B2 (en) * | 2016-11-25 | 2019-11-05 | Vuereal Inc. | Integration of micro-devices into system substrate |
| US10505079B2 (en) * | 2018-05-09 | 2019-12-10 | X-Celeprint Limited | Flexible devices and methods using laser lift-off |
| CN113169058A (zh) * | 2018-11-29 | 2021-07-23 | 昭和电工材料株式会社 | 半导体装置的制造方法及临时固定材料用层叠膜 |
| DE102019201438B4 (de) * | 2019-02-05 | 2024-05-02 | Disco Corporation | Verfahren zum Herstellen eines Substrats und System zum Herstellen eines Substrats |
| CN113840891B (zh) * | 2019-05-22 | 2023-08-29 | 株式会社力森诺科 | 半导体装置的制造方法 |
| WO2021070977A1 (ko) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP6902641B1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-07-14 | 古河電気工業株式会社 | ダイシングダイアタッチフィルム、並びに、ダイシングダイアタッチフィルムを用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-12-01 WO PCT/JP2017/043363 patent/WO2019106846A1/ja not_active Ceased
-
2018
- 2018-11-29 KR KR1020207015101A patent/KR102513065B1/ko active Active
- 2018-11-29 US US16/767,908 patent/US11840648B2/en active Active
- 2018-11-29 WO PCT/JP2018/044057 patent/WO2019107508A1/ja not_active Ceased
- 2018-11-29 KR KR1020237008898A patent/KR102748415B1/ko active Active
- 2018-11-29 CN CN201880077311.4A patent/CN111418044B/zh active Active
- 2018-11-29 KR KR1020247037801A patent/KR20240166037A/ko not_active Ceased
- 2018-11-29 CN CN202311199289.XA patent/CN117238828A/zh active Pending
- 2018-11-29 JP JP2019557331A patent/JP7196857B2/ja active Active
- 2018-11-30 TW TW107143014A patent/TWI805655B/zh active
- 2018-11-30 TW TW112119223A patent/TW202335871A/zh unknown
-
2022
- 2022-12-13 JP JP2022198692A patent/JP7582288B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-18 US US18/381,288 patent/US12084599B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111418044B (zh) | 2023-08-29 |
| KR20200091864A (ko) | 2020-07-31 |
| JP7196857B2 (ja) | 2022-12-27 |
| KR102513065B1 (ko) | 2023-03-22 |
| TW202335871A (zh) | 2023-09-16 |
| US11840648B2 (en) | 2023-12-12 |
| WO2019107508A1 (ja) | 2019-06-06 |
| KR20230042758A (ko) | 2023-03-29 |
| WO2019106846A1 (ja) | 2019-06-06 |
| KR20240166037A (ko) | 2024-11-25 |
| JP7582288B2 (ja) | 2024-11-13 |
| TW201936411A (zh) | 2019-09-16 |
| TWI805655B (zh) | 2023-06-21 |
| JPWO2019107508A1 (ja) | 2021-01-07 |
| US20200399506A1 (en) | 2020-12-24 |
| CN111418044A (zh) | 2020-07-14 |
| KR102748415B1 (ko) | 2024-12-31 |
| US12084599B2 (en) | 2024-09-10 |
| US20240093059A1 (en) | 2024-03-21 |
| JP2023051946A (ja) | 2023-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7582288B2 (ja) | 仮固定用積層体及び半導体装置の製造方法 | |
| JP7414005B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム | |
| US12543538B2 (en) | Temporary fixation layered film and production method therefor, temporary fixation layered body, and semiconductor device production method | |
| JP7331351B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム | |
| JP7521426B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム | |
| JP7447493B2 (ja) | 仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルム及び半導体装置の製造方法 | |
| US12165882B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| US20250273502A1 (en) | Film for temporary fixation, layered product for temporary fixation, and method for producing semiconductor device | |
| CN113169038A (zh) | 制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层叠体 | |
| TW202216930A (zh) | 暫時固定用膜、暫時固定用積層體及半導體裝置的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |