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CN116330162A - 一种cmp警报方法 - Google Patents

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CN116330162A
CN116330162A CN202310231446.4A CN202310231446A CN116330162A CN 116330162 A CN116330162 A CN 116330162A CN 202310231446 A CN202310231446 A CN 202310231446A CN 116330162 A CN116330162 A CN 116330162A
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CN
China
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grinding
wafer
cmp
water
response
Prior art date
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Pending
Application number
CN202310231446.4A
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English (en)
Inventor
夏金伟
郭志田
奚达
瞿治军
王泽飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd
Original Assignee
Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd filed Critical Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

本申请公开了一种CMP警报方法，属于半导体器件及制造领域。本方法，针对晶圆在研磨过程中遇到警报时相关技术中采用急停方式带来的应力损伤问题，提供了一种CMP警报方法，能够在警报发生时终止研磨液研磨工序跳步进入水磨工序，水磨工序可以去除晶圆表面的研磨液，防止薄膜腐蚀，提高了CMP过程的稳定性。

Description

一种CMP警报方法
技术领域
本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种CMP警报方法。
背景技术
CMP全称为Chemical-Mechanical Planarization，直译过来就是“化学机械平坦化”的意思。研磨液，英文名称为Slurry，也可以译为“研磨液”，指固体研磨颗粒搅拌到水中，不被溶解且分散在液体，是一种不均匀的、异质的混合物。本发明涉及的CMP研磨液是工件表面平坦化工艺过程中所使用的一种混合物，由研磨材料及化学添加剂组成。
对于CMP研磨液的使用，当其发生压力或流量波动后设备abort，此会影响产品膜厚，由此，相关方法中将研磨液的alarm警报设置成abort polish中止抛光，来解决这种影响。
然而，abort polish是一种急停措施，相关设备急停对研磨界面有很大的应力损伤，更严重的是研磨液会残留晶圆表面继续腐蚀，这种不能返工，且造成产品报废，由此，本申请基于该问题提出一种新的CMP警报方法。
发明内容
本申请提供了一种CMP警报方法，可以解决相关技术中的上述问题。
本申请实施例提供了一种CMP警报方法，包括：
启动晶圆CMP工艺，所述晶圆进入研磨液研磨工序；
响应于出现警报信号，终止所述晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序；
响应于所述水磨工序结束，进入下一工序。
可选的，所述进入下一工序之前，所述方法还包括：
确认所述晶圆的当前停留位置的安全性。
可选的，所述响应于所述水磨工序结束，进入下一工序，包括：
响应于所述水磨工序结束且所述晶圆的当前停留位置安全，进入下一工序。
可选的，所述响应于出现警报信号，终止所述晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序，包括：
检测到所述研磨液的压力或流量异常波动时，发出所述警报信号；
终止所述晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序。
可选的，所述方法还包括：
自动计入工序时间。
可选的，所述方法还包括：
比对当前计入的工序时间与目标研磨时间；
进行EPD光学终点检测与Nova膜厚量测量；
根据时间比对结果、所述EPD和所述Nova的检测数据判断返工条件。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
本方法，针对晶圆在研磨过程中遇到警报时相关技术中采用急停方式带来的应力损伤问题，提供了一种CMP警报方法，能够在警报发生时终止研磨液研磨工序跳步进入水磨工序，水磨工序可以去除晶圆表面的研磨液，防止薄膜腐蚀，提高了CMP过程的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一个示意性实施例提供的CMP警报方法的流程示意图；
图2是本申请另一个示意性实施例提供的CMP警报方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
请参考图1，其示出了本申请一个示意性实施例提供的CMP警报方法的流程示意图，该方法包括：
步骤101，启动晶圆CMP工艺，晶圆进入研磨液研磨工序。
步骤102，响应于出现警报信号，终止晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序。
在一种可能的实施方式中，检测到研磨液的压力或流量异常波动时，发出警报信号，且终止晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序。
步骤103，响应于水磨工序结束，进入下一工序。
在一种可能的实施方式中，根据当前计入的工序时间与目标研磨时间并结合EPD，Nova等判定所述研磨液研磨工序的再启动条件。
其中，EPD为光学终点检测，Nova为膜厚量测量，自动计入工序时间，比对当前计入的工序时间与目标研磨时间，进行EPD光学终点检测与Nova膜厚量测量，根据时间比对结果、EPD和Nova的检测数据判断返工条件，即再启动条件。
可选的，如图2所示，在图1的基础上，若无警报，则在进入下一工序之前，还包括步骤104。
步骤104，响应于研磨液研磨工序结束，准备进入下一工序。
进而进入下一工序。
在一种可能的实施方式中，进入下一工序前，确认晶圆的当前停留位置的安全性，响应于水磨工序结束且所述晶圆的当前停留位置安全，进入下一工序。
综上，本方法，针对晶圆在研磨过程中遇到警报时相关技术中采用急停方式带来的应力损伤问题，提供了一种CMP警报方法，能够在警报发生时终止研磨液研磨工序跳步进入水磨工序，水磨工序可以去除晶圆表面的研磨液，防止薄膜腐蚀，提高了CMP过程的稳定性。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种CMP警报方法，其特征在于，包括：
启动晶圆CMP工艺，所述晶圆进入研磨液研磨工序；
响应于出现警报信号，终止所述晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序；
响应于所述水磨工序结束，进入下一工序。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进入下一工序之前，所述方法还包括：
确认所述晶圆的当前停留位置的安全性。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述响应于所述水磨工序结束，进入下一工序，包括：
响应于所述水磨工序结束且所述晶圆的当前停留位置安全，进入下一工序。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述响应于出现警报信号，终止所述晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序，包括：
检测到所述研磨液的压力或流量异常波动时，发出所述警报信号；
终止所述晶圆的研磨液研磨工序并跳步至水磨工序。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
自动计入工序时间。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
比对当前计入的工序时间与目标研磨时间；
进行EPD光学终点检测与Nova膜厚量测量；
根据时间比对结果、所述EPD和所述Nova的检测数据判断返工条件。
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