CN116256805B - 基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及于油气储层测井评价技术领域,特别是涉及基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,利用电阻率曲线的起伏特征来计算裂缝发育指数。通过本计算方法,能有效解决常规测井无法定量评价裂缝发育程度的问题。
Description
技术领域
本发明涉及于油气储层测井评价技术领域,特别是涉及基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法。
背景技术
裂缝不仅是油气的储集空间,同时也是良好的渗流通道,尤其对于低孔致密储层,裂缝发育程度直接决定了储层的有效性及产能。对裂缝的准确识别及评价能有效提高储层评价的可靠性,同时也能为储层产能预测提供重要参考。电成像测井是定性识别和定量评价裂缝的最主要手段,但测量费用较高,在一个油气田仅极少数关键井进行测量。然而,面对大量未进行电成像采集的井,如何利用常规测井资料识别及评价裂缝发育程度是必须解决的关键问题。
现有技术中,利用常规测井资料评价裂缝只能达到定性识别,即利用电阻率曲线以及三孔隙度曲线(声波时差、中子孔隙度和密度)的形态特征定性判断裂缝发育程度,未能实现定量评价裂缝发育程度。定性识别裂缝具有很强的经验性和主观性,且难以进行横向比较,更无法建立裂缝发育程度与储层产能或渗透率的直接关系。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提出了基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,基于裂缝发育必然导致测井电阻率降低的原理,利用电阻率曲线的起伏特征来计算裂缝发育指数,能有效解决常规测井无法定量评价裂缝发育程度的问题。
本发明是通过采用下述技术方案实现的:
基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1.输入电阻率曲线RT,并对其进行预处理;
S2.确定计算裂缝发育指数井段的顶底深度点A和B,并计算两点之间的地层厚度Th;
S3.以A点的电阻率作为第一个电阻率相对高值点,记为RTg,并指定切线斜率最小值kmin;
S4.从A点开始连续计算A到B之间的电阻率曲线的切线斜率k;
S5.判断第i点及左右相邻点的切线斜率大小;
S6.如果k值在第i个点由负值变为正值,且满足其左右相邻两点切线斜率绝对值大于kmin,则该点为电阻率相对低值点,计算该电阻率相对低值点的电阻率降低幅度;
S7.循环直至AB之间的所有点检测完毕,对降低幅度进行累计求和,计算最终裂缝发育指数FI:
其中,AMPi为第i个电阻率相对低值点的电阻率降低幅度,N为由裂缝导致的电阻率相对低值点的数量。
所述步骤S1中预处理具体指:对电阻率曲线进行对数归一化处理。
对电阻率曲线进行对数归一化处理后,将电阻率值转换到[0,1]区间。
对电阻率曲线进行对数归一化处理具体指:
其中,RT为原始电阻率测量值;RT*为归一化后的电阻率值;RTmax为指定的电阻率最大值,RTmin为指定的电阻率最小值。
所述RTmax和RTmin是在进行归一化处理之前根据电阻率曲线值的实际变化范围确定的常量,其中电阻率变化范围在a~b之间,且a小于b,则RTmax=b,RTmin=a。
在连续计算切线斜率k的过程中,若切线斜率k的值在某点由正值变为负值,则该点成为新的电阻率相对高值点,同样记为RTg。
所述步骤S6具体包括:
S61.判断是否ki<0且ki-1>0,若否,则RTg保持不变;若是,设置i点为新的电阻率相对高值点,RTg=RTi;
S62.判断是否ki>0且ki-1<0,若否,进入步骤S5;若是,判断是否|ki-1|>kmin且|ki+1|>kmin,若否,进入步骤S5,若是,第i点为电阻率相对低值点,记为RTd,计算第i点电阻率降低幅度AMPi。
所述步骤S62中计算第i点电阻率降低幅度AMPi具体指:
AMPi=RTg-RTd;
其中,RTg为新的电阻率相对高值点。
所述步骤S7中,若所有点没有检测完毕,再移至下一个点i+1进行检测,进入步骤S5中,判断第i+1点及左右相邻点的切线斜率大小。
与现有技术相比,本发明的有益效果表现在:
1、裂缝是良好的电流通道,因此电阻率曲线比三孔隙度曲线对裂缝的发育更加敏感。裂缝导致地层具有极强的非均质性,电阻率在裂缝发育处急剧降低,在致密段迅速增大,呈尖刺状快速起伏。电阻率的这种尖刺状起伏幅度及频率取决于裂缝发育密集程度以及裂缝在地层中的延伸长度,即裂缝发育指数。本申请利用电阻率曲线的起伏特征来计算裂缝发育指数,不依赖于电成像测井,只需常规电阻率测井曲线即可快速准确判断储层裂缝发育程度,实现定量评价,具有横向可对比性,节约成像测井费用。且本发明不受地层厚度、岩性及流体性质的影响,可用于各种类型油气藏裂缝发育程度的定量评价。
2、本发明通过设置适当的切线斜率门槛值kmin,消除了非裂缝影响导致的电阻率降低,具有极大灵活性和可靠性。
3、本发明对电阻率曲线进行预处理,即进行对数归一化处理,将电阻率值转换到[0,1]区间,消除电阻率绝对值大小的影响。
4、本发明中,将累计求和的电阻率降低幅度除以地层厚度Th,即得到裂缝发育指数FI,能消除AB点之间厚度差异所导致的累计电阻率降低幅度的差异。
附图说明
下面将结合说明书附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明,其中:
图1为本发明的流程示意图;
图2为本发明中电阻率曲线切线、降低幅度、高值点和低值点示意图;
图3为本发明中裂缝发于指数计算实例效果示意图;
图4为本发明中四川盆地下二叠统L1井裂缝发育指数计算实例与成像测井对比示意图;
图5为本发明中四川盆地下二叠统L4井裂缝发育指数计算实例与成像测井对比示意图。
具体实施方式
实施例1
作为本发明基本实施方式,本发明包括基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,包括以下步骤:
S1.输入电阻率曲线RT,并对其进行预处理,消除电阻率绝对值大小的影响。
S2.确定计算裂缝发育指数井段的顶底深度点A和B,并计算两点之间的地层厚度Th。
S3.以A点的电阻率作为第一个电阻率相对高值点,记为RTg,并指定切线斜率最小值kmin。
S4.从A点开始连续计算A到B之间的电阻率曲线的切线斜率k。
S5.判断第i点及左右相邻点的切线斜率大小。
S6.如果k值在第i个点由负值变为正值,且满足其左右相邻两点切线斜率绝对值大于kmin,则该点为电阻率相对低值点,计算该电阻率相对低值点相对于电阻率相对高值点RTg的电阻率降低幅度。
S7.循环直至AB之间的所有点检测完毕,对降低幅度进行累计求和,计算最终裂缝发育指数FI:
其中,AMPi为第i个电阻率相对低值点的电阻率降低幅度,N为由裂缝导致的电阻率相对低值点的数量。
实施例2
作为本发明一较佳实施方式,本发明包括基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,包括以下步骤:
S1.输入电阻率曲线RT,并对其进行预处理,即对电阻率曲线进行对数归一化处理,将电阻率值转换到[0,1]区间,消除电阻率绝对值大小的影响。具体方法如下:
其中,RT为原始电阻率测量值,Ω.m;RT*为归一化后的电阻率值,无量纲;RTmax为指定的电阻率最大值,Ω·m;RTmin为指定的电阻率最小值,Ω·m。其中,RTmax和RTmin是在进行归一化处理之前根据电阻率曲线值的实际变化范围确定的常量,如电阻率变化范围在2~20000之间,则RTmax=20000,RTmin=2。
S2.确定计算裂缝发育指数井段的顶底深度点A和B,并计算两点之间的地层厚度Th。
S3.以A点的电阻率作为第一个电阻率相对高值点,记为RTg,并指定切线斜率最小值kmin。
S4.从A点开始连续计算A到B之间的电阻率曲线的切线斜率k。
S5.判断第i点及左右相邻点的切线斜率大小。
S6.如果k值在第i个点由负值变为正值,则该点为电阻率相对低值点,记为RTd,如该点左右相邻两点的切线斜率的绝对值大于指定的下限值kmin,表明该点电阻率降低速率较大,是由裂缝所致,其电阻率降低幅度的计算方法如下:
AMPi=RTg-RTd。
在连续计算k值的过程中,如k值在某点由正值变为负值,则该点成为新的电阻率相对高值点,同样记为RTg。
S7.循环直至AB之间的所有点检测完毕,按上述同样的方式将A点到B点之间所有电阻率低值点的降低幅度进行累加,即反映了AB点之间由裂缝所导致的电阻率整体的降低幅度。相同厚度的井段,电阻率降低幅度越大反映裂缝发育程度越高。为了消除AB点之间厚度差异所导致的累计电阻率降低幅度的差异,将累计求和的电阻率降低幅度除以厚度Th,即得到裂缝发育指数FI:
其中,AMPi为第i个电阻率相对低值点的电阻率降低幅度,无量纲;N为由裂缝导致的电阻率相对低值点的数量,无量纲;Th为地层厚度,m。
实施例3
作为本发明另一较佳实施方式,本发明包括基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,包括以下步骤:
S1.输入电阻率曲线RT,并对其进行预处理。
S2.确定井段的顶底深度点A和B,并计算两点之间的地层厚度Th。
S3.以A点的电阻率作为第一个电阻率相对高值点,记为RTg,并指定切线斜率最小值kmin。
S4.从A点开始连续计算A到B之间的电阻率曲线的切线斜率k。
S5.判断第i点及左右相邻点的切线斜率大小。
S6.如果k值在第i个点由负值变为正值,且满足其左右相邻两点切线斜率绝对值大于kmin,则该点为电阻率相对低值点,计算该电阻率相对低值点的电阻率降低幅度,具体判断流程如下:
S61.判断是否ki<0且ki-1>0,若否,则RTg保持不变;若是,设置i点为新的电阻率相对高值点,RTg=RTi;
S62.判断是否ki>0且ki-1<0,若否,进入步骤S5;若是,判断是否|ki-1|>kmin且|ki+1|>kmin,若否,进入步骤S5,若是,第i点为电阻率相对低值点,记为RTd,计算第i点电阻率降低幅度AMPi:
AMPi=RTg-RTd,
其中,RTg为新的电阻率相对高值点。
S7.循环直至AB之间的所有点检测完毕,对降低幅度进行累计求和,计算最终裂缝发育指数FI:
其中,AMPi为第i个电阻率相对低值点的降低幅度,N为由裂缝导致的电阻率相对低值点的数量。
实施例4
作为本发明最佳实施方式,参照说明书附图1和说明书附图2,本发明包括基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,包括以下步骤:
S1.输入电阻率曲线RT,并对其进行预处理,即对电阻率曲线进行对数归一化处理,将电阻率值转换到[0,1]区间。对电阻率曲线进行对数归一化处理的具体方法为:
其中,RT为原始电阻率测量值;RT*为归一化后的电阻率值;RTmax为指定的电阻率最大值,RTmin为指定的电阻率最小值。其中,RTmax和RTmin是在进行归一化处理之前根据电阻率曲线值的实际变化范围确定的常量,如电阻率变化范围在2~20000之间,则RTmax=20000,RTmin=2。
S2.确定井段的顶底深度点A和B,并计算两点之间的地层厚度Th。
S3.以A点的电阻率作为第一个电阻率相对高值点,记为RTg,并指定切线斜率最小值kmin。
S4.从A点开始连续计算A到B之间的电阻率曲线的切线斜率k。
S5.判断第i点及左右相邻点的切线斜率大小。
S61.判断是否ki<0且ki-1>0,若否,则RTg保持不变;若是,设置i点为新的电阻率相对高值点,RTg=RTi。
S62.判断是否ki>0且ki-1<0,若否,进入步骤S5;若是,判断是否|ki-1|>kmin且|ki+1|>kmin,若否,进入步骤S5,若是,第i点为电阻率相对低值点,记为RTd,计算第i点电阻率降低幅度AMPi:
AMPi=RTg-RTd;
其中,RTg为新的电阻率相对高值点。
S7.循环直至AB之间的所有点检测完毕,对降低幅度进行累计求和,计算最终裂缝发育指数FI:
其中,AMPi为第i个电阻率相对低值点的降低幅度,N为由裂缝导致的电阻率相对低值点的数量。
若所有点没有检测完毕,再移至下一个点i+1进行检测,进入步骤s5中,判断第i+1点及左右相邻点的切线斜率大小。
参照说明书附图3,利用本发明实施了裂缝发育指数计算。图中左边第一道曲线为电阻率曲线,第二道为计算的裂缝发育指数曲线。根据电阻率曲线的特征划分出A、B、C、D、E共5个储层段,其中A储层段电阻率曲线呈明显的锯齿状降低,且降低幅度较大,反映裂缝径向延伸大且密度程度高,计算的裂缝指数最高,达到4.3。B储层段电阻率曲线呈单一的尖刺状降低,虽然降低幅度较大,但尖刺数量少,反映裂缝径向延伸较大,但裂缝密集程度较低,计算的裂缝发育指数为2.2。D储层段电阻率呈小幅微齿状降低,虽然整体降低幅度较低,但齿状数量多,反映裂缝径向延伸较浅但密集程度较高,计算的裂缝发育指数为3.3,仅次于A储层段。C和E储层段电阻率曲线呈光滑的U字形降低,虽然降低幅度较大,但并非裂缝发育所致,计算的裂缝发育指数为0。
为了进一步验证本发明计算结果的可靠性,利用四川盆地下二叠统L1井的成像测井资料进行了检验。参照说明书附图4,L1井5884-5891m电阻率曲线呈尖刺状降低,且幅度较大,利用本发明计算的裂缝发育指数高达6.7;该段对应的成像测井显示裂缝极其发育,不仅裂缝数量多,且张开度较大。此外,该井段测试日产气高达105万方,与成像测井反映的裂缝发育情况及本发明计算的裂缝发育指数相吻合。参照说明书附图5,L4井6239-6243m井段电阻率呈较光滑的“U”字形降低,说明电阻率降低并非裂缝所致,且成像测井也显示该段裂缝不发育,仅发育微弱的应力释放缝;该段计算裂缝发育指数仅0.15,说明裂缝不发育,与成像测井想吻合。以上两口井的裂缝发育指数计算实例都得到了成像测井的验证,充分说明了本发明的可靠性和实用性。
综上所述,本领域的普通技术人员阅读本发明文件后,根据本发明的技术方案和技术构思无需创造性脑力劳动而作出的其他各种相应的变换方案,均属于本发明所保护的范围。
Claims (9)
1.基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1.输入电阻率曲线RT,并对其进行预处理;
S2.确定计算裂缝发育指数井段的顶底深度点A和B,并计算两点之间的地层厚度Th;
S3.以A点的电阻率作为第一个电阻率相对高值点,记为RTg,并指定切线斜率最小值kmin;
S4.从A点开始连续计算A到B之间的电阻率曲线的切线斜率k;
S5.判断第i点及左右相邻点的切线斜率大小;
S6.如果k值在第i个点由负值变为正值,且满足其左右相邻两点切线斜率绝对值大于kmin,则该点为电阻率相对低值点,计算该电阻率相对低值点的电阻率降低幅度;所述电阻率降低幅度为电阻率相对高值点与相邻的电阻率相对低值点的差值;
S7.循环直至AB之间的所有点检测完毕,对降低幅度进行累计求和,计算最终裂缝发育指数FI:
其中,AMPi为第i个电阻率相对低值点的电阻率降低幅度,N为由裂缝导致的电阻率相对低值点的数量。
2.根据权利要求1所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:所述步骤S1中预处理具体指:对电阻率曲线进行对数归一化处理。
3.根据权利要求2所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:对电阻率曲线进行对数归一化处理后,将电阻率值转换到[0,1]区间。
4.根据权利要求3所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:对电阻率曲线进行对数归一化处理具体指:
其中,RT为原始电阻率测量值;RT*为归一化后的电阻率值;RTmax为指定的电阻率最大值,RTmin为指定的电阻率最小值。
5.根据权利要求4所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:所述RTmax和RTmin是在进行归一化处理之前根据电阻率曲线值的实际变化范围确定的常量,其中电阻率变化范围在a~b之间,且a小于b,则RTmax=b,RTmin=a。
6.根据权利要求1所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:在连续计算切线斜率k的过程中,若切线斜率k的值在某点由正值变为负值,则该点成为新的电阻率相对高值点,同样记为RTg。
7.根据权利要求6所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:所述步骤S6具体包括:
S61.判断是否ki<0且ki-1>0,若否,则RTg保持不变;若是,设置i点为新的电阻率相对高值点,RTg=RTi;
S62.判断是否ki>0且ki-1<0,若否,进入步骤S5;若是,判断是否|ki-1|>kmin且ki+1|>kmin,若否,进入步骤S5,若是,第i点为电阻率相对低值点,记为RTd,计算第i点电阻率降低幅度AMPi。
8.根据权利要求7所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:所述步骤S62中计算第i点电阻率降低幅度AMPi具体指:
AMPi=RTg-RTd;
其中,RTg为新的电阻率相对高值点。
9.根据权利要求1所述的基于电阻率曲线的裂缝发育指数计算方法,其特征在于:所述步骤S7中,若所有点没有检测完毕,再移至下一个点i+1进行检测,进入步骤S5中,判断第i+1点及左右相邻点的切线斜率大小。
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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