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CN116386507A - 发光显示器 - Google Patents

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CN116386507A
CN116386507A CN202211444130.5A CN202211444130A CN116386507A CN 116386507 A CN116386507 A CN 116386507A CN 202211444130 A CN202211444130 A CN 202211444130A CN 116386507 A CN116386507 A CN 116386507A
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CN
China
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anode
light emitting
driving transistor
emitting display
transistor
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Application number
CN202211444130.5A
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English (en)
Inventor
金正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
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Abstract

发光显示器。根据本公开的方面的发光显示设备可以包括:在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;连接到第一驱动晶体管并与第二驱动晶体管交叠的第一阳极;连接到第二驱动晶体管的第二阳极;以及第二驱动晶体管和第一阳极之间的屏蔽金属。第二阳极可以具有比第一阳极小的面积,并且屏蔽金属可以减小与第二阳极和第一阳极相关的寄生电容。

Description

发光显示器
技术领域
本公开涉及一种发光显示器。
背景技术
显示设备应用于各种领域,包括个人便携式设备和安装在车辆中的设备以及计算机监视器和TV。因此,除了传统的矩形形状之外,显示设备还以各种形状(例如,椭圆形)(以下称为“不同形状”)来实现。
此外,作为显示设备,近来已经要求需要自发光的显示设备,例如发光显示设备。
在自发光显示设备中,发光元件在没有附加光源的情况下发光。已经提出了通过使发光元件的布置多样化来优化光的使用的各种方法。
在发光显示设备中,可能存在子像素尺寸的不同,子像素尺寸的不同可能导致一种颜色的阳极和另一种颜色的晶体管的交叠。阳极和晶体管的交叠可能在一种颜色的阳极和另一种颜色的晶体管之间的交叠区域中造成寄生耦合。
发明内容
为了防止不同尺寸的子像素之间的寄生耦合,在本公开的发光显示设备中,可以在相邻子像素处的一种颜色的阳极和另一种颜色的晶体管之间的交叠部分处形成屏蔽金属。
可以形成屏蔽金属以防止由于在预定区域中发射第一颜色的光的阳极和用于第二颜色的发光元件的相邻驱动晶体管的交叠而引起的电耦合。
根据本公开的实施方式的发光显示设备可以包括:在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管,连接到第一驱动晶体管并与第二驱动晶体管交叠的第一阳极,具有比第一阳极小的面积并连接到第二驱动晶体管的第二阳极,以及在第二驱动晶体管和第一阳极之间的屏蔽金属。
附记1.一种发光显示器,该发光显示器包括:
在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;
第一阳极,所述第一阳极连接到所述第一驱动晶体管并与所述第二驱动晶体管交叠;
第二阳极,所述第二阳极连接到所述第二驱动晶体管;以及
所述第二驱动晶体管和所述第一阳极之间的屏蔽金属。
附记2.根据附记1所述的发光显示器,其中,所述第二驱动晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,并且所述第二驱动晶体管的所述栅电极与所述第一阳极和所述屏蔽金属交叠。
附记3.根据附记1所述的发光显示器,其中,所述屏蔽金属连接到第一电源线。
附记4.根据附记3所述的发光显示器,其中,所述第一电源线与数据线平行,并与所述第一阳极交叠。
附记5.根据附记2所述的发光显示器,其中,所述屏蔽金属设置于第一平坦化层和第二平坦化层之间,并且所述第一平坦化层和所述第二平坦化层插置在所述栅电极和所述第一阳极之间。
附记6.根据附记2所述的发光显示器,其中,所述第二阳极具有小于所述第一阳极的面积并且所述屏蔽金属具有大于所述第一阳极和所述栅电极的交叠面积的面积。
附记7.根据附记1所述的发光显示器,所述发光显示器还包括:
使所述第一阳极的发光部分和所述第二阳极的发光部分暴露并与所述第一阳极的边缘和所述第二阳极的边缘交叠的堤部;以及
有机层和阴极,所述有机层和所述阴极设置在所述发光部分的所述第一阳极和所述第二阳极以及所述堤部上。
附记8.根据附记1所述的发光显示器,其中,所述第一阳极和所述第二阳极形成在同一层上,并且所述第一阳极和所述第二阳极中的至少一个包括反射电极。
附记9.根据附记1所述的发光显示器,其中,所述第一阳极和所述第二阳极对应于不同颜色的发光部分。
附记10.根据附记3所述的发光显示器,其中,所述第一电源线供应恒定电压。
附记11.根据附记1所述的发光显示器,其中,所述第一驱动晶体管与所述第二驱动晶体管是P型晶体管。
附记12.根据附记1所述的发光显示器,其中,所述第一驱动晶体管与所述第二驱动晶体管是氧化物晶体管。
附记13.一种发光显示器,该发光显示器包括:
在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;
连接到所述第一驱动晶体管并与所述第二驱动晶体管交叠的第一阳极,所述第一阳极包括蓝色发光部分;
与所述第一阳极间隔开并连接到所述第二驱动晶体管的第二阳极,所述第二阳极包括绿色发光部分;以及
设置在所述第二驱动晶体管和所述第一阳极之间的导电材料。
附记14.根据附记13所述的发光显示器,其中,所述第一阳极具有比所述第二阳极大的面积。
附记15.根据附记13所述的发光显示器,其中,所述第二驱动晶体管具有栅电极、有源层、源电极和漏电极,并且所述第二驱动晶体管的所述栅电极与所述第一阳极和所述导电材料交叠。
附记16.根据附记13所述的发光显示器,其中,所述导电材料连接到第一电源线。
附记17.根据附记16所述的发光显示器,其中,所述第一电源线与数据线平行,并与所述第一阳极交叠。
附记18.根据附记15所述的发光显示器,其中,所述导电材料设置在第一平坦化层和第二平坦化层之间,并且所述第一平坦化层和所述第二平坦化层插置在所述栅电极和所述第一阳极之间。
附记19.根据附记15所述的发光显示器,其中,所述导电材料具有比所述第一阳极和所述栅电极的交叠面积大的面积。
附记20.根据附记13所述的发光显示器,该发光显示器还包括:
使所述蓝色发光部分和所述绿色发光部分暴露并与所述第一阳极的边缘和所述第二阳极的边缘交叠的堤部;以及
有机层和阴极,所述有机层和所述阴极设置在所述第一阳极、所述第二阳极和所述堤部上,
其中,所述第一阳极和所述第二阳极形成在同一层上,并且所述第一阳极和所述第二阳极中的至少一个包括反射电极。
附图说明
图1是示出根据本公开的方面的发光显示设备的透视图。
图2是示出图1中所示的基板的平面图。
图3是示出根据本公开的方面的发光显示设备的一部分中的薄膜晶体管阵列的配置的平面图。
图4是示出图3中所示的阳极的平面图。
图5是根据本公开的方面的子像素的电路图。
图6是沿图4的线I-I'截取的示例性截面图。
图7是沿图4的线II-II'截取的示例性截面图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图描述本公开的方面。在整个说明书中,将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在本公开的以下描述中,当合并于此的已知功能和配置的详细描述可能模糊本公开的主题时,将省略该描述。此外,考虑到撰写说明书的容易性,选择以下描述中使用的部件名称,并且部件名称可能与实际产品的部件名称不同。
在用于解释本公开的示例性方面的附图中,例如,所例示的形状、尺寸、比例、角度和数量是通过示例方式给出的,因此不限于本公开的公开内容。在本公开通篇,相同的附图标记指明相同的组成元件。此外,在本公开的以下描述中,当并入本文的已知功能和配置的详细描述可能使本公开的主题相当不清楚时,将省略该描述。在本说明书中使用的术语“包括”、“包含”和/或“具有”不排除其他元件的存在或添加,除非其与术语“仅”一起使用。单数形式旨在也包括复数形式,除非上下文另有明确说明。
在解释部件时,即使没有单独的明确描述,它也被解释为包括误差范围。
当描述位置关系时,例如,当使用“在…上”、“在…上方”、“在…下方”、“在…旁边”等描述两个部分之间的位置关系时,一个或多个其它部分可以位于这两个部分之间,除非使用术语“直接地”或“紧密地”。
在本公开的各种方面的描述中,当描述时间关系时,例如,当使用“之后”、“随后”、“接着”、“之前”等来描述两个动作之间的时间关系时,除非使用术语“直接”或“正好”,否则动作可以不连续发生。
在实施方式的以下描述中,“第一”和“第二”用于描述各种部件,但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语用于区分一个部件和另一个部件。因此,在以下描述中提及的第一部件可以是在本公开的技术精神内的第二部件。
本公开的各种方面的相应特征可以部分地或全部地彼此联接和组合,并且各种技术链接及其驱动是可能的。这些各种方面可以彼此独立地执行,或者可以彼此关联地执行。
尽管以下将主要描述有机发光显示设备作为根据本公开的方面的发光显示设备,但是用于形成显示设备中的发光元件的材料不限于有机材料。在一些情况下,发光材料可以是有机材料、诸如量子点或氮化物半导体这样的无机材料或诸如钙钛矿这样的无机材料和有机材料的合成材料。
稍后将描述的术语是考虑到本公开的实现而定义的术语,其可以根据用户和操作者的意图或习惯而变化。术语的定义应基于本说明书进行。
构成本公开中的像素电路的晶体管可以包括氧化物薄膜晶体管(TFT)、非晶硅TFT(a-Si TFT)和低温多晶硅(LTPS)TFT中的至少一者。
将基于有机发光显示器来描述以下示例性方面。然而,本公开的方面不限于有机发光显示设备,并且可以应用于包括无机发光材料的无机发光显示设备。例如,本公开的方面还可以应用于量子点显示设备。
诸如“第一”、“第二”和“第三”这样的表述是用于区分实施方式中的配置的术语,并且所述方面不限于这些术语。因此,应当注意,根据实施方式,即使相同的术语也可以指代不同的部件。例如,图1的第一子像素电路和图2的第一子像素电路是用于区分图中的部件的术语,并且可以不指代相同的部件。
在下文中,将参考附图描述本公开的方面。
图1是根据本公开的方面的显示设备的框图。
电致发光显示器可以用作根据本公开的方面的显示设备1000。作为电致发光显示器,可以使用有机发光二极管显示设备、量子点发光二极管显示设备或无机发光二极管显示设备。
图1是根据本公开的发光显示设备的透视图,图2是图1中的基板的平面图。
如图1和图2中所示,本公开的发光显示设备1000可以包括显示面板1100、扫描驱动器1200、包括数据驱动器的柔性膜1400、电路板1500和定时控制器1600。柔性膜1400可以包括驱动信号线(例如,扫描线162和164)的数据驱动器1300。如图所示,柔性膜1400可以将数据信号供应到显示面板1100中包括的多条信号线的若干分割块中的每一个并从其检测感测信号,或者可以对应于所有信号线并用作数据驱动器。在一些情况下,柔性膜1400和电路板1500可以被集成。
显示面板1100可以包括阵列基板1110和对向基板1120。阵列基板1110和对向基板1120包括玻璃或塑料基板,并且还可以包括基板上的薄膜晶体管阵列、滤色器阵列或光学膜。例如,当阵列基板1110包括塑料基板时,形成基板的塑料可以是聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)。当阵列基板1110包括塑料基板时,发光显示设备1000可以实现为可以弯曲或弯折的柔性显示设备。对向基板1120可以包括玻璃、塑料膜和封装膜中的任何一种。当对向基板1120是封装膜时,封装膜可以具有包括交替设置的有机膜和无机膜的单元结构,并且可以直接形成在阵列基板1110上而无需用于接合到阵列基板1110的接合工艺。
阵列基板1110是其上形成有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。扫描线、信号线和子像素SP形成在阵列基板1110的面向对向基板1120的一个表面上。在由扫描线和信号线的交叉结构限定的区域中提供子像素SP。扫描线连接到扫描驱动器1200,并且信号线连接到数据驱动器1300。此外,如所例示的,扫描驱动器1200可以直接嵌入在阵列基板1110的非显示区域NDA中,或者可以通过单独的驱动IC或印刷电路膜连接到阵列基板1110的非显示区域NDA。
如图2所示,显示面板1100可被划分为其中形成子像素SP以显示图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NDA。扫描线、信号线和子像素SP可以形成在显示区域DA中。扫描驱动器1200、焊盘以及连接信号线和焊盘的链接线可以形成在非显示区域NDA中。
每个子像素SP可以被划分为其中基本上发射光的发光部分EM和包括布线和晶体管的设置在发光部分外部的像素电路部分PC。
此外,子像素SP中的像素电路部分PC可以包括由扫描线的扫描信号导通以接收信号线的数据电压的多个晶体管作为开关元件,并且每个晶体管可以是薄膜晶体管。子像素SP中的晶体管可以具有它们在同一层中具有有源层的相同堆叠结构,或者可以具有在不同层中形成有源层的异质堆叠结构。
图3是示出本公开的发光显示设备的一部分中的薄膜晶体管阵列的配置的平面图。图4是示出图3中的阳极的平面图。图5是根据本公开的方面的子像素的电路图。图6是沿图4的线I-I'截取的截面图,并且图7是沿图4的线II-II'截取的截面图。
图3是示出包括晶体管和存储电容器的薄膜晶体管阵列的配置的平面图。图4示出了发光元件的阳极310R、310G和310B,更具体地,示出了薄膜晶体管阵列上的红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件OLED_B。
如图3中所示,薄膜晶体管阵列包括平行的数据线DL、通过其传输低电平VSS电源电压的第一电源线VSL、通过其传输高电平VDD电源电压的第二电源线VDL以及通过其传输作为初始化电压的参考电压的第三电源线RL。用于传输参考电压的第三电源线RL连接到在基板100的显示区域DA中以网格形式提供的网格图案参考线RLm,该网格图案参考线RLm与垂直方向上的第三电源线RL相交,因此可以提供与第三电源线RL相同的参考电压。
此外,扫描线162和164以及发光控制线EM可以设置在与第一电源线VSL、第二电源线VDL、第三电源线RL和数据线DL交叉的方向上。
第一电源线VSL、第二电源线VDL、第三电源线RL和数据线DL、交叉方向上的扫描线162和164和发光控制线EM可以连接到作为子像素的示例的图5中所示的子像素的开关晶体管T3和T4以及驱动晶体管DT。
驱动晶体管DT设置在发光控制线EM和扫描线162上(其间插置有源层141)。在一个示例性方面,驱动晶体管DT包括驱动栅电极DTG_R、DTG_G或DTG_B。
如图3所示,在薄膜晶体管阵列工艺中形成的子像素可以具有相同的电路结构,但是发光的发光元件可以具有不同的面积,如图4所示。因此,可以根据显示设备所需的可见度来不同地调节每种颜色的面积。图4示出了蓝色发光元件中包括的蓝色阳极310B具有比绿色阳极310G和红色阳极310R更大的面积的示例。蓝色阳极310B的较大面积可以被配置为补偿从发光区域发射的蓝光的低可见度,但是本公开不限于此。其他增加蓝光可见度的技术包括在电路中设置比其它颜色的发光元件数量更多的蓝色发光元件或控制发光强度。
在该方面,蓝色阳极310B被设置为与电连接到绿色阳极310G的绿色驱动晶体管DTG的栅电极DTG_G 183部分交叠。在这种情况下,当蓝色阳极310B导通时,在绿色驱动晶体管DTG的栅电极DTG_G 183和蓝色阳极310B之间可能发生寄生耦合。当蓝色阳极310B正常导通时,寄生电容导致绿色发光元件的亮度降低。此外,当蓝色发光元件变暗时,出现亮点缺陷,该亮点缺陷是与变暗的蓝色阳极交叠的绿色驱动栅电极DTG_G比与另一正常蓝色阳极310B交叠的绿色发光元件更亮的现象。例如,当基于绿色发光元件的栅电极DTG_G与普通蓝色阳极310B交叠而形成寄生电容时,会出现亮点缺陷。寄生电容可能导致变暗的蓝色发光元件比绿色发光元件更亮。
在本公开的发光显示设备中,如图6所示,在绿色驱动晶体管DTG的栅电极DTG_G183和蓝色阳极310B之间提供屏蔽金属200,以防止它们之间的寄生耦合。
此外,屏蔽金属200连接到作为穿过显示区域的低电平电源线的第一电源线VSL,并将低电平的恒定电压施加到屏蔽金属200。即使当导通电压被施加到与屏蔽金属200交叠的蓝色阳极310B时,屏蔽金属200也不受导通电压的影响。
在根据本公开的方面的发光显示设备中,发光元件ED的阳极310R、310G和310B包括反射电极,并且下部薄膜晶体管阵列上的阳极之间的交叠不影响发光特性。因此,发光区域可以具有用于各个颜色的不同面积。
尽管所例示的示例示出蓝色阳极310B具有大面积并且与绿色驱动栅电极DTG_G部分交叠,但本公开的方面不限于此。在一些情况下,绿色阳极或红色阳极可与另一颜色的驱动晶体管或开关晶体管交叠,并且可以在两个交叠的金属之间形成屏蔽金属以防止交叠的金属的影响。
例如,绿色驱动晶体管DTG可以包括栅电极DTG_G、有源层142、源电极DTG_S和漏电极DTG_D。绿色驱动晶体管DTG的栅电极DTG_G可以与蓝色阳极310B和用于防止它们之间的电耦合的屏蔽金属200交叠。
第一电源线VSL可以与数据线DL平行,并且可以与蓝色阳极310B交叠。
在一个方面,屏蔽金属200可以设置在第一平坦化层190和第二平坦化层195之间,并且第一平坦化层190和第二平坦化层195可以设置在绿色驱动栅电极DTG_G和蓝色阳极310B之间。
在一些情况下,屏蔽金属200可以具有等于或大于绿色驱动晶体管DTG的驱动栅电极DTG_G 183与蓝色阳极310B之间的交叠面积的面积,并且防止在绿色驱动晶体管DTG的栅电极DTG_G 183与蓝色阳极310B之间形成寄生耦合。
在实施方式中,屏蔽金属200可包括与发光显示设备中包括的驱动晶体管的源电极相同的材料(例如,钛(Ti)或铝(Al)),但不限于此。例如,屏蔽金属可以包括钼(Mo)。
在一个方面,屏蔽金属200包括与源电极相同的材料,屏蔽金属200可以形成为其中依次层叠钛、铝和钛的三层结构。
在另一方面,在误差范围内,屏蔽金属200的厚度可以与源电极的厚度相同。
可以在暴露蓝色阳极310B、绿色阳极310G和红色阳极310R的发光部分的情况下提供如图6所例示的堤部250。堤部250可以形成为与发光元件(例如发光元件的阳极310G、310R和310B中的每一者的边缘)交叠。如图6所例示的,有机层320和阴极330可以设置在堤部250上。例如,蓝色发光元件ED_B包括蓝色阳极310B、有机层320和阴极330。有机层320和阴极330可以形成在整个显示区域(参考图1中的DA)上,并且发光部分EM的区域被定义为通过堤部250暴露的阳极310R、310G和310B。
阳极310R、310G和310B在同一层上并且包括反射电极以防止下部布线配置可见。
本公开的发光显示设备包括在一种颜色(例如,红色、绿色或蓝色等)的阳极和另一种颜色的驱动栅电极之间提供的屏蔽材料。例如,当阳极和驱动栅电极交叠时,该屏蔽防止形成寄生电容。
图5示出根据本公开的方面的显示设备的子像素SP的电路配置。
每个子像素SP可以包括第一至第五开关晶体管T1至T5、驱动晶体管DT、存储电容器Cstg和发光元件ED。
在该方面,发光元件ED可以是能够自发发光的自发光设备,例如有机发光二极管,但不限于此。
在根据本公开的方面的子像素SP中,第一至第五开关晶体管T1至T5和驱动晶体管DT可以是P型晶体管。然而,本公开不限于此,并且在一些情况下,第一至第五开关晶体管T1至T5和驱动晶体管DT中的至少一个可以是N型晶体管。
在另一方面,稍后将描述的晶体管的源电极和漏电极的位置可以改变。
对于某些配置和某些材料,P型晶体管可以比N型晶体管更可靠。在P型晶体管的情况下,由于源电极固定到高电平驱动电压VDD,所以流过发光元件ED的电流不受电容器Cstg的影响。因此,容易稳定地供应电流。
例如,P型晶体管可以连接到发光元件ED的阳极。当连接到发光元件ED的晶体管T4和T5在饱和区中工作时,无论发光元件ED的电流和阈值电压如何变化,恒定电流都可以流动,因此可靠性相对较高。
在一个方面,晶体管可以是用诸如硅这样的半导体形成的硅晶体管(例如,具有使用诸如低温多晶硅或LTPS这样的低温工艺形成的多晶硅沟道的晶体管)。然而,晶体管不限于此,并且在一些情况下,晶体管可以是氧化物晶体管。氧化物晶体管具有比硅晶体管相对更低的泄露电流,并且当使用氧化物晶体管实现晶体管时,可以防止来自驱动晶体管DT的栅电极的电流泄露,并且可以减少诸如闪烁这样的图像质量劣化。
第一开关晶体管T1的栅电极可以接收第一扫描信号Scan1。第一开关晶体管T1的源电极可以接收数据电压Vdata。第一开关晶体管T1的漏电极可以连接到存储电容器Cstg。
第二开关晶体管T2的栅电极可以接收第二扫描信号Scan2。第二开关晶体管T2由第二扫描信号Scan2导通,以通过存储在存储电容器Cstg中的高电平驱动电压VDD来控制驱动晶体管DT的操作。
第三开关晶体管T3的栅电极可以从发光控制线EM接收发光信号。第三开关晶体管T3的源电极可以接收参考电压Vref。
第四开关晶体管T4的栅电极可以从发光控制线EM接收发光信号。第四开关晶体管T4的源电极可以连接到驱动晶体管DT的漏电极。第四开关晶体管T4的漏电极可以连接到发光元件ED的阳极。第四开关晶体管T4由来自发光控制线EM的发光信号导通,以向发光元件ED的阳极供应驱动电流。
第五开关晶体管T5的栅电极可以接收第二扫描信号Scan2。第五开关晶体管T5的源电极可以通过参考第三电源线RL接收参考电压Vref。第五开关晶体管T5的漏电极可以连接到发光元件ED的阳极。
驱动晶体管DT的栅电极可以连接到存储电容器Cstg,并且其漏电极可以连接到第二开关晶体管T2的源电极。驱动晶体管DT的源电极可以接收高电平驱动电压VDD。
发光元件ED的阳极连接到第五开关晶体管T5的漏电极和第四开关晶体管T4的漏电极。可以将低电平驱动电压VSS供应到发光元件ED的阴极。
在一个方面,第四开关晶体管T4位于发光元件ED的阳极和驱动晶体管DT之间,并且第四开关晶体管T4由来自发光控制线EM的发光信号控制。当将参考电压Vref在第四开关晶体管T4截止时被供应到发光元件ED的阳极时,可以复位发光元件ED的阳极。
在图5中,示出了包括六个晶体管DT、T1、T2、T3、T4和T5以及电容器Cstg的子像素SP作为示例。然而,本公开不限于此,并且可以改变构成子像素SP的晶体管和电容器的结构和数量。此外,在其他方面,多个子像素SP可以具有相同的结构,或者多个子像素SP中的一些可以具有不同的结构。
将参照图6和图7详细描述蓝色发光部分的分层结构。
在基板100上提供缓冲层110。
然后,在与将形成用作沟道的有源层142的地方相对应的缓冲层110的至少一部分上形成下部光阻挡金属120。如图3和图4所示,下部光阻挡金属120可以在随后的工艺中连接到第二电压线VDL,并且通过被提供恒定的高电平电压信号而被稳定。
然后,在下部光阻挡金属120上形成有源缓冲层130。
接下来,形成有源层141、142和143,然后将其图案化以保留在预定区域中。
图3和图4示出了将导电的有源层用于网格图案参考线RLm和其它连接图案的示例。
在有源层141、142和143上形成栅极绝缘层150,然后形成第一存储电极163、第一扫描线(Scan1)162、第二扫描线(Scan2)160和164以及发光控制线(EM)161和165。
接着,形成覆盖第一扫描线Scan1和第二扫描线Scan2以及发光控制线EM的第一层间绝缘层170。
接着,形成与第一存储电极163交叠的第二存储电极167。还可以在相同的工艺中形成上部金属168。
接着,形成第二层间绝缘层180。
接着,形成连接到导电的有源层141和第一存储电极163的绿色驱动栅电极183,并且在相同的工艺中,形成连接有第二存储电极167的连接图案185。
接着,形成覆盖绿色驱动栅电极183和连接图案185的第一平坦化层190。
接着,可以在第一平坦化层190上形成屏蔽金属200。屏蔽金属200可以通过第一平坦化层190中的接触孔接触第一电源线VSL。
形成覆盖屏蔽金属200的第二平坦化层195。
此外,蓝色阳极310B形成为在绿色驱动栅电极183所在的部分与屏蔽金属200交叠。接着,形成覆盖蓝色阳极310B的边缘并暴露蓝色发光部分BEM的堤部250。
蓝色发光元件ED_B形成在蓝色发光部分BEM中,包括蓝色阳极310B、有机层320和阴极330。
在一些情况下,有机层320可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。可以选择性地形成发光层以对应于发光部分BEM,并且可以在整个显示区域DA中形成其它层。
在一些方面,可以形成封装结构400以覆盖形成发光元件ED。通过交替形成无机封装膜410和430以及有机封装膜420来获得封装结构400。形成无机封装膜410和430以防止湿气渗透,并且提供有机封装膜420以防止在工艺期间产生的粒子流动并防止由此引起的缺陷。
当阳极包括反射电极时,阳极的形状不会受到下部布线或电路结构的形状的影响。然而,当特定颜色的阳极的面积较大并与用于另一颜色的表现的操作的驱动晶体管交叠时,存在寄生耦合发生在交叠区域中的风险。
根据本公开的方面的发光显示设备包括特定颜色的阳极和另一颜色的驱动栅电极之间的屏蔽金属,该屏蔽金属防止另一颜色的驱动栅电极受到特定颜色的阳极的导通操作的影响。另外,当特定颜色的子像素由于阳极和阴极之间的短路而作为异常子像素工作时,屏蔽金属阻止亮度在包括与异常子像素的阳极交叠的驱动栅电极的另一子像素中增加的现象。如果在特定颜色的阳极和另一颜色的驱动栅电极之间没有屏蔽金属,则在包括与该特定颜色的异常子像素的阳极交叠的驱动栅电极的另一颜色的子像素中,亮度可能比发射该另一颜色的(具有与正常子像素的阳极交叠的驱动栅电极的)其它子像素相对增加,并且可能观察到亮点。
可以形成屏蔽金属以防止由于在预定区域中发射第一颜色的光的阳极和用于第二颜色的发光元件的相邻驱动晶体管的交叠而引起的电耦合。
根据本公开的方面的发光显示设备可以包括:在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管,连接到第一驱动晶体管并与第二驱动晶体管交叠的第一阳极,具有比第一阳极小的面积并连接到第二驱动晶体管的第二阳极,以及在第二驱动晶体管和第一阳极之间的屏蔽金属。
第二驱动晶体管可以包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,并且第二驱动晶体管的栅电极可以与第一阳极和屏蔽金属交叠。
屏蔽金属可以连接到第一电源线。
第一电源线可以与数据线平行并与第一阳极交叠。
屏蔽金属可以在第一平坦化层和第二平坦化层之间,并且第一平坦化层和第二平坦化层可以插置在栅电极和第一阳极之间。
屏蔽金属可以具有大于第一阳极和栅电极的交叠面积的面积。
根据本公开的方面的发光显示设备还可以包括使第一阳极和第二阳极的发光部分暴露并与第一阳极和第二阳极的边缘交叠的堤部。有机层和阴极可以设置在发光部分的第一阳极和第二阳极以及堤部上。
第一阳极和第二阳极可以设置在同一层上,并且第一阳极和第二阳极中的至少一个可以包括反射电极。
第一阳极和第二阳极可以对应于不同颜色的发光部分。
根据本公开的另一方面的发光显示设备可以包括:在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;连接到第一驱动晶体管并与第二驱动晶体管交叠的第一阳极,第一阳极包括蓝色发光部分;与第一阳极间隔开并连接到第二驱动晶体管的第二阳极,第二阳极包括绿色发光部分;以及第二驱动晶体管和第一阳极之间的屏蔽金属。
第一阳极可以具有比第二阳极更大的面积。
第二驱动晶体管可以具有栅电极、有源层、源电极和漏电极,并且第二驱动晶体管的栅电极可以与第一阳极和屏蔽金属交叠。
屏蔽金属可以连接到第一电源线。
第一电源线可以与数据线平行并与第一阳极交叠。
屏蔽金属可以在第一和第二平坦化层之间,并且第一平坦化层和第二平坦化层可以插置在栅电极和第一阳极之间。
屏蔽金属可以具有大于第一阳极和栅电极的交叠面积的面积。
所述发光显示设备还可以包括使蓝色发光部分和绿色发光部分暴露并与所述第一阳极和所述第二阳极的边缘交叠的堤部。有机层和阴极可以设置在第一阳极、第二阳极和堤部上。
第一阳极和第二阳极可以设置在同一层上,并且第一阳极和第二阳极中的至少一个可以包括反射电极。
上述本公开不限于上述方面和附图,并且本领域技术人员将理解,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种替换、修改和变更。
本公开的发光显示设备具有以下效果。
当阳极包括反射电极时,阳极的形状不会受到下部布线或电路结构的形状的影响。然而,当特定颜色的阳极面积较大并因此与用于另一颜色的表现的操作的驱动晶体管交叠时,存在寄生耦合发生在交叠区域中的风险。
本公开的发光显示设备解决了该问题,并且在特定颜色的阳极和另一颜色的驱动栅电极之间提供屏蔽金属,以防止另一颜色的驱动栅电极受到特定颜色的阳极的导通操作的影响。
另外,当特定颜色的子像素由于阳极和阴极之间的短路而作为异常子像素工作时,屏蔽金属阻止在包括与异常子像素的阳极交叠的驱动栅电极的另一子像素中发生亮度增加的现象。
此外,可以形成屏蔽金属以防止由于在预定区域中发射第一颜色的光的阳极和第二颜色的发光元件的相邻驱动晶体管的交叠而引起的电耦合。
虽然已经参照附图描述了本公开的方面,但是本公开不限于这些方面并且可以以各种不同的形式来实施,并且本领域技术人员将理解,在不脱离本公开的技术思想和基本特性的情况下,本公开可以以不同于本文所阐述的形式的特定形式来实施。因此,所公开的方面在所有方面都被解释为说明性的而非限制性的。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2021-0194783的权益,该申请通过引用结合于此,如同在此完全阐述一样。

Claims (10)

1.一种发光显示器,该发光显示器包括:
在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;
第一阳极,所述第一阳极连接到所述第一驱动晶体管并与所述第二驱动晶体管交叠;
第二阳极,所述第二阳极连接到所述第二驱动晶体管;以及
所述第二驱动晶体管和所述第一阳极之间的屏蔽金属。
2.根据权利要求1所述的发光显示器,其中,所述第二驱动晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,并且所述第二驱动晶体管的所述栅电极与所述第一阳极和所述屏蔽金属交叠。
3.根据权利要求1所述的发光显示器,其中,所述屏蔽金属连接到第一电源线。
4.根据权利要求3所述的发光显示器,其中,所述第一电源线与数据线平行,并与所述第一阳极交叠。
5.根据权利要求2所述的发光显示器,其中,所述屏蔽金属设置于第一平坦化层和第二平坦化层之间,并且所述第一平坦化层和所述第二平坦化层插置在所述栅电极和所述第一阳极之间。
6.根据权利要求2所述的发光显示器,其中,所述第二阳极具有小于所述第一阳极的面积并且所述屏蔽金属具有大于所述第一阳极和所述栅电极的交叠面积的面积。
7.根据权利要求1所述的发光显示器,所述发光显示器还包括:
使所述第一阳极的发光部分和所述第二阳极的发光部分暴露并与所述第一阳极的边缘和所述第二阳极的边缘交叠的堤部;以及
有机层和阴极,所述有机层和所述阴极设置在所述发光部分的所述第一阳极和所述第二阳极以及所述堤部上。
8.根据权利要求1所述的发光显示器,其中,所述第一阳极和所述第二阳极形成在同一层上,并且所述第一阳极和所述第二阳极中的至少一个包括反射电极。
9.根据权利要求1所述的发光显示器,其中,所述第一阳极和所述第二阳极对应于不同颜色的发光部分。
10.一种发光显示器,该发光显示器包括:
在基板上彼此间隔开的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;
连接到所述第一驱动晶体管并与所述第二驱动晶体管交叠的第一阳极,所述第一阳极包括蓝色发光部分;
与所述第一阳极间隔开并连接到所述第二驱动晶体管的第二阳极,所述第二阳极包括绿色发光部分;以及
设置在所述第二驱动晶体管和所述第一阳极之间的导电材料。
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