CN116168997A - 一种改善刻蚀中等离子体分布的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种改善刻蚀中等离子体分布的方法，提供等离子刻蚀腔体中的RF线圈，RF线圈是由四段圆弧线组成的圆形线圈；四段圆弧依次定义为第一至第四圆弧线；提供十字形支架，第一至第四圆弧线的首尾分别连接在所述十字形支架上；对第一至第四圆弧线分别给定不同的电流，依次为第一至第四电流；使得第一至第四圆弧线分别和与其连接的十字形支架围成的区域形成不同的磁场，第一至第四电流对应形成的磁场依次为第一至第四磁场；调节所述第一至第四电流的大小以改变第一至第四磁场，进而改变不同区域等离子体的分布。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善刻蚀中等离子体分布的方法。
背景技术
在芯片制造的刻蚀工艺过程中，刻蚀均匀性对于产品良率的稳定性至关重要。为了提升刻蚀均匀性，在腔体的设计上会尽量采用对称结构，但仍无法做到绝对的对称，会造成等离子体局部分布不均匀。现有刻蚀腔体的RF线圈都是完整的同心圆，通过调节流经线圈电流来改变感应磁场分布以调节等离子体的分布，这种调节方式存在一定局限性，只能实现同心圆模式调节，无法实现局部区域调节功能。
因此需要提出一种新的方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善刻蚀中等离子体分布的方法，用于解决现有技术中刻蚀腔体中RF线圈的电流无法调节局部区域等离子体分布的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善刻蚀中等离子体分布的方法，至少包括：
步骤一、提供等离子刻蚀腔体中的RF线圈，所述RF线圈是由四段圆弧线组成的圆形线圈；所述四段圆弧依次定义为第一至第四圆弧线；
步骤二、提供十字形支架，所述第一至第四圆弧线的首尾分别连接在所述十字形支架上；
步骤三、对所述第一至第四圆弧线分别给定不同的电流，依次为第一至第四电流；使得所述第一至第四圆弧线分别和与其连接的十字形支架围成的区域形成不同的磁场，所述第一至第四电流对应形成的磁场依次为第一至第四磁场；
步骤四、调节所述第一至第四电流的大小以改变所述第一至第四磁场，进而改变不同区域等离子体的分布。
优选地，步骤四中增大第一电流，同时减小第三电流以改变第一磁场和所述第三磁场。
优选地，步骤四中调节所述第一至第四电流大小的方法为，改变所述第一至第四电流的比例大小。
优选地，步骤三中所述第一至第四电流的方向相同。
优选地，步骤三中所述第一至第四电流的方向为顺时针方向。
优选地，步骤三中所述第一至第四电流的方向为逆时针方向。
如上所述，本发明的改善刻蚀中等离子体分布的方法，具有以下有益效果：本发明的方法能够实现刻蚀腔体等离子体浓度的局部调节功能，能够有效的提升刻蚀均匀性，扩大工艺窗口，提高产品良率。
附图说明
图1显示为本发明中改善刻蚀中等离子体分布的方法流程图；
图2显示为本发明中的圆弧线组成的RF线圈结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种改善刻蚀中等离子体分布的方法，如图1所示，图1显示为本发明中改善刻蚀中等离子体分布的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供等离子刻蚀腔体中的RF线圈，所述RF线圈是由四段圆弧线组成的圆形线圈；所述四段圆弧依次定义为第一至第四圆弧线；本实施例中的所述第一至第四圆弧线的长度相等，分别为所述RF线圈(圆形线圈)的四分之一的部分。
步骤二、提供十字形支架，所述第一至第四圆弧线的首尾分别连接在所述十字形支架上；如图2所示，图2显示为本发明中的圆弧线组成的RF线圈结构示意图。图2中所述十字形支架01的端部分别连接有所述第一至第四圆弧线的端点。
步骤三、对所述第一至第四圆弧线分别给定不同的电流，依次为第一至第四电流；使得所述第一至第四圆弧线分别和与其连接的十字形支架围成的区域形成不同的磁场，所述第一至第四电流对应形成的磁场依次为第一至第四磁场；如图2所示，该步骤三中的所述第一圆弧线对应的电流为第一电流I1，所述第二圆弧线对应的电流为第二电流I2，所述第三圆弧线对应的电流为第三电流I3，所述第四圆弧线对应的电流为第四电流I4。所述第一圆弧线与所述十字形支架围成的区域的所述磁场为第一磁场B1；所述第二圆弧线与所述十字形支架围成的区域的所述磁场为第二磁场B2；所述第三圆弧线与所述十字形支架围成的区域的所述磁场为第三磁场B3；所述第四圆弧线与所述十字形支架围成的区域的所述磁场为第四磁场B4。
本发明进一步地，本实施例的步骤三中所述第一至第四电流的方向相同。
如图2所示，本发明进一步地，本实施例的步骤三中所述第一至第四电流的方向为顺时针方向。
在其他实施例中，本发明的步骤三中所述第一至第四电流的方向也可以都为逆时针方向。
步骤四、调节所述第一至第四电流的大小以改变所述第一至第四磁场，进而改变不同区域等离子体的分布。
本发明进一步地，本实施例的步骤四中增大第一电流，同时减小第三电流以改变第一磁场和所述第三磁场。
本发明进一步地，本实施例的步骤四中调节所述第一至第四电流大小的方法为，改变所述第一至第四电流的比例大小。也就是说，所述第一至第四电流的大小同时增大或同时减小，增大或减小的比例相同。
通过调节所述第一至第四电流的大小或比例，可以调整所述第一至第四电流对应产生的磁场的大小或比例，进而改变各区域磁场的分布。
综上所述，本发明的方法能够实现刻蚀腔体等离子体浓度的局部调节功能，能够有效的提升刻蚀均匀性，扩大工艺窗口，提高产品良率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种改善刻蚀中等离子体分布的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供等离子刻蚀腔体中的RF线圈，所述RF线圈是由四段圆弧线组成的圆形线圈；所述四段圆弧依次定义为第一至第四圆弧线；
步骤二、提供十字形支架，所述第一至第四圆弧线的首尾分别连接在所述十字形支架上；
步骤三、对所述第一至第四圆弧线分别给定不同的电流，依次为第一至第四电流；使得所述第一至第四圆弧线分别和与其连接的十字形支架围成的区域形成不同的磁场，所述第一至第四电流对应形成的磁场依次为第一至第四磁场；
步骤四、调节所述第一至第四电流的大小以改变所述第一至第四磁场，进而改变不同区域等离子体的分布。
2.根据权利要求1所述的改善刻蚀中等离子体分布的方法，其特征在于：步骤四中增大第一电流，同时减小第三电流以改变第一磁场和所述第三磁场。
3.根据权利要求1所述的改善刻蚀中等离子体分布的方法，其特征在于：步骤四中调节所述第一至第四电流大小的方法为，改变所述第一至第四电流的比例大小。
4.根据权利要求1所述的改善刻蚀中等离子体分布的方法，其特征在于：步骤三中所述第一至第四电流的方向相同。
5.根据权利要求4所述的改善刻蚀中等离子体分布的方法，其特征在于：步骤三中所述第一至第四电流的方向为顺时针方向。
6.根据权利要求4所述的改善刻蚀中等离子体分布的方法，其特征在于：步骤三中所述第一至第四电流的方向为逆时针方向。
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