CN116954332A - 电子芯片散热控制方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了电子芯片散热控制方法、装置、设备及存储介质，该电子芯片散热控制方法包括：当检测到电子设备工作后，获取电子芯片的第一温度，并检测电子芯片是否需要散热；若需要散热，根据第一温度确定对应的散热模式，并通过石墨烯散热器执行散热模式；经过与散热模式对应的间隔时间后，获取电子芯片的第二温度，检测散热处理是否有效；若散热处理无效，则获取电子芯片的耗能功率，检测是否需要对电子芯片的功率进行调整；若需要，根据耗能功率确定调整信息，通过调整信息对电子芯片的功率进行调整，直至电子芯片不需要进行散热。通过本申请提供的技术方案，能够在石墨烯散热器散热无效时，通过调整电子芯片的功率，使得电子芯片的温度降低。

Description

电子芯片散热控制方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别涉及一种电子芯片散热控制方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

随着信息技术的飞速发展，电子信息产品已渗透到人们的日常生活中。其中，电子芯片作为电子信息产品的核心部件，其功能日益强大，同时体积也越来越小，其在生活中应用的范围越来越广泛。但同时也带来了一个严重的问题——散热。

芯片与外部环境之间的热交换是电子芯片正常运行所必需的。当芯片工作时，内部产生的热量无法及时有效地散发到外部去，就会导致芯片内部温度升高，影响芯片性能。随着集成电路制造技术的不断发展，集成电路数量的不断增加和电路规模的不断扩大，芯片面积越来越大、引线间距越来越小、电流密度也越来越大，散热的需求也越来越高。现有技术中，通常设置有对应的散热器对电子芯片进行散热，但电子芯片的温度也会影响散热器的性能，导致无法对电子芯片进行有效散热。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子芯片散热控制方法、装置、设备及存储介质，旨在接近电子芯片影响了散热器的性能后，散热器无法对电子芯片进行有效散热的问题。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种电子芯片散热控制方法，运用于带有电子芯片的电子设备上，所述方法包括：

当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；

若检测到所述电子芯片需要散热，则根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以对所述电子芯片进行散热处理；

经过与所述散热模式对应的间隔时间后，获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测所述散热处理是否有效；

若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整；

若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

进一步地，所述获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热，包括：

通过靠近所述电子芯片的温度传感器获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度；

将所述第一温度与散热处理温度阈值进行匹配，得到匹配结果；

若所述匹配结果表征所述第一温度大于或等于所述散热处理温度阈值，确定所述电子芯片需要散热。

进一步地，所述获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，包括：

通过红外热像仪获取所述电子芯片所处区域的第一红外温度，以及所述电子芯片的周围区域的第二红外温度；

获取所述电子设备的导热率，根据所述第一红外温度、所述第二红外温度和所述导热率计算所述电子芯片在当前时刻的第一温度。

进一步地，所述根据所述第一温度确定对应的散热模式，包括：

将所述第一温度分别与第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值进行匹配；其中，所述第一温度阈值、所述第二温度阈值和所述第三温度阈值依次增大；

若所述第一温度大于或等于第一温度阈值，所述第一温度小于第二温度阈值，确定所述散热模式为第一散热模式；其中，所述第一散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第一散热效率和第一散热通道数；

若所述第一温度大于或等于第二温度阈值，所述第一温度小于第三温度阈值，确定所述散热模式为第二散热模式；其中，所述第二散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第二散热效率和第二散热通道数；

若所述第一温度大于或等于第三温度阈值，确定所述散热模式为第三散热模式；其中，所述第三散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第三散热效率和第三散热通道数。

进一步地，所述获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整，包括：

通过电压传感器获取所述电子芯片的当前电压，以及通过电流传感器获取所述电子芯片的当前电流；

根据所述当前电压和所述当前电流计算所述电子芯片的耗能功率；

获取所述电子芯片的散热设计功耗，根据所述耗能功率和所述散热设计功耗检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整。

进一步地，所述获取所述电子芯片的耗能功率，包括：

若基于红外热像仪获取所述电子芯片的第一温度，通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第一表面温度和所述石墨烯散热器的温度；

计算所述第一表面温度与所述石墨烯散热器的温度的第一温度差值；

通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第二表面温度，并计算所述第二表面温度与所述第一表面温度的第二温度差值；

通过所述第一温度差值和所述第二温度差值计算所述电子芯片的耗能功率。

进一步地，所述根据所述耗能功率确定对应的调整信息，包括：

获取预设的第一调整阈值和第二调整阈值，以及所述电子芯片的散热设计功耗；其中，所述第一调整阈值小于所述第二调整阈值；

根据所述第一调整阈值和所述散热设计功耗计算第一功耗阈值，并根据所述第二调整阈值和所述散热设计功耗计算第二功耗阈值；

计算所述耗能功率与所述散热设计功耗的差值；

若所述差值大于或等于所述第一功耗阈值，且所述差值小于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为通过电压调节器降低所述电子芯片的输出电压；

若所述差值大于或等于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为锁定用户对所述电子设备的控制路径，结束所述电子设备的进程，降低所述电子芯片的电压和频率。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种电子芯片散热控制装置，运用于带有电子芯片的电子设备上，包括：

第一检测模块，配置为当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；

确定模块，配置为若检测到所述电子芯片需要散热，则根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以对所述电子芯片进行散热处理；

第二检测模块，配置为经过与所述散热模式对应的间隔时间后，获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测所述散热处理是否有效；

第三检测模块，配置为若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整；

调整模块，配置为若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种电子设备，包括：电子芯片；一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如前所述的电子芯片散热控制方法。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可读指令，当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时，使计算机执行如上所述的电子芯片散热控制方法。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各种可选实施例中提供的电子芯片散热控制方法。

在本申请的实施例所提供的技术方案中，当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；在检测到电子芯片需要散热后，根据第一温度确定出对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行散热模式，以实现对电子芯片进行散热处理；散热模式具有对应的间隔时间，在散热处理经过与所述散热模式对应的间隔时间后，再次获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测散热处理是否有效；在散热处理有效时，获取到的第二温度应降低。若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，电子芯片的耗能功率过高时，会影响石墨烯散热器无法进行有效散热。根据耗能功率检测到需要对电子芯片的功率进行调整时，根据耗能功率确定对应的调整信息，不同的耗能功率可对应有不同的调整信息，并通过确定出的调整信息对电子芯片的功率进行调整，能够更加准确的对电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术者来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为本申请涉及的一种电子芯片散热控制系统的框图；

图2为本申请涉及的一种电子芯片散热控制方法的流程图；

图3为本申请涉及的一个实施例中的步骤S210的流程图；

图4为本申请涉及的一个实施例中的步骤S210的流程图；

图5为本申请涉及的一个实施例中的步骤S220的流程图；

图6为本申请涉及的一个实施例中的步骤S240的流程图；

图7为本申请涉及的一个实施例中的步骤S240的流程图；

图8为本申请涉及的一个实施例中的步骤S250的流程图；

图9是本申请涉及的一种电子芯片散热控制装置的框图；

图10示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

这里将详细地对示例性实施例执行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。

还需要说明的是：在本申请中提及的“多个”是指两个或者两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的电子芯片散热控制系统，该系统包括温度监测模块110、散热异常检测模块120、芯片功率检测模块130、异常调整模块140、调整展示模块150，各个模块的相关介绍如下：

温度监测模块110能够通过内部或外部设置的装置对电子芯片的温度进行检测，以判断电子芯片是否需要进行散热，若需要进行散热则启动石墨烯散热器进行散热处理。

具体的，电子设备进入工作模式后，电子芯片散热控制系统启动，创建线程，温度监测模块110中设置有两种监测模式，一种是基于温度传感器的第一监测模式，另一种是基于红外热像仪的第二监测模式。

在第一监测模式中，在靠近电子芯片处设置有温度传感器。电子芯片散热控制系统在接收到电子设备进入工作模式的反馈信息后，立即传输控制指令给温度传感器，以启动温度传感器。温度传感器启动后，向电子芯片散热控制系统发送请求获取当前预警的温度阈值，即第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值，第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值依次增大。将第一温度阈值作为散热处理温度阈值，并设定为C1。温度传感器截取当前时刻电子芯片的温度值作为第一温度，设定为C2，将C1的数值减去C2的数值进行保存并反馈给电子芯片散热控制系统。电子芯片散热控制系统接收到反馈的数据后，判断当前的电子设备的温度是否到达第一阈值，即检测反馈的数据是否大于0，若反馈的数据大于0，则表明第一温度未达到散热处理温度阈值，则电子芯片散热控制系统继续监测电子芯片的温度变化，重新截取电子芯片的温度值作为第一温度，直至第一温度达到散热处理温度阈值后再启动石墨烯散热器进行散热处理；若反馈的数据小于或等于0，则表明第一温度达到散热处理温度阈值，启动石墨烯散热器进行散热处理。

在另一实施例中，温度传感器可直接将第一温度传输为电子芯片散热控制系统，电子芯片散热控制系统直接将第一温度与散热处理温度阈值进行比较，在第一温度大于或等于散热处理温度阈值时，表明电子芯片需要进行散热处理，在第一温度小于散热处理温度阈值时，表明电子芯片无需进行散热处理。

在第二监测模式中，在电子设备外部设置有红外热像仪。电子芯片散热控制系统接收到电子设备进入工作模式的反馈信息，电子芯片散热控制系统与红外热像仪建立连接，并启动无线网模块连接红外热像仪。红外热像仪获取电子芯片所处区域的第一红外温度，并将其设定为T-shell，完成后再获取电子芯片的周围区域的第二红外温度，并设定为T-ambient，再向电子芯片散热控制系统发送请求获取当前电子设备的导热率，并设定为e。红外热像仪计算T-ambient与T-shell差值，并将保存为T1，将T1除以e并加上T-shell的数值，得到电子芯片的第一温度，并保存为T-chips。红外热像仪将T-chips的数据传输到电子芯片散热控制系统，电子芯片散热控制系统根据T-chips与设定的散热处理温度阈值进行比较，判断当前电子芯片是否需要进行散热处理。具体可通过下列公式计算第一温度Tc：

公式：Tchips＝Tshell+(Tambient-Tshell)/e。

在上述两种监测模式中，在确定出电子芯片的第一温度未到达散热处理温度阈值时，启动石墨烯散热器对电子芯片进行导热处理。

在确定出电子芯片需要进行散热处理后，散热异常检测模块120能够根据不同温度阈值温度对电子芯片进行散热处理。散热处理到达一定时间后获取电子芯片的第二温度，以次查看散热处理是否有效。

散热异常检测模块120中设置有散热低异常模式、散热高异常模式和散热紧急异常模式。各个模式的相关介绍如下：

电子芯片散热控制系统确定电子芯片需要进行散热处理后，将第一温度分别与第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值进行匹配。

若第一温度大于或等于第一温度阈值，所述第一温度小于第二温度阈值，确定所述散热模式为第一散热模式。在第一散热模式中中对应有针对石墨烯散热器的第一散热效率和第一散热通道数,第一散热效率可设置为50％，第一散热通道数可设置为石墨烯散热器的散热通道的50％，即，当石墨烯散热器具有10根散热通道时，在指定第一散热模式时，石墨烯散热器50％的散热效率进行散热，同时启动5根的散热通道进行散热。

若第一温度大于或等于第二温度阈值，第一温度小于第三温度阈值，确定所述散热模式为第二散热模式。在第二散热模式中中对应有针对石墨烯散热器的第二散热效率和第二散热通道数,第二散热效率可设置为80％，第二散热通道数可设置为石墨烯散热器的散热通道的80％，即，当石墨烯散热器具有10根散热通道时，在指定第二散热模式时，石墨烯散热器80％的散热效率进行散热，同时启动8根的散热通道进行散热。

若第一温度大于或等于第三温度阈值，确定所述散热模式为第三散热模式。在第三散热模式中中对应有针对石墨烯散热器的第三散热效率和第三散热通道数,第三散热效率可设置为100％，第三散热通道数可设置为石墨烯散热器的散热通道的100％，即，当石墨烯散热器具有10根散热通道时，在指定第二散热模式时，石墨烯散热器100％的散热效率进行散热，同时启动10根的散热通道进行散热。

在确定出散热模式为第一散热模式后，第一散热模式具有对应的间隔时间，如60秒。在石墨烯散热器执行第一散热模式60秒后，通过前述的温度传感器或红外热像仪获取电子设备的第二温度C3。将C3的数值减去C2的数值，得到计算结果，当计算结果大于0时，表明经过60秒的散热处理后，电子芯片的温度在升高，则表明散热处理无效，确定为散热低异常模式。控制石墨烯散热器执行第二散热模式或第三散热模式，再经过60秒后获取电子芯片的第三温度，将第三温度与第二温度进行比较，确定是否降低温度。若没有则启动芯片功率检测模块130。

在确定出散热模式为第二散热模式后，第二散热模式具有对应的间隔时间，如30秒。在石墨烯散热器执行第二散热模式30秒后，通过前述的温度传感器或红外热像仪获取电子设备的第二温度C3。将C3的数值减去C2的数值，得到计算结果，当计算结果大于0时，表明经过30秒的散热处理后，电子芯片的温度在升高，则表明散热处理无效，确定为散热高异常模式，电子芯片散热控制系统启动芯片功率检测模块130。

在确定出散热模式为第三散热模式后，第三散热模式具有对应的间隔时间，如30秒。在石墨烯散热器执行第三散热模式30秒后，通过前述的温度传感器或红外热像仪获取电子设备的第二温度C3。将C3的数值减去C2的数值，得到计算结果，当计算结果大于0时，表明经过30秒的散热处理后，电子芯片的温度在升高，则表明散热处理无效，同时，电子芯片的温度处于较高的数值，确定为散热紧急异常模式，电子芯片散热控制系统启动芯片功率检测模块130。

电子芯片散热控制系统判断未能进行有效散热后，启动芯片功率检测模块130。芯片功率检测模块130启动电压传感器获取当前电子芯片的当前电压，并进行保存，当前电压设定为U。完成后再传输控制指令启动电流传感器截取电子芯片的当前电流，并进行保存，当前电流设定为I。电子芯片散热控制系统将U的数值乘以I的数值得到电子芯片的耗能功率，并进行保存。

在通过外部设置的红外热像仪获取电子芯片的温度值时，可通过红外热像仪推算出电子芯片的耗能功率。电子芯片散热控制系统检测到未能进行有效散热时，会向红外热像仪发送指令进行温度检测。红外热像仪获取电子芯片表面的第一表面温度和石墨烯散热器的温度。将第一表面温度减去石墨烯散热器的温度，得到第一温度差值。红外热像仪再次截取电子芯片表面的第二表面温度。第二表面温度减去第一表面温度，得到第二温度差值。获取石墨烯散热器的热导率，电子芯片表面或石墨烯散热器进行有效热交换的面积，石墨烯散热器与环境之间的热阻，通过热导率*有效热交换面积*第一温度差值/石墨烯散热器与环境之间的热阻计算得到第一功率，再通过热导率*有效热交换面积*第二温度差值/石墨烯散热器与环境之间的热阻计算得到第二功率，再根据第一功率和第二功率估算得到电子芯片的耗能功率，红外热像仪将计算得到的耗能功率传输到电子芯片散热控制系统。

电子芯片散热控制系统在接收到耗能功率后，获取电子芯片的散热设计功耗(Thermal Design Power，TDP)，并进行保存，设定为Td，计算耗能功率的数值与Td的差值，并进行保存,并设定为R。电子芯片散热控制系统读取R的数值判断是否需要对电子芯片的功率进行调整。具体的，当R大于或等于0时，表明需要对电子芯片的功率进行调整；当R小于0时，则表明不需要对电子芯片的功率进行调整。

具体的，设定有第一调整阈值和第二调整阈值，第一调整阈值小于第二调整阈值，如第一调整阈值可设置为1％，第二调整阈值可设置为5％。将散热设计功耗乘以第一调整阈值，得到第一功耗阈值，再将第二调整阈值乘以散热设计功耗，得到第二功耗阈值。将差值R与第一功耗阈值和第二功耗阈值进行比较，若差值R大于或等于第一功耗阈值，且小于第二功耗阈值，启动异常调整模块140，并基于异常调整模块140中的第一调整模式对电子芯片的功率进行调整；若差值R大于或等于第二功耗阈值，启动异常调整模块140，并基于异常调整模块140中的第二调整模式对电子芯片的功率进行调整。

在确定出需要对电子芯片的功率进行调整时，表明电子芯片耗能功率大于或等于散热设计功耗，影响了石墨烯散热器进行散热，启动异常调整模块140，异常调整模块140中包括第一调整模式和第二调整模式。

第一调整模式中，电子芯片散热控制系统通过传输指令到电子设备内部的电压调节器进行操作。电压调节器接收到指令后，启动可控电阻控制电子芯片的输出电压，逐步降低电子芯片的输出电压，以降低电子芯片的功耗和减少电子芯片的功率。当电子芯片的输出电压降低到合适的电压阈值，如35W以下时，电子芯片散热控制系统停止传输降低输出电压的控制指令。在降低输出电压的过程中，如果电子芯片的电压过低可能会导致不稳定或故障，因此在出现电压过低现象时，电子芯片散热控制系统会停止降低电压，并开启第二调整模式。第二调整模式执行完成后，系统会再次获取当前电子芯片的温度进行匹配。只有当前温度回到正常位置且不再升高时，才判断调整完成。例如，如果电子芯片的温度降低到第一温度阈值，则将石墨烯散热器调整为第一散热模式。

当电子芯片的温度大于等于第三温度阈值，或差值R大于或等于第二功耗阈值时，采用第二调整模式进行调整。在第二调整模式中，电子芯片散热控制系统会传输控制指令，控制扬声器通知用户结束任务进程和服务或关闭电子设备以降低电子芯片运行功率。如果在60秒内用户未进行降低功率的操作或未做出反馈，电子芯片散热控制系统会锁定用户对所述电子设备的控制路径，具体的，可通过控制屏幕保护程序锁定屏幕，禁止用户操作。完成后，系统会传输指令到电子设备内部的电压调节器。电压调节器接收到指令后，进行操作。电压调节器采用线性调节的方式，通过控制输入电压的电阻进行分压，快速降低电子芯片的输出电压，结束所有程序进程并降低电子芯片的频率。第二调整模式执行1分钟后，电子芯片散热控制系统再次获取电子芯片的温度与第一温度阈值进行匹配。当电子芯片的温度低于第一温度阈值且不再升高时，系统才判断调整完成。例如，如果电子芯片的温度降低到第一温度阈值，则将石墨烯散热器调整为第二散热模式。同时，电子芯片散热控制系统关闭屏幕保护程序并恢复设备控制器。如果强行控制无效，则系统会切断电子设备电源，强行降低电子设备的温度。

在完成调整后，启动调整展示模块150，调整展示模块150将调整所采用的模式，以及相关信息和数据展示在显示屏上，并将相应数据保存到存储器中，以备后续参考。

图2是根据一示例性实施例示出的一种电子芯片散热控制方法的流程图。该方法可以应用于图1所示的系统中，并由图1所示的电子芯片散热控制系统具体执行。

如图2所示，在一示例性实施例中，该电子芯片散热控制方法运用于带有电子芯片的电子设备上，该电子芯片散热控制方法可以包括步骤S210至步骤S250，详细介绍如下：

步骤S210，当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热。

本申请实施例中，当检测到电子设备工作后，获取电子芯片在当前时刻的第一温度，电子芯片在运行过程中，会相应的产生热量，是的电子芯片的温度升高，而电子芯片的温度过高，会对其性能造成影响，因此，当电子芯片的温度到到达一定程度后，会对其进行散热处理。基于获取到的第一温度检测电子芯片是否需要进行散热处理。

步骤S220，若检测到所述电子芯片需要散热，则根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以对所述电子芯片进行散热处理。

本申请实施例中，若检测到所述电子芯片需要散热，预先设置有多种散热模式，如第一散热模式、第二散热模式和第三散热模式。根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以实现对电子芯片进行散热处理。

步骤S230，经过与所述散热模式对应的间隔时间后，获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测所述散热处理是否有效。

本申请实施例中，每个散热模式具有对应的间隔时间，每个散热模式所对应的间隔时间可以相同，也可以不同，本申请对比不进行限制。执行对应的散热模式达到间隔时间后，获取电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于第二温度检测散热处理是否有效，经过一段时间的散热处理后，电子芯片的温度理应下降，若没有下降，则表征散热处理没有产生效用；若电子芯片的温度下降，则表征散热处理产生效用，此时可结束后续的控制流程。

步骤S240，若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整。

本申请实施例中，若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，并根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整，电子芯片的耗能功率过大时，会导致石墨烯散热器无法实现有效散热。

步骤S250，若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

本申请实施例中，若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，以使得电子芯片的温度降低，直至所述电子芯片不需要进行散热。

本申请实施例中，当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；在检测到电子芯片需要散热后，根据第一温度确定出对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行散热模式，以实现对电子芯片进行散热处理；散热模式具有对应的间隔时间，在散热处理经过与所述散热模式对应的间隔时间后，再次获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测散热处理是否有效；在散热处理有效时，获取到的第二温度应降低。若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，电子芯片的耗能功率过高时，会影响石墨烯散热器无法进行有效散热。根据耗能功率检测到需要对电子芯片的功率进行调整时，根据耗能功率确定对应的调整信息，不同的耗能功率可对应有不同的调整信息，并通过确定出的调整信息对电子芯片的功率进行调整，能够更加准确的对电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图3，在步骤S210所述获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热，包括步骤S310至步骤S330，详细介绍如下：

步骤S310，通过靠近所述电子芯片的温度传感器获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度。

本申请实施例中，在靠近电子芯片的位置设置有温度传感器，通过温度传感器获取电子芯片在当前时刻的第一温度。

步骤S320，将所述第一温度与散热处理温度阈值进行匹配，得到匹配结果。

本申请实施例中，预先设置有散热处理温度阈值，散热处理温度阈值为需要进行散热处理的临界值。将第一温度与散热处理温度阈值进行匹配，得到匹配结果。

步骤S330，若所述匹配结果表征所述第一温度大于或等于所述散热处理温度阈值，确定所述电子芯片需要散热。

本申请实施例中，若所述匹配结果表征所述第一温度大于或等于所述散热处理温度阈值，则确定电子芯片需要进行散热处理，若匹配结果表征第一温度小于散热处理温度阈值，则重新获取电子芯片在当前时刻的温度值作为第一温度，重新将新的第一温度与散热处理温度阈值进行匹配。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图4，在步骤S210所述获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，包括步骤S410和步骤S420，详细介绍如下：

步骤S410，通过红外热像仪获取所述电子芯片所处区域的第一红外温度，以及所述电子芯片的周围区域的第二红外温度。

本申请实施例中，在电子设备的外部设置有红外热像仪，通过红外热像仪获取电子芯片所处区域的第一红外温度，以及电子芯片的周围区域的第二红外温度。

步骤S420，获取所述电子设备的导热率，根据所述第一红外温度、所述第二红外温度和所述导热率计算所述电子芯片在当前时刻的第一温度。

本申请实施例中，获取电子设备的导热率，计算第二红外温度与第一红外温度的差值，并再将差值除以导热率的结果加上第一红外温度，得到电子芯片的第一温度。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图5，在步骤S220所述根据所述第一温度确定对应的散热模式，包括步骤S510至步骤S540，详细介绍如下：

步骤S510，将所述第一温度分别与第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值进行匹配；其中，所述第一温度阈值、所述第二温度阈值和所述第三温度阈值依次增大。

本申请实施例中，预先设置有第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值，将第一温度阈值作为散热处理温度阈值。将第一温度分别与第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值进行匹配。

步骤S520，若所述第一温度大于或等于第一温度阈值，所述第一温度小于第二温度阈值，确定所述散热模式为第一散热模式；其中，所述第一散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第一散热效率和第一散热通道数。

本申请实施例中，若第一温度大于或等于第一温度阈值，且第一温度小于第二温度阈值，确定散热模式为第一散热模式；在第一散热模式中设置有针对石墨烯散热器的第一散热效率和第一散热通道数。

步骤S530，若所述第一温度大于或等于第二温度阈值，所述第一温度小于第三温度阈值，确定所述散热模式为第二散热模式；其中，所述第二散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第二散热效率和第二散热通道数。

本申请实施例中，若第一温度大于或等于第二温度阈值，且第一温度小于第三温度阈值，确定散热模式为第二散热模式；在第二散热模式中设置有针对石墨烯散热器的第二散热效率和第二散热通道数。

步骤S540，若所述第一温度大于或等于第三温度阈值，确定所述散热模式为第三散热模式；其中，所述第三散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第三散热效率和第三散热通道数。

本申请实施例中，若第一温度大于或等于第三温度阈值，确定散热模式为第三散热模式；在第三散热模式中设置有针对石墨烯散热器的第三散热效率和第三散热通道数。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图6，在步骤S240所述获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整，包括步骤S610至步骤S630，详细介绍如下：

步骤S610，通过电压传感器获取所述电子芯片的当前电压，以及通过电流传感器获取所述电子芯片的当前电流。

本申请实施例中，在电子设备中设置有电压传感器和电流传感器，通过电压传感器获取电子芯片的当前电压，通过电流传感器获取电子芯片的当前电流。

步骤S620，根据所述当前电压和所述当前电流计算所述电子芯片的耗能功率。

本申请实施例中，将当前电压与当前电流进行乘积运算，得到电子芯片的耗能功率。

步骤S630，获取所述电子芯片的散热设计功耗，根据所述耗能功率和所述散热设计功耗检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整。

本申请实施例中，电子芯片设置有散热设计功耗，散热设计功耗表征电子芯片在在满负荷的状态下，可能会达到的最高散热热量。根据耗能功率和散热设计功耗检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整。在耗能功率大于或等于散热设计功耗时，则可确定需要对电子芯片的功率进行调整。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图7，在步骤S240所述获取所述电子芯片的耗能功率，包括步骤S710至步骤S740，详细介绍如下：

步骤S710，若基于红外热像仪获取所述电子芯片的第一温度，通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第一表面温度和所述石墨烯散热器的温度。

本申请实施例中，若是基于红外热像仪获取的电子芯片的第一温度，可通过红外热像仪去得到电子芯片的耗能功率，具体的，通过红外热像仪获取电子芯片的第一表面温度和石墨烯散热器的温度。

步骤S720，计算所述第一表面温度与所述石墨烯散热器的温度的第一温度差值。

本申请实施例中，将第一表面温度减去石墨烯散热器的温度，得到第一温度差值。

步骤S730，通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第二表面温度，并计算所述第二表面温度与所述第一表面温度的第二温度差值。

本申请实施例中，再通过红外热像仪获取电子芯片的第二表面温度，再用第二表面温度减去第一表面温度，得到第二温度差值。

步骤S740，通过所述第一温度差值和所述第二温度差值计算所述电子芯片的耗能功率。

本申请实施例中，根据第二温度差值和第一温度差值进行如前述的估算电子芯片的耗能功率的处理，得到电子芯片的耗能功率。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图8，在步骤S250所述根据所述耗能功率确定对应的调整信息，包括步骤S810至步骤S850，详细介绍如下：

步骤S810，获取预设的第一调整阈值和第二调整阈值，以及所述电子芯片的散热设计功耗；其中，所述第一调整阈值小于所述第二调整阈值。

本申请实施例中，预先设置有第一调整阈值和第二调整阈值，第一调整阈值和第二调整阈值的具体数值可基于需要自行进行设置，本申请对比不进行限制。

步骤S820，根据所述第一调整阈值和所述散热设计功耗计算第一功耗阈值，并根据所述第二调整阈值和所述散热设计功耗计算第二功耗阈值。

本申请实施例中，将第一调整阈值与散热设计功耗进行乘积运算，得到第一功耗阈值，将第二调整阈值与散热设计功耗进行乘积运算，得到第二功耗阈值。

步骤S830，计算所述耗能功率与所述散热设计功耗的差值。

本申请实施例中，将耗能功率减去散热设计功耗，得到两者的差值。

步骤S840，若所述差值大于或等于所述第一功耗阈值，且所述差值小于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为通过电压调节器降低所述电子芯片的输出电压。

本申请实施例中，若差值大于或等于第一功耗阈值，且差值小于第二功耗阈值，则确定所述调整信息为通过电压调节器降低电子芯片的输出电压。具体的，电压调节器通过可控电阻控制电子芯片的输出电压，逐步降低电子芯片的输出电压。

步骤S850，若所述差值大于或等于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为锁定用户对所述电子设备的控制路径，结束所述电子设备的进程，降低所述电子芯片的电压和频率。

本申请实施例中，若差值大于或等于第二功耗阈值，则确定所述调整信息为锁定用户对所述电子设备的控制路径，结束电子设备的进程，降低电子芯片的电压和频率。具体的，在本申请的另一实施例中，在对用户对电子设备的控制路径进行锁定时，可通过弹幕、扬声器等方式通知用户即将对控制路径进行锁定，如果在60秒内，用户未进行降低功率的操作或未做出反馈，则直接执行上述调整信息。

在本申请的一个示例性实施例中，请参阅图9，图9是根据一示例性实施例示出的一种电子芯片散热控制装置，包括：

第一检测模块910，配置为当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；

确定模块920，配置为若检测到所述电子芯片需要散热，则根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以对所述电子芯片进行散热处理；

第二检测模块930，配置为经过与所述散热模式对应的间隔时间后，获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测所述散热处理是否有效；

第三检测模块940，配置为若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整；

调整模块950，配置为若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

在本申请的一个示例性实施例中，第一检测模块910，包括：

第一获取子模块，配置为通过靠近所述电子芯片的温度传感器获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度；

第一匹配子模块，配置为将所述第一温度与散热处理温度阈值进行匹配，得到匹配结果；

第一确定子模块，配置为若所述匹配结果表征所述第一温度大于或等于所述散热处理温度阈值，确定所述电子芯片需要散热。

在本申请的一个示例性实施例中，第一检测模块910，包括：

第二获取子模块，配置为通过红外热像仪获取所述电子芯片所处区域的第一红外温度，以及所述电子芯片的周围区域的第二红外温度；

第一计算子模块，配置为获取所述电子设备的导热率，根据所述第一红外温度、所述第二红外温度和所述导热率计算所述电子芯片在当前时刻的第一温度。

在本申请的一个示例性实施例中，确定模块920，包括：

第二匹配子模块，配置为将所述第一温度分别与第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值进行匹配；其中，所述第一温度阈值、所述第二温度阈值和所述第三温度阈值依次增大；

第二确定子模块，配置为若所述第一温度大于或等于第一温度阈值，所述第一温度小于第二温度阈值，确定所述散热模式为第一散热模式；其中，所述第一散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第一散热效率和第一散热通道数；

第三确定子模块，配置为若所述第一温度大于或等于第二温度阈值，所述第一温度小于第三温度阈值，确定所述散热模式为第二散热模式；其中，所述第二散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第二散热效率和第二散热通道数；

第四确定子模块，配置为若所述第一温度大于或等于第三温度阈值，确定所述散热模式为第三散热模式；其中，所述第三散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第三散热效率和第三散热通道数。

在本申请的一个示例性实施例中，第三检测模块940，包括：

第三获取子模块，配置为通过电压传感器获取所述电子芯片的当前电压，以及通过电流传感器获取所述电子芯片的当前电流；

第二计算子模块，配置为根据所述当前电压和所述当前电流计算所述电子芯片的耗能功率；

第一检测子模块，配置为获取所述电子芯片的散热设计功耗，根据所述耗能功率和所述散热设计功耗检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整。

在本申请的一个示例性实施例中，第三检测模块940，包括：

第四获取子模块，配置为若基于红外热像仪获取所述电子芯片的第一温度，通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第一表面温度和所述石墨烯散热器的温度；

第三计算子模块，配置为计算所述第一表面温度与所述石墨烯散热器的温度的第一温度差值；

第四计算子模块，配置为通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第二表面温度，并计算所述第二表面温度与所述第一表面温度的第二温度差值；

第五计算子模块，配置为通过所述第一温度差值和所述第二温度差值计算所述电子芯片的耗能功率。

在本申请的一个示例性实施例中，调整模块950，包括：

第五获取子模块，配置为获取预设的第一调整阈值和第二调整阈值，以及所述电子芯片的散热设计功耗；其中，所述第一调整阈值小于所述第二调整阈值；

第六计算子模块，配置为根据所述第一调整阈值和所述散热设计功耗计算第一功耗阈值，并根据所述第二调整阈值和所述散热设计功耗计算第二功耗阈值；

第七计算子模块，配置为计算所述耗能功率与所述散热设计功耗的差值；

第五确定子模块，配置为若所述差值大于或等于所述第一功耗阈值，且所述差值小于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为通过电压调节器降低所述电子芯片的输出电压；

第六确定子模块，配置为若所述差值大于或等于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为锁定用户对所述电子设备的控制路径，结束所述电子设备的进程，降低所述电子芯片的电压和频率。

需要说明的是，上述实施例所提供的装置与上述实施例所提供的方法属于同一构思，其中各个模块和单元执行操作的具体方式已经在方法实施例中进行了详细描述，此处不再赘述。

本申请的实施例还提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现上述各个实施例中提供的电子芯片散热控制方法。

图10示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。

需要说明的是，图10示出的电子设备的计算机系统1000仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图10所示，计算机系统1000包括中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)1001，其可以根据存储在只读存储器(Read-Only Memory，ROM)1002中的程序或者从储存部分1008加载到随机访问存储器(Random Access Memory，RAM)1003中的程序而执行各种适当的动作和处理，例如执行上述实施例中所述的方法。在RAM 1003中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。CPU 1001、ROM 1002以及RAM 1003通过总线1004彼此相连。输入/输出(Input/Output，I/O)接口1005也连接至总线1004。

以下部件连接至I/O接口1005：包括键盘、鼠标等的输入部分1006；包括诸如阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)、液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等以及扬声器等的输出部分1007；包括硬盘等的储存部分1008；以及包括诸如LAN(Local AreaNetwork，局域网)卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分1009。通信部分1009经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器1010也根据需要连接至I/O接口1005。可拆卸介质1011，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器1010上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入储存部分1008。

特别地，根据本申请的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本申请的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的计算机程序。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分1009从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质1011被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)1001执行时，执行本申请的系统中限定的各种功能。

需要说明的是，本申请实施例所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)、闪存、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本申请中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本申请中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的计算机程序。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的计算机程序可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、有线等等，或者上述的任意合适的组合。

附图中的流程图和框图，图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。其中，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

描述于本申请实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。

本申请的另一方面还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如前所述的方法。该计算机可读存储介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的，也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。

本申请的另一方面还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各个实施例中提供的方法。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明中。

Claims (10)

1.一种电子芯片散热控制方法，其特征在于，运用于带有电子芯片的电子设备上，所述方法包括：

当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；

若检测到所述电子芯片需要散热，则根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以对所述电子芯片进行散热处理；

经过与所述散热模式对应的间隔时间后，获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测所述散热处理是否有效；

若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整；

若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

2.如权利要求1所述的电子芯片散热控制方法，其特征在于，所述获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热，包括：

通过靠近所述电子芯片的温度传感器获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度；

将所述第一温度与散热处理温度阈值进行匹配，得到匹配结果；

若所述匹配结果表征所述第一温度大于或等于所述散热处理温度阈值，确定所述电子芯片需要散热。

3.如权利要求1所述的电子芯片散热控制方法，其特征在于，所述获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，包括：

通过红外热像仪获取所述电子芯片所处区域的第一红外温度，以及所述电子芯片的周围区域的第二红外温度；

获取所述电子设备的导热率，根据所述第一红外温度、所述第二红外温度和所述导热率计算所述电子芯片在当前时刻的第一温度。

4.如权利要求1所述的电子芯片散热控制方法，其特征在于，所述根据所述第一温度确定对应的散热模式，包括：

将所述第一温度分别与第一温度阈值、第二温度阈值和第三温度阈值进行匹配；其中，所述第一温度阈值、所述第二温度阈值和所述第三温度阈值依次增大；

若所述第一温度大于或等于第一温度阈值，所述第一温度小于第二温度阈值，确定所述散热模式为第一散热模式；其中，所述第一散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第一散热效率和第一散热通道数；

若所述第一温度大于或等于第二温度阈值，所述第一温度小于第三温度阈值，确定所述散热模式为第二散热模式；其中，所述第二散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第二散热效率和第二散热通道数；

若所述第一温度大于或等于第三温度阈值，确定所述散热模式为第三散热模式；其中，所述第三散热模式中对应有针对石墨烯散热器的第三散热效率和第三散热通道数。

5.如权利要求1所述的电子芯片散热控制方法，其特征在于，所述获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整，包括：

通过电压传感器获取所述电子芯片的当前电压，以及通过电流传感器获取所述电子芯片的当前电流；

根据所述当前电压和所述当前电流计算所述电子芯片的耗能功率；

获取所述电子芯片的散热设计功耗，根据所述耗能功率和所述散热设计功耗检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整。

6.如权利要求1所述的电子芯片散热控制方法，其特征在于，所述获取所述电子芯片的耗能功率，包括：

若基于红外热像仪获取所述电子芯片的第一温度，通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第一表面温度和所述石墨烯散热器的温度；

计算所述第一表面温度与所述石墨烯散热器的温度的第一温度差值；

通过所述红外热像仪获取所述电子芯片的第二表面温度，并计算所述第二表面温度与所述第一表面温度的第二温度差值；

通过所述第一温度差值和所述第二温度差值计算所述电子芯片的耗能功率。

7.如权利要求1所述的电子芯片散热控制方法，其特征在于，所述根据所述耗能功率确定对应的调整信息，包括：

获取预设的第一调整阈值和第二调整阈值，以及所述电子芯片的散热设计功耗；其中，所述第一调整阈值小于所述第二调整阈值；

根据所述第一调整阈值和所述散热设计功耗计算第一功耗阈值，并根据所述第二调整阈值和所述散热设计功耗计算第二功耗阈值；

计算所述耗能功率与所述散热设计功耗的差值；

若所述差值大于或等于所述第一功耗阈值，且所述差值小于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为通过电压调节器降低所述电子芯片的输出电压；

若所述差值大于或等于所述第二功耗阈值，则确定所述调整信息为锁定用户对所述电子设备的控制路径，结束所述电子设备的进程，降低所述电子芯片的电压和频率。

8.一种电子芯片散热控制装置，其特征在于，运用于带有电子芯片的电子设备上，包括：

第一检测模块，配置为当检测到电子设备工作后，获取所述电子芯片在当前时刻的第一温度，并基于所述第一温度检测所述电子芯片是否需要散热；

确定模块，配置为若检测到所述电子芯片需要散热，则根据所述第一温度确定对应的散热模式，并通过预设的石墨烯散热器执行所述散热模式，以对所述电子芯片进行散热处理；

第二检测模块，配置为经过与所述散热模式对应的间隔时间后，获取所述电子芯片在当前时刻的第二温度，并基于所述第二温度检测所述散热处理是否有效；

第三检测模块，配置为若所述散热处理无效，则获取所述电子芯片的耗能功率，根据所述耗能功率检测是否需要对所述电子芯片的功率进行调整；

调整模块，配置为若需要对所述电子芯片的功率进行调整，则根据所述耗能功率确定对应的调整信息，并通过所述调整信息对所述电子芯片的功率进行调整，直至所述电子芯片不需要进行散热。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

电子芯片；

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如权利要求1至7中任一项所述的电子芯片散热控制方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时，使计算机执行权利要求1至7中任一项所述的电子芯片散热控制方法。