CN116845077A - 图像传感器芯片封装方法和芯片封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/804—Containers or encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
Landscapes
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Abstract
本公开提供的一种图像传感器芯片封装方法和芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。该图像传感器芯片封装方法包括：S1制作盖板；盖板包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设有围堰结构。S2：将盖板的第一表面贴装至晶圆上；其中，晶圆上设有传感器和电极；传感器位于盖板、围堰结构和晶圆围成的密闭空腔中。S3：从第二表面切割盖板，在盖板上形成与第二表面呈钝角设置的倾斜壁面。S4：在盖板上设置遮光层；遮光层包括相互连接的第一分段和第二分段，第一分段覆盖第二表面，且避开传感器在第二表面的投影区域；第二分段覆盖倾斜壁面。有利于提高封装效率，提高遮光效果，提升产品可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种图像传感器芯片封装方法和芯片封装结构。
背景技术
图像传感器芯片在封装过程中需要在感光区域形成密闭空腔，以保证感光区域不被污染或干扰，进而确保图像传感器的成像质量。现有的图像传感器芯片，封装后仍有部分杂光从盖板侧面进入图像传感器的感光区域，从而对图像传感器的成像造成干扰，影响成像质量。
发明内容
本发明的目的包括，例如，提供了一种图像传感器芯片封装方法和芯片封装结构，其能够减少盖板侧面的杂光的进入传感器，提高盖板的遮光效果，提升传感器的工作质量，提升封装结构的品质和可靠性。
本发明的实施例可以这样实现：
第一方面，本发明提供一种图像传感器芯片封装方法，包括：
S1：制作盖板；所述盖板包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面设有围堰结构；
S2：将所述盖板的第一表面贴装至晶圆上；其中，所述晶圆上设有传感器和电极；所述传感器位于所述盖板、所述围堰结构和所述晶圆围成的密闭空腔中；
S3：从所述第二表面切割所述盖板，在所述盖板上形成与所述第二表面呈钝角设置的倾斜壁面；
S4：在所述盖板上设置遮光层；所述遮光层包括相互连接的第一分段和第二分段，所述第一分段覆盖所述第二表面，且避开所述传感器在所述第二表面的投影区域；所述第二分段覆盖所述倾斜壁面。
在可选的实施方式中，所述步骤S1包括：
S11：提供一透光基板；所述透光基板包括相对设置的第一表面和第二表面；
S12：在所述第一表面形成围堰结构；所述围堰结构位于所述传感器的外围，以使所述传感器位于所述透光基板、所述围堰结构和所述传感器晶圆围成的密闭空腔中。
在可选的实施方式中，所述步骤S1包括：
S13：在所述透光基板设有围堰结构的一侧形成第一凹槽，所述第一凹槽的位置与所述电极的位置相对应。
在可选的实施方式中，所述第一凹槽的深度为所述透光基板的厚度的1/5至1/3。
在可选的实施方式中，所述步骤S3中：
在所述第二表面形成第二凹槽，所述第二凹槽的侧壁形成所述倾斜壁面；其中，所述第二凹槽和所述第一凹槽贯通，且两者的轴线重合；所述第二凹槽的槽口在所述第二表面指向所述第一表面的方向上逐渐减小。
在可选的实施方式中，步骤S12中：
在所述透光基板的第一表面覆盖热固化性干膜；
采用光刻工艺去除预设位置的热固化性干膜，剩余的热固化性干膜形成所述围堰结构；
步骤S2中：在所述热固化性干膜完全热固化之前，将具有粘性的围堰结构粘贴至所述晶圆上。
在可选的实施方式中，步骤S2中，在真空环境下，将具有粘性的围堰结构粘贴至所述晶圆上。
在可选的实施方式中，在步骤S2之后，所述方法还包括：
从所述晶圆远离所述传感器的一侧减薄所述晶圆的厚度。
在可选的实施方式中，步骤S4之后，所述方法还包括：
S5：分离所述晶圆，形成单颗具有盖板的半成品芯片；
S6：将所述半成品芯片贴装至封装基底上；所述电极与所述封装基底电连接；
S7：包封所述半成品芯片；
S8：在所述封装基底远离所述半成品芯片的一侧制作锡球；
S9：切割所述封装基底，分离成单颗芯片。
第二方面，本发明提供一种芯片封装结构，采用如前述实施方式中任一项所述的图像传感器芯片封装方法制成。
本发明实施例的有益效果包括，例如：
本发明实施例提供了一种图像传感器芯片封装方法，通过预先设置围堰结构键合至晶圆上，保证传感器位于密闭空腔中，再通过切割盖板形成倾斜壁面，在倾斜壁面和第二表面上设置遮光层，可以阻止盖板侧面光线进入传感器的感光区域，提高遮光效果，提升传感器的工作质量。同时，盖板上形成了倾斜壁面，有利于增加塑封体与盖板的接触面积，从而提高盖板与塑封体的结合力，提高封装结构的可靠性。
本发明实施例提供的芯片封装结构，采用上述的图像传感器芯片封装方法制成，遮光效果好，传感器工作稳定，成像质量高，并且封装结构可靠。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法的步骤示意框图；
图2为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中透光基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中在透光基板上设置围堰结构的示意图；
图4为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中围堰结构与传感器在晶圆表面投影后的相对位置关系示意图；
图5为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中在透光基板上形成第一凹槽的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中透光基板与晶圆的键合结构示意图；
图7为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中减薄晶圆后的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中在透光基板上形成倾斜壁面的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中在透光基板上设置遮光层的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中遮光层在晶圆表面投影后与传感器的位置关系示意图；
图11为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中切割晶圆形成半成品芯片的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中将半成品芯片贴装至封装基底的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中在封装基底上包封塑封体的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中在封装基底上制作锡球的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法中切割封装基底形成单颗芯片的结构示意图。
图标：10-盖板；11-第一表面；12-第二表面；101-透光基板；102-围堰结构；103-保护胶带膜；104-第一机械刀轮；110-密闭空腔；121-第一凹槽；122-S1面；123-第二凹槽；125-倾斜壁面；126-刀片；130-遮光层；131-第一分段；133-第二分段；20-晶圆；21-传感器；23-电极；25-切割道；27-减薄面；29-半成品芯片；30-封装基底；31-焊盘；32-键合胶；33-金属引线；34-塑封体；35-锡球；36-单颗芯片。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。
请结合图1，本发明实施例提供一种图像传感器芯片封装方法，适用于需要形成密闭空腔110的芯片封装，如图像传感器芯片或滤波芯片或其它类型的芯片等。该图像传感器芯片封装方法包括：
S1：制作盖板10；盖板10包括相对设置的第一表面11和第二表面12；第一表面11设有围堰结构102。
S2：将盖板10的第一表面11贴装至晶圆20上；其中，晶圆20上设有传感器21和电极23；传感器21位于盖板10、围堰结构102和晶圆20围成的密闭空腔110中。
S3：从第二表面12切割盖板10，在盖板10上形成与第二表面12呈钝角设置的倾斜壁面125。
S4：在盖板10上设置遮光层130。遮光层130包括相互连接的第一分段131和第二分段133，第一分段131覆盖第二表面12，且避开传感器21在第二表面12的投影区域；第二分段133覆盖倾斜壁面125。
可选的，步骤S1包括步骤S11、S12和S13。
S11：提供一透光基板101。结合图2，盖板10采用透光基板101。透光基板101包括但不限于玻璃。透光基板101包括相对设置的第一表面11和第二表面12。其中，第一表面11和第二表面12中的至少一者可以加工有AR、IR或多种的复合光学镀膜层，透光基板101的厚度约为200～700um。
当然，在一些实施方式中，第一表面11和第二表面12上也可以不设置光学镀膜层，即可采用素玻璃，这里不做具体限定。
S12：在第一表面11形成围堰结构102。结合图3和图4，围堰结构102位于传感器21的外围，以使传感器21位于透光基板101、围堰结构102和传感器21晶圆20围成的密闭空腔110中。可选的，围堰结构102的制作方法如下：
在透光基板101的第二表面12贴附一层保护胶带膜103，以对透光基板101的第二表面12进行保护。
在透光基板101的第一表面11覆盖热固化性干膜。采用光刻工艺去除预设位置的热固化性干膜，剩余的热固化性干膜形成围堰结构102。可选的，采用有机感光热固化性干膜，使用光刻工艺形成特殊设计的围堰结构102，如围堰宽度和形状以及中间区域特殊镂空设计。可以理解，围堰结构102的形状尺寸根据传感器21在晶圆20上的具体分布而定。围堰结构102需避开晶圆20上的传感器21和电极23，并且围堰结构102与传感器21边缘有一定距离，围堰结构102与电极23边缘有一定距离。
本实施例中，围堰结构102的热固化性干膜在完全热固化前具有一定粘性，可以用于后续的晶圆20粘合，即把透光基板101粘合至晶圆20上。这样不需要使用额外的粘结剂，工艺更加简单方便，且粘接可靠。并且，热固化性干膜在完全热固化前进行粘接，流动性更低，可防止溢胶对传感器21、密闭空腔110等造成的干扰。
可选地，围堰结构102的高度为50um以内，优选15～30um。这样，可以确保密闭空腔110的高度较低，减少腔体中的气体，提高传感器21的工作效率和质量。
结合图5，S13：在透光基板101设有围堰结构102的一侧形成第一凹槽121，第一凹槽121的位置与电极23的位置相对应。第一凹槽121可采用机械刀轮切割或激光切割形成，也可以采用蚀刻工艺形成，或采用其他加工方式形成，这里不作具体限定。本实施例中优选采用第一机械刀轮104切割第一表面11，以加工形成第一凹槽121。其中，第一凹槽121的截面大致呈U形。
可选的，第一凹槽121的深度为透光基板101的厚度的1/5至1/3。容易理解，第一次切割并没有切穿透光基板101，即第一凹槽121并没有贯穿透光基板101，仅作为预切割。第一凹槽121的位置位于透光基板101的切割区域。
结合图6，步骤S2中，将形成第一凹槽121后的透光基板101粘接至晶圆20上。其中，由于围堰结构102并没有完全固化，具有粘性，可以充当粘结剂。粘贴透光基板101时，需要将围堰结构102中间的镂空区域和晶圆20上的传感器21对准，以便在传感器21的位置处形成密闭空腔110。同时，第一凹槽121的位置和晶圆20上电极23的位置相对应，即第一凹槽121盖设在电极23的上方。
需要说明的是，将透光基板101粘贴至晶圆20上的步骤可以在真空环境下进行。真空条件下将具有粘性的围堰结构102粘贴至晶圆20上，可以保证键合后密闭空腔110中的气体更少，提高传感器21的工作效率和质量。
当然，在一些实施方式中，还可以在适当的温度环境中执行上述的键合步骤，以保证键合后密闭空腔110中的气体更少。比如，键合时的温度为50℃至200℃，优选为80℃至150℃。
结合图7，可选的，为了降低整体封装结构的高度，从晶圆20远离传感器21的一侧减薄晶圆20的厚度。比如，减薄后控制晶圆20的厚度为10至700um中的任意厚度值。可以理解，减薄后的减薄面27位于晶圆20远离传感器21的一侧。
结合图8，步骤S3中，在第二表面12形成第二凹槽123，第二凹槽123的侧壁形成倾斜壁面125；其中，第二凹槽123和第一凹槽121贯通，且两者的轴线重合；第二凹槽123的槽口在第二表面12指向第一表面11的方向上逐渐减小。可以理解，第二凹槽123可采用机械刀轮切割或激光切割形成，也可以采用蚀刻工艺形成，或采用其他加工方式形成，这里不作具体限定。本实施例中的第二凹槽123优选采用机械刀轮切割的方式进行加工。可选地，机械刀轮的侧面和底部水平面的夹角A为50度至70度。这样，加工出的倾斜壁面125相对于晶圆表面的倾斜角度为50度至70度。
本实施例中，去除第二表面12上的保护胶带膜103。然后用刀刃剖面形状为梯形的刀片126从透光基板101的第二表面12切入，进行第二次切割。第二次切割需要切穿透光基板101，且第一次切割和第二次切割的痕迹中心重合。换言之，第一次切割的切割深度和第二次切割的切割深度之和等于透光基板101的厚度。容易理解，第二次切割的位置也位于电极23的上方，由于预先进行了第一次切割，使得透光基板101和电极23(或晶圆20表面)之间具有一定距离。在进行第二次切割时，减小了切割厚度，防止切割过程中对电极23以及晶圆20表面的损伤，解决了超低空腔下的切割问题。并且这样可以设计更低的围堰结构102的高度，使得密闭空腔110的高度更小，有利于提升传感器21的可靠性。
需要说明的是，若采用一次切割，需要设置更高的围堰结构102来保证切割的安全距离。因此，本实施例中的两次切割，有利于降低围堰结构102的设计高度，使得密闭空腔110的高度更小。
在透光基板101的两个表面分别进行一次切割后，将晶圆20的切割道25和电极23上方的透光基板101都被切除掉，露出透光基板101的S1面122和S2面斜坡结构。其中，S1面122为第一凹槽121的壁面，其截面为竖直面。S2面为第二凹槽123的壁面，其截面为斜面，即第二次切割形成的倾斜壁面125。倾斜壁面125增大了盖板10侧面的接触面积，有利于塑封胶更佳牢固的粘住盖板10，增强产品可靠性。
结合图9和图10，步骤S4中，在透光基板101的第二表面12及S2面上制作特殊图形化设计的遮光层130。可选地，在第二表面12及S2面上涂覆具有遮光性能的感光薄膜，然后通过光刻方法，可以实现只在透光基板101的S2面形成遮光结构，即遮光层130的第二分段133。由于S2面为倾斜壁面125，在倾斜壁面125覆盖遮光层130的第二分段133，有效减少侧面的光线进入，有助于提升成像品质。
以及在透光基板101的第二表面12形成环状的图形化遮光结构，即遮光层130的第一分段131。容易理解，第二表面12的环状遮光结构中间为镂空状，镂空部分与晶圆20上的传感器21的位置相对应。其中，遮光层130在晶圆20上的投影位置距离传感器21的边缘越小越好，但是不可以盖住传感器21。本实施例中，第一分段131在晶圆20上的投影位置距离传感器21的边缘越小越好，因为晶圆级光刻的高分辨率和高精度，所以这个距离可以做到20um以内，即第一分段131在晶圆20上的投影位置和传感器21的边缘之间的距离D小于20um。
需要说明的是，图9中的虚线阴影表示传感器21在第二表面12上的投影区域。遮光层130避开该投影区域设置而形成中间镂空状。
本实施例中，采用晶圆级加工方式，有利于提高围堰结构102、遮光层130的制备效率和精度，提升封装质量和产品可靠性。
可选的，步骤S4之后，该图像传感器芯片封装方法还包括S5～S9。其中：
结合图9和图11，S5：分离晶圆20，形成单颗具有盖板10的半成品芯片29。沿晶圆20的切割道25将晶圆20分离成单颗半成品芯片29。容易理解，透光基板101上进行的第一次切割和第二次切割分别与晶圆20上的切割道25相对应。
结合图12，S6：将半成品芯片29贴装至封装基底30上；电极23与封装基底30电连接。封装基底30包括但不限于为PCB电路板或其它模组基板。将半成品芯片29远离盖板10的一侧通过键合胶32贴装至封装基底30上，芯片上的电极23通过金属引线33与封装基底30上的焊盘31电性连接。
结合图13，S7：包封半成品芯片29。在封装基底30的上表面灌胶形成塑封体34，胶水可采用塑封料EMC。塑封体34同时对金属引线33、晶圆20、围堰结构102和盖板10进行包封。可选地，塑封体34的上表面不超过透光基板101的第二表面12。可以理解，由于盖板10的侧面具有倾斜壁面125，使得盖板10和塑封体34的接触面积更大，有利于提高盖板10和塑封体34的结合力，封装结构更加可靠。同时，遮光效果好，防止光线从侧面进入密闭空腔110而干扰传感器21的工作。
结合图14，S8：在封装基底30远离半成品芯片29的一侧制作锡球35。
结合图15，S9：切割封装基底30，分离成塑封好的单颗芯片36。可以理解，将多个半成品芯片29贴装至同一封装基底30上，一并进行包封、植球，可大大提升封装效率。
本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法，可以形成超低高度的密闭空腔110，密闭空腔110的高度低于50um。盖板10的遮光效果好，防止光线从侧面进入以干扰传感器21的工作。盖板10和塑封体34的结合力好，封装结构的可靠性好。此外，本实施例采用晶圆级加工方法，一方面可以提高加工精度和加工效率，晶圆级加工方法的精度和效率要优于单颗盖板10的加工方法。尤其是在透光基板101的倾斜壁面125和第二表面12进行图形化制作遮光层130时，采用晶圆级加工精度的优势更明显，第二表面12上遮光层130的开口位置和传感器21的感光区域位置精度可以达到10um以内，而单颗盖板加工方法中该距离一般要高于20um。并且透光基板101与晶圆20之间的围堰厚度均匀，因为通过了晶圆级压合键合，围堰结构102的高度差可以达到3um以内，远远优于单颗盖板加工方案。单颗盖板加工中通常高度差在10um以上。另一方面，采用晶圆级加工，透光基板101和晶圆20在进行晶圆级压合键合时，是在一定的真空环境下进行，所以密闭空腔110内的气体分子数量非常少，受热产生的膨胀等应力要下降很多，有助于提升产品的可靠性。而单颗盖板加工方案，其在大气环境下贴装，盖板和晶圆之间的空腔内有大量的气体分子，受热产生的膨胀等应力较大，影响产品可靠性。
本发明实施例提供的一种芯片封装结构，采用如前述实施方式中任一项的图像传感器芯片封装方法制成。该芯片封装结构遮光效果好，传感器21工作稳定，成像质量高，并且封装结构可靠。
综上所述，本发明实施例提供的图像传感器芯片封装方法和芯片封装结构，具有以下几个方面的有益效果，例如：
本发明实施例提供了一种图像传感器芯片封装方法，通过预先设置围堰结构102键合至晶圆20上，保证传感器21位于密闭空腔110中，再通过切割盖板10形成倾斜壁面125，在倾斜壁面125和第二表面12上设置遮光层130，可以阻止盖板10侧面光线进入传感器21的感光区域，提高遮光效果，提升传感器21的工作质量。同时，盖板10上形成了倾斜壁面125，有利于增加塑封体34与盖板10的接触面积，从而提高盖板10与塑封体34的结合力，提高封装结构的可靠性。
本发明实施例提供的芯片封装结构，采用上述的图像传感器芯片封装方法制成，遮光效果好，传感器21工作稳定，成像质量高，并且封装结构可靠。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种图像传感器芯片封装方法，其特征在于，包括：
S1：制作盖板(10)；所述盖板(10)包括相对设置的第一表面(11)和第二表面(12)，所述第一表面(11)设有围堰结构(102)；
S2：将所述盖板(10)的第一表面(11)贴装至晶圆(20)上；其中，所述晶圆(20)上设有传感器(21)和电极(23)；所述传感器(21)位于所述盖板(10)、所述围堰结构(102)和所述晶圆(20)围成的密闭空腔(110)中；
S3：从所述第二表面(12)切割所述盖板(10)，在所述盖板(10)上形成与所述第二表面(12)呈钝角设置的倾斜壁面(125)；
S4：在所述盖板(10)上设置遮光层(130)；所述遮光层(130)包括相互连接的第一分段(131)和第二分段(133)，所述第一分段(131)覆盖所述第二表面(12)，且避开所述传感器(21)在所述第二表面(12)的投影区域；所述第二分段(133)覆盖所述倾斜壁面(125)。
2.根据权利要求1所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
S11：提供一透光基板(101)；所述透光基板(101)包括相对设置的第一表面(11)和第二表面(12)；
S12：在所述透光基板(101)的第一表面(11)形成围堰结构(102)；所述围堰结构(102)位于所述传感器(21)的外围，以使所述传感器(21)位于所述透光基板(101)、所述围堰结构(102)和所述传感器(21)晶圆(20)围成的密闭空腔(110)中。
3.根据权利要求2所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
S13：在所述透光基板(101)设有围堰结构(102)的一侧形成第一凹槽(121)，所述第一凹槽(121)的位置与所述电极(23)的位置相对应。
4.根据权利要求3所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，所述第一凹槽(121)的深度为所述透光基板(101)的厚度的1/5至1/3。
5.根据权利要求3所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S3中：
在所述第二表面(12)形成第二凹槽(123)，所述第二凹槽(123)的侧壁形成所述倾斜壁面(125)；其中，所述第二凹槽(123)和所述第一凹槽(121)贯通，且两者的轴线重合；所述第二凹槽(123)的槽口在所述第二表面(12)指向所述第一表面(11)的方向上逐渐减小。
6.根据权利要求2所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，步骤S12中：
在所述第一表面(11)覆盖热固化性干膜；
采用光刻工艺去除预设位置的热固化性干膜，剩余的热固化性干膜形成所述围堰结构(102)；
步骤S2中：在所述热固化性干膜完全热固化之前，将具有粘性的围堰结构(102)粘贴至所述晶圆(20)上。
7.根据权利要求6所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，步骤S2中，在真空环境下，将具有粘性的围堰结构(102)粘贴至所述晶圆(20)上。
8.根据权利要求1所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，在步骤S2之后，所述方法还包括：
从所述晶圆(20)远离所述传感器(21)的一侧减薄所述晶圆(20)的厚度。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的图像传感器芯片封装方法，其特征在于，步骤S4之后，所述方法还包括：
S5：分离所述晶圆(20)，形成单颗具有盖板(10)的半成品芯片(29)；
S6：将所述半成品芯片(29)贴装至封装基底(30)上；所述电极(23)与所述封装基底(30)电连接；
S7：包封所述半成品芯片(29)；
S8：在所述封装基底(30)远离所述半成品芯片(29)的一侧制作锡球(35)；
S9：切割所述封装基底(30)，分离成单颗芯片(36)。
10.一种芯片封装结构，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的图像传感器芯片封装方法制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116845077A true CN116845077A (zh) | 2023-10-03 |
Family
ID=88159416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310799690.0A Pending CN116845077A (zh) | 2023-07-03 | 2023-07-03 | 图像传感器芯片封装方法和芯片封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116845077A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120603458A (zh) * | 2025-08-08 | 2025-09-05 | 苏州科阳半导体有限公司 | Oled芯片的晶圆级封装方法和封装结构 |
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2023
- 2023-07-03 CN CN202310799690.0A patent/CN116845077A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120603458A (zh) * | 2025-08-08 | 2025-09-05 | 苏州科阳半导体有限公司 | Oled芯片的晶圆级封装方法和封装结构 |
| CN120603458B (zh) * | 2025-08-08 | 2025-11-04 | 苏州科阳半导体有限公司 | Oled芯片的晶圆级封装方法和封装结构 |
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