CN116242900A - 一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法,实现尾气检测用NOx传感器芯片自动化检测。将传感器加热并通入空气,通过对三个工作回路施加电压,并测定各个工作回路的工作电压、工作电流,测定传感器静态工作性能;通过在控制器中设置电压调节公式和参数,保证传感器芯片在正常工作状态下,实现传感器对不同气体环境中NO的自动检测,并判定传感器芯片的响应时间,评价NOx传感器芯片的动态工作性能。本发明具有高效、无损、可实现传感器芯片自动化检测的优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法,属于气体传感器技术领域。
背景技术
随着第六阶段机动车污染物排放标准的公布,社会对环保要求的提高,汽车尾气污染物的监测和排放受到越来越多的关注。汽车尾气主要有害成分为氮氧化物、不完全燃烧碳氢化物、颗粒物等。为实现气体尾气严格的排放标准,实时、准确测定尾气中污染物质种类和含量十分重要。NOx传感器质量直接决定了尾气测试的准确性。但是,近年来国内相关传感器的发展尚不成熟,尤其是针对传感器检测方面,更是缺少统一的检测手段和方法。NOx传感器是一种具有三个工作回路的复杂体系,工作时,需要同时施加3个不同的电压,并测定工作电压、工作电流等7个参数,各回路间互相影响,共同测定复杂尾气中NOx的含量。目前,常用的检测方法主要针对单一回路的工作状态,并且检测方法可能对芯片产生不可逆损坏。为更好的测定传感器芯片综合检测性能,迫切需要开发一种简便的、无损的、可自动化运行的测试反馈系统。
发明内容
本发明的目的在于提供一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法,能够为传感器芯片综合性能评价提供一种高效、节省人力、无损、简便、自动化运行的测试方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法,包括以下步骤:
(1)将传感器芯片加热到700~800℃,并将芯片置于氧气环境中,该氧气环境中,氧气含量为21%,其余为氮气;分别向芯片第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路施加电压E00、E10、E20,测试第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路的工作电压V0_0、V1_0、V2_0和工作电流Ip0_0、Ip1_0、Ip2_0,测试外电极与参比电极工作电压Vref_0;
(2)将传感器芯片置于氮气环境中,测试第一工作回路的工作电压V0、第二工作回路的工作电流Ipl,多次调节第一工作回路施加电压E0_n=E0_n-1+K1×(V0_n-V0_n-1)+K2×(Vref_n-Vref_n-1)+K3×(Ip_n-7×10-6),直到Ip1=4~10μA;调节第二工作回路施加电压E1_n=E1_n-1+K4(V1_n-Vn-1),直到V1=400mV~450mV;调节第三工作回路施加电压E2=E1+10mV;
(3)固定K1、K2、K3、K4参数,将传感器芯片移入NOx环境中,该NOx环境中NO含量为300ppm,氧气含量为2%,其余为氮气;施加E0、E1、E2,记录Ip2从氮气环境移入NOx环境的变化,测定Ip2从终值10%到90%变化所需响应时间t。
进一步地,在所述步骤(1)中,V0_0=300~350mV、V1_0=400~450mV、V2_0=410~460mV、Vref_0=0~100mV、Ip0_0=1~6mA、Ip1_0=4~10μA、Ip2_0=0.1~0.5μA,传感器静态传感性能合格。
进一步地,在所述步骤(2)中,K1=0.1~50,K2=0.5~10,K3=500~5000,K4=0.1~1.5。
进一步地,在所述步骤(3)中,响应时间t=2~4s时,传感器性能合格。
本发明的优点在于:
1、本发明的NOx传感器芯片性能测试反馈方法为自动化流程,通过在主控制器中输入Ip1、V1、V2测定范围,并设定E0、E1、E2调节公式,即可实现NOx传感器芯片的自动测试功能,记录传感器芯片在不同气氛中连续工作时Ip2工作电流的变化。
2、本发明的NOx传感器芯片性能测试反馈方法,可得到传感器芯片在变化气氛中Ip2工作电流的变化趋势,并计算芯片工作时响应时间,评价NOx传感器芯片的动态工作性能。
3、本发明的NOx传感器芯片性能测试反馈方法,可有效避免因加载电压过大导致的传感器损坏问题,提升传感器芯片性能检测效率的同时降低传感器损坏率。
附图说明
图1为本发明NOx传感器芯片性能测试反馈方法涉及装置的结构示意图。
图2为NOx传感器芯片工作原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
图1中,本实施例的NOx传感器芯片性能测试反馈方法所涉及的装置由配气系统1、测试腔室2、电压控制单元3、电压测试单元4、电流测试电源5、主控制器6、计算机7、传感器芯片8组成。
配气系统1与测试腔室2连通,用于控制不同的传感器芯片8测试环境;测试腔室2具有加热功能;所述电压控制单元3与主控制器6相连,输出电压正极、负极分别与传感器芯片8的外电极、第一工作回路负极、第二工作回路负极、第三工作回路负极相连,用于接受主控制器6对传感器芯片8施加电压E0、E1、E2的施加需求;所述电压测试单元4与主控制器6相连,用于测定传感器芯片8第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路和外电极与参比电极形成回路的工作电压V0、V1、V2、Vref;所述电流测试单元与主控制器6相连,用于测定传感器芯片8第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路的工作电流Ip0、Ip1、Ip2。主控制器6与计算机7相连,用于参数设置和数据读取。
NOx传感器芯片结构及工作原理:
传感器芯片为三腔室结构,如图2,由三个工作回路组成,每个工作回路均形成包括工作电极、对电极、参比电极在内的三电极工作体系。传感器芯片工作时,按照第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路(测试回路)的顺序进行NOx的检测。具体工作原理:工作时,施加主泵工作电压E0、辅泵工作电压E1、测试电压E2,通过反馈(V0、V1、V2、Vref),保证施加电压稳定,同时记录主泵工作电流Ip0、辅泵工作电流Ip1、测试电流Ip2;当气体通入后,第一工作回路、第二工作回路将杂质气体NO2、CO和氧气等进行分解反应,最终至第三工作回路时气体成分为NO;NO气体与测试电极中活性成分反应分解为氧气和氮气,并通过检测分解产生氧气的泵电流Ip2,实现NOx含量的监控。
实施例
一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法,具体如下:
1、传感器静态综合性能评价
(1)将传感器加热至750℃,并通入21%O2含量的氮气;
(2)施加E0、E1、E2,使V0=300mV、Vl=450mV、V2=460mV、Vref=0mV、Ip1=4~10μA;
(3)记录此时Ip0、Ipl、Ip2的值。
(4)当lp0在1~6mA、Ip2为0.1~0.5μA时,传感器静态性能合格。
2、传感器调节常数测定
(1)主控制器中输入E0_n=E0_n-I+K1×(V0_n-V0_n-1)+K2×(Vref_n-Vref_n-1)+K3×(Ip_n-7×10-6)、E1=E1_n-1+K4(V1_n-Vn-1)、E2=E1+10mV调节公式,设置K1、K2、K3、K4为自由数,其中,K1=0.1~50,K2=0.5~10,K3=500~5000,K4=0.1~1.5;
(2)将上述21%O2含量的氮气换为氮气;
(3)调节K1、K2、K3、K4的值,使传感器在20s内达到Ip1=4~10μA、V0=400mV~450mV、Vl=410mV~460mV;
(4)记录K1’、K2’、K3’、K4’,并输入上述公式。
3、传感器动态综合性能评价
(1)主控制器输入E0_n=E0_n-1+K1’×(V0_n-V0_n-1)+K2’×(Vref_n-Vref_n-1)+K3’×(Ip_n-7×10-6)、E1=E1_n-1+K4’(V1_n-Vn-1)、E2=EI+10mV调节公式;
(2)将上述氮气换为NOx气氛,其中NOx气氛中NO含量为300ppm、氧气含量为2%,其余为氮气;
(3)记录Ip2变化趋势;
(4)计算Ip2从终值10%到90%变化所需响应时间t,当t=2~4s时,传感器合格。
Claims (4)
1.一种NOx传感器芯片性能测试反馈方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将传感器芯片加热到700~800℃,并将芯片置于氧气环境中,该氧气环境中,氧气含量为21%,其余为氮气;分别向芯片第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路施加电压E0_0、E1_0、E2_0,测试第一工作回路、第二工作回路、第三工作回路的工作电压V0_0、V1_0、V2_0和工作电流Ip0_0、Ip1_0、Ip2_0,测试外电极与参比电极工作电压Vref_0;
(2)将传感器芯片置于氮气环境中,测试第一工作回路的工作电压V0、第二工作回路的工作电流Ip1,多次调节第一工作回路施加电压E0_n=E0_n-1+K1×(V0_n-V0_n-1)+K2×(Vref_n-Vref_n-1)+K3×(Ip_n-7×10-6),直到Ip1=4~10μA;调节第二工作回路施加电压E1_n=E1_n-1+K4(V1_n-Vn-1),直到V1=400mV~450mV;调节第三工作回路施加电压E2=E1+10mV;
(3)固定K1、K2、K3、K4参数,将传感器芯片移入NOx环境中,该NOx环境中,NO含量为300ppm,氧气含量为2%,其余为氮气;对传感器芯片施加E0、E1、E2,记录Ip2从氮气环境移入NOx环境变化,测定Ip2从终值10%到90%变化所需响应时间t。
2.根据权利要求1所述的NOx传感器芯片性能测试反馈方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,V0_0=300~350mV、V1_0=400~450mV、V2_0=410~460mV、Vref_0=0~100mV,Ip0_0=1~6mA、Ip1_0=4~10μA、Ip2_0=0.1~0.5μA,传感器静态传感性能合格。
3.根据权利要求1所述的NOx传感器芯片性能测试反馈方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,K1=0.1~50,K2=0.5~10,K3=500~5000,K4=0.1~1.5。
4.根据权利要求1所述的NOx传感器芯片性能测试反馈方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,响应时间t=2~4s时,传感器性能合格。
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