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CN116825916A - Led结构及led结构的制备方法 - Google Patents

Led结构及led结构的制备方法 Download PDF

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CN116825916A CN202210281749.2A CN202210281749A CN116825916A CN 116825916 A CN116825916 A CN 116825916A CN 202210281749 A CN202210281749 A CN 202210281749A CN 116825916 A CN116825916 A CN 116825916A
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stress
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Enkris Semiconductor Inc
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Abstract

本公开提供了一种LED结构及LED结构的制备方法。该LED结构包括：LED发光单元，包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；应力调整结构，围绕所述LED发光单元，且对LED发光单元侧壁施加应力，应力调整结构的材料的晶格常数大于LED发光单元中的材料的晶格常数，调节LED结构波长，改善LED结构波长均匀性，另外，由于LED结构的侧壁收到挤压，有效提高了LED结构的发光效率。

Description

LED结构及LED结构的制备方法
技术领域
本公开涉及技术领域，尤其涉及一种LED结构及LED结构的制备方法。
背景技术
近年来，发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)作为新一代绿色光源，广泛应用于照明、背光、显示、指示等领域。发光二极管包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层。以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物是直接带隙的宽禁带半导体材料，具有电子漂移饱和速度高，热导率好、强化学键、耐高温以及抗腐蚀等优良性能，广泛应用于LED。现有的氮化镓基LED外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，其中多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
LED结构因为经过多道制备工序，受制备环境的影响，不同位置的LED结构出现波长不均匀，大大影响LED结构的发光质量。
发明内容
本公开的目的在于提供一种LED结构及LED结构的制备方法，通过调节LED结构侧壁所受到的应力来改善LED结构的波长均匀性。
根据本公开的一个方面，提供一种LED结构，包括：
LED发光单元，包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；
应力调整结构，围绕所述LED发光单元，且对所述LED发光单元的侧壁施加应力，其中，所述应力调整结构的材料的晶格常数大于所述LED发光单元中的材料的晶格常数。
进一步地，所述应力调整结构与所述LED发光单元绝缘设置。
进一步地，还包括：
绝缘层，围绕所述LED发光单元，且覆盖所述LED发光单元的侧壁；
所述应力调整结构围绕所述绝缘层。
进一步地，所述绝缘层的材料为钝化的Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
进一步地，所述应力调整结构为压电材料；
所述LED结构还包括：
第三电极，所述应力调整结构与所述第三电极电连接。
进一步地，所述应力调整结构的材料为半绝缘的Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
进一步地，所述LED发光单元和应力调整结构的材料为Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
进一步地，位于不同位置的LED发光单元侧壁的应力调整结构的晶格常数不同。
进一步地，所述LED结构还包括：
第一电极，电连接于所述第一半导体层；
第二电极，电连接于所述第二半导体层。
根据本公开的一个方面，提供一种LED结构的制备方法，包括：
在一衬底结构上形成LED发光单元，所述LED发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；
形成围绕所述LED发光单元的应力调整结构，所述应力调整结构对所述LED发光单元的侧壁施加应力，其中，所述应力调整结构的材料的晶格常数大于所述LED发光单元中的材料的晶格常数。
进一步地，外延形成所述应力调整结构，所述应力调整结构的材料为半绝缘的Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
进一步地，所述制备方法还包括形成绝缘层，所述绝缘层围绕所述LED发光单元，且覆盖所述LED发光单元的侧壁；
形成所述绝缘层和所述应力调整结构包括：
通过外延生长的方式形成围绕所述LED发光单元(1)的应力调整层(8)，所述应力调整层包括围绕所述LED发光单元的第一区域(801)以及围绕所述第一区域的第二区域；
钝化所述第一区域，以形成绝缘层，所述第二区域形成应力调整结构；或者，
去除所述第一区域，以形成暴露所述衬底结构的环形开口；
形成填充所述环形开口的绝缘层，所述第二区域形成应力调整结构。
进一步地，通过离子注入的方式使位于不同位置的LED发光单元侧壁的应力调整结构的晶格常数不同。
根据本公开的一个方面，提供一种LED结构的制备方法，包括：
在一衬底结构上形成应力调整结构，所述应力调整结构设有暴露所述衬底结构的至少一个开口；
在所述开口内形成LED发光单元，所述LED发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；所述应力调整结构对所述LED发光单元的侧壁施加应力，其中，所述应力调整结构的材料的晶格常数大于所述LED发光单元中的材料的晶格常数。
本公开的LED结构及LED结构的制备方法，LED发光单元，包括层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及应力调整结构，应力调整结构围绕所述LED发光单元，且覆盖所述LED发光单元的侧壁；由于应力调整结构材料的热膨胀系数、晶格常数等参数的不同，使得应力调整结构向第一半导体层的侧壁、发光层的侧壁以及第二半导体层的侧壁施加了平行于接触面的张应力和垂直于接触面的压应力，LED结构受到的应力的大小和应力调整结构的晶格常数相关，通过调整晶格常数，来控制LED结构受到的应力，受到的应力越大，LED结构的发光波长变长，通过施加应力来调节LED结构的波长，进而改善LED结构的波长均匀性。
另一方面，对LED结构侧壁施加应力提高了LED结构的P型半导体层中的空穴浓度，从而增大了注入至发光层中的空穴数量，减少了发光层中未与空穴复合的电子数量，进而减少了电子从发光层溢出至P型半导体层的数量，降低了非辐射复合，提高了发光效率和发光强度；再一方面，发光层102中包括InGaN材料，通过应力实现了发光波长的调节，同时可使得LED发光单元发出同样波长的光的时候所需的In含量降低，从而降低发光层中InGaN与其他材料间的晶格失配，进一步提高了发光效率。
附图说明
图1是本公开实施例一的LED结构的示意图。
图2是本公开实施例二的LED结构的示意图。
图3和图4是本公开实施例三的LED结构的示意图。
图5是本公开实施例四中形成应力调整层后的的示意图。
图6和图7是本公开实施例四的LED结构的示意图。
图8是本公开实施例五的LED结构的示意图。
图9是本公开实施例六的LED结构的示意图。
图10是本公开的LED结构的平面示意图。
附图标记说明：1、LED发光单元；101、第一半导体层；102、发光层；103、第二半导体层；2、应力调整结构；3、衬底结构；301、衬底；302、成核层；303、缓冲层；4、绝缘膜；5、第一电极；6、第二电极；7、第三电极；8、应力调整层；801、第一区域；802、第二区域；9、绝缘层。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。
在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本公开说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
相关技术中，发光二极管包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层。然而，该发光二极管的电子浓度以及电子迁移率都远大于空穴，导致发光层中剩有大量未与空穴复合的电子，这些电子容易溢出到P型半导体层中，并与P型半导体层中的空穴产生非辐射复合，进而降低了注入到发光层中的空穴数量，从而降低了发光二极管的发光效率和发光强度。
实施例一
本公开实施例一提供一种LED结构及LED结构的制备方法。图1为本公开实施例一的LED结构的示意图，该LED结构的制备方法可以包括步骤S100至步骤S110，其中：
步骤S100、在一衬底结构3上形成LED发光单元1，LED发光单元1包括层叠设置的第一半导体层101、发光层102以及第二半导体层103。
步骤S110、形成围绕LED发光单元1的应力调整结构2，该应力调整结构2对LED发光单元1的侧壁施加垂直于LED发光单元1侧壁的压应力和平行于LED发光单元1侧壁的张应力，应力调整结构2的材料的晶格常数大于LED发光单元1中的材料的晶格常数。
本实施例制备的LED结构，第一半导体层101和第二半导体层103中一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层，由于材料的热膨胀系数、晶格常数等参数的不同，使得应力调整结构2向第一半导体层101的侧壁、发光层102的侧壁以及第二半导体层103的侧壁施加了垂直于LED发光单元1侧壁的压应力和平行于LED发光单元1侧壁的张应力，LED结构受到的应力的大小和应力调整结构2的晶格常数相关，通过调整晶格常数，来控制LED结构受到的应力，受到的应力越大，LED结构的发光波长变长，通过施加应力来调节LED结构的波长，进而改善LED结构的波长均匀性；另一方面，对LED结构侧壁施加应力提高了LED结构的P型半导体层中的空穴浓度，从而增大了注入至发光层102中的空穴数量，减少了发光层102中未与空穴复合的电子数量，进而减少了电子从发光层102溢出至P型半导体层的数量，降低了非辐射复合，提高了发光效率和发光强度；又一方面，通过调节LED结构侧壁所受到的应力能够改善LED结构的波长均匀性；再一方面，发光层102中包括InGaN材料，本实施例通过应力实现了发光波长的调节，同时可使得LED发光单元1发出同样波长的光的时候所需的In含量降低，从而降低发光层102中InGaN与其他材料间的晶格失配，进一步提高了发光效率。
下面对本实施例的各步骤进行详细说明：
在步骤S100中，在一衬底结构3上形成LED发光单元1，LED发光单元1包括层叠设置的第一半导体层101、发光层102以及第二半导体层103。
该衬底结构3可以包括衬底301、成核层302以及缓冲层303。该衬底301可以为硅衬底301，当然，也可以碳化硅衬底301，但不限于此，还可以为蓝宝石衬底301等。该成核层302可以设于硅衬底301的一侧。该缓冲层303可以覆盖成核层302。该LED发光单元1可以形成于缓冲层303背向衬底301的一侧，具体地，该第一半导体层101可以设于缓冲层303背向衬底301的一侧。该发光层102可以设于第一半导体层101背向衬底301的一侧。该发光层102可以为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。该第二半导体层103可以设于发光层102背向衬底301的一侧。该第一半导体层101的导电类型与第二半导体层103的导电类型不同。该第一半导体层101可以为P型半导体层，该第二半导体层103可以为N型半导体层。当然，该第一半导体层101可以为N型半导体层，该第二半导体层103可以为P型半导体层。该N型半导体层和/或P型半导体层可以包括Ⅲ族氮化物材料。该Ⅲ族氮化物材料可以为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN中的至少一种。该N型半导体层中的N型离子可以为Si离子、Ge离子、Sn离子、Se离子或Te离子中的至少一种。该P型半导体层中的P型掺杂离子可以为Mg离子、Zn离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子中的至少一种。此外，形成于衬底结构3上的LED发光单元1的数量可以为一个或多个。图10是本公开的LED结构的平面示意图，如图10所示，以LED发光单元1的数量可以为多个为例，多个LED发光单元1可以间隔设置，且可以呈阵列分布，但本公开对LED发光单元1的排布不做特殊限定。此外，该LED发光单元1在衬底结构3上的正投影可以是方形、圆形、矩形、菱形等任意形状。
举例而言，LED发光单元1的形成过程可以包括：在衬底结构3上形成LED结构层；对LED结构层进行图案化，以形成一个或多个LED发光单元1。当然，本公开也可以通过下述方法形成LED发光单元1：在衬底结构3上形成掩膜层；对掩膜层进行图案化，以在掩膜层上形成一个或多个暴露衬底结构3的通孔；在通孔内形成LED发光单元1；去除掩膜层。上述的“图案化”可以包括刻蚀等步骤。
在步骤S110中，形成围绕LED发光单元1的应力调整结构2，该应力调整结构2对LED发光单元1的侧壁施加垂直于LED发光单元1侧壁的压应力和平行于LED发光单元1侧壁的张应力，应力调整结构2的材料的晶格常数大于LED发光单元1中的材料的晶格常数。
该应力调整结构2可以在反应室中形成，其形成工艺可以包括：原子层沉积法(ALD，Atomic layer deposition)、或化学气相沉积法(CVD，Chemical VaporDeposition)、或分子束外延生长法(MBE，Molecular Beam Epitaxy)、或等离子体增强化学气相沉积法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、或低压化学蒸发沉积法(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)，或金属有机化合物化学气相沉积法、或其组合方式。该应力调整结构2与LED发光单元1绝缘设置。该应力调整结构2的材料为半绝缘的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，该应力调整结构2的材料的晶格常数大于LED发光单元1中的材料的晶格常数。如此设置，可使应力调整结构2在垂直LED发光单元1的侧壁方向上向LED发光单元1施加一定程度的压应力以及在平行LED发光单元1的侧壁方向上向LED发光单元1施加一定程度的张应力。此外，位于不同位置的LED发光单元1侧壁的应力调整结构2的晶格常数可以不同。
当然，本公开也可以先在一衬底结构3上形成应力调整结构2，该应力调整结构2设有暴露衬底结构3的至少一个开口，接着在开口内形成LED发光单元1，该LED发光单元1包括层叠设置的第一半导体层101、发光层102以及第二半导体层103。
本公开实施例一的LED结构可以由上述LED结构的制备方法制备而成。该LED结构可以包括衬底结构3、LED发光单元1以及应力调整结构2。该LED发光单元1和应力调整结构2均设于该衬底结构3上。该LED发光单元1可以包括层叠设置的第一半导体层101、发光层102以及第二半导体层103。该应力调整结构2可以围绕LED发光单元1，应力调整结构2的材料的晶格常数大于LED发光单元1中的材料的晶格常数。
实施例二
本公开实施例二的LED结构及LED结构的制备方法与本公开实施例一的LED结构及LED结构的制备方法大致相同，区别在于：如图2所示，在形成应力调整结构2之后，去除衬底结构3。
实施例三
图3和图4是本公开实施例三的LED结构的示意图，本公开实施例三的LED结构及LED结构的制备方法与本公开实施例一或实施例二的LED结构及LED结构的制备方法大致相同，区别在于：本实施例还包括在LED发光单元1侧壁形成绝缘膜4，该应力调整结构2覆盖绝缘膜4，即应力调整结构2与绝缘膜4直接接触。该绝缘膜4能够降低非辐射复合。具体地，该绝缘膜4的形成过程可以包括：对LED发光单元1的边缘区域进行钝化，以形成绝缘膜4。具体的，钝化可通过离子注入的方式实现。其中，该绝缘膜4的形成过程可以在步骤S110之后进行。
该应力调整结构2的材料可以为晶格常数大于LED发光单元1中材料的半绝缘的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，例如InGaN等，如此设置，可使应力调整结构2向LED发光单元1施加垂直于LED发光单元1侧壁的压应力以及在平行LED发光单元1的侧壁方向上向LED发光单元1施加一定程度的张应力，本实施例中发光层102包括InGaN材料，该压应力使得LED发光单元1发出同样波长的光的时候所需的In含量降低，从而降低发光层102中InGaN与其他材料间的晶格失配，进一步提高了发光效率。上述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物即为Ⅲ-Ⅴ族化合物。
本实施例中，在步骤S110之前，需在LED发光单元1的上表面制作掩膜层(图中未示出)，掩膜材料例如SiO2，以避免步骤S110中形成例如InGaN等Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料时该Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料覆盖住LED发光单元1的上表面，且该掩膜层可在步骤S110后去除。
实施例四
图6和图7是本公开实施例四的LED结构的示意图。本公开实施例四的LED结构及LED结构的制备方法与本公开实施例一或实施例二的LED结构及LED结构的制备方法大致相同，区别在于：本实施例中，该LED结构还可以包括绝缘层9。该绝缘层9可以围绕LED发光单元1。该绝缘层9可以覆盖LED发光单元1的侧壁。具体而言，该绝缘层9覆盖第一半导体层101的侧壁、发光层102的侧壁以及第二半导体层103的侧壁。该应力调整结构2围绕绝缘层9。该绝缘层9的材料可以为钝化的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，具体的例如N离子或者Ar原子掺杂的InGaN。
图5是本公开实施例四中形成应力调整层8后的的示意图。本实施例的应力调整结构2的制备过程可以包括步骤S1101和步骤S1102，其中：
步骤S1101、在形成LED发光单元1之后，通过外延生长的方式形成围绕LED发光单元1的应力调整层8，该应力调整层8包括围绕LED发光单元1的第一区域801以及围绕第一区域801的第二区域802。
该应力调整层8可以为晶格常数大于LED发光单元1中材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，其材料可以为InGaN等。
步骤S1102、对第一区域801进行钝化，经过钝化的第一区域801形成绝缘层9，该第二区域802形成应力调整结构2。
具体的，钝化可通过离子注入的方式实现。以应力调整层8的材料为InGaN为例，本公开可以采用破坏性离子对第一区域801进行离子注入实现钝化，以形成电隔离LED发光单元1的绝缘层9。该破坏性离子可以包括N、He、H、F、Mg、Ar或Al，但本公开对此不做限定。采用刻蚀工艺对LED发光单元1进行隔离，会在LED发光单元1的侧壁上产生缺陷,并由于无辐射电子和空穴复合而导致泄漏路径,从而降低了LED发光单元1的效率,降低了寿命和成品率并导致自热，本公开采用离子注入不会产生泄漏路径。
当然，上述步骤S1102也可以包括：去除第一区域801，以形成暴露衬底结构3的环形开口；形成填充环形开口的绝缘层9，该第二区域802形成应力调整结构2。其中，本实施例可以通过刻蚀工艺去除第一区域801，但本公开对此不做特殊限定。
实施例五
图8是本公开实施例五的LED结构的示意图。本公开实施例五的LED结构及LED结构的制备方法与本公开实施例一至实施例四中任一实施例的LED结构及LED结构的制备方法大致相同，区别在于：还形成电连接第一半导体层101的第一电极5以及电连接第二半导体层103的第二电极6。其中，该第一电极5和第二电极6可以位于LED发光单元1的两侧。具体地，该第一电极5可以设于衬底结构3背向LED发光单元1的一侧，该第二电极6可以设于第二半导体层103背向发光层102的一侧。以第一半导体层101为N型半导体层且第二半导体层103为P型半导体层为例，该第一电极5为N型电极，该第二电极6为P型电极。该第一电极5的材料和第二电极6的材料均可以选自金、银、铝、铬、镍、铂、钛中的至少一种。
实施例六
图9是本公开实施例六的LED结构的示意图。本公开实施例六的LED结构及LED结构的制备方法与本公开实施例五的LED结构及LED结构的制备方法大致相同，区别在于：该应力调整结构2为压电材料，本实施例还形成第三电极7，该第三电极7电连接于应力调整结构2。该第三电极7的材料可以选自金、银、铝、铬、镍、铂、钛中的至少一种。由于应力调整结构2为压电材料，从而可以通过第三电极7对应力调整结构2施加电压，此时，应力调整结构2会发生膨胀，可进一步增加应力调整结构2对LED单元1的侧壁施加的应力。
以上所述仅是本公开的较佳实施方式而已，并非对本公开做任何形式上的限制，虽然本公开已以较佳实施方式揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

Claims (14)

1.一种LED结构，其特征在于，包括：
LED发光单元(1)，包括层叠设置的第一半导体层(101)、发光层(102)以及第二半导体层(103)；
应力调整结构(2)，围绕所述LED发光单元(1)，且对所述LED发光单元(1)的侧壁施加应力，其中，所述应力调整结构(2)的材料的晶格常数大于所述LED发光单元(1)中的材料的晶格常数。
2.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述应力调整结构(2)与所述LED发光单元(1)绝缘设置。
3.根据权利要求2所述的LED结构，其特征在于，还包括：
绝缘层(9)，围绕所述LED发光单元(1)，且覆盖所述LED发光单元(1)的侧壁；
所述应力调整结构(2)围绕所述绝缘层(9)。
4.根据权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述绝缘层(9)的材料为钝化的Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
5.根据权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述应力调整结构(2)为压电材料；
所述LED结构还包括：
第三电极(7)，所述应力调整结构(2)与所述第三电极(7)电连接。
6.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述应力调整结构(2)的材料为半绝缘的Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
7.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述LED发光单元(1)和应力调整结构(2)的材料为Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
8.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，位于不同位置的LED发光单元(1)侧壁的应力调整结构(2)的晶格常数不同。
9.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述LED结构还包括：
第一电极(5)，电连接于所述第一半导体层(101)；
第二电极(6)，电连接于所述第二半导体层(103)。
10.一种LED结构的制备方法，其特征在于，包括：
在一衬底结构(3)上形成LED发光单元(1)，所述LED发光单元(1)包括层叠设置的第一半导体层(101)、发光层(102)以及第二半导体层(103)；
形成围绕所述LED发光单元(1)的应力调整结构(2)，所述应力调整结构(2)对所述LED发光单元(1)的侧壁施加应力，其中，所述应力调整结构(2)的材料的晶格常数大于所述LED发光单元(1)中的材料的晶格常数。
11.根据权利要求10所述的LED结构的制备方法，其特征在于，外延形成所述应力调整结构(2)，所述应力调整结构(2)的材料为半绝缘的Ⅲ-Ⅴ族氮化物。
12.根据权利要求10所述的LED结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括形成绝缘层(9)，所述绝缘层(9)围绕所述LED发光单元(1)，且覆盖所述LED发光单元(1)的侧壁；
形成所述绝缘层(9)和所述应力调整结构(2)包括：
通过外延生长的方式形成围绕所述LED发光单元(1)的应力调整层(8)，所述应力调整层(8)包括围绕所述LED发光单元(1)的第一区域(801)以及围绕所述第一区域(801)的第二区域(802)；
钝化所述第一区域(801)，以形成绝缘层(9)，所述第二区域(802)形成应力调整结构(2)；或者，
去除所述第一区域(801)，以形成暴露所述衬底结构(3)的环形开口；
形成填充所述环形开口的绝缘层(9)，所述第二区域(802)形成应力调整结构(2)。
13.根据权利要求10所述的LED结构的制备方法，其特征在于，通过离子注入的方式使位于不同位置的LED发光单元(1)侧壁的应力调整结构(2)的晶格常数不同。
14.一种LED结构的制备方法，其特征在于，包括：
在一衬底结构(3)上形成应力调整结构(2)，所述应力调整结构(2)设有暴露所述衬底结构(3)的至少一个开口；
在所述开口内形成LED发光单元(1)，所述LED发光单元(1)包括层叠设置的第一半导体层(101)、发光层(102)以及第二半导体层(103)；所述应力调整结构(2)对所述LED发光单元(1)的侧壁施加应力，其中，所述应力调整结构(2)的材料的晶格常数大于所述LED发光单元(1)中的材料的晶格常数。
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