CN116496206A

CN116496206A - 一种雷芬那辛杂质ii及其制备方法

Info

Publication number: CN116496206A
Application number: CN202310433707.0A
Authority: CN
Inventors: 程斌斌; 刘志平; 王綮; 於宙; 宋学攀; 董海莉
Original assignee: Standard Pharmacopoeia Reference Material Development Hubei Co ltd
Current assignee: Standard Pharmacopoeia Reference Material Development Hubei Co ltd
Priority date: 2023-04-21
Filing date: 2023-04-21
Publication date: 2023-07-28

Abstract

本发明属于雷芬那辛领域，该发明公开一种雷芬那辛杂质II及其制备方法，该方法以化合物I哌啶‑4‑基[1,1'‑联苯]‑2‑基氨基甲酸酯为原料，经一步反应合成该杂质。该方法包括如下步骤：将化合物I与缩合剂HATU反应，得到雷芬那辛杂质II。本发明合成路线设计合理，后处理简单，反应条件温和，可操作性强。本发明制备得到的雷芬那辛杂质II，可作为雷芬那辛成品检测分析的杂质标准品，从而提升雷芬那辛成品检测分析对杂质II的准确定位和定性，有利于加强对该杂质的控制，进而提高雷芬那辛成品质量。

Description

一种雷芬那辛杂质II及其制备方法

技术领域

本发明涉及雷芬那辛，具体涉及一种雷芬那辛杂质II的制备方法。

背景技术

2018年11月，美国食品和药物管理局(FDA)批准雷芬那辛(Revefenacin)吸入溶液用于慢性阻塞性肺病的维持治疗。雷芬那辛分子式为C₃₅H₄₃N₅O₄，分子量为597.75，结构式如下式(I)所示。

美国FDA给予雷芬那辛排他性保护期至2023年1月9日期满。相应中国专利CN1930125也已授权，专利期至2025年3月10日。通过查阅文献可知目前主要有2条雷芬那辛的工艺合成路线：

雷芬那辛的合成路线1(广州化工Guangzhou Chemical Industry 2022,50(7))

雷芬那辛的合成路线2(中国医药工业杂志Chinese Journal ofPharmaceuticals 2021,52(9))。

雷芬那辛临床主要用于慢性阻塞性肺病的维持治疗，包括慢性支气管炎、肺气肿伴随呼吸困难的维持治疗及急性发作的预防，国内外的需求很大，出于安全性因素要求，国内和国际管理机构对API(原料药)中未确认或毒性未定杂质的限定通常低于0.1％。若API中相关杂质含量大于0.1％，则需要对这些杂质进行深入研究，以确保得到符合药用标准、安全有效的药物制剂原料药。

雷芬那辛作为原料药可能包含多种来源的杂质，这些杂质有些是由于原料药储存中产生，有些是自身降解产生，有些是来源于制备方法产生，包括但不限于未反应的起始原料、合成副产物、已经降解产物等，这些杂质给人类安全用药带来隐患。申请人前期通过液质联用(LCMS)检测手段分析雷芬那辛中发现一个全新的杂质II(含量大于0.1％)，同时尚未有文献报道该杂质的制备方法。因此，找到一种合成路线简单、容易分离纯化制备雷芬那辛杂质II的制备方法，对于完善一致性评价，提高产品质量，确保人类安全用药具有重要意义。

发明内容

发明目的：本发明提供了一种雷芬那辛杂质II的制备方法，该方法合成路线设计合理，后处理简单，反应条件温和，可操作性强。

技术方案：本发明采用如下技术路线：

一种雷芬那辛杂质II，结构式如式II所示

所述的一种雷芬那辛杂质II的制备方法，其特征在于，按如下步骤实现：

化合物I与缩合剂HATU、三乙胺反应获得雷芬那辛杂质II；

具体而言：

将化合物I溶于有机溶剂中，加入缩合剂HATU，以及三乙胺，随后在25℃下搅拌反应，TLC检测直至化合物I消失，减压浓缩，硅胶柱层析，二氯甲烷/甲醇体积比＝10/1，纯化得雷芬那辛杂质II。

其中，步骤S1中化合物I的合成中所用有机溶剂为DMF，化合物I与HATU以及三乙胺的摩尔比为1:1.5：2。

有益效果

本发明发现一种全新的化合物(雷芬那辛杂质II)，其结构未见文献报道，另外10μM雷芬那辛杂质II对HEK293细胞具有较强细胞毒性作用(97.31％)，提示该杂质具有潜在人体毒性的风险，因此需要在生产过程中严格管控。此外，本发明提供了一种雷芬那辛杂质II的制备方法，该合成路线设计合理，后处理简单，反应条件温和，可操作性强。本发明制备得到的雷芬那辛杂质II，可作为雷芬那辛成品检测分析的杂质标准品，从而提升雷芬那辛成品检测分析对杂质II的准确定位性和定性，有利于加强对该杂质的控制，进而提高雷芬那辛成品质量。更进一步的，申请人发现，在雷芬那辛杂质II合成过程中，通过加入3当量HOBT可以完全抑制杂质II的生成，在工业化生产过程中，可通过加入HOBT规避该杂质生成所带来的安全风险。

附图说明

图1为实施例1制备的雷芬那辛杂质II的LCMS检测谱图；

图2为实施例1制备的雷芬那辛杂质II的HNMR检测谱图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下具体实施例对本发明进行进一步详细说明。本发明中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明的反应进程可采用本领域中的常规监测方法(例如TLC、LCMS或NMR)进行监测，一般以原料消失时为反应终点。

本发明实施例中混合溶剂以体积比计。

HATU全称为O-(7-氮杂苯并三唑-1-基)-N,N,N',N'-四甲基脲六氟磷酸盐，CAS号：148893-10-1，购自上海皓鸿生物医药科技有限公司。

HOBT全称为1-羟基苯并三唑，CAS号：2592-95-2，购自上海毕得医药科技股份有限公司。

实施例1：

本发明的实施例1提供了一种雷芬那辛杂质II的制备方法，其合成路线如下：

具体采用如下方法制备：

向50ml单口瓶中加入化合物I(1.00g,3.37mmol)、HATU(1.92g,5.06mmol)、三乙胺(682.88mg，6.75mmol)、DMF(20ml),室温搅拌至澄清,25℃反应3h。TLC和LCMS监控至反应完毕后，硅胶柱层析(二氯甲烷/甲醇＝10/1)纯化得白色固体中间体II(1.2g,收率:89.92％)。ESI-MS(m/z):395.3。¹H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.40(t,J＝7.3Hz,2H),7.32(d,J＝7.3Hz,1H),7.27(d,J＝7.3Hz,3H),7.15(dd,J＝7.5,1.2Hz,1H),7.07(dd,J＝10.8,4.1Hz,1H),6.74(s,1H),4.92–4.82(m,1H),3.33(s,2H),3.15(s,2H),2.78(s,12H),1.93(s,2H),1.72(s,2H)，见图1和图2。

实施例2：

本发明的实施例2提供了一种避免雷芬那辛杂质II生成的控制方法，其控制方法如下：

具体控制方法：

向50ml单口瓶中加入化合物I(1.00g,3.37mmol)、HATU(1.92g,5.06mmol)、HOBT(1.37g,10.12mmol)、三乙胺(682.88mg，6.75mmol)、DMF(20ml),室温搅拌至澄清,25℃反应3h，TLC以及LCMS监测发现未能生成雷芬那辛杂质II。

测试例1：

MTT细胞毒性测试检测化合物对人胚胎肾细胞293(HEK293)细胞毒性的影响：HEK293细胞以5000细胞/孔接种于96孔板中，150μL/孔，37℃培养24h。配置雷芬那辛杂质II母液，雷芬那辛杂质II用无血清培养基梯度稀释，加药量为50μL/孔。药物处理48h后，每孔加入10μl MTT溶液，37℃孵育4h。仔细吸去上清，每孔加入150μl DMSO，轻轻振荡以使甲臜溶解。1h内在检测波长570nm处用酶标仪测定OD值。采用Graphpad Prism软件进行分析计算。抑制率＝(100-OD样品/OD溶媒)×100％，其中OD样品为添加各浓度受试物后检测到的吸光度值，OD溶媒为溶媒组(添加溶媒，不加受试物)检测到的吸光度值。实验结果如下：

表1.雷芬那辛杂质II对HEK293的细胞抑制比例

由表1可知，10μM雷芬那辛杂质II对HEK293具有较强抑制作用，提示该杂质具有潜在人体毒性的风险。

以上所述本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims

1.一种雷芬那辛杂质II，结构式如式II所示：

2.根据权利要求1所述的一种雷芬那辛杂质II的制备方法，其特征在于，按如下步骤实现：

化合物I与缩合剂HATU、三乙胺反应获得雷芬那辛杂质II。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于将化合物I溶于有机溶剂中，加入缩合剂HATU，以及三乙胺，随后在25℃下搅拌反应，TLC检测直至化合物I消失，减压浓缩，硅胶柱层析，洗脱剂为二氯甲烷：甲醇体积比＝10：1，纯化得雷芬那辛杂质II。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，化合物I的合成中所用有机溶剂为DMF，化合物I与HATU以及三乙胺的摩尔比为1:1.5：2。