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CN116165817A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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CN116165817A CN202211611054.2A CN202211611054A CN116165817A CN 116165817 A CN116165817 A CN 116165817A CN 202211611054 A CN202211611054 A CN 202211611054A CN 116165817 A CN116165817 A CN 116165817A
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，液晶层设置于对置基板与阵列基板之间；阵列基板包括基底、第一无机膜层以及导电层，第一无机膜层设置于基底上，第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，导电层设置于基底上，导电层与第一无机膜层邻接；本申请在不变更阵列基板的膜层结构的基础上，通过设置导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，掺杂材料包括至少一种金属氧化物，金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种，从而降低导电层的折射率，进而提升了阵列基板的穿透率。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
目前随着液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)技术的广泛发展和应用深入，对具有更高分辨率显示器的追求已成为当前显示技术发展的潮流之一；而随着液晶显示器的像素分辨率越来越高，其像素密度增大，从而导致屏幕透过率降低，在现有技术中，当液晶显示器的亮度不足时，通常采用提升背光光源电流的方法来提升显示亮度，从而造成液晶显示器的功率越来越高；因此，提升液晶显示器的穿透率势在必行。
在传统的LCD显示装置中，通常背光源从TFT阵列基板侧射入，从彩膜基板侧射出，对于TFT-LCD的阵列基板来说，对光效影响较大的是多层膜结构，当相邻膜层折射率不同时，背光源在阵列基板中相邻膜层的接触界面处有较高的光反射现象，进而降低了背光源的穿透率。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，以改善当前的显示面板的出光效率低的技术问题。
为实现上述功能，本实施例提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间；
所述阵列基板包括：
基底；
第一无机膜层，设置于所述基底上，所述第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6；
导电层，设置于所述基底上，所述导电层与所述第一无机膜层邻接；
其中，所述导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述导电层的材料为氧化铟、氧化锡和第一金属氧化物组成的三元氧化物，其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，所述A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，其中，x、y和z均大于0。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在所述InxSnyAzO中，In原子占总金属原子数的70％～95％，Sn原子占总金属原子数的5％～30％，A原子占总金属原子数的1％～20％。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述导电层的材料为氧化铟、氧化锡、第一金属氧化物和第二金属氧化物组成的四元氧化物，其中，所述四元氧化物的化学式为InxSnyAzBwO，所述A为镁元素或锌元素中的一种，所述B为镓元素、钇元素、铝元素或镧元素中的一种，其中，x、y、z和w均大于0。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在所述InxSnyAzBwO中，In原子占总金属原子数的70％～95％，Sn原子占总金属原子数的5％～30％，A原子占总金属原子数的1％～20％，B原子占总金属原子数的1％～20％。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述导电层的折射率大于或等于1.13，且小于1.9。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述阵列基板包括：
第一金属层，设置于所述基底上；
栅极绝缘层，设置于所述基底和所述第一金属层上；
第二金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括第一电极；
钝化层，设置于所述第二金属层和所述栅极绝缘层上；
其中，所述第一无机膜层包括所述栅极绝缘层和所述钝化层，所述导电层包括所述第一电极。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述阵列基板包括：
第一金属层，设置于所述基底上；
栅极绝缘层，设置于所述基底和所述第一金属层上；
第一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上；
第二金属层，设置于所述第一钝化层上，所述第二金属层包括第一电极；
第二钝化层，设置于所述第一钝化层和所述第二金属层上；
其中，所述第一无机膜层包括所述第一钝化层和所述第二钝化层，所述导电层包括所述第一电极。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第二电极的折射率大于所述第二钝化层的折射率，所述第二钝化层的折射率大于所述第一电极的折射率，所述第一电极的折射率大于所述第一钝化层的折射率。
本申请实施例提供一种显示装置，包括背光模组和上述任一所述的显示面板，所述背光模组设置于所述显示面板的背面。
本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间；所述阵列基板包括基底、设置于所述基底上的第一无机膜层和设置于所述基底和所述第一无机膜层上的导电层，所述第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述导电层与所述第一无机膜层邻接；其中，本实施例在不变更所述阵列基板的膜层结构的基础上，通过设置所述导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种，从而降低所述导电层的折射率，起到降低所述第一无机膜层的折射率和所述导电层的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板的穿透率，提高了所述显示装置的背光模组的光源利用效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例所提供的阵列基板的第一种截面示意图；
图3为本申请实施例所提供的阵列基板的第二种截面示意图；
图4为本申请实施例所提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请结合图1～图4，本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括对置基板20、液晶层30和阵列基板10，所述液晶层30设置于所述对置基板20与所述阵列基板10之间。
所述阵列基板10包括基底100、第一无机膜层1A以及导电层1B，所述第一无机膜层1A设置于所述基底100上，所述第一无机膜层1A的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述导电层1B设置于所述基底100上，所述导电层1B与所述第一无机膜层1A邻接；其中，所述导电层1B的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种。
需要说明的是，本实施例以所述显示面板为液晶显示面板Liquid CrystalDisplay，LCD)、所述对置基板为彩膜基板为例对本申请的技术方案进行描述。
可以理解的是，本实施例通过设置所述导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种，从而降低所述导电层的折射率，起到降低所述第一无机膜层的折射率和所述导电层的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板的穿透率，提高了所述显示装置的背光模组的光源利用效率。
在一实施例中，请结合图1和图2；其中，图2为本申请实施例所提供的阵列基板的第一种截面示意图。
在本实施例中，所述阵列基板10包括基底100及层叠设置于所述基底100上的第一金属层200，栅极绝缘层300、第二金属层400、钝化层800以及第三金属层600，其中，所述栅极绝缘层300设置于所述基底100和所述第一金属层200上，所述第二金属层400包括所述第一电极410，所述第一电极410为像素电极、公共电极中的一者，所述钝化层800设置于所述第二金属层400和所述栅极绝缘层300上，所述第三金属层600包括第二电极610，所述第二电极610为像素电极、公共电极中的另一者；其中，所述第一无机膜层1A包括所述栅极绝缘层300和所述钝化层800，所述导电层1B包括所述第一电极410，所述第一电极410的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种。
需要说明的是，在本实施例中，当所述第一无机膜层1A为所述栅极绝缘层300时，所述导电层1B为与所述栅极绝缘层300直接接触的所述第一电极410。
进一步地，所述第一电极410的材料为氧化铟、氧化锡和第一金属氧化物组成的三元氧化物，其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，所述A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，其中，x、y和z均大于0。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一电极410和所述第二电极610可以是像素电极和公共电极的任意一种组合，具体的，当所述第一电极410为像素电极时，所述第二电极610为公共电极，当所述第一电极410为公共电极时，所述第二电极610为像素电极，此外，所述阵列基板10包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以是顶栅结构或底栅结构，具体的，本实施例后续将以所述薄膜晶体管为底栅结构为例对本申请的技术方案进行举例说明。
可以理解的是，当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述阵列基板10还包括有源层500、源极710、漏极720以及第一过孔01，所述有源层500位于所述栅极绝缘层300远离所述第一金属层200的一侧，所述源极710和所述漏极720位于所述有源层500远离所述栅极绝缘层300的一侧，所述第一金属层200包括栅极210，所述钝化层800位于所述源极710、所述漏极720、所述第一电极410以及所述栅极绝缘层300上，所述第一过孔01贯穿所述钝化层800；需要说明的是，所述有源层500对应所述栅极210设置，所述有源层500两端分别与所述源极710和所述漏极720连接。
需要说明的是，本实施例以所述第一电极410为像素电极，所述第二电极610为公共电极为例对本申请的技术方案进行举例说明；具体地，所述第二电极610的一端通过所述第一过孔01与所述漏极720连接。
其中，所述有源层500包括但不限于氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(Indium TinZinc Oxide，ITZO)或铟镓锌钛氧化物(Indium Gallium Zinc Tin Oxide，IGZTO)，所述栅极绝缘层300的材料包括但不限于氧化硅(SiOX)，所述钝化层800的材料包括但不限于氧化硅(SiOX)；进一步地，所述栅极绝缘层300的材料优选为氧化硅(SiOX)，所述栅极绝缘层300的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述钝化层800的材料优选为氧化硅(SiOX)，所述钝化层800的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6。
可以理解的是，目前，现有液晶显示装置包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板背面的背光模组，其中，所述背光模组的背光源通常从所述液晶显示面板的阵列基板侧射入，从所述液晶显示面板的彩膜基板侧射出，对于现有阵列基板来说，对光效影响较大的是多层膜结构，当相邻膜层折射率不同时，所述背光源在所述阵列基板中相邻膜层的接触界面处有较高的光反射现象；例如在Oxide TFT液晶显示面板中，透明导电层与绝缘层之间具有一接触界面，所述接触界面的反射率、所述透明导电层的折射率以及所述绝缘层的折射率之间满足以下关系式：
Figure BDA0003995039770000071
其中，R12为所述接触界面的反射率；n1为所述透明导电层1B的折射率，n2为所述绝缘层的折射率；显然，降低相邻膜层之间的光折射率之差是改善阵列基板穿透率的有效方法之一，但在现有Oxide TFT液晶显示面板中，受限传统显示面板1各膜层材料折射率固定，因此传统的显示面板的出光效率难以改变。
本实施例中，通过设置所述第一电极410的材料为氧化铟、氧化锡和第一金属氧化物组成的三元氧化物，其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，所述A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，其中，x、y和z均大于0，从而降低所述第一电极410的折射率，起到降低所述栅极绝缘层300的折射率和所述第一电极410的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板10的穿透率。
具体地，在所述InxSnyAzO中，In原子占总金属原子数的70％～95％，Sn原子占总金属原子数的5％～30％，A原子占总金属原子数的1％～20％；其中，所述A优选为锌元素，锌原子占总金属原子数的1％～20％，需要说明的是，本实施例通过所述A原子占总金属原子数的1％～20％，从而避免加入所述掺杂材料后对氧化铟(In2O3)的透明导电性能造成破坏。
在本实施例中，所述导电层1B的折射率大于或等于1.13，且小于1.9，即，所述第一电极410的折射率大于或等于1.13，且小于1.9；其中，所述第一电极410的折射率优选为1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7或者1.8中的一种。
本实施例以所述第一电极410与所述栅极绝缘层300之间具有第一接触面411为例对本申请的技术方案进行举例说明，所述第一接触面411的反射率、所述第一电极410的折射率以及所述栅极绝缘层300的折射率之间满足以下关系式：
Figure BDA0003995039770000072
其中，Rab为所述第一接触面411的反射率；na为所述第一电极410的折射率，nb为所述栅极绝缘层300的折射率。
需要说明的是，结合上述关系式(1)，本实施例以现有Oxide TFT液晶显示面板中，所述透明导电层为像素电极为例对本申请的技术方案进行举例说明，可以理解的是，在现有Oxide TFT液晶显示面板中，所述像素电极材料通常为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，其折射率大于或等于1.9，且小于或等于2.1，所述绝缘层的材料为氧化硅(SiOX)，所述绝缘层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述接触界面具有第一反射率n12。
承上，结合上述关系式(2)，在本实施例中，所述第一电极410的折射率大于或等于1.13，且小于1.9，所述栅极绝缘层300的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述第一接触面具有第二反射率nab；显然，本实施例通过设置所述第一电极410的材料为氧化铟、氧化锡和第一金属氧化物组成的三元氧化物，其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，所述A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，其中，x、y和z均大于0，从而降低所述第一电极410的折射率，起到降低所述栅极绝缘层300的折射率和所述第一电极410的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板10的穿透率。
进一步地，在本实施例中，所述第二电极610的折射率大于所述钝化层800的折射率，所述钝化层800的折射率大于所述第一电极410的折射率，所述第一电极410的折射率大于所述栅极绝缘层300的折射率，从而使得背光源在所述阵列基板10中从光疏介质射入光密介质，从而减少了反射光能量，降低了背光源在所述阵列基板10中相邻膜层的接触界面的反射率，从而提高了背光源在所述阵列基板10中的穿透率。
在另一实施例中，所述导电层1B的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括两种金属氧化物；具体地，所述导电层1B的材料为氧化铟、氧化锡、第一金属氧化物和第二金属氧化物组成的四元氧化物，其中，所述四元氧化物的化学式为InxSnyAzBwO，所述A为镁元素或锌元素中的一种，所述B为镓元素、钇元素、铝元素或镧元素中的一种，其中，x、y、z和w均大于0。
进一步地，在所述InxSnyAzBwO中，In原子占总金属原子数的70％～95％，Sn原子占总金属原子数的5％～30％，A原子占总金属原子数的1％～20％，B原子占总金属原子数的1％～20％。
可以理解的是，本实施例通过设置所述导电层1B的材料为氧化铟、氧化锡、第一金属氧化物和第二金属氧化物组成的四元氧化物，其中，所述四元氧化物的化学式为InxSnyAzBwO，所述A为镁元素或锌元素中的一种，所述B为镓元素、钇元素、铝元素或镧元素中的一种，其中，x、y、z和w均大于0，从而降低所述导电层的折射率，起到降低所述第一无机膜层的折射率和所述导电层的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板的穿透率，提高了所述显示装置的背光模组的光源利用效率。
在一实施例中，请结合图1和图3，其中，图3为本申请实施例所提供阵列基板的第二种结构示意图，在本实施例中，所述阵列基板的结构与上述实施例所提供的阵列基板的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的阵列基板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述阵列基板10包括基底100及层叠设置于所述基底100上的第一金属层200、栅极绝缘层300、第一钝化层810、第二金属层400、第二钝化层820以及第三金属层600，其中，所述栅极绝缘层300设置于所述基底100和所述第一金属层200上，所述第一钝化层810设置于所述栅极绝缘层300上，所述第二金属层400包括第一电极410，所述第一电极410为像素电极、公共电极中的一者，所述第二钝化层820设置于所述第一钝化层810和所述第二金属层400上，所述第三金属层600包括第二电极610，所述第二电极610为像素电极、公共电极中的另一者；其中，所述第一无机膜层1A包括所述第一钝化层810和所述第二钝化层820，所述导电层1B包括所述第一电极410。
需要说明的是，在本实施例中，当所述第一无机膜层1A为所述第一钝化层810时，所述导电层1B为与所述第一钝化层810直接接触的所述第一电极410。
在本实施例中，所述第一过孔01依次贯穿所述第二钝化层820和所述第一过孔01，所述第二电极610的一端通过所述第一过孔01与所述漏极720连接，所述有源层500包括但不限于氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的材料包括但不限于氧化铟镓锌(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO)或铟镓锌钛氧化物(Indium Gallium Zinc Tin Oxide，IGZTO)，所述第一钝化层810的材料包括但不限于氧化硅(SiOX)，所述第二钝化层820的材料包括但不限于氧化硅(SiOX)；进一步地，所述第一钝化层810的材料优选为氧化硅(SiOX)，所述第一钝化层810的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述第二钝化层820的材料优选为氧化硅(SiOX)，所述第二钝化层820的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6。
可以理解的是，在本实施例中，通过设置所述第一电极410的材料为氧化铟、氧化锡和第一金属氧化物组成的三元氧化物，其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，所述A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，其中，x、y、z和w均大于0，从而降低所述第一电极410的折射率，起到降低所述第一钝化层810的折射率和所述第一电极410的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板10的穿透率。
请结合图1和图4；其中，所述图4为本申请实施例所提供的显示装置的结构示意图。
本实施例提供一种显示装置2，所述显示装置2包括背光模组2A和上述任一实施例中所述的显示面板1，所述背光模组2A设置于所述显示面板1的背面。
可以理解的是，所述显示面板1已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明；在本实施例中，通过设置所述导电层1B的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种，从而降低所述导电层1B的折射率，起到降低所述第一无机膜层1A的折射率和所述导电层1B的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板10的穿透率，提高了所述显示装置2的背光模组的光源利用效率。
在具体应用时，所述显示装置2可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能眼镜、智能头盔、台式机电脑、智能电视或者数码相机等设备的显示屏，甚至可以应用在具有柔性显示屏的电子设备上。
综上所述，本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间；所述阵列基板包括基底、设置于所述基底上的第一无机膜层和设置于所述基底和所述第一无机膜层上的导电层，所述第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，所述导电层与所述第一无机膜层邻接；其中，本实施例在不变更所述阵列基板的膜层结构的基础上，通过设置所述导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种，从而降低所述导电层的折射率，起到降低所述第一无机膜层的折射率和所述导电层的折射率之差的作用，进而提升了所述阵列基板的穿透率，提高了所述显示装置的背光模组的光源利用效率。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间；
所述阵列基板包括：
基底；
第一无机膜层，设置于所述基底上，所述第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6；
导电层，设置于所述基底上，所述导电层与所述第一无机膜层邻接；
其中，所述导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物，所述金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层的材料为氧化铟、氧化锡和第一金属氧化物组成的三元氧化物，其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，所述A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，其中，x、y和z均大于0。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述InxSnyAzO中，In原子占总金属原子数的70％～95％，Sn原子占总金属原子数的5％～30％，A原子占总金属原子数的1％～20％。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层的材料为氧化铟、氧化锡、第一金属氧化物和第二金属氧化物组成的四元氧化物，其中，所述四元氧化物的化学式为InxSnyAzBwO，所述A为镁元素或锌元素中的一种，所述B为镓元素、钇元素、铝元素或镧元素中的一种，其中，x、y、z和w均大于0。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述InxSnyAzBwO中，In原子占总金属原子数的70％～95％，Sn原子占总金属原子数的5％～30％，A原子占总金属原子数的1％～20％，B原子占总金属原子数的1％～20％。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层的折射率大于或等于1.13，且小于1.9。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：
第一金属层，设置于所述基底上；
栅极绝缘层，设置于所述基底和所述第一金属层上；
第二金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括第一电极；
钝化层，设置于所述第二金属层和所述栅极绝缘层上；
其中，所述第一无机膜层包括所述栅极绝缘层和所述钝化层，所述导电层包括所述第一电极。
8.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：
第一金属层，设置于所述基底上；
栅极绝缘层，设置于所述基底和所述第一金属层上；
第一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上；
第二金属层，设置于所述第一钝化层上，所述第二金属层包括第一电极；
第二钝化层，设置于所述第一钝化层和所述第二金属层上；
其中，所述第一无机膜层包括所述第一钝化层和所述第二钝化层，所述导电层包括所述第一电极。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极的折射率大于所述第二钝化层的折射率，所述第二钝化层的折射率大于所述第一电极的折射率，所述第一电极的折射率大于所述第一钝化层的折射率。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括背光模组和如权利要求1-9中所述的显示面板，所述背光模组设置于所述显示面板的背面。
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