CN116830070A - 触控结构、触控显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种触控结构、触控显示面板及显示装置，涉及触控技术领域。触控结构包括第一触控电极和第二触控电极，第一触控电极包括第一电极块以及转接桥；第二触控电极包括第二电极块；第一触控电极和第二触控电极为网状结构；第一电极块和第二电极块的网格线为通道线，形成第一电极块的边界的通道线为第一边界通道线；转接桥的网格线为转接线；转接桥包括开孔部和连接开孔部的桥部，开孔部与第一电极块通过过孔连接，且部分转接线为边界转接线，边界转接线与部分第一边界通道线交叠；在相互交叠的边界转接线和第一边界通道线中，边界转接线的一侧边位于第一边界通道线靠近相邻的第二电极块的一侧，边界转接线的另一侧边位于第一边界通道线的两侧边之间。

Description

触控结构、触控显示面板及显示装置

交叉引用

本公开要求2022年01月26日提交的申请号为PCT/CN2022/074113名称为“触控结构、触控显示面板及显示装置”的PCT申请的优先权，该PCT申请的全部内容通过引用全部并入本文。

技术领域

本公开涉及触控技术领域，具体而言，涉及一种触控结构、触控显示面板及显示装置。

背景技术

触控显示面板已经广泛的应用于手机、平板电脑等终端设备，在显示图像的同时，可通过触控操作实现人机交互，通过感应电容的变化确定触控位置，实现触控操作，但是现有的触控显示面板容易出现触控失效、错误等异常现象。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开提供一种触控结构、触控显示面板及显示装置。

根据本公开的一个方面，提供一种触控结构，设于显示基板一侧，所述触控结构包括多个第一触控电极和第二触控电极，各所述第一触控电极沿行方向间隔分布，一所述第一触控电极包括沿列方向间隔分布的多个第一电极块以及连接相邻两所述第一电极块的转接桥；各所述第二触控电极沿所述列方向间隔分布，一所述第二触控电极包括沿所述行方向串联的多个第二电极块；一所述转接桥与一所述第二触控电极交叉设置；所述第一电极块和第二电极位于同一电极层，且间隔分布；所述转接桥位于所述电极层一侧，且与所述电极层之间设有绝缘层；

所述第一触控电极和第二触控电极为多个网格线形成的网状结构；所述第一电极块和第二电极块的网格线为通道线，形成所述第一电极块的边界的通道线为第一边界通道线；所述转接桥的网格线为转接线；所述转接桥包括至少两个开孔部和连接两所述开孔部的桥部，所述开孔部与所述第一电极块通过贯穿所述绝缘层的过孔连接，所述桥部与所述第二触控电极交叉设置；所述开孔部的部分转接线为边界转接线，所述边界转接线与部分所述第一边界通道线交叠；相互交叠的所述转接线和通道线的延伸方向相同；

在相互交叠的所述边界转接线和第一边界通道线中，所述边界转接线的一侧边位于所述第一边界通道线靠近相邻的所述第二电极块的一侧，所述边界转接线的另一侧边位于所述第一边界通道线的两侧边之间。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述开孔部中至少部分相邻的所述转接线通过一转接交叉部连接，且至少部分所述转接交叉部与所述边界转接线连接；所述第一电极块中至少部分相邻的所述通道线通过通道交叉部连接，且至少部分所述通道交叉部与所述边界通道线连接；

所述转接交叉部与通道交叉部一一对应的交叠，且相互交叠的所述转接交叉部和通道交叉部通过所述过孔连接；

在相互交叠的所述转接交叉部和通道交叉部中，所述转接交叉部的边界位于所述通道交叉部的边界的内侧。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述网状结构具有由所述网格线围成的网孔；

所述开孔部的各所述转接线围成一所述网孔，相邻两所述转接线通过一所述转接交叉部连接；所述开孔部的两个所述转接线为所述边界转接线，所述桥部仅与一连接两所述边界转接线的转接交叉部连接。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述网状结构具有由所述网格线围成的网孔；

所述开孔部的各所述转接线围成一所述网孔，相邻两所述转接线通过一所述转接交叉部连接；所述开孔部仅有一个所述转接线为所述边界转接线；所述桥部与连接于所述边界转接线两端的转接交叉部连接。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述开孔部具有四个所述转接 线和四个所述转接交叉部，且四个所述转接线和四个所述转接交叉部围成的网孔呈四边形，且四个所述转接交叉部均设有所述过孔。

在本公开的一种示例性实施方式中，在相互交叠的一所述边界转接线和一所述第一边界通道线中，所述边界转接线靠近相邻的所述第二电极块的侧边与所述第一边界通道线靠近相邻的所述第二电极块的侧边的距离为第一距离，所述边界转接线的另一侧边与所述第一边界通道线远离相邻的所述第二电极块的侧边的距离为第二距离；

所述第一距离与第二距离相等。

在本公开的一种示例性实施方式中，在所述开孔部的一个非所述边界转接线的转接线及其交叠的通道线中，所述转接线的边界的一侧边位于所述通道线远离相邻的所述第二电极块的一侧，所述转接线的另一侧边位于所述通道线的两侧边之间。

在本公开的一种示例性实施方式中，在所述开孔部的一个非所述边界转接线的转接线及其交叠的通道线中，所述转接线的边界的一侧边与所述通道线远离所述第二电极块的侧边的距离为第三距离，所述转接线的另一侧边与所述通道线的靠近相邻的第二电极块的侧边的距离为第四距离；

所述第三距离和第四距离相等。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一距离、第二距离、第三距离和第四距离相等。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一距离、和所述第三距离中至少一个为1.2μm。

在本公开的一种示例性实施方式中，在相互连接的一所述开孔部与第一电极块中，所述开孔部的各所述转接线均为所述边界转接线，且至少相邻的两所述边界转接线通过一所述转接交叉部连接。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述开孔部具有四个所述转接线所述开孔部具有四个所述转接交叉部，四个所述转接线沿所述第一边界通道线的轨迹延伸；四个所述转接交叉部均设有所述过孔。

在本公开的一种示例性实施方式中，在相互连接的一所述开孔部与第一电极块中；

在所述第一电极块的各所述第一边界通道线中，位于所述开孔部两侧且与所述开孔部相邻的第一边界通道线均与所述开孔部断开设置。

在本公开的一种示例性实施方式中，形成所述第二电极块的边界的通道线为第二边界通道线；

在一所述第二触控电极与其交叉的桥部中，位于所述桥部两侧且与所述桥部相邻的所述第二边界通道线均与所述桥部断开设置。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述桥部的部分所述转接线与所述第二边界通道线一一对应的交叠；

在相互交叠的一所述转接线和一所述第二边界通道线中，所述转接线的一侧边位于所述第二边界通道线靠近相邻的所述第一电极块的一侧，所述转接线的另一侧边位于所述第二边界通道线的两侧边之间。

在本公开的一种示例性实施方式中，在相互交叠的一所述转接线和一所述第二边界通道线中，所述转接线的边界的一侧边与所述第二边界通道线靠近所述第一电极块的侧边的距离为第五距离，所述转接线的另一侧边与所述第二边界通道线的远离相邻的所述第一电极块的侧边的距离为第六距离；

所述第五距离和第六距离相等。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述桥部的至少一端连接至少两个所述开孔部，且连接于所述桥部一端的所述开孔部均通过所述与一所述第一电极连接。

根据本公开的一个方面，提供一种触控显示面板，包括：

显示基板；

上述任意一项所述的触控结构，所述转接桥设于所述显示基板一侧，所述绝缘层覆盖所述转接桥，所述电极层设于所述绝缘层背离所述显示基板的表面。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的触控显示面板。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开触控结构一实施方式的俯视图。

图2为本公开触控显示面板一实施方式的局部截面图。

图3为本公开触控结构一实施方式的局部截面图。

图4为本公开触控结构一实施方式的局部放大图。

图5为本公开触控结构第一实施方式的局部示意图。

图6为本公开触控结构第二实施方式的局部示意图。

图7为图6的局部放大图。

图8为本公开触控结构第二实施方式的电极层的局部示意图。

图9为本公开触控结构第三实施方式的局部示意图。

图10为本公开触控结构第三实施方式的电极层的局部示意图。

图11为本公开触控结构第四实施方式的局部示意图。

图12为本公开触控显示面板一实施方式的中子像素和网孔的局部示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外 还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本文中的行方向X和列方向Y仅为两个交叉的方向，二者可以是相互垂直，也可以呈一定的夹角，该夹角可以是80°-110°，在本公开的附图中，行方向X可以是横向，列方向Y可以是纵向，但并不限于此，若触控结构发生旋转，则行方向X和列方向Y的实际朝向可能发生变化。附图中的X方向示例性的示出了行方向，Y方向为示例性的示出了列方向。同时，本文中描述的A和B“相邻”是指A和B之间没有其他的A或B，例如，相邻的一第一电极块和一第二电极块是指一第一电极块和一第二电极块没有其他的第一电极块和其它的第二电极块。

本公开实施方式提供了一种触控结构，其可设于一显示基板一侧，显示基板用于显示图像，其可以是有机电致发光显示基板，也可以是液晶显示基板或其它能够显示图像的装置，在此不做特殊限定。触控结构可用于感应触控操作，确定触控位置，从而在显示基板上显示相应的图像。

如图1和图2所示，本公开的触控结构为互容式结构，其可包括多个第一触控电极Tx和多个第二触控电极Rx，各第一触控电极Tx可沿行方向X间隔分布，各第二触控电极Rx可沿列方向Y间隔分布。第一触控电极Tx和第二触控电极Rx均可以包括多个串联的电极块，其中，任一第一触控电极Tx可包括沿列方向Y串联的多个第一电极块Txc，在列方向Y上相邻的两第一电极块Txc通过一转接桥BR串联。任一第二触控电极Rx可包括沿行方向X串联的多个第二电极块Rxc，相邻两第二电极块Rxc可通过一连接部Rxo串联。

各个第一电极块Txc和第二电极块Rxc均阵列分布，至少一部分第一电极块Txc在与行方向X和列方向Y相交的两个不同方向上，与不同的第二电极块Rxc相邻设置，相应的，至少一部分第二电极块Rxc在与行方向X和列方向Y相交的两个不同方向上，与不同的第一电极块Txc相邻设置。

相邻的一第一电极块Txc和一第二电极块Rxc之间具有间隙，从而可形成电容，为了增大相邻的一第一电极块Txc和一第二电极块Rxc之 间正对的区域，可使第一电极块Txc和第二电极块Rxc的边沿具有沿周向间隔分布的叉指FI。在相邻的一第一电极块Txc和一第二电极块Rxc中，第一电极块Txc的一部分叉指FI可位于第二电极块Rxc的一部分叉指FI之间内，但互不接触，使得第一电极块Txc的该部分叉指FI与第二电极块Rxc的该部分叉指FI交替间隔排列，通过叉指FI可使第一电极块Txc和第二电极块Rxc间的间隙的延伸轨迹更加曲折，可在不增大第一电极块Txc和第二电极块Rxc的面积的情况下，增大二者的正对区域，有利于增大二者之间的电容，提高感应触控操作的灵敏度。

任意相邻的第一电极块Txc和第二电极块Rxc之间可形成电容，在手指进行触控操作时，可使触控位置的电容发生变化，通过感应电容的变化量对应的第一触控电极Tx和第二触控电极Rx，可确定触控位置，详细原理在此不再详述。

如图1所示，各第一触控电极Tx可分别通过不同的引线与不同的信号端连接，各第二触控电极Rx也可通过不同的引线与不同的信号端连接，以便通过第一触控电极Tx和第二触控电极Rx收发信号，例如，第一触控电极Tx可作为接收驱动信号的驱动电极，第二触控电极Rx可作为输出感应信号的感应电极。当然，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的作用可以互换。

如图1和2所示，上述的各电极块和连接部Rxo可位于同一电极层TMB，该电极层TMB可通过一次构图工艺同时形成，也就是说，电极层TMB包括第一触控电极Tx的电极块和第二触控电极Rx。为了避免第一触控电极Tx和第二触控电极Rx短路，可使转接桥BR位于电极层TMB的一侧，也就是说，转接桥BR与电极层TMB不同层。同时，转接桥BR和电极层TMB之间设有绝缘层IN，从而被分隔，第一触控电极Tx可在转接桥BR处与第二触控电极Rx交叉，进一步的，转接桥BR可与连接部Rxo交叉。此外，转接桥BR可通过贯穿绝缘层IN的过孔Ho与第一电极块Txc连接。

如图1-图2所示，在本公开的一些实施方式中，各转接桥BR可设于显示基板PNL的出光侧，并可同时形成，各转接桥BR的厚度相同， 且材料相同，从而可同时形成。绝缘层IN可覆盖各转接桥BR，且在对应于转接桥BR的位置隆起，但不断开，也就是说，绝缘层IN可随着转接桥BR的存在而起伏。电极层TMB可设于绝缘层IN背离显示基板PNL的表面，每个转接桥BR可通过一个或多个贯穿绝缘层IN的过孔Ho与同一第一电极块Txc连接。

如图1和图3所示，同一第一触控电极Tx中，连接相邻两第一电极块Txc的转接桥BR的数量可以是一个或多个，且若为多个转接桥BR，则多个转接桥BR可沿行方向X并排分布，且均与同一连接部Rxo在空间内交叉，即二者在显示基板PNL上的正投影相交，实际并不连接，以防止第一触控电极Tx和第二触控电极Rx连接而造成短路。

如图3所示，在本公开的一些实施方式中，第一电极块Txc和第二电极块Rxc均可嵌入虚设电极Dum，举例而言，第一电极块Txc和第二电极块Rxc具有设有镂空区，镂空区为贯穿电极层的通孔结构，虚设电极Dum位于该镂空区内，且与第一电极块Txc和第二电极块Rxc同层设置，镂空区内可设有一个或多个虚设电极Dum，且各虚设电极Dum为浮接状态，即不与任何其他结构电连接，也不接受任何电信号。

转接桥BR和电极层TMB均可以是单层或多层的导电结构，举例而言，转接桥BR可包括两层外部层和位于两层外部层之间的中间层，外部层的材料可为钛，中间层的材料可为铝，即转接桥BR为Ti/Al/Ti结构；或者，外部层的材料可为铟锡氧化物(ITO)，中间层的材料可为铝，即转接桥BR为ITO/Ag/ITO结构。同时，电极层TMB若为多层结构，也可以是Ti/Al/Ti结构、ITO/Ag/ITO结构。

绝缘层IN的材料可为氮化硅，当然，也可以是氧化硅、氮氧化硅等其它无机绝缘材料或有机绝缘材料。

此外，如图2所示，在本公开的一些实施方式中，触控结构还可包括缓冲层BA和保护层TOC，其中，缓冲层BA可作为触控结构的基底，其可设于显示基板PNL的出光侧，其材料可包括氮化硅、氧化硅等绝缘材料。转接桥BR可设于缓冲层BA背离显示基板PNL的表面，保护层TOC可覆盖电极层TMB和绝缘层IN未被电极层TMB覆盖的区域，保护层TOC用于保护电极层TMB，其材料可以是聚酰亚胺(PI)或光学 胶等透明绝缘材料。

如图1以及图5-图11所示，为了降低对显示基板PNL发光的遮挡，可使第一触控电极Tx和第二触控电极Rx均为多个网格线形成的网状结构，各网格线均可以沿直线延伸，但方向可以不同。可将第一电极块Txc和第二触控电极Rx的网格线定义为通道线TL，将转接桥BR的网格线定义为转接线BL。前述的网状结构具有多个网孔NEh，每个网孔NEh由多个网格线围成，举例而言，电极层TMB的任一网孔NEh可由多个通道线TL围成，转接桥BR的任一网孔NEh可由多个转接线BL围成。网孔NEh可呈多边形，例如，菱形或六边形等，在此不做特殊限定，多边形的每一个边即为一个网格线。此外，虚设电极Dum也可为网状结构，并可与第一电极块Txc和第二触控电极Rx同时形成。

需要说明的是，由于网格线存在宽度，因而，前述的多边形并非限定其形状是标准几何图形中的多边形，多边形的顶点并非几何意义上的点，而指的是网格线交汇的区域。

如图5-图11所示，电极层TMB在部分通道线TL处断开，从而分割出第一电极块Txc和第二触控电极Rx，也就是说，相邻的第一电极块Txc和第二触控电极Rx间的间隙可由通道线TL断开形成。在一通道线TL处断开的方式可以是去除该通道线TL的局部区域或者去除整个通道线TL。图5-图11中用虚线S示出了第一电极块Txc和第二触控电极Rx之间的间隙的延伸路径，该延伸路径仅为示意性说明，并非对实际延伸路径的限定。

第一电极块Txc和与其相邻的第二触控电极Rx之间的间隙可由上述的断开方式形成。第一电极块Txc和第二触控电极Rx的边界可由一部分通道线TL形成，即第一电极块Txc和第二触控电极Rx最外侧的通道线TL形成其边界，其中第二触控电极Rx的边界包括第二电极块Rxc的边界和连接部Rxo的边界。

在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc和交叉的第二触控电极Rx中，转接桥BR跨过第二触控电极Rx以及第一电极块Txc和第二触控电极Rx之间的间隙与第一电极块Txc连接。转接桥BR跨过的间隙的宽度可与一转接线BL的长度相等，且转接桥BR的具有多个与该间隙相 对的转接线BL，也就是说，转接桥BR的部分转接线BL在显示基板PNL上的正投影位于第一电极块Txc和第二触控电极Rx的间隙在显示基板PNL的正投影的间隙内，从而可使转接桥BR能在空间内跨过第二触控电极Rx，与第一电极块Txc连接。

如图5-图11所示，一个转接桥BR可包括至少两个开孔部BRh和连接两开孔部BRh的桥部BRb，至少两个开孔部BRh分别与该转接桥BR连接的两个第一电极块Txc连接，且开孔部BRh与第一电极块Txc可通过过孔Ho连接，桥部BRb与第二触控电极Rx交叉设置，但保持绝缘，例如，桥部BRb可与连接部Rxo交叉。

在本公开的一些实施方式中，对一转接桥BR而言，开孔部BRh的数量为两个，且连接于桥部BRb的两端，且两个开孔部BRh分别与转接桥BR连接两个第一电极Txc连接。

在本公开的另一些实施方式中，对一转接桥BR而言，开孔部BRh的数量大于两个，且至少在桥部BRb的一端可连接两个或更多个开孔部BRh，从而可一个转接桥BR可通过多个开孔部BRh与一第一电极Txc连接。

为了便于描述，可将形成第一电极块Txc的边界的通道线TL定义为第一边界通道线TL1，将形成第二电极块Rxc的边界的通道线TL定义为第二边界通道线TL2。同时，将开孔部BRh的部分转接线BL定义为边界转接线BL1。

对于相互连接的开孔部BRh和第一电极块Txc而言，边界转接线BL1可与部分第一边界通道线TL1一一对应的交叠，且相互交叠的转接线BL和通道线TL的延伸方向相同。

如图5-图11所示，在本公开的一些实施方式中，第一电极块Txc的通道线TL交汇的区域为通道交汇区，转接桥BR的不同转接线BL交汇的区域为转接交汇区。第一电极块Txc的边界具有多个通道交汇区，第一电极块Txc的边界的通道交汇区与至少一部分转接交汇区一一对应地交叠设置。

开孔部BRh的转接交汇区可定义为转接交叉部BRc，开孔部BRh的相邻的转接线BL可通过转接交叉部BRc连接。同时，与转接交叉部 BRc交叠的通道交汇区可定义为通道交叉部TLc，通道交叉部TLc的相邻的通道线TL可通过通道交叉部TLc连接。相互交叠的转接交叉部BRc和通道交叉部TLc通过过孔Ho连接。

通道交叉部TLc可与通道线TL为一体结构，其可以是呈多边形或圆形等形状的片状结构，通道交叉部TLc在垂直于其连接的通道线TL的方向上的宽度可大于该通道线TL的宽度。同时，转接交叉部BRc可与转接线BL为一体结构，其可以是呈多边形或圆形等形状的片状结构，转接交叉部BRc在垂直于其连接的转接线BL的方向上的宽度可大于转接线BL的宽度，从而可为过孔Ho提供更大的空间，避免过孔Ho截断网格线。

下面结合显示基板PNL的基本结构对网孔NEh的分布方式进行示例性说明：

如图5-图11和图12所示，显示基板PNL可具有多个发光单元，每个发光单元可包括多个独立发光的子像素SP，同一发光单元中至少包括多个发光颜色不同的子像素SP。上述的各网孔NEh可与显示基板PNL的子像素SP对应设置，一网孔NEh在显示基板PNL上的正投影内至少有一个子像素SP，子像素SP发出光线可从网孔NEh出射，减少触控结构对显示基板PNL发光的遮挡。举例而言，显示基板PNL可为电致有机发光显示基板，即OLED显示基板，其可包括驱动背板BP和位于驱动背板BP一侧的发光器件层OL，发光器件层OL可包括多个阵列分布的发光器件，该发光器件可为有机发光二极管，在一些实施方式中，各发光器件独立发光，且颜色可以不同，此时，一个发光器件可作为一个子像素SP；在另一些实施方式中，发光器件的发光颜色相同，此时，显示基板PNL还可包括彩膜层，其可包括与发光器件一一对应的滤光部，滤光部可仅出射单色光，滤光部及其对应的发光器件可作为一子像素SP。

需要说明的是，上述的发光单元只是为了便于描述子像素SP的分布方式而划定，并不限定其一定是显示图像的基本单元，在显示图像时，各子像素SP可划分为多个像素，每个像素至少包括三种颜色的子像素SP。相邻的像素可以共用部分子像素SP，也就是说，一发光单元中的一 子像素SP可以被两个不同的像素所共用，通过子像素渲染(SPR)算法实现图像显示。当然，不同的像素也可以不共用子像素SP，此时，发光单元可作为像素。

如图5-图8所示，在本公开的一些实施方式中，显示基板PNL为电致有机发光显示基板PNL，具体而言，如图12所示，同一发光单元可包括四个子像素SP，即一红色子像素GSP、一蓝色子像素BSP和两个绿色子像素GSP，红色子像素RSP和蓝色B子像素SP可沿列方向Y分布，且蓝色子像素BSP大于红色子像素RSP，两个绿色子像素GSP沿行方向X分布于红色子像素RSP和蓝色子像素BSP的两侧，且两个绿色子像素GSP的面积相等，四个子像素SP的中心连线可呈四边形，例如矩形、菱形和梯形等，各子像素SP的轮廓也可呈四边形，例如矩形、菱形和梯形等，但绿色子像素GSP的面积小于红色子像素RSP。

相应的，触控结构的网孔NEh可呈多边形、例如矩形、菱形和梯形等，每个子像素SP仅与一网孔NEh对应，从而可透过该网孔NEh发光。任一子像素SP的形状和与其对应的网孔NEh的形状相同，若二者均为多边形，则子像素SP的侧边与网孔NEh的侧边(即围成网孔NEh的网格线)一一对应的平行。对应于绿色子像素SP的网孔NEh小于对应于红色子像素SP的网孔NEh，且对应于蓝色子像素SP的网孔NEh大于对应于红色子像素SP的网孔NEh。当然，各网孔NEh的形状和大小可以相同，只要大于对应的子像素SP，也可以避免遮挡子像素SP。

在一开孔部BRh及其连接的第一电极块Txc中，连接开孔部BRh和第一电极块Txc的过孔Ho的数量可与一网孔NEh的顶点的数量相同，且各过孔Ho一一对应的位于各顶点处的通道交叉部TLc和转接交叉部BRc，其中一部分过孔Ho可位于第一电极块Txc的边界上。例如，一个或者两个过孔Ho可位于第一电极块Txc的边界上，其它过孔Ho则不在第一电极块Txc的边界上。此时，开孔部BRh的各转接线BL中仅有部分转接线BL为边界转接线BL1，且沿第一电极块Txc的边界延伸。

如图9-图10所示，在本公开的另一些实施方式中，显示基板PNL仍为电致有机发光显示基板PNL，其子像素可呈GGRB方式排布，具体而言，同一发光单元可包括四个子像素，即一红色子像素、一蓝色子像 素和两个绿色子像素，红色子像素和蓝色子像素可沿行方向X分布，且二者的形状均为六边形，蓝色子像素的面积大于红色子像素的面积；两个绿色子像素沿列方向Y分布于红色子像素和蓝色子像素之间，且两个绿色子像素的形状均为五边形，且面积相等，绿色子像素的面积小于红色子像素和蓝色子像素。

相应的，每个子像素仅与一网孔NEh对应，从而可透过该网孔NEh发光。任一子像素的形状和与其对应的网孔NEh的形状相同，若二者均为多边形，则子像素的侧边与网孔NEh的侧边(即围成网孔NEh的网格线)一一对应的平行。对应于绿色子像素的网孔NEh小于对应于蓝色子像素和红色子像素的网孔NEh，且对应于蓝色子像素的网孔NEh小于对应于红色子像素的网孔NEh。

在一开孔部BRh及其连接的第一电极块Txc中，过孔Ho的数量为多个，例如四个、五个等，各过孔Ho可均位于第一电极块Txc的边界上。此时，开孔部BRh的各转接线BL均为边界转接线BL1，且沿第一电极块Txc的边界延伸，即沿第一边界通道线TL1延伸。

针对上述的触控结构，发明人发现，在形成上述的触控结构的转接桥BR时，可通过沉积、曝光、显影、刻蚀等工艺制作，在此过程中，转接线BL的横截面为梯形，即转接线BL的侧壁向背离显示基板PNL的方向收缩；相应的，绝缘层IN在对应于转接线BL的侧壁的位置形成梯形的凸起，该凸起的侧壁与转接线BL的侧壁相似，也向背离基板的方向收缩。在形成电极层TMB时，除了所需的图案外，在对应凸起的侧壁的外侧，也即对应于转接线BL的侧壁的外侧，会存在电极层TMB的材料的残留，而残留材料可沿转接线BL的侧壁延伸，从而将第一电极块Txc和相邻的第二触控电极Rx连接起来，造成短路，导致触控失灵或者精度降低等触控异常。

对此，发明人在上文的实施方式的基础上，提供了一种触控结构，如图5-图11所示，通过使边界转接线BL1与第一边界通道线TL1错位设置，利用边界转接线BL1对残留材料的位置的限定作用引导残留材料的走向，延长残留材料在造成相邻的第一电极块Txc和第二触电极短路 所需的延伸路径，使其容易断开，从而降低短路的风险，延伸路径如图中SL所示。

下面对边界转接线BL1和第一边界通道线TL1的方式进行详细说明：

在相互交叠的边界转接线BL1和第一边界通道线TL1中，边界转接线BL1的一侧边位于第一边界通道线TL1靠近相邻的第二电极块Rxc的一侧，使得边界转接线BL1的一侧边外移，而非与第一边界通道线TL1对齐。同时，边界转接线BL1的另一侧边位于第一边界通道线TL1的两侧边之间。由此，形成电极层TMB使残留在转接桥BR外侧的材料，可通过边界转接线BL1外移后的侧边引导上述残留材料的路径，使其不会直接沿桥部BRb与第一边界转接线BL1接触，而需要沿边界转接线BL1的侧边向远离桥部BRb的方向延伸，从而延长了其路径，使其容易断开，以避免短路。而由于边界转接线BL1的靠近第二电极块Rxc的侧边的外侧的残留材料才可能造成短路，而远离第二电极块Rxc的侧边外即便存在残留材料，也难以造成第一电极块Txc和第二电极块Rxc的短路，而边界转接线BL1还有一个侧边位于第一边界通道线TL1的两侧边之间，可避免使边界转接线BL1的两侧边均位于第一边界通道线TL1的外侧，而使边界转接线BL1的宽度不必要的增大。

如图5所示，在本公开的第一实施方式中，开孔部BRh的各转接线BL围成一网孔NEh，相邻两转接线Bl通过一转接交叉部BRc连接。开孔部BRh的两个转接线BL为边界转接线BL1，桥部BRb仅与一连接两个边界转接线BL1的转接交叉部BRc连接。例如，开孔部BRh的转接线BL有四个，使得其网孔NEh可呈四边形，具有两个边界转接线BL1和两个非边界转接线BL1的转接线BL。

在开孔部BRh的一个非边界转接线BL1的转接线Bl及其交叠的通道线TL中，转接线BL的边界的一侧边位于通道线TL远离相邻的第二电极块Rxc的一侧，转接线BL的另一侧边位于通道线TL的两侧边之间。如图X所示，可将一开孔部BRh整体平移后，使开孔部BRh的转接线BL和通道线TL错开设置。

如图6-图8所示，参考上述的实施方式，在本公开的第二实施方式中，开孔部BRh可仅有一个转接线Bl为边界转接线BL1，桥部BRb可 与连接于边界转接线BL1两端的转接交叉部BRc连接。进一步的，开孔部BRh的转接线BL有四个，使得其网孔NEh可呈四边形，具有一个边界转接线BL1和三个非边界转接线BL1的转接线BL。

进一步的，在相互连接的一开孔部BRh与第一电极块Txc中：第一电极块Txc的各第一边界通道线TL1中，位于开孔部BRh两侧且与开孔部BRh相邻的第一边界通道线TL1均与开孔部BRh断开设置。也就是说，与边界转接线BL1交叠的第一边界通道线TL1两端的通道交叉部TLc与相邻的第一边界通道线TL1断开，从而延长电极层TMB的残留材料的延伸路径，降低发生短路的风险，延伸路径如图中SL所示。

进一步的，如图11所示，还可使位于开孔部BRh两侧且与桥部BRb相邻的第二边界通道线TL2均与桥部BRb断开设置，进一步延长残留材料造成短路所需延伸的路径，降低短路风险。

如图9和图10所示，在本公开的第三种实施方式中，在相互连接的一开孔部BRh与第一电极块Txc中，开孔部BRh的各转接线BL均为边界转接线BL1，且相邻两边界转接线BL1通过一转接交叉部BRc连接。也就是说，开孔部BRh的各转接线BL均沿第一电极块Txc的边界延伸，而不围成网孔NEh，且与多个第一边界通道线TL1一一对应的交叠。举例而言，开孔部BRh具有四个转接线BL，该四个转接线BL均为边界转接线BL1，同时，开孔部开孔部BRh具有四个转接交叉部BRc，四个转接线BL沿第一边界通道线TL1的轨迹延伸；四个转接交叉部BRc均设有过孔Ho。进一步的，第一电极块Txc的网孔呈六边形，即有六个通道线TL围成。四个转接交叉部BRc沿第一边界通道线TL1的延伸至轨迹呈折线状延伸，有两个相邻的边界转接线BL1直接连接，而不通过转接交叉部BRc连接。

在本公开的其它实施方式中，在一转接桥BR中，桥部BRb的至少一端连接有多个开孔部BRh，则任一开孔部BRh的结构可以与上述的第一至第三实施方式中的开孔部BRh的的结构相同，例如，至少一部分开孔部BRh都可以是由多个转接线BL围成一网孔NEh；或者，至少一部分开孔部BRh的各转接线BL均为边界转接线BL1，从而沿第一电极块Txc的边界延伸。同时，开孔部BRh的每个转接线BL的端部均可设有 一过孔Ho。

进一步的，如图5-图10所示，基于上述的第一至第三实施方式以及一些其它实施方式，在本公开的一些实施方式中，边界转接线BL1靠近相邻的第二电极块Rxc的侧边与第一边界通道线TL1靠近相邻的第二电极块Rxc的侧边的距离为第一距离S1，边界转接线BL1的另一侧边与第一边界通道线TL1远离相邻的第二电极块Rxc的侧边的距离为第二距离S2。可使第一距离S1与第二距离S2相等，即S1＝S2，从而可通过使与其它转接线BL的宽度相同的边界转接线BL1平移而得到上述的第一距离S1和第二距离S2，也就是说，可将与第一边界通道线TL1的两侧边之间的边界转接线BL1向外平移，有利于保证各转接线BL1的宽度的均一性，降低工艺难度。第一距离S1和第二距离S2中的任一个可以是1μm-1.5μm，例如1μm、1.2μm、1.3μm或1.5μm。

进一步的，如图5-图8所示，基于上述的第一和第二实施方式以及其它开孔部BRh具有非边界转接线BL1的转接线BL的实施方式，在本公开的一些实施方式中，在开孔部BRh的一个非边界转接线BL1的转接线BL及其交叠的通道线TL中，转接线BL的边界的一侧边与通道线TL远离相邻的第二电极块Rxc的侧边的距离为第三距离S3，转接线Tl的另一侧边与通道线TL的靠近相邻的第二电极块Rxc的侧边的距离为第四距离S4。可使第三距离S3和第四距离S4相等，即S3＝S4，第三距离S3和第四距离S4中的任一个可以是1μm-1.5μm，例如1μm、1.2μm、1.3μm或1.5μm，从而可以是各个开孔部BRh的非边界转接线BL1的转接线BL的以相同的方式与通道线TL错位设置，当然，可以使第一距离S1、第二距离S2、第三距离S3和第四距离S4相等，从而可通过平移转接线BL，而不改变其宽度的方式，得到上述的第一距离S1、第二距离S2、第三距离S3和第四距离S4。

为了进一步延长电极层TMB的残留材料的延伸路径，在相互交叠的转接交叉部BRc和通道交叉部TLc中，可使转接交叉部BRc的边界位于通道交叉部TLc的边界的内侧，也就是说，转接交叉部BRc在显示基板PNL上的正投影的边界位于通道交叉部TLc在显示基板PNL上的 正投影的边界的内侧，且两边界的距离可以是1μm-1.5μm，例如1μm、1.2μm、1.3μm或1.5μm，且该距离可与上述的第一至第四距离S4相等。

基于上述任意实施方式，如图9和图10所示，在本公开的一些实施方式中，可将形成第二电极块Rxc的边界的通道线定义为第二边界通道线TL2；

在一第二触控电极Rx及与其交叉的桥部BRb中，位于桥部BRb两侧且与桥部BRb相邻的第二边界通道线TL2均与桥部BRb断开设置，从增大电极层TMB的残留材料的延伸路径，使能造成短路的路径增大，降低短路风险，延伸路径如图中SL所示。

此外，桥部BRb的部分转接线与第二边界通道线TL2一一对应的交叠。在相互交叠的一转接线BL和一第二边界通道线TL2中，转接线Bl的一侧边位于第二边界通道线TL2靠近相邻的第一电极块Txc的一侧，转接线BL的另一侧边位于第二边界通道线TL2的两侧边之间。也就是说，可采用与第一边界通道线TL1与边界转接线BL1错位的构思，使第二边界通道线TL2及其交叠的转接线BL错位，且转接线BL的一个边界位于第二触控电极Rx的外侧，从而方式残留材料与第二触控电极Rx接触而造成短路。

在相互交叠的一转接线BL和一第二边界通道线TL1中，转接线BL的边界的一侧边与第二边界通道线TL2远离第二触控电极Rx的侧边的距离为第五距离S5，转接线BL的另一侧边与第二边界通道线TL2的靠近相邻的第二触控电极Rx的侧边的距离为第六距离S6，第五距离S5和第六距离S6相等，即S5＝S6，第五距离S5和第六距离S6均可以是是1μm-1.5μm，例如1μm、1.2μm、1.3μm或1.5μm。

本公开实施方式还一种触控显示面板，如图2所示，其可包括显示基板PNL和触控结构，其中：

显示基板PNL可采用电致有机发光显示基板PNL、液晶显示基板等，在此不对其结构进行特殊限定。

以电致有机发光显示基板PNL为例，其可包括驱动背板BP、发光 器件层OL和封装层TFE，其中：

驱动背板BP具有驱动电路，可用于驱动发光器件层OL的各个发光器件分别独立发光，以显示图像。同时，驱动背板BP可包括像素区和位于像素区外的外围区，例如，外围区可以是围绕像素区的连续或间断的环形区域。

驱动电路可包括像素电路和外围电路，至少部分像素电路设于像素区内，当然，可以存在一部分像素电路的部分区域位于外围区。像素电路可以是7T1C、7T2C、6T1C或6T2C等结构，只要能驱动发光器件发光即可，在此不对其结构做特殊限定。像素电路的数量与发光器件的数量相同，且一一对应地与各发光器件连接，以便分别控制各个发光器件独立发光。其中，nTmC表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“T”表示)和m个电容(用字母“C”表示)。

外围电路位于外围区内，且外围电路与像素电路连接，用于向像素电路输入驱动信号，以便控制发光器件发光。外围电路可包括栅极驱动电路、源极驱动电路和发光控制电路等，当然，还可包括其它电路，在此不对外围电路的具体结构做特殊限定。

驱动背板BP可由多个膜层形成，举例而言，驱动背板BP可包括衬底和设于衬底一侧的驱动层，其中，衬底可为单层或多层结构，且其可以是硬质或柔性结构，在此不做特殊限定。上述的驱动电路可位于驱动层，以驱动电路中的晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例，驱动层可包括有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层、层间介质层、第一源漏层、钝化层、第一平坦层、第二源漏层和第二平坦层，其中：

有源层设于衬底上；第一栅绝缘层覆盖有源层；栅极设于第一栅绝缘层背离衬底的表面，且与有源层正对设置；第二栅绝缘层覆盖栅极和第一栅绝缘层；层间介质层覆盖第二栅绝缘层；第一源漏层设于层间介质层背离衬底的表面，且包括源极和漏极，源极和漏极连接于有源层；钝化层覆盖第一源漏层；第一平坦层覆盖钝化层；第二源漏层设于第一平坦层背离衬底的表面，且与第一源漏层连接；第二平坦层覆盖第二源漏层和第一平坦层。

发光器件层OL设于驱动背板BP一侧，例如，发光器件层OL设于 驱动层背离衬底的表面。发光器件层OL可包括多个阵列分布于像素区内的多个发光器件以及限定各发光器件的像素定义层，其中：

像素定义层可设于驱动背板BP一侧，例如，像素定义层设于第二平坦层背离衬底的表面。像素定义层用于分隔各个发光器件。具体而言，像素定义层可设有多个开口，每个开口限定出的范围即为一发光器件的范围。开口的形状，即开口在驱动背板BP的正投影的轮廓的形状可为多边形、光滑的封闭曲线或其它形状，该光滑的封闭曲线可以是圆形、椭圆形或腰圆形等，在此不做特殊限定。

一像素电路可连接至少一个发光器件，从而在驱动电路的驱动下发光。例如，发光器件可与第二源漏层连接，可在驱动电路的驱动下发光。发光器件可为有机发光二极管，其可包括沿背离驱动背板BP的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极，其中：

第一电极可与像素定义层设于驱动背板BP的同一表面，其可作为发光器件的阳极。像素定义层的各开口一一对应地露出各第一电极。第一电极可以是单层或多层结构，其材料可包括导电的金属、金属氧化物以及合金中的一种或多种。

发光功能层至少部分设于开口内，且可包括沿背离驱动背板BP的方向依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层，可通过使空穴和电子在发光材料层复合成激子，由激子辐射光子，从而产生可见光，具体发光原理在此不再详述。

第二电极可覆盖发光功能层，其可作为发光器件的阴极，第二电极可以是单层或多层结构，其材料可包括导电的金属、金属氧化物以及合金中的一种或多种。

进一步的，各发光器件可共用同一第二电极，具体而言，第二电极为覆盖各发光器件的发光功能层和像素定义层的连续导电层，也就是说，第二电极在像素定义层的正投影覆盖各个开口。

封装层TFE覆盖发光器件层OL，其可用于保护发光器件层OL，阻隔外界的水、氧对发光器件造成侵蚀。举例而言，封装层TFE可采用薄膜封装的方式实现封装，其可包括第一无机层、有机层和第二无机层，其中，第一无机层覆盖于发光器件层OL背离驱动背板BP的表面，例如， 第一无机层可覆盖第二电极。有机层可设于第一无机层背离驱动背板BP的表面，且有机层的边界限定于第一无机层的边界的内侧，有机层在驱动背板BP上的正投影的边界可位于外围区，确保有机层能覆盖各发光器件。第二无机层可覆盖有机层和未被有机层覆盖的第一无机层，可通过第二无机层阻挡水氧侵入，通过具有柔性的有机层实现平坦化。

触控结构可设于封装层TFE背离驱动背板BP的一侧，例如，缓冲层BA可设于封装层TFE背离驱动背板BP的表面。且触控结构在驱动背板BP上的正投影至少覆盖像素区。触控结构的具体结构可参考上文中触控结构的实施方式，在此不再赘述。触控结构中的电极层TMB的网孔NEh可与各发光器件一一对应设置，具体实施方式可参考上文触控结构的实施方式。

此外，在本公开的一些实施方式中，触控显示面板还可包括偏光层和透明盖板，其中：偏光层为降低对外界光线的反射作用的圆偏光片，其具体原理在不做详细描述。透明盖板可粘接于偏光层上，并可实现平坦化。透明盖板用于保护下方的膜层，其材料可以是玻璃或亚克力等透明材料，在此不做特殊限定。

本公开实施方式还提供一种显示装置，其可包括上述任意实施方式的触控显示面板，触控显示面板的具体结构和有益效果可参考上文的触控结构和触控显示面板的实施方式，在此不再详述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑等具有触控显示功能的电子设备，在此不再一一列举。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (18)

1. 一种触控结构，设于显示基板一侧，所述触控结构包括多个第一触控电极和第二触控电极，各所述第一触控电极沿行方向间隔分布，一所述第一触控电极包括沿列方向间隔分布的多个第一电极块以及连接相邻两所述第一电极块的转接桥；各所述第二触控电极沿所述列方向间隔分布，一所述第二触控电极包括沿所述行方向串联的多个第二电极块；一所述转接桥与一所述第二触控电极交叉设置；所述第一电极块和第二电极位于同一电极层，且间隔分布；所述转接桥位于所述电极层一侧，且与所述电极层之间设有绝缘层；

   所述第一触控电极和第二触控电极为多个网格线形成的网状结构；所述第一电极块和第二电极块的网格线为通道线，形成所述第一电极块的边界的通道线为第一边界通道线；所述转接桥的网格线为转接线；所述转接桥包括至少两个开孔部和连接所述开孔部的桥部，所述开孔部与所述第一电极块通过贯穿所述绝缘层的过孔连接，所述桥部与所述第二触控电极交叉设置；所述开孔部的部分转接线为边界转接线，所述边界转接线与部分所述第一边界通道线交叠；相互交叠的所述转接线和通道线的延伸方向相同；

   在相互交叠的所述边界转接线和第一边界通道线中，所述边界转接线的一侧边位于所述第一边界通道线靠近相邻的所述第二电极块的一侧，所述边界转接线的另一侧边位于所述第一边界通道线的两侧边之间。
2. 根据权利要求1所述的触控结构，其中，所述开孔部中至少部分相邻的所述转接线通过一转接交叉部连接，且至少部分所述转接交叉部与所述边界转接线连接；所述第一电极块中至少部分相邻的所述通道线通过通道交叉部连接，且至少部分所述通道交叉部与所述边界通道线连接；

   所述转接交叉部与通道交叉部一一对应的交叠，且相互交叠的所述转接交叉部和通道交叉部通过所述过孔连接；

   在相互交叠的所述转接交叉部和通道交叉部中，所述转接交叉部的边界位于所述通道交叉部的边界的内侧。
3. 根据权利要求2所述的触控结构，其中，所述网状结构具有由所 述网格线围成的网孔；

   所述开孔部的各所述转接线围成一所述网孔，相邻两所述转接线通过一所述转接交叉部连接；所述开孔部的两个所述转接线为所述边界转接线，所述桥部仅与一连接两所述边界转接线的转接交叉部连接。
4. 根据权利要求2所述的触控结构，其中，所述网状结构具有由所述网格线围成的网孔；

   所述开孔部的各所述转接线围成一所述网孔，相邻两所述转接线通过一所述转接交叉部连接；所述开孔部仅有一个所述转接线为所述边界转接线；所述桥部与连接于所述边界转接线两端的转接交叉部连接。
5. 根据权利要求3或4所述的触控结构，其中，所述开孔部具有四个所述转接线和四个所述转接交叉部，且四个所述转接线和四个所述转接交叉部围成的网孔呈四边形，且四个所述转接交叉部均设有所述过孔。
6. 根据权利要求3-5任一项所述的触控结构，其中，在相互交叠的一所述边界转接线和一所述第一边界通道线中，所述边界转接线靠近相邻的所述第二电极块的侧边与所述第一边界通道线靠近相邻的所述第二电极块的侧边的距离为第一距离，所述边界转接线的另一侧边与所述第一边界通道线远离相邻的所述第二电极块的侧边的距离为第二距离；

   所述第一距离与第二距离相等。
7. 根据权利要求6所述的触控结构，其中，在所述开孔部的一个非所述边界转接线的转接线及其交叠的通道线中，所述转接线的边界的一侧边位于所述通道线远离相邻的所述第二电极块的一侧，所述转接线的另一侧边位于所述通道线的两侧边之间。
8. 根据权利要求7所述的触控结构，其中，在所述开孔部的一个非所述边界转接线的转接线及其交叠的通道线中，所述转接线的边界的一侧边与所述通道线远离所述第二电极块的侧边的距离为第三距离，所述转接线的另一侧边与所述通道线的靠近相邻的第二电极块的侧边的距离为第四距离；

   所述第三距离和第四距离相等。
9. 根据权利要求8所述的触控结构，其中，所述第一距离、第二距离、第三距离和第四距离相等。
10. 根据权利要求8所述的触控结构，其中，所述第一距离和所述第三距离中至少一个为1.2μm。
11. 根据权利要求2所述的触控结构，其中，在相互连接的一所述开孔部与第一电极块中，所述开孔部的各所述转接线均为所述边界转接线，且至少两个相邻的所述边界转接线通过一所述转接交叉部连接。
12. 根据权利要求11所述的触控结构，其中，所述开孔部具有四个所述转接线所述开孔部具有四个所述转接交叉部，四个所述转接线沿所述第一边界通道线的轨迹延伸；四个所述转接交叉部均设有所述过孔。
13. 根据权利要求4所述的触控结构，其中，在相互连接的一所述开孔部与第一电极块中；

    在所述第一电极块的各所述第一边界通道线中，位于所述开孔部两侧且与所述开孔部相邻的第一边界通道线均与所述开孔部断开设置。
14. 根据权利要求1-13任一项所述的触控结构，其中，形成所述第二电极块的边界的通道线为第二边界通道线；

    在一所述第二触控电极与其交叉的桥部中，位于所述桥部两侧且与所述桥部相邻的所述第二边界通道线均与所述桥部断开设置。
15. 根据权利要求14所述的触控结构，其中，所述桥部的部分所述转接线与所述第二边界通道线一一对应的交叠；

    在相互交叠的一所述转接线和一所述第二边界通道线中，所述转接线的一侧边位于所述第二边界通道线靠近相邻的所述第一电极块的一侧，所述转接线的另一侧边位于所述第二边界通道线的两侧边之间。
16. 根据权利要求15所述的触控结构，其中，在相互交叠的一所述转接线和一所述第二边界通道线中，所述转接线的边界的一侧边与所述第二边界通道线靠近所述第一电极块的侧边的距离为第五距离，所述转接线的另一侧边与所述第二边界通道线的远离相邻的所述第一电极块的侧边的距离为第六距离；

    所述第五距离和第六距离相等。
17. 一种触控显示面板，包括：

    显示基板；

    权利要求1-16任一项所述的触控结构，所述转接桥设于所述显示基 板一侧，所述绝缘层覆盖所述转接桥，所述电极层设于所述绝缘层背离所述显示基板的表面。
18. 一种显示装置，包括权利要求17所述的触控显示面板。