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CN116577966A - 工作台及曝光装置 - Google Patents

工作台及曝光装置 Download PDF

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CN116577966A
CN116577966A CN202211683781.XA CN202211683781A CN116577966A CN 116577966 A CN116577966 A CN 116577966A CN 202211683781 A CN202211683781 A CN 202211683781A CN 116577966 A CN116577966 A CN 116577966A
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CN
China
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partition wall
recess
workpiece
wall portion
vacuum
Prior art date
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Pending
Application number
CN202211683781.XA
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English (en)
Inventor
杉崎俊太
那胁洋平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
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Publication date
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Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
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Pending legal-status Critical Current

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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
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Abstract

提供能够抑制异物的夹入、适当地平面保持由有机基板构成的工件的工作台以及使用了该工作台的曝光装置。工作台(10)保持有机基板(工件(W))。工作台(10)具备:基台(11),其形成有被供给真空的凹部(11a);多个基板保持部(14),其设于凹部(11a)的内侧,保持有机基板的大致整个面;以及吸气孔(15),其用于向凹部(11a)供给真空,将有机基板真空吸附于基板保持部(14)的上表面。

Description

工作台及曝光装置
技术领域
本发明涉及对施加曝光等加工处理的基板进行保持的工作台以及使用了该工作台的曝光装置。
背景技术
在制造半导体、印刷基板、液晶基板等工件的工序中,当进行曝光等加工处理时,为了不使工件引起位置偏移,使用对工件进行吸附保持的工作台。
作为在LSI制造中使用的真空吸附装置,例如专利文献1公开了一种仅利用上表面处于同一平面上的多个突起件来保持工件(晶圆)的所谓的销式工作台(销式卡盘)。像这样,以往,在半导体制造工序的前工序中,广泛使用销式工作台。
另一方面,在半导体制造的后工序中,以往,使用在表面形成有多个真空吸附孔的平面工作台(真空卡盘)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-195428号公报
发明内容
发明所要解决的课题
对于工作台,对所载置的工件可靠地进行吸附保持,要求吸附保持中的工件为平面。
但是,在使用了上述的平面工作台的加工处理中,异物容易向工件与工作台之间进入。该异物例如是半导体封装(PKG)中使用的有机基板的垃圾(Fall Material:FM)等。
若异物夹在工件与工作台之间,则工件变形而鼓起。此时,在工件上的鼓起的部分引起散焦,出现曝光不良。其结果是,成品率恶化。
于是,本发明的目的在于提供能够抑制异物的夹入、适当地平面保持由有机基板构成的工件的工作台以及使用了该工作台的曝光装置。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题,本发明的工作台的一方式是一种保持有机基板的工作台,其中,具备:基台,其形成有被供给真空的凹部;多个基板保持部,其设于所述凹部的内侧,保持所述有机基板的大致整个面;以及吸气孔,其用于向所述凹部供给真空,将所述有机基板真空吸附于所述基板保持部的上表面。
这样,通过设为利用多个基板保持部进行真空吸附来保持有机基板(工件)的结构,能够减少工件与工作台的接触面积,能够抑制异物向工件与工作台之间夹入。因而,能够适当地平面保持工件。
另外,上述工作台也可以在所述凹部的内侧的端部附近的外周区域还具备在从所述凹部的端部朝向所述凹部的中心的方向上设有多级的分隔壁部。
该情况下,即使在对层叠有容易剥离的膜等的工件的该膜侧进行吸附保持、该膜等的端部发生了剥离的情况下,分隔壁部也能够抑制该剥离的发展。也就是说,能够抑制膜等从端部向中心部大幅度剥离。
而且,在上述工作台中,也可以如下:所述多个基板保持部设于所述凹部的内侧的中心区域且与所述有机基板的处理区域对应的区域,所述多级的分隔壁部设于所述凹部的内侧的设定在所述中心区域的外侧的所述外周区域且与所述有机基板的非处理区域对应的区域。
该情况下,能够使上述膜等的剥离止步于工件的非处理区域内,抑制剥离向工件的处理区域发展。因而,在工件的处理区域中,能够适当地维持平面保持。
另外,在上述工作台中,也可以如下:所述分隔壁部具备缺口部,该缺口部构成针对所述吸气孔的吸气路径。
该情况下,不需要夹着分隔壁部分别在内侧和外侧设置吸气孔。另外,能够夹着分隔壁部在内侧和外侧均匀地抽真空。
而且,在上述工作台中,也可以如下:所述多级的分隔壁部包含设有第一缺口部的第一分隔壁部和比所述第一分隔壁部靠所述凹部的中心侧设置且设有第二缺口部的第二分隔壁部,所述第二缺口部设于使所述第一缺口部所构成的针对所述吸气孔的吸气路径迂回的位置。
通过这样使吸入气体的气流迂回,即使在对层叠有容易剥离的膜等的工件的该膜侧进行吸附保持、该膜等的端部发生了剥离的情况下,也能够利用设于凹部的中心侧的第二分隔壁部适当地抑制上述剥离。
另外,在上述工作台中,也可以如下:所述分隔壁部之间的距离为所述基板保持部之间的距离以下。
该情况下,能够适当地抑制分隔壁部之间的工件的挠曲。
再另外,在上述工作台中,也可以如下:所述缺口部的宽度为所述基板保持部之间的距离以下。
该情况下,能够适当地抑制设于分隔壁部的缺口部处的工件的挠曲。
另外,在上述工作台中,也可以如下:形成所述凹部的外周部、所述基板保持部及所述分隔壁部具有相同的高度。
该情况下,能够通过真空吸附更适当地平面保持工件。
而且,本发明的曝光装置的一方式具备:出射曝光光的光照射部;对形成有图案的掩模进行保持的掩模台;以及对被转印图案的有机基板进行保持的工作台,所述图案是形成于所述掩模的图案;所述工作台是上述的任一个工作台。
这样,在使用了能够适当地平面保持工件的工作台的曝光装置中,能够适当地抑制散焦所导致的曝光不良,能够避免成品率的恶化。
发明效果
根据本发明的工作台,能够抑制异物的夹入,适当地平面保持由有机基板构成的工件。
另外,根据使用了这样的工作台的曝光装置,可抑制曝光不良,抑制成品率的恶化。
附图说明
图1是具备本实施方式的工作台的曝光装置的概要结构图。
图2是表示工作台的结构例的俯视图。
图3是表示工作台的结构例的侧视图。
图4是表示工作台的中心区域及外周区域的图。
图5是表示工件的一个例子的图。
图6A是对使用了销式工作台的曝光装置的动作进行说明的图。
图6B是对使用了销式工作台的曝光装置的动作进行说明的图。
图6C是对使用了销式工作台的曝光装置的动作进行说明的图。
图6D是对使用了销式工作台的曝光装置的动作进行说明的图。
图7A是对本实施方式的曝光装置的动作进行说明的图。
图7B是对本实施方式的曝光装置的动作进行说明的图。
图7C是对本实施方式的曝光装置的动作进行说明的图。
图7D是对本实施方式的曝光装置的动作进行说明的图。
图8是对使用了销式工作台的情况下的保护膜的剥离的一个例子进行表示的图。
图9是对使用了本实施方式的工作台的情况下的保护膜的剥离的一个例子进行表示的图。
图10是表示工作台的其它例子的图。
图11是表示工作台的其它例子的图。
图12是表示工作台的其它例子的图。
图13是表示工作台的其它例子的图。
图14是表示工作台的其它例子的图。
图15是表示工作台的其它例子的图。
图16是表示工作台的其它例子的图。
具体实施方式
以下,基于附图来说明本发明的实施方式。
在本实施方式中,以用于曝光装置的工作台为例进行说明,但即使不是曝光装置,只要是对有机基板进行真空吸附保持来进行处理的装置,就能够使用该工作台。
图1是对具备本实施方式的工作台10的曝光装置100的概要结构进行表示的图。
曝光装置100是对由有机基板构成的工件W进行曝光的曝光装置。在此,工件W例如能够设为印刷基板。
如图1所示,曝光装置100具备工作台10、光照射部20、掩模30、对掩模30进行保持的掩模台31和投影透镜40。
光照射部20具有灯21和反射镜22,灯21是放射包含紫外线的光的曝光用光源,反射镜22对来自灯21的光进行反射。灯21及反射镜22收容于灯壳23。此外,这里将对光照射部20的光源为灯21的情况进行说明,但光源也可以是LED、激光等。
在掩模30上,形成有向工件上曝光(转印)的电路图案等图案。来自光照射部20的曝光光经由掩模30和投影透镜40被照射到工作台10所保持的工件W,使形成于掩模30的图案投影到工件W上进行曝光。
此外,在本实施方式中,对曝光装置100具备投影透镜40的情况进行说明,但在不具备投影透镜40的曝光装置中也能够应用本实施方式的工作台10。
工作台10具备在中央部形成有凹部11a的基台(基座板)11。基台11例如能够由铝构成。
在工作台10上连接有配管50。在配管50上连接有空气和真空,通过开闭第一阀51和第二阀52,能够向基台11切换供给真空和空气。
在基台11内部形成有真空空气导入路11b,向配管50供给的真空或者空气通过真空空气导入路11b供给到凹部11a。
以下,对工作台10的结构具体进行说明。
图2是表示工作台10的结构例的俯视图,图3是表示工作台10的结构例的侧视图。
工作台10的基台11例如是四边形状的板状部件。此外,基台11的形状并不限定于四边形状。
基台11在其外缘部具备向工件W的吸附面侧(图3上方向)突出地形成的外周部12。外周部12形成在基台11的整周上,通过该外周部12,在基台11上形成凹部11a。
在凹部11a的内侧的端部附近设有分隔壁部13,在凹部11a的内侧的中央部设有多个基板保持部14。
分隔壁部13在从凹部11a的端部朝向凹部11a的中心的方向上设置多级。在本实施方式中,分隔壁部13从外周部12向内侧以规定的间隔形成为两重。
并且,内侧的分隔壁部13和外侧的分隔壁部13分别具备至少一个缺口部13a。在本实施方式中,分隔壁部13分别具备两个缺口部13a。具体而言,外侧的分隔壁部13在沿X方向对置的位置分别具备缺口部13a,内侧的分隔壁部13在沿Y方向对置的位置分别具备缺口部13a。
此外,分隔壁部13只要设置至少两级即可,级数不作特别限定。
基板保持部14例如是销形状的凸部。基板保持部(以下,也称为“销”)14例如如图2所示那样沿X方向及Y方向以规定的间隔排列配置。
此外,基板保持部14的形状及配置并不限定于上述。例如基板保持部14的形状也可以为圆柱状、圆锥状、棱柱状、棱锥状等。
另外,在凹部11a的底面,形成有成为真空空气导入路11b的端部的吸气孔15。在图2中,示出了工作台10在凹部11a的中央仅具备一个吸气孔15的情况,但吸气孔15的数量及位置并不限定于上述。吸气孔15只要至少设于工作台10的中心即可。
而且,外周部12、分隔壁部13和销14在Z方向上具有相同的高度。外周部12的上表面、分隔壁部13的上表面及销14的上表面构成工作台10中的工件W的载置面。工作台10在工件W载置于上述载置面时,能够通过对形成于工件W与凹部11a之间的区域进行真空排气而吸附保持工件W。
工作台10的载置面、即包含外周部12的上表面、分隔壁部13的上表面和销14的上表面的平面被精加工为精度良好的平面。例如,工作台10的载置面通过高精度的研磨加工被加工为超平面。
如图4所示,凹部11a由设有销14的中心区域10a和处于其外周且设有分隔壁部13的外周区域10b构成。中心区域10a与设于工件W的大致整个面的处理区域(曝光区域)对应,外周区域10b与设于工件W的处理区域的外侧的较小的非处理区域对应。也就是说,工件W以曝光区域被配置在中心区域10a内的方式载置于工作台10,工件W的大致整个面被销14保持。
销14的直径或一边的长度(以下,称为“销径”)优选为左右。另外,销14的高度可以设为另外,销14与销14之间的距离(以下,称为“销间距离”)优选为4mm以下,更优选例如设为左右。
分隔壁部13的上表面宽度(以下,称为“分隔壁部宽度”)及分隔壁部13与分隔壁部13之间的槽的距离(以下,称为“分隔壁部间距离”)可以与销径及销间距离相同。分隔壁部间距离为销间距离以下即可。
销径及销间距离优选设定为能够在吸附保持工件W时确保曝光精度不被工件W的变形(挠曲)妨碍的平面度的程度的值。销径及销间距离能够根据工件W的种类(厚度、硬度等)、成本等适当进行设定。例如,销间距离越窄则工件W的挠曲越少,因此能够提高曝光精度,但由于销14的数量增加,因此成本高企。
另外,销径优选设定为能够抑制与工件W接触的接触面的异物的附着的程度的值。
如上所述,要求工作台的工件载置面为平面。然而,在使用了以往的在工作台的表面形成有多个真空吸附孔的平面工作台的曝光装置中,即使工作台本身就是平面,异物也容易附着在工件载置面上,工件可能由于进入工件与工作台之间的异物而变形。该情况下,在工件上的鼓起的部分引起散焦,出现曝光不良,因此成品率恶化。
本实施方式的工作台10具有如下结构:具备基台11、外周部12和在通过外周部12形成于基台11的凹部11a中设置的多个销14,通过向凹部11a供给真空,使保持工件W的大致整个面的销14a对工件W进行真空吸附保持。
由此,与以往的工作台相比,能够大幅度减少工件W与工作台10的接触面积,因此能够上述由异物引起的曝光不良。
然而,在印刷基板中,有的在两个面形成有电路图案。该情况下,如图5所示,工件W具有在基材W0的两个面涂布有抗蚀剂R、在抗蚀剂R之上层叠有保护膜F的结构。此外,在该图5中,夸张地表示了抗蚀剂R及膜F的厚度。
在此,抗蚀剂R例如可以是干膜抗蚀剂。另外,保护膜F例如可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。另外,抗蚀剂R的厚度可以设为约30μm,保护膜F的厚度可以设为左右。
在使用图5所示的工件W的情况下,曝光装置对工件W的两个面分别进行曝光处理。
此时,在工作台不具备本实施方式的工作台10所具备的那种分隔壁部13的情况下,也就是说,在为凹部11a仅形成有销14的结构的情况下,在两面曝光中会发生保护膜F的剥离。以下,对这一点详细进行说明。
图6A图6D是对包含不具备分隔壁部13的工作台110的曝光装置的动作进行说明的图。
在此,工作台110具备与本实施方式的工作台10的外周部12、销14、吸气孔15、凹部11a及真空空气导入路11b分别对应的外周部112、销114、吸气孔115、凹部111a及真空空气导入路111b。
在具备该工作台110的曝光装置中,首先如图6A所示,通过未图示的搬运机构,向工作台110上搬运工件W。在此,如图5所示,工件W具有在两面(第一面W1及第二面W2)上涂布有抗蚀剂R且在其上层叠有保护膜F的结构。
如图6B所示,搬运到工作台110上的工件W以第一面W1为上表面载置在工作台110上。然后,通过由曝光装置从配管150向工作台110的凹部111a供给真空,工件W被吸附保持在工作台110上。在该状态下,曝光装置将曝光光L照射于工件W,对第一面W1进行曝光处理。曝光装置在上述曝光处理中为了使工件W不移动(位置偏移)而持续向工作台110供给真空。
若对第一面W1的曝光处理结束,则曝光装置停止曝光光L的照射,并停止向凹部111a供给真空。由此,解除工件W的吸附保持。解除了吸附保持的工件W如图6C所示那样被未图示的翻转机构翻转正反面,并如图6D所示那样以接下来进行曝光的第二面W2为上表面载置在工作台110上。
然后,通过由曝光装置从配管150向工作台110的凹部111a供给真空,工件W被吸附保持在工作台110上。
此外,就印刷基板中大多使用的抗蚀剂而言,若被照射曝光光,则被照射的部分与曝光前相比变硬,因此即使以曝光过的面为下置于工作台上,所形成的曝光图案也不会变形。
在该状态下,曝光装置将曝光光L照射于工件W,对第二面W2进行曝光处理。这样一来,进行工件W的两个面的曝光处理。若第二面W2的曝光处理结束,则工件W被从工作台110拆下,通过未图示的搬运机构搬运到曝光装置外并移入到接下来的显影工序。
在两个面涂布有抗蚀剂R的工件W中,为了保护抗蚀剂R而层叠在抗蚀剂R上的保护膜F由于在中心部是与抗蚀剂R牢固紧贴的,因此难以剥离,而在周缘部是容易剥离的。保护膜F的中心部的临界剥离强度为10N以上,而周缘部的临界剥离强度为0.2N左右。
因此,如图6B所示,若以工件W的最初进行曝光的面(第一面W1)为上且以随后进行曝光的面(第二面W2)为下置于工作台110上,并从配管150向凹部111a供给真空而对工件W进行真空吸附,则保护膜F的周缘部有时会由于真空的吸引力而剥离。在周缘部发生的剥离由于真空的吸引力而向中心部大幅度发展。
如图6B所示,若在工件W的吸附面即第二面W2处保护膜F发生剥离,则工件W的吸附力降低,或者工件W的平面度(平坦度)降低,对第一面W1的曝光处理造成妨碍。
而且,如图6D所示,在对工件W的第二面W2进行曝光处的理情况下,由于在第一面W1的曝光处理时发生了剥离的保护膜F侧变成被照射面,因此会对第二面W2曝光处理造成妨碍。
这样,在利用工作台110对两面层叠有抗蚀剂R和保护膜F的工件W进行真空吸附而进行两面曝光处理的情况下,有时会产生保护膜F剥离的问题。
相对于此,在本实施方式中,由于在凹部11a的外周区域10b设置两重的分隔壁部13,因此即使在对表面设有保护膜F的工件W的保护膜F侧进行吸附保持的情况下,也能够抑制该保护膜F的剥离。
图7A图7D是对具备本实施方式的工作台10的曝光装置100的动作进行说明的图。
如图7A所示,首先,通过未图示的搬运机构,向工作台10上搬运工件W。搬运到工作台110上的工件W如图7B所示那样以第一面W1为上表面载置在工作台10上,被真空吸附。在该状态下,曝光装置10将曝光光L照射于工件W,对第一面W1进行曝光处理。
此外,在本实施方式中,如图7A所示,曝光装置100也可以一边从配管50向工作台10的凹部11a供给真空一边将工件W载置在工作台10上。通过一边供给真空一边将工件W载置在工作台10上,能够缩短节拍时间。
不过,供给真空的定时并不限定于上述,曝光装置100也可以在将工件W载置于工作台10上之后向工作台10的凹部11a供给真空。
在针对第一面W1的曝光处理中,工件W通过真空吸附被按压在工作台10的表面。
此时向凹部11a供给的真空从真空空气导入路11b通过吸气孔15并经过凹部11a的中心区域10a(参照图4)朝向外周区域10b(参照图4)。
本实施方式的工作台10在外周区域10b具备两重的分隔壁部13,两重的分隔壁部13上分别设置的缺口部13a相互错开地配置。因此,随着从中心区域10a朝向外周区域10b,工件W的吸附力适度变弱。因而,如图7B所示,即使对第二面W2的保护膜F侧进行吸附保持,保护膜F也不会剥离,能够很好地进行第一面W1的曝光处理。
若对第一面W1的曝光处理结束,则曝光装置100停止曝光光L的照射,并停止向凹部11a供给真空,切换为供给空气。通过向凹部11a供给空气,工件W被推起,容易拆下工件W。从工作台10剥离的工件W如图7C所示那样通过未图示的翻转机构翻转正反面,并图7D所示那样以接下来进行曝光的第二面W2为上表面载置在工作台110上,被吸附保持于工作台10上。然后,同样地对第二面W2进行曝光处理。
如图7B所示,在第一面W1的曝光处理时,第二面W2侧的保护膜F不剥离,因此如图7D所示,即使将第二面W2侧设为被照射面的情况下,也不会对第二面W2的曝光处理造成妨碍。
在不具备分隔壁部13的工作台110的情况下,如图8的左图所示,在保护膜F的端部发生了较小的剥离F11的情况下,该剥离朝向中心部大幅度发展,如图8的右图所示那样变为较大的剥离F12。这是因为,在工作台110的情况下,利用销114,从工作台110端部向中心的吸气孔115呈一条直线地形成了吸气路径,剥离沿着该吸气路径发展。
此外,在图8中,夸张地表示了销114。
相对于此,在本实施方式的工作台10的情况下,如图9的左图所示,即使同样在保护膜F的端部产生了较小的剥离F1,该剥离也不会大幅度发展。这是因为,利用分隔壁部13使吸气路径相对于吸气孔15迂回。如图9的左图所示,在设于最外侧的分隔壁部13的缺口部13a的位置处发生了剥离F1的情况下,剥离F1沿吸气路径向中心发展,但该发展在第二个分隔壁部13处停止。因此,如图9的右图所示,止步于较小的剥离F2。
也就是说,在端部发生的剥离止步于形成有分隔壁部13的外周区域10b,不会到达中心区域10a。因此,本实施方式的工作台10能够适当地维持工件W的曝光区域的平面度(平坦度),使用了本实施方式的工作台10的曝光装置100能够良好地进行工件W的曝光处理。
此外,在图9中,夸张地表示了分隔壁部13及销14。
如以上说明,本实施方式的工作台10具备:基台11,其形成有被供给真空的凹部11a;多个销14,其设于凹部11a的内侧;以及吸气孔15,其向凹部11a供给真空;通过向凹部11a供给真空,将作为有机基板的工件W的大致整个面真空吸附于销14的上表面。此时,销14保持工件W的大致整个面。
这样,通过设为利用多个销14进行真空吸附来保持工件W的结构,能够减少工件W与工作台10的接触面积,能够抑制异物向工件W与工作台10之间夹入。因而,能够适当地平面保持工件W。
另外,本实施方式的工作台10可以在凹部11a的内侧的端部附近即外周区域10b具备在从凹部11a的端部朝向凹部11a的中心的方向上设有多级的分隔壁部13。
由此,即使在将层叠有容易剥离的保护膜F的工件W吸附保持于工作台10侧的情况下,也能够使保护膜F不从端部剥离。另外,即使在工件W的裁断时或搬运时在保护膜F的端部产生了初始剥离的情况下,也能够利用分隔壁部13控制住该剥离向中心部的大幅度发展。
而且,分隔壁部13可以具备缺口部13a,该缺口部13a构成针对吸气孔15的吸气路径。在此,分隔壁部13在从凹部11a的端部朝向凹部11a的中心的方向上设有至少两级,缺口部13a相互错开地配置。也就是说,在多级的分隔壁部13包含设有第一缺口部13a的第一分隔壁部13和比第一分隔壁部13靠凹部11a的中心侧设置且设有第二缺口部13a的第二分隔壁部13的情况下,第二缺口部13a设于使第一缺口部13a所构成的针对吸气孔15的吸气路径迂回的位置。
这样,通过将分隔壁部13设置至少两级,并以使吸入气体的气流迂回的方式形成缺口部13a,能够适当地抑制上述的剥离的发展。
另外,销14可以设于凹部11a的内侧的中心区域10a且与工件W的处理区域(曝光区域)对应的区域,分隔壁部13可以设于凹部11a的内侧的外周区域10b且与工件W的非处理区域对应的区域。
在保护膜F的端部发生的剥离可能发展至最内侧的分隔壁部13的设置位置,但通过将分隔壁部13设于与工件W的非处理区域对应的区域,能够使保护膜F的剥离止步于工件W的非处理区域内。因而,在工件W的处理区域中,能够适当地维持平面保持。
而且,分隔壁部13之间的距离及缺口部13a的宽度可以设为销间距离以下。该情况下,能够适当地抑制分隔壁部13与分隔壁部13之间的槽和缺口部13a处的工件W的挠曲。
另外,外周部12、分隔壁部13及销14可以设为相同的高度。该情况下,能够通过真空吸附更适当地平面保持工件W。
如以上,本实施方式的工作台10能够抑制其与工件W之间的异物的夹入,能够适当地平面保持工件W。另外,本实施方式的工作台10即使对层叠有容易剥离的膜的工件W的该膜侧进行吸附保持,也能够适当地抑制膜的剥离。
因而,在使用了这样的工作台10的曝光装置100中,能够适当地抑制散焦所导致的曝光不良,能够避免成品率的恶化。另外,能够对在两个面层叠有膜的工件W适当地进行两面曝光处理。
(变形例)
图10图16是本实施方式的工作台10的变形例。在图10图16所示的方式中,也能够具有与上述实施方式同样的效果。
在图2所示的工作台10中,在两重的分隔壁部13分别设有两个缺口部13a,但缺口部13a也可以为三个以上。例如也可以如图10所示的工作台10A那样在两重的分隔壁部13分别设置四个缺口部13a。
另外,例如也可以如图11所示的工作台10B那样不在最内侧的分隔壁部13设置缺口部13a。该情况下,即使在保护膜F的端部产生了比外侧的分隔壁部13靠凹部11a的内侧的初始剥离的情况下,也能够可靠地利用最内侧的分隔壁部13使剥离的发展停止。不过,该情况下,在最内侧的分隔壁部13的外侧的区域即外周区域10b也需要吸气孔15。
此外,在图11中,在外侧的分隔壁部13设有缺口部13a,但也可以是在全部的分隔壁部13都不设置缺口部13a的结构。不过,该情况下,在分隔壁部13之间以及最外侧的分隔壁部13与外周部12之间也分别需要吸气孔15。
这样,凹部11a的中心区域10a和外周区域10b也可以是通过分隔壁部13分离的结构。然而,该情况下,如上述那样在外周部10b也需要吸气孔15,在中心区域10a和外周区域10b分别需要对工件W的吸附力的控制。因此,优选设为在分隔壁部13设置缺口部13a,使中心区域10a与外周区域10b连通的结构。缺口部13a的位置、数量能够根据吸气孔15的位置、数量适当地设定。
而且,在图2所示的工作台10中,分隔壁部13为双重的沟渠构造,但例如如图12所示的工作台10C那样,分隔壁部13为可以任意的形状。分隔壁部13只要是构成针对吸气孔15的吸气路径并且使针对吸气孔15的吸气路径迂回的形状即可。
也就是说,例如可以如图13所示的工作台10D那样,分隔壁部13为曲线形状,或者也可以如图14所示的工作台10E那样,分隔壁部13为将直线形状和曲线形状组合的形状。而且,也可以如图15所示的工作台10F那样,分隔壁部13为复杂配置。
另外,也可以如图16所示的工作台10G那样还具备密封部件S。密封部件S可以是设于外周部12的外侧的低反弹的弹性体,形成在基台11的整周上。例如,密封部件S可以由橡胶海绵等构成。在向工作台10G上载置了工件W的情况下,密封部件S与工件W的外周部分紧贴。
在此,密封部件S的高度也可以高于外周部12、分隔壁部13及销14的高度。该情况下,在使工件W真空吸附于工作台10G时,密封部件S被下压至外周部12、分隔壁部13及销14的高度,通过密封部件S的弹性力,工件W与密封部件S的紧贴度提高。由此,能够提高凹部11a内部的真空度。
因而,工作台10G能够更适当地对工件W进行真空吸附。另外,即使在吸附面侧的保护膜F的端部产生了剥离的情况下,该剥离的发展也会被适当地抑制。
在不具备密封部件S的工作台中,例如若在保护膜F上产生了到达设有销14的中心区域10a的初始剥离,则在将产生了该初始剥离的面作为吸附面真空吸附于工作台的情况下,存在如下隐患:分隔壁部13不发挥功能,发展为更大的剥离。
相对于此,在具备密封部件S的工作台10G中,即使在产生了上述的初始剥离的情况下,也能够适当地抑制剥离的发展。这被认为是因为利用密封部件S能够将凹部11a设为相对于大气完全封闭的体系。
此外,在上述实施方式中,对在工作台10的凹部11a设有分隔壁部13和销14的情况进行了说明,但在如图5所示那样在工件W的表面没有层叠容易剥离的保护膜F的情况下、以及在不进行两面曝光处理、并且对第二面W2侧进行吸附保持时的第二面W2的保护膜F的剥离不会对第一面W1曝光处理造成妨碍的情况下,不需要一定设置分隔壁部13。
另外,在上述实施方式中,对基板保持部14为销形状的情况进行了说明,但基板保持部14并不限定于销形状,也可以是与工件W具有一定程度的接触面积的支柱。也就是说,只要是与以往的平面工作台相比,与工件W的接触面积较小,能够抑制异物的附着即可。
基板保持部14可以通过机械加工等任意的加工方法形成。基板保持部14的加工方法不作特别限定,另外,基板保持部14的配置也可以不是如图2所示那样沿X方向及Y方向分别为等间隔。
另外,基板保持部14也可以还设于外周区域10b,而不仅是在凹部11a的内侧的中心区域10a。也就是说,在外周区域10b,也可以将分隔壁部13与销14组合配置。
附图标记说明
10…工作台,11…基台,11a…凹部,12…外周部,13…分隔壁部,13a…缺口部,14…基板保持部(销),15…吸气孔,20…光照射部,30…掩模,40…投影透镜,50…配管,100…曝光装置,F…保护膜,R…抗蚀剂,W…工件

Claims (9)

1.一种工作台,保持有机基板,其特征在于,具备:
基台,其形成有被供给真空的凹部;
多个基板保持部,其设于所述凹部的内侧,保持所述有机基板的大致整个面;以及
吸气孔,其用于向所述凹部供给真空,将所述有机基板真空吸附于所述基板保持部的上表面。
2.根据权利要求1所述的工作台,其特征在于,
在所述凹部的内侧的端部附近的外周区域还具备在从所述凹部的端部朝向所述凹部的中心的方向上设有多级的分隔壁部。
3.根据权利要求2所述的工作台,其特征在于,
所述多个基板保持部设于所述凹部的内侧的中心区域且与所述有机基板的处理区域对应的区域,
所述多级的分隔壁部设于所述凹部的内侧的设定在所述中心区域的外侧的所述外周区域且与所述有机基板的非处理区域对应的区域。
4.根据权利要求2所述的工作台,其特征在于,
所述分隔壁部具备缺口部,该缺口部构成针对所述吸气孔的吸气路径。
5.根据权利要求4所述的工作台,其特征在于,
所述多级的分隔壁部包含:
第一分隔壁部,其设有第一缺口部;以及
第二分隔壁部,其比所述第一分隔壁部靠所述凹部的中心侧设置且设有第二缺口部;
所述第二缺口部设于使所述第一缺口部所构成的针对所述吸气孔的吸气路径迂回的位置。
6.根据权利要求2所述的工作台,其特征在于,
所述分隔壁部之间的距离为所述基板保持部之间的距离以下。
7.根据权利要求4所述的工作台,其特征在于,
所述缺口部的宽度为所述基板保持部之间的距离以下。
8.根据权利要求2所述的工作台,其特征在于,
形成所述凹部的外周部、所述基板保持部及所述分隔壁部具有相同的高度。
9.一种曝光装置,其特征在于,具备:
出射曝光光的光照射部;
对形成有图案的掩模进行保持的掩模台;以及
对被转印图案的有机基板进行保持的工作台,所述图案形成于所述掩模;
所述工作台是权利要求1至8中任一项所述的工作台。
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