CN116092974A - 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明构思提供了一种基板处理装置和基板处理的方法。该基板处理装置包括：第一工艺处理单元，该第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，该第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及姿态改变单元，该姿态改变单元设置在第一工艺处理单元与第二工艺处理单元之间，并且配置为在竖直姿态和水平姿态之间改变基板的姿态，并且其中基板被装载到第一工艺处理单元并从第一工艺处理单元卸载。

Description

用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月05日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0150990的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

在文中所描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体元件，所期望的图案通过在基板上进行诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子植入工艺以及薄膜沉积工艺的各种工艺来形成在基板(例如，晶圆)上。在各个工艺中使用各种处理液和处理气体，并且在工艺期间会产生颗粒和工艺副产物。为了将基板上的薄膜、颗粒和工艺副产物从基板去除，在每种工艺之前和之后执行液体处理工艺。在通用液体处理工艺中，在干燥之前用化学品和冲洗液对基板进行处理。在液体处理工艺中，可以将基板上的SiN剥离。

此外，使用诸如化学品和/或冲洗液等处理液的基板处理方法可以被分为批量处理多个基板的批量式处理方法(batch type treating method)和逐个处理基板的单一式处理方法(single-type treating method)。

在集体地处理多个基板的批量式处理方法中，通过将竖直姿态的多个基板集体地浸入在储存有化学品或冲洗液的处理浴(treating bath)中来执行基板处理。为此，基板处理的量产性(mass productivity)是优异的，并且每个基板之间的处理质量是均匀的。在批量式处理方法中，将在其顶表面上形成有图案的多个基板以竖直姿态浸入。因此，如果在基板上形成的图案具有高的纵横比，则在基板上形成的图案在诸如提升基板的工艺期间可能发生图案倾斜现象。此外，如果在多个基板暴露于空气的状态下的短时间内没有快速地执行干燥处理，则在暴露于空气的多个基板中的一些上可能产生水印。

另一方面，在逐个处理基板的单一式处理方法的情况下，通过向以水平姿态旋转的单个基板供应化学品或冲洗液来执行基板处理。此外，在单一式处理方法中，由于传送的基板保持水平姿态，所以降低了图案倾斜现象的风险，并且因为基板被逐个处理、且经处理的基板被立即干燥或液体处理，因此降低了水印的风险。然而，在单一式处理方法的情况下，基板处理的量产性较差，并且与批量式处理方法相比，各个基板之间的处理质量相对不均匀。

此外，如果通过旋转对基板进行离心干燥(spin-dried)，如果在基板上形成的图案具有高的纵横比，则存在可能发生倾斜现象的担忧，在该倾斜现象中，在基板上形成的图案可能坍塌。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效对基板进行处理的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于改善基板处理的量产性的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于改善每个基板之间处理质量的均匀性的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于使基板上产生水印的风险最小化的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于使在基板上形成的图案的倾斜现象的发生最小化的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供一种用于有效地处理在其上形成有高纵横比图案的基板的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于使烟气(fume)的产生最小化并减小装置的尺寸以增加空间利用率的基板处理装置和方法。

本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且其他未提及的技术目的对本领域技术人员而言将从以下描述中变得显而易见。

本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：第一工艺处理单元，该第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，该第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及姿态改变单元，该姿态改变单元设置在第一工艺处理单元与第二工艺处理单元之间、且配置为在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态，并且其中基板被装载到第一工艺处理单元、并从第一工艺处理单元卸载。

在实施方案中，姿态改变单元包括：姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态；姿态改变处理浴，该姿态改变处理浴具有用于储存基板的储存空间；以及支承构件，该支承构件定位在姿态改变处理浴的储存空间内，并且支承构件支承通过姿态改变机械手使姿态改变为竖直姿态的基板。

在实施方案中，第一工艺处理单元包括：液体处理单元，该液体处理单元配置为通过向水平姿态的基板供应第一处理液来以单一式方法对基板进行处理；以及缓冲单元，该缓冲单元配置为储存已经在液体处理单元中处理的水平姿态的基板。

在实施方案中，姿态改变机械手在缓冲单元与姿态改变处理浴之间移动，并且姿态改变机械手将储存在缓冲单元中的水平姿态的基板改变为竖直姿态、以传送到姿态改变处理浴，并且将储存在姿态改变处理浴中的竖直姿态的基板改变为水平姿态、以传送到缓冲单元。

在实施方案中，第二工艺处理单元包括：多个批量式处理浴，该多个批量式处理浴用于对基板进行批量式处理；以及传送单元，该传送单元配置为在姿态改变处理浴与多个批量式处理浴之间传送基板。

在实施方案中，多个批量式处理浴包括：第一批量式处理浴，该第一批量式处理浴用于通过向基板供应第二处理液来对基板进行批量式处理；以及第二批量式处理浴，该第二批量式处理浴用于通过向基板供应第三处理液来对基板进行批量式处理。

在实施方案中，第一工艺处理单元包括：有机溶剂处理单元，该有机溶剂处理单元配置为通过向基板供应有机溶剂来对基板进行单一式处理；超临界处理单元，该超临界处理单元配置为通过向基板供应干燥流体来对基板进行单一式处理；以及传送处理单元，该传送处理单元配置为在缓冲单元、液体处理单元、有机溶剂处理单元与干燥处理单元之间传送基板。

在实施方案中，第一工艺处理单元包括装载端口单元，该装载端口单元配置为包括多个装载端口，并且该多个装载端口的部分设置为第一装载端口单元，在该第一装载端口单元处装载水平姿态的基板，并且多个装载端口的其他部分设置为第二装载端口单元，在该第二装载端口单元处卸载水平姿态的基板。

在实施方案中，姿态改变机械手包括：手部，该手部配置为保持基板；以及臂，该臂移动该手部。

在实施方案中，基板处理装置还包括控制器，并且其中控制器控制基板以顺序地执行：基板装载步骤，该基板装载步骤用于将水平姿态的基板装载到第一工艺处理单元的装载端口；第一单一式处理步骤，该第一单一式处理步骤用于在第一工艺处理单元的液体处理单元中对水平姿态的基板进行处理；第一姿态改变步骤，该第一姿态改变步骤用于将基板的姿态从水平姿态改变为竖直姿态；批量式处理步骤，该批量式处理步骤用于在第二工艺处理单元中对竖直姿态的基板进行处理；第二姿态改变步骤，该第二姿态改变步骤用于将基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态；第二单一式处理步骤，该第二单一式处理步骤用于在第一工艺处理单元中对水平姿态的基板进行处理；以及基板卸载步骤，该基板卸载步骤用于将水平姿态的基板卸载到第一工艺处理单元的装载端口。

本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：第一工艺处理单元，该第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，该第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；第三工艺处理单元，该第三工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第一姿态改变单元，该第一姿态改变单元设置在第一工艺处理单元与第二工艺处理单元之间、且配置为在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态；以及第二姿态改变单元，该第二姿态改变单元设置在第二工艺处理单元与第三工艺处理单元之间、且配置为在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态，并且其中第二工艺处理单元设置在第一工艺处理单元与第三工艺处理单元之间，并且基板设置为以单一式方法进行装载和卸载。

在实施方案中，基板被装载到第一工艺处理单元，并且基板由第二工艺处理单元卸载。

在实施方案中，第一工艺处理单元包括：第一装载端口单元，该第一装载端口单元配置为包括多个装载端口，在多个装载端口处装载水平姿态的基板；液体处理单元，该液体处理单元配置为通过向基板供应第一处理液来对水平姿态的基板进行单一式处理；以及第一缓冲单元，该第一缓冲单元配置为储存已经在液体处理单元中处理的水平姿态的基板，并且其中第三工艺处理单元包括：有机溶剂处理单元，该有机溶剂处理单元配置为通过向基板供应有机溶剂来对水平姿态的基板进行单一式处理；干燥处理单元，该干燥处理单元配置为通过向基板供应干燥液体来对水平姿态的基板进行单一式处理；以及第二缓冲单元，该第二缓冲单元配置储存已经在有机溶剂处理单元和干燥处理单元处进行单一式处理的水平姿态的基板。

在实施方案中，第一姿态改变单元包括：第一姿态改变机械手，该第一姿态改变机械手用于在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态；第一姿态改变处理浴，该第一姿态改变处理浴具有用于储存基板的储存空间；以及第一支承构件，该第一支承构件定位在第一姿态改变处理浴的储存空间内，并且第一支承构件支承通过第一姿态改变机械手将姿态改变为竖直姿态的基板，并且其中，第一姿态改变机械手将在第一缓冲单元处储存的水平姿态的基板改变为竖直姿态，以传送到第一姿态改变处理浴。

在实施方案中，第二姿态改变单元包括：第二姿态改变机械手，该第二姿态改变机械手用于在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态；第二姿态改变处理浴，该第二姿态改变处理浴具有用于储存基板的储存空间；以及第二支承构件，该第二支承构件定位在第二姿态改变处理浴的储存空间内，并且第二支承构件支承通过第二姿态改变机械手将姿态改变为竖直姿态的基板，并且其中，第二姿态改变机械手将在第二姿态改变处理浴中储存的竖直姿态的基板改变为水平姿态，以传送到第二缓冲单元。

在实施方案中，第二工艺处理单元包括：多个批量式处理浴，该多个批量式处理浴用于对基板进行批量式处理；以及传送单元，该传送单元配置为在第一姿态改变处理浴、第二姿态改变处理浴与多个批量式处理浴之间传送基板，并且其中多个批量式处理浴包括：第一批量式处理浴，该第一批量式处理浴用于通过向基板供应第二处理液来对基板进行批量式处理；以及第二批量式处理浴，该第二批量式处理浴用于通过向基板供应第三处理液来对基板进行批量式处理。

在实施方案中，第一姿态改变单元包括第一姿态改变机械手，该第一姿态改变机械手将基板的姿态从水平姿态改变为竖直姿态，并且第二姿态改变单元包括第二姿态改变机械手，该第二姿态改变机械手将基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态，并且其中，第一姿态改变机械手和第二姿态改变机械手的每一者均包括：手部，该手部配置为保持基板；以及臂，该臂移动手部。

在实施方案中，基板处理装置还包括控制器，并且其中控制器控制基板以顺序地执行：基板装载步骤，该基板装载步骤用于将水平姿态的基板装载到第一工艺处理单元的装载端口；第一单一式处理步骤，该第一单一式处理步骤用于在第一工艺处理单元中对水平姿态的基板进行处理；第一姿态改变步骤，该第一姿态改变步骤用于将基板的姿态从水平姿态改变为竖直姿态；批量式处理步骤，该批量式处理步骤用于在第二工艺处理单元中对竖直姿态的基板进行处理；第二姿态改变步骤，该第二姿态改变步骤用于将基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态；第二单一式处理步骤，该第二单一式处理步骤用于在第三工艺处理单元中对水平姿态的基板进行处理；以及基板卸载步骤，该基板卸载步骤用于将水平姿态的基板卸载到第三工艺处理单元的装载端口。

在实施方案中，竖直姿态是指基板的顶表面或底表面平行于与地面垂直的方向的姿态，并且水平姿态是指基板的顶表面或底表面平行于地面的姿态。

在实施方案中，第一处理液是用于去除基板上的氧化膜的去除液，第二处理液是用于去除残留在基板上的污染物的化学品，并且第三处理液是纯水。

根据本发明构思的实施方案，可以有效地对基板进行处理。

根据本发明构思的实施方案，可以改善基板处理的量产性。

根据本发明构思的实施方案，可以改善各个基板之间处理质量的均匀性。

根据本发明构思的实施方案，可以使基板上产生水印的风险最小化。

根据本发明构思的实施方案，可以使在基板上形成的图案倾斜现象最小化。

根据本发明构思的实施方案，可以有效地处理形成有高纵横比的图案的基板。

根据本发明构思的实施方案，可以使烟气的产生最小化，并可以减小装置的尺寸以增加装置的空间利用率。

本发明构思的效果不限于上述效果，并且其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将从以下描述而变得显而易见。

附图说明

参照以下附图，上述和其他目的及特征从以下描述将变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：

图1是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意性俯视图。

图2是示出了图1中单一式液体处理腔室中设置的基板处理装置。

图3是示出了图1中单一式干燥腔室中设置的基板处理装置。

图4示出了图1中缓冲单元的状态。

图5示出了图1中姿态改变处理浴的状态。

图6示意性地示出了图1中的姿态改变机械手。

图7示出了图6的手部。

图8示出了图1的批量式处理浴中的任何一个批量式处理浴。

图9是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意性俯视图。

图10是示出了使用图1的基板处理装置或图2的基板处理装置的基板处理方法的流程图。

图11和图12示出了在图10的第二姿态改变步骤中姿态改变机械手将基板的姿态改变为水平姿态的状态。

图13示出了执行图10中的润湿步骤的姿态改变机械手。

图14是示出了在图9的润湿步骤中液体供应构件供应润湿液的状态的俯视图。

图15是示出了在图10的润湿步骤中液体供应构件供应润湿液的状态的侧视图。

图16示出了根据本发明构思的另一实施方案的手部。

图17是示出了图15的液体供应构件向基板供应润湿液的状态的俯视图。

图18示出了根据本发明构思的另一实施方案的姿态改变机械手。

图19是示出根据本发明构思的另一实施方案的手部的俯视图。

图20是图18中手部的侧视图。

图21是示出了根据本发明构思的另一实施方案的手部的俯视图。

图22是图19中保持器的侧视图。

具体实施方式

本发明构思可以进行各种修改并且可以具有各种形式，且将在附图中示出并详细描述其具体实施方案。然而，根据本发明构思的实施方案并不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括在本发明构思的精神和技术范围内包含的所有变换、等同物和替换。在本发明构思的描述中，当相关的已知技术使得本发明构思的本质不必要地不清楚时，将省略对它们的详细描述。

本文中使用的术语仅是为了描述特定实施方案的目的，且不旨在限制本发明构思。如本文中使用的，除非上下文另有明确指示，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。还应当理解，在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意组合和所有组合。此外，术语“实施例”旨在指代实施例或示例。

应该理解，尽管本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以被用于描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，除非另有说明，否则这些元件、组件、区域、层和/或区段应不应被这些术语限制。这些术语仅用将一个元件、组件、区域、层和/或区段与另一区域、层和/或区段区分开来。因此，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一区段可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二区段，而不会背离本发明构思的教导。

应当理解的是，当元件或层被称为“在另一个元件或层上”、“连接至”另一个元件或层、“联接至”另一个元件或层或“覆盖”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在另一个元件或层上、连接至另一个元件或层、联接至另一个元件或层、或覆盖另一个元件或层，或可能存在中间元件或层。相反地，当元件被称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接至”另一个元件或层、或“直接联接至”另一元件或层时，可能不存在中间元件或层。其他术语如“之间”、“相邻”、“接近”等应以相同方式解释。

除非另有定义，本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明构思所属的领域中的技术人员所普遍接受的术语相同的含义。除非在本申请中明确定义，否则诸如在常用词典中定义的术语应被解释为与相关技术的内容一致，而不是理想的或过于正式的。

此外，下面描述的传送基板W的组件(例如下面的传送单元或传送机械手)可以被称为传送模块。

在下文中，将参照图1至图22描述本发明构思的实施方案。

图1是示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。

参考图1，根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1可以包括第一工艺处理单元10、姿态改变单元20、第二工艺处理单元30和控制器900。当从上方观察时，第一工艺处理单元10和第二工艺处理单元30可以沿第一方向X布置。下文中，当从上方观察时，将垂直于第一方向X的方向称为第二方向Y，并且将垂直于第一方向X和第二方向Y的方向称为第三方向Z。

第一工艺处理单元10可以以单一式方法对基板W进行处理。第一工艺处理单元10可以装载或卸载水平姿态的基板W。第一工艺处理单元10可以对水平姿态的基板W进行处理。第一工艺处理单元10可以包括装载端口单元110、索引单元120、有机溶剂处理单元140、干燥处理单元150、缓冲单元160和传送处理单元170。装载端口单元110和索引单元120可以被称为索引模块，并且液体处理单元130、有机溶剂处理单元140、干燥处理单元150、缓冲单元160和传送处理单元170被称为工艺模块。

装载端口单元110可以包括多个装载端口。在其中储存至少一个基板W的传送容器F可以放置在装载端口单元110的装载端口上。可以在传送容器F处储存多个基板W。例如，可以在传送容器F中储存25个基板。传送容器F可以被称为匣、盒、前开式晶圆传送盒(FrontOpening Unified Pod；FOUP)等。可以通过容器传送装置在装载端口单元110上装载和卸载传送容器F。

放置在多个装载端口单元110的部分中的传送容器F处储存的基板W可以是未处理的基板W。未处理基板W例如可以是在其上没有发生处理的基板W，也可以是在其上已经发生一些处理、但需要进行液体处理的基板W。放置在多个装载端口的剩余部分中的传送容器F中储存的基板W可以是由第一工艺处理单元10和第二工艺处理单元30处理的基板W。换句话说，多个装载端口的部分可以用以装载需要处理的基板W，并且多个装载端口的剩余部分可以用以从基板处理装置1卸载处理过的基板W。例如，参考图1，装载端口单元110可以包括四个装载端口，四个装载端口中的两个可以设置有在其中装载未处理的基板W的第一装载端口单元，另外两个装载端口可以设置为在其中卸载处理过的基板W的第二装载端口单元。尽管在本说明书中装载端口的数量被示出为四个，但是数量不限于此，并且可以根据诸如工艺效率或占地面积的条件以各种数量来提供。

此外，可以仅将其中储存未处理的基板W的容器F放置在装载端口单元110中。也就是说，装载端口单元110可以仅执行装载需要处理的基板W的任务。

索引单元120可以联接至装载端口单元110。索引单元120和装载端口单元110可以沿第二方向Y布置。第一索引单元120可以包括索引机械手122。索引机械手122可以从安装在装载端口单元110上的容器F中取出未处理的基板W或需要处理的基板。索引机械手122可以从容器F中取出基板W并将基板送入工艺模块。索引机械手122可以将基板W从容器F中取出，并将基板W传送到工艺模块中的、稍后将进行描述的液体处理单元130或缓冲单元160。索引机械手122可以将已经完成处理的基板W传送到安装在装载端口单元110上的容器F。索引机械手可以将已经完成处理并储存在缓冲单元160中的基板W传送到放置在装载端口上的容器F。索引机械手122可以将经处理的基板W送到容器F，该容器放置在装载端口单元110中的第二装载端口单元所包括的装载端口上。该容器可以通过物品传送装置(例如，OHT(Overhead Hoist Transport，空中走行式无人搬送车))传送到基板处理装置1的外部。

索引机械手122可以具有能够保持和传送基板W的手部。索引机械手122可以具有多个手部，多个手部的部分可以仅用于将基板W从容器F中取出并将基板传送到工艺模块，并且多个手部的其他部分可以仅用于将经处理的基板W从工艺模块传送到容器F。索引机械手122的手部可以是用于逐个传送基板W的单一式手部。索引机械手122的手部可以设置成沿第一方向X、第二方向Y和第三方向Z可移动的。此外，索引机械手122的手部可以设置成关于第三方向Z作为旋转轴而可旋转的。

图2示出了图1的单一式液体处理腔室中设置的基板处理装置的状态。

参考图2，液体处理单元130可以以单一式方法对基板进行处理。可以设置多个液体处理单元130。可以设置多个液体处理单元130，且该多个液体处理单元在竖直方向上堆叠。液体处理单元130可以旋转水平姿态的基板W，但是也可以向旋转的基板W供应第一处理液以对基板W进行处理。液体处理单元130可以逐个对基板W进行处理。从液体处理单元130供应的第一处理液可以设置为能够蚀刻基板W上的氧化膜的处理液。例如，从液体处理单元130供应的第一处理液可以是稀释的氢氟酸(dilute hydrofluoric acid，DHF)。液体处理单元130可以向旋转的基板W供应第一处理液，并且可以旋转基板W以对基板W进行处理。

基板处理装置400可以设置为在液体处理单元130处执行单一式液体处理。基板处理装置400可以包括壳体410、处理容器420、支承单元440、提升/降低单元460和液体供应单元480。

壳体410在其中具有处理空间412。壳体410可以具有在其中具有空间的柱形形状。壳体410的内部空间412可以设置有处理容器420、支承单元440、提升/降低单元460和液体供应单元480。当从上表面观察时，壳体410可以具有矩形的形状。然而，本发明构思不限于此，壳体410可以变形为可以具有处理空间412的各种形状。

处理容器420具有带敞开顶部的柱形形状。处理容器420具有内部回收容器422和外部回收容器426。回收容器422和426中的每一者回收在工艺中使用的处理液中的不同处理液。内部回收容器422设置为围绕支承单元440的环状形状，并且外部回收容器426设置为围绕内部回收容器422的环状形状。内部回收容器422的内部空间422a和内部回收容器422用作第一入口422a，处理液通过该第一入口流入内部回收容器422。内部回收容器422与外部回收容器426之间的空间426a用作第二入口426a，处理液通过该第二入口流入外部回收容器426。根据实施方案，入口422a和426a的每个可以定位在不同的高度处。回收管线422b和426b连接在回收容器422和426的每个的底表面的下方。被吸入回收容器422和426中的每个的处理液可以被重新使用、并通过回收管线422b和426b提供应外部处理液再生系统(未示出)。

支承单元440在处理空间412中支承基板W。在工艺期间，支承单元440支承并旋转基板W。支承单元440包括支承板442、支承销444、卡盘销446、以及旋转驱动构件448和449。

支承板442设置为大致圆板形状并且具有顶表面和底表面。底表面具有比顶表面更小的直径。也就是说，支承板442可以具有顶部宽-底部窄结构的形状，该结构具有宽的顶表面和窄的底表面。顶表面和底表面定位成使得它们的中心轴线彼此重合。此外，加热装置(未示出)可以设置在支承板442处。设置到支承板442的加热装置可以加热放置在支承板442上的基板W。加热装置可以产生热量。由加热装置产生的热量可以是热的或冷的。由加热装置产生的热量可以传送到放置在支承板442上的基板W。此外，传送到基板W的热量可以加热向基板W供应的处理液。加热装置可以是加热器和/或冷却旋管(cooling coil)。然而，本发明构思不限于此，并且加热装置可以通过已知装置进行各种修改。

设置多个支承销444。支承销444设置为在支承板442的顶表面的边缘处以预定距离间隔开、且从支承板442向上突出。支承销444布置成具有通过彼此组合而形成一体的圆环形状。支承销444支承基板W的底表面的边缘，使得基板W与支承板442的顶表面以预定距离间隔开。

设置多个卡盘销446。卡盘销446设置为比支承销444更远离支承板442的中心。卡盘销446设置为从支承板442的顶表面向上突出。卡盘销446支承基板W的侧部，使得基板W在支承板442旋转时、不会在横向方向上从正确位置分离。卡盘销446设置为沿支承板442的径向方向、在外部位置与内部位置之间线性移动。外部位置是比内部位置更远离支承板442的中心的位置。如果基板W装载至支承板442上或从支承板卸载时，则卡盘销446定位在外部位置处，并且如果在基板W上执行工艺，则卡盘销446定位在内部位置处。内部位置是卡盘销446和基板W的侧部彼此接触的位置，并且外部位置是卡盘销446和基板W彼此间隔的位置。

旋转驱动构件448和449旋转支承板442。支承板442可以通过旋转驱动构件448和449围绕中心轴线旋转。旋转驱动构件448和449包括支承轴448和驱动单元449。支承轴448具有面向第四方向16的柱形形状。支承轴448的顶端固定联接到支承板442的底表面。根据实施方案，支承轴448可以固定联接到支承板442的底表面的中心。驱动单元449提供驱动力，使得支承轴448旋转。支承轴448可以通过驱动单元449旋转，并且支承板442可以与支承轴448一起旋转。

提升/降低单元460在上/下方向上线性移动处理容器420。当处理容器420上下移动时，处理容器420的相对高度相对于支承板442变化。如果将基板W装载到支承板442上或从支承板442卸载，则处理容器420下降、使得支承板442突出到处理容器420的上方。此外，如果执行工艺，则调节处理容器420的高度、使得处理液可以根据向基板W供应的处理液的类型而流入预定的回收容器422和426中。提升/降低单元460具有支架462、移动轴464和驱动器466。支架462固定安装在处理容器420的外壁上，并且由驱动器466在上/下方向上移动的移动轴464固定联接至支架462。选择性地，提升/降低单元460在上/下方向上线性移动支承板442。

液体供应单元480可以向基板W供应第一处理液。第一处理液可以是化学品。在实施方案中，第一处理液可以提供为能够蚀刻基板上的氧化膜的处理液。在实施方案中，可以使用稀释的氢氟甲酸(DHF)。

液体供应单元480可以包括移动构件481和喷嘴489。移动构件481在工艺位置与待机位置之间移动喷嘴489。工艺位置是喷嘴489面向由支承单元440支承的基板W的位置。根据实施方案，工艺位置是向基板W的顶表面排放处理液的位置。工艺位置还包括第一供应位置和第二供应位置。第一供应位置可以是比第二供应位置更靠近基板W的中心的位置，并且第二供应位置可以是包括基板的端部的位置。选择性地，第二供应位置可以是邻近基板端部的区域。待机位置被定义为喷嘴489偏离工艺位置的位置。根据实施方案，待机位置可以是在基板W上完成工艺处理之前或之后、喷嘴489待机的位置。

移动构件481包括臂482、支承轴483和驱动器484。支承轴483定位在处理容器420的侧面。支承轴483具有其长度方向在第三方向Z上的杆状形状，支承轴483可以设置成通过驱动器484可旋转的。支承轴483设置为能够上下移动。臂482联接至支承轴483的顶端。臂482从支承轴483竖直延伸。喷嘴489联接至臂482的端部。当支承轴483旋转时，喷嘴489可以与臂482一起摆动。喷嘴489可以摆动地移动到工艺位置和待机位置。选择性地，臂482可以设置成能够沿其长度方向向前、向后移动。当从上方观察时，喷嘴489移动通过的路径可以与工艺位置处的基板W的中心轴线一致。

有机溶剂处理单元140可以设置有在其中以单一式方法执行液体处理的基板处理装置。设置到有机溶剂处理单元140的基板处理装置可以具有与设置到图1中所示的液体处理单元130上的基板处理装置400相同的结构。因此，将相同的附图标记分配给相同的结构，并且省略了多余的描述。

可以设置多个有机溶剂处理单元140。可以设置多个有机溶剂处理单元140，且该多个有机溶剂处理单元在竖直方向上堆叠。有机溶剂处理单元140可以旋转水平姿态的基板W，但是也可以向旋转的基板W供应处理液以对基板W进行处理。有机溶剂处理单元140可以逐个对基板W进行处理。从有机溶剂处理单元140供应的处理液可以用冲洗液(稍后将进行描述)替换、并作为能够去除残留在基板W表面上的冲洗液的液体提供。例如，从有机溶剂处理单元140供应的处理液可以是有机溶剂。例如，从有机溶剂处理单元140供应的处理液可以是异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。有机溶剂处理单元140可以向旋转的基板W供应有机溶剂，并且可以通过旋转基板W来干燥基板W。相反地，有机溶剂处理单元140向旋转的基板W供应有机溶剂，并且在用有机溶剂润湿基板W的情况下、将基板传送到干燥处理单元150(稍后将进行描述)，使得基板W可以在干燥处理单元150中干燥。

图3示出了图1的单一式干燥腔室中设置的基板处理装置。

参考图3，可以将在其中执行单一式基板干燥处理的基板处理装置500设置到干燥处理单元150。在干燥处理单元150中，残留在基板W上的处理液可以通过使用处于超临界状态的干燥流体G去除。干燥处理单元500可以是超临界腔室，该超临界腔室使用超临界流体去除残留在基板W上的处理液(例如，冲洗液或有机溶剂)。例如，设置在干燥处理单元150中的基板处理装置500可以通过使用处于超临界状态的二氧化碳(CO₂)来执行去除残留在基板W上的有机溶剂的干燥工艺。

设置在干燥处理单元150中的基板处理装置500可以包括本体510、加热构件520、流体供应单元530、流体排出单元550和提升/下降构件560。本体510可以具有内部空间518，基板W在该内部空间中进行处理。本体510可以提供有内部空间518，基板W在该内部空间中进行处理。本体510可以提供内部空间518，在该内部空间中，基板W由处于超临界状态的干燥流体进行干燥。

本体510可以包括顶部本体512和底部本体514。顶部本体512和底部本体514可以彼此结合以形成内部空间518。基板W可以支承在内部空间518中。例如，基板W可以由支承构件(未示出)支承在内部空间518中。支承构件可以配置成支承基板W的边缘区域的底表面。顶部本体512或底部本体514中的任一者可以联接到待在上/下方向上移动的提升/降低构件560。例如，底部本体514可以联接至提升/下降构件560、且可以通过提升/下降构件560在上/下方向上移动。因此，本体510的内部空间518可以选择性地密封。尽管作为实施例在上面已经描述的实施例中，底部本体514联接至提升/下降构件560、且在上/下方向上移动，但本发明构思不限于此。例如，顶部本体512可以联接至提升/下降构件560、以在上/下方向上移动。

加热构件520可以加热供应至内部空间518的干燥流体。加热构件520可以增加本体510的内部空间518的温度、以将向内部空间518供应的干燥流体相变为超临界状态。此外，加热构件520可以增加本体510的内部空间518的温度，从而使向内部空间518供应的、处于超临界状态的干燥流体保持为超临界状态。

此外，加热构件520可以嵌入本体510中。例如，加热构件520可以嵌入至顶部本体512或底部本体514中的任一者中。例如，加热构件520可以设置在底部本体514中。然而，本发明构思不限于此，并且加热构件520可以设置在能够提高内部空间518的温度的各种位置。此外，加热构件520可以是加热器。然而，本发明构思不限于此，并且加热构件520可以作为能够提高内部空间518温度的已知设备进行各种修改。

流体供应单元530可以向本体510的内部空间518供应干燥流体。由流体供应单元530供应的干燥流体可以包括二氧化碳CO₂。流体供应单元530可以包括流体供应源531、第一供应管线533、第一供应阀535、第二供应管线537和第二供应阀539。

流体供应源531可以储存干燥流体，和/或向本体510的内部空间518供应干燥流体。流体供应源531可以向第一供应管线533和/或第二供应管线537供应干燥流体。例如，第一供应阀535可以安装在第一供应管线533上。此外，第二供应阀539可以安装在第二供应管线537上。第一供应阀535和第二供应阀539可以是开/关阀。根据第一供应阀535和第二供应阀539的开启/关闭，干燥流体可以选择性地流动通过第一供应管线533或第二供应管线537。

在上述实施例中，第一供应管线533和第二供应管线537连接到一个流体供应源531，但是不限于此。例如，可以设置多个流体供应源531，第一供应管线533可以连接到多个流体供应源531中的任一者，且第二供应管线537可以连接到流体供应源531中的另一者。

另外，第一供应管线533可以是顶部供应管线，该顶部供应管线从本体510的内部空间518的上方供应干燥气体。例如，第一供应管线533可以在从顶部至底部的方向上、向本体510的内部空间518供应干燥气体。例如，第一供应管线533可以连接至顶部本体512。另外，第二供应管线537可以是底部供应管线，该底部供应管线从本体510的内部空间518的下方供应干燥气体。例如，第二供应管线537可以在从底部至顶部的方向上向本体510的内部空间518供应干燥气体。例如，第二供应管线537可以连接至底部本体514。

流体排出单元550可以将干燥流体从本体510的内部空间518排出。

缓冲单元160可以提供用于临时储存基板W的储存空间。缓冲单元160可以临时储存由液体处理单元130、有机溶剂处理单元140和干燥处理单元150处理的基板W。此外，缓冲单元160可以储存由批量式第二工艺处理单元30(稍后将进行描述)处理的基板W。缓冲单元160可以包括多个缓冲单元160，多个缓冲单元160中的每个可以储存由液体处理单元130处理的基板W、由有机溶剂处理单元140处理的基板W、由干燥处理单元150处理的基板W和由第二工艺处理单元30处理的基板W。

缓冲单元160可以设置在传送处理单元170(稍后将进行描述)的一侧。当从上方观察时，缓冲单元160可以朝向姿态改变单元20(稍后将进行描述)打开。当从上方观察时，缓冲单元160可以朝向传送处理单元170(稍后将进行描述)打开。因此，姿态改变机械手220可以改变在姿态改变处理浴210中的基板W的姿态、并将已经改变姿态的基板W传送到缓冲单元160。此外，被传送到缓冲单元160的基板W可以由传送处理单元170的第一传送机械手172取出。取出的基板W可以被传送到单一式有机溶剂处理单元140和/或单一式干燥处理单元150。

图4示出了图1的缓冲单元的状态。

参考图4，缓冲单元160可以具有向储存空间供应润湿液的结构，以防止送入储存空间的基板W变干(以保持基板W的润湿性)。此外，储存在缓冲单元160中的基板W可以储存在缓冲单元160中划分的相应储存空间中。

缓冲单元160可包括支承架161、排放隔板162、润湿喷嘴163和排放管线164。

支承架161、排放隔板162和润湿喷嘴163可以设置成多个，以与送入缓冲单元160中的每个基板W相对应。支承架161可以在由缓冲单元160中提供的空间中支承基板W。此外，重量传感器161a可以安装在支承架161上。重量传感器感测由支承架161支承的基板W的重量，从而确定供应到基板W上的润湿液W的量。

控制器900可以基于由支承架161支承的基板W的重量来调节每单位时间从润湿喷嘴163喷洒的润湿液WL(wetting liquid)的量。支承架161可以设置为支承基板W的一侧和另一侧的底表面。

润湿喷嘴163可以配置为以流的方式或喷洒的方式喷洒润湿液。可以设置多个润湿喷嘴163。一对润湿喷嘴163可以将润湿液喷洒到基板W上以到达每个基板W。润湿喷嘴163可以包括化学品或者用于供应雾状物的喷嘴，该化学品能够保持被送回到缓冲单元160的储存空间的基板W的润湿性。化学品或雾状物可以供应从异丙醇(IPA)、上述化学品和上述冲洗液中选自的润湿液。

排放隔板壁(drain partition wall)162可以设置在支承架161下方。排放隔板壁162可以设置在支承在支承架161上的每个基板W的下方。排放隔板壁162可以用作液体接收器以接收由润湿喷嘴163喷洒的润湿液，并且可以划分其中设置有相应基板W的空间。排放隔板壁162具有顶部敞开的方柱形状，以便具有液体接收空间，并且排放隔板壁162的液体接收空间可以连接到排放管线164。因此，由润湿喷嘴163喷洒的润湿液可以排放到外部。

传送处理单元170可以设置在缓冲单元160与用于以单一式方法对基板W进行处理的基板处理单元之间。液体处理单元130和缓冲单元160可以设置在传送处理单元170的一侧，并且有机溶剂处理单元140和干燥处理单元150可以设置在传送处理单元170的另一侧。

传送处理单元170可以具有第一传送机械手172。第一传送机械手172可以具有用于逐个传送一个基板W的单一式传送手部。第一传送机械手172可以在液体处理单元130与缓冲单元160之间传送基板W。第一传送机械手172可以从液体处理单元130中取出基板W，并将基板W传送到缓冲单元160。在这种情况下，姿态改变机械手220(稍后将进行描述)可以将送入缓冲单元160中的基板W传送到第二工艺处理单元30。第一传送机械手172可以在缓冲单元160、有机溶剂处理单元140与干燥处理单元150之间传送基板W。第一传送机械手172可以将送入缓冲单元160的基板W传送到有机溶剂处理单元140。第一传送机械手172可以将由有机溶剂处理单元140处理的基板W传送到干燥处理单元150。第一传送机械手172将由干燥处理单元150处理的基板W传送到缓冲单元160，并且索引机械手122可以从缓冲单元160取出基板W并将基板W带入放置在装载端口中的容器F中。也就是说，传送处理单元170可以在缓冲单元160与以单一式方法对基板W进行处理的基板处理单元之间传送基板W。

返回参考图1，姿态改变单元20可以改变基板W的姿态。姿态改变单元20可以设置在以单一式方法对基板W进行处理的第一工艺处理单元10与以批量式方法对基板W进行处理的第二工艺处理单元30之间。姿态改变单元20可以设置在对水平姿态的基板W进行处理的第一工艺处理单元10与对竖直姿态的基板W进行处理的第二工艺处理单元30之间。姿态改变单元20可以在竖直姿态与水平姿态之间改变基板W的姿态。姿态改变单元20可以将具有竖直姿态的基板W改变为水平姿态。姿态改变单元20可以将具有水平姿态的基板W改变为竖直姿态。姿态改变单元20可以将在第一工艺处理单元10的液体处理单元130中处理的水平姿态的基板W或在第一工艺处理单元10的缓冲单元160中储存的水平姿态的基板W改变为竖直姿态。姿态改变单元20可以改变基板W的姿态，使得在第二工艺处理单元30中处理的竖直姿态的基板W可以在第一工艺处理单元10的有机溶剂处理单元140和干燥处理单元150中、相对于处于水平姿态的一个基板W进行后处理。

图5示出了图1的姿态改变处理浴的状态。

参考图5，姿态改变处理浴210可以包括处理浴211、支承构件212、供应管线213和回收管线214。

处理浴211可以具有带敞开顶部的柱形形状。处理浴211可以具有带敞开顶部的方柱形形状。处理浴211可以具有其中可以储存处理液L的容纳空间A和B。在处理浴211中储存的处理液L可以是含水的液体。在处理浴211中储存的处理液L的类型可以是从缓冲单元160喷洒的相同类型的润湿液。例如，在处理浴211中储存的处理液L和从缓冲单元160喷洒的润湿液可以是含水的液体。

支承构件212可以设置在容纳空间A和B中以支承基板W。支承构件212可以配置为支承多个基板W。例如，支承构件212可以配置为支承50个基板W。支承构件212可以布置成使得一对杆状本体彼此面对，并且在每个本体中形成支承槽(未示出)，通过该支承槽可以支承基板W。

供应管线213可以向容纳空间A及B供应处理液L。回收管线214可以排放容纳空间A及B中的处理液L。阀安装在供应管线213和回收管线214的每一者中，并且可以基于由未示出的液位传感器感测的处理液L的液位来将在容纳空间(即，容纳空间(A，B))中储存的处理液L的量调节到设定水平。

此外，容纳空间A和B可以包括支承区域A和姿态改变区域B。支承区域A可以是支承构件212支承基板W的区域。姿态改变区域B可以是基板W的姿态被姿态改变机械手220(稍后将进行描述)改变的区域。

返回参考图1，姿态改变机械手220可以设置在姿态改变处理浴210的一侧。姿态改变机械手220可以设置在姿态改变处理浴210与传送处理单元170之间。姿态改变机械手220可以设置在姿态改变处理浴210与缓冲单元160之间。姿态改变机械手220可以在缓冲单元160与姿态改变处理浴210之间传送基板W。姿态改变机械手220可以包括手部230和关节单元240。手部230可以联接至关节单元240。关节单元240可以改变手部230的位置。

图6示意性地示出了图1的姿态改变机械手。参考图6，在姿态改变处理浴210中，姿态改变机械手220可以在竖直姿态与水平姿态之间改变基板W的姿态。姿态改变机械手220可以将在缓冲单元160中储存的基板W传送到姿态改变处理浴210，并且在姿态改变处理浴210中将水平姿态的基板W改变为竖直姿态。此外，姿态改变机械手220可以在姿态改变处理浴210中将基板W的姿态从竖直姿态改变为水平姿态，并且将基板W传送到第一工艺处理单元10的缓冲单元160。姿态改变机械手220可以是多关节机械手。姿态改变机械手220可以是六轴多关节机械手。

关节单元240可以是由至少两个或更多个轴构成的多关节臂。例如，关节单元240可以是6轴多关节臂。关节单元240可以通过在第一方向X、第二方向Y和第三方向Z中的至少一个方向上移动手部230来改变手部230的位置。此外，关节单元240可以基于第一方向X、第二方向Y和第三方向Z的轴中的一个轴来旋转手部230。

姿态改变机械手220可以包括基部241、旋转体242、第一臂243、第二臂244、第三臂245和第四臂246。

基部241可以联接至旋转体242。旋转体242可以相对于基部241旋转。旋转体242可以以垂直于地面的方向作为旋转轴旋转。第一臂243可以联接至旋转体242。第一臂243可以以水平方向作为旋转轴相对于旋转体旋转。第二臂244可以联接至第一臂243。第二臂244可以以水平方向作为旋转轴相对于第一臂243旋转。第三臂245可以联接至第二臂244。第三臂245可以围绕第二臂244的长度方向(或第三臂245的长度方向)作为旋转轴旋转。第四臂246可以以垂直于第三臂245的长度方向作为旋转轴旋转。此外，第四臂246可以旋转手部230。例如，第四臂246可以具有能够旋转手部230的旋转轴(未示出)。手部230可以以垂直于第四臂246的旋转轴的方向作为旋转轴旋转。

图7示出了图6的手部。参考图7，姿态改变机械手220的手部230可以包括支承体231、第一引导部232、第二引导部233、驱动构件234、夹持体235、紧固体236、视觉构件237和液体供应构件238。

支承体231可以支承基板W的底表面。支承体231可以支承其上形成有基板W的图案的顶表面、其上没有形成图案的底表面、以及基板W的底表面，也就是说，基板W可以放置在支承体231上。

第一引导部232和第二引导部233可以设置在支承体231中。第一引导部232可以是靠近紧固体236(稍后将进行描述)的支承垫。第二引导部233可以是远离紧固体236(稍后将进行描述)的支承垫。第一引导部232和第二引导部233的每一者可以成对地设置。第一引导部232和第二引导部233可以支承基板W的底表面和/或侧表面。第一引导部232和第二引导部233可以在其顶表面上具有阶梯形状。例如，在第一引导部232的顶表面中支承基板W的底表面的内部区域的高度可以低于支承基板W的底表面的外部区域的高度。类似地，在第二引导部233的顶表面中支承基板W的底表面的内部区域的高度可以低于支承基板W的底表面的外部区域的高度。也就是说，基板W可以经由安装在支承体231上的第一引导部232和第二引导部233放置在支承体231上。放置在支承体231上的基板W应该被解释为不仅包括支承体231和基板W直接接触的情况，而且包括放置在安装在支承体231上的第一引导部232和第二引导部233上的基板W。

驱动构件234可以紧固至紧固体236。驱动构件234可以是能够使夹持体235在横向方向上移动的驱动器。可以设置一对驱动构件234。例如，驱动构件234可以被设置为与成对设置的每个夹持体235相对应。该一对驱动构件234可以在横向方向上移动一对夹持体235。夹持体235可以在靠近基板W的一侧的方向上移动、并在远离基板W的一侧的方向上移动，因此，夹持体235可以夹持放置在支承体231上的基板W。换句话说，支承体231和夹持体235可以是保持基板W的本体。

紧固体236可以是用于将夹持体235和支承体231联接到关节部220-R的本体。紧固体236可以是将夹持体235和支承体231联接到关节部220-R的第四臂246的本体。紧固体236可以紧固到关节部220-R的第四臂246的旋转轴。

第一引导部232和第二引导部233可以设置到每个支承体231。第一引导部232可以是靠近紧固体236(稍后将进行描述)的突起。第二引导部233可以是远离紧固体236(稍后将进行描述)的突起。第二引导部233可以设置为比第一引导部232更远离紧固体236。第一引导部232和第二引导部233可以支承基板W的一侧，第一引导部232和第二引导部233支承基板W的一侧，并且一引导部232与第二引导部233之间的距离可以略小于基板W的直径。

视觉构件237可以通过拍摄基板W和/或支承体231来获取图像。所获取的图像可以被发送到控制器900(稍后将进行描述)。控制器900可以基于由视觉构件237获取的图像产生用于控制姿态改变机械手220的驱动的控制信号。

液体供应构件238可以向放置在支承体231上的基板W供应润湿液WL。润湿液体WL可以包括水。由液体供应构件238供应的润湿液WL可以是与在容纳空间A和B中储存的处理液L相同类型的液体。此外，由液体供应构件238供应的润湿液WL可以是与由缓冲单元160(稍后将进行描述)供应的润湿液WL相同类型的液体。

液体供应构件238可以包括第一喷嘴238a和第二喷嘴238b。可以设置第一喷嘴238a和第二喷嘴238b中的至少一个。可以设置多个第一喷嘴238a和多个第二喷嘴238b。第一喷嘴238a可以向放置在支承体231上的基板W的第一区域供应润湿液WL。第二喷嘴238b可以向放置在支承体231上的基板W的第二区域供应润湿液WL。第一区域和第二区域可以为不同的区域。第一区域和第二区域可以是如下面描述的基板W的边缘区域。第一区域可以邻近第一喷嘴238a，第二区域可以邻近第二喷嘴238b。

第一区域与第一喷嘴238a之间的距离可以比第二区域与第二喷嘴238b之间的距离更短。也就是说，从第一喷嘴238a供应的润湿液WL的喷洒距离可以与从第二喷嘴238b供应的润湿液WL的喷洒距离不同。例如，从第一喷嘴238a供应的润湿液WL的喷洒距离可以比从第二喷嘴238b供应的润湿液WL的喷洒距离更短。

另外，当从上方观察时，第一喷嘴238a可以设置在第二喷嘴238b之间。第二喷嘴238b可以设置在相对靠近夹持体235的位置(即，外侧)。第一喷嘴238a可以设置在相对远离夹持体235的位置(即，内侧)。

第一喷嘴238a和第二喷嘴238b的润湿液WL的喷洒方向可以彼此不同。例如，基于当从上方观察时穿过基板W的中心和视觉构件237的中心的虚拟参考线，第一喷嘴238a可以在平行于参考线的方向上供应润湿液WL，第二喷嘴238b可以在倾斜于参考线的方向上供应润湿液WL。

第一喷嘴238a和第二喷嘴238b的喷洒孔的直径可以彼此不同。例如，第一喷嘴238a的喷洒孔的直径可以大于第二喷嘴238b的喷洒孔的直径。例如，传输到第一喷嘴238a和第二喷嘴238b的润湿液WL的供应流速可以每单位时间相同。因此，从第一喷嘴238a喷洒的润湿液WL的喷洒距离可以比从第二喷嘴238b喷洒的润湿液WL的喷洒距离更短。

此外，第一喷嘴238a和第二喷嘴238b可以安装在支承体231上。

返回参考图1，第二工艺处理单元30可以处理由第一工艺处理单元10处理的基板W。第二工艺处理单元30可以处理在第一工艺处理单元10中经液体处理的基板W。第二工艺处理单元30可以以批量式方法对多个基板W进行基体地液体处理。例如，第二工艺处理单元30也可以以批量式方法对多个基板W进行清洁。第二工艺处理单元30也可以同时处理竖直姿态(基板W的顶表面或者底表面与垂直于地面的方向平行的姿态)的多个基板W。

第二工艺处理单元30可以包括第一批量式处理浴310、第二批量式处理浴320和传送单元330。

在第一批量式处理浴310中，可以用第二处理液同时对多个基板W进行液体处理。第二处理液可以是化学品。第二处理液可以为具有强酸或强碱性质的化学品。化学品可以包括例如氨-过氧化氢混合物(ammonia-hydrogen peroxide mixture，APM)、盐酸-过氧化氢混合物(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture，HPM)、氢氟酸-过氧化氢混合物(hydrofluoric acid-hydrogen peroxide mixture，FPM)、稀释的硫酸过氧化物(diluted sulfuric acid peroxide，DSP)、含有SiN的化学品、含有磷酸的化学品、含有硫酸的化学品。

在第二批量式处理浴320中，可以用第三处理液同时对多个基板W进行液体处理。第二处理液可以是冲洗液。冲洗液可以是含水液体。例如，冲洗液可以适当地选自纯水或臭氧水。

由于除了所使用的处理液的类型之外，第一批量式处理浴310和第二批量式处理浴320具有相同或相似的结构，所以下面将仅描述第一批量式处理浴310，并将省略对第二批量式处理浴320的重复描述。

图8示出了图1的批量式处理浴中的任一个批量式处理浴的状态。例如，图8示出了第一批量式处理浴310。

参考图8，第一批量式处理浴310可以包括处理浴311、加热构件313、供应管线315、回收管线315和支承构件316。

处理浴311在其中具有处理空间312。处理浴311具有带敞开顶部的柱形形状。处理液L可以储存在处理浴311的容纳空间312中。为了调节在容纳空间312中储存的处理液L的温度，加热构件313可以安装在处理浴311中。加热构件313可以基于由温度传感器(未示出)感测的处理液L的温度、将在处理浴311的容纳空间312中储存的处理液L的温度加热到设定温度。

供应管线314可以向容纳空间312供应处理液L。回收管线315可以排放容纳空间312中的处理液L。在供应管线314和回收管线315中的每一者中安装有阀，并且可以基于由液位传感器(未示出)感测的处理液L的液位(即，在容纳空间312中储存的液体L的量)来将液位调节到设定液位。

支承构件316可以设置在容纳空间312中以支承基板W。支承构件316可以配置为支承多个基板W。例如，支承构件316可以配置为支承50个基板W，支承构件316可以布置成使得一对杆状本体面向彼此，并且在每个本体中形成支承槽(未示出)，通过该支承槽可以支承基板W。

返回参考图1，传送单元330可以在姿态改变单元20、第一批量式处理浴310与第二批量式处理浴320之间传送基板W。

传送单元330可以包括沿第一方向X延伸的轨道和配置为一次传送多个基板W的手部。传送单元330可以保持已经在姿态改变处理浴210中改变姿态的基板W，并且将抓握的基板W传送到第二工艺处理单元30。传送单元330可以保持已经在姿态改变处理浴210中改变姿态的基板W，并且将基板W传送到第一工艺处理浴310。传送单元330可以保持在第一批量式处理浴310中已经完成液体处理的基板W，并将基板传送到第二批量式处理浴320。传送单元330可以保持已经在第二批量式处理浴320中用液体处理的基板W，并将基板传送到姿态改变处理浴210。

图9是当从上方观察时、根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置的示意图。

参考图9，根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置2可以包括第一工艺处理单元40、第一姿态改变单元50、第二工艺处理单元60、第二姿态改变单元70、第三工艺处理单元80和控制器900。从上方观察时，第一工艺处理单元40、第一姿态改变单元50、第二工艺处理单元60、第二姿态改变单元70和第三工艺处理单元80可以布置在第一方向X上。下文中，当从上方观察时，将垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，并且将与第一方向12和第二方向14垂直的方向称为第三方向16。

在下文中，将集中于与本发明构思的实施方案的基板处理装置1的差异处来描述根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置2，并且相同的附图标记将被分配给相同的配置，并且将省略重复的描述。

第一工艺处理单元40可以以单一式方法对基板W进行处理。第一工艺处理单元40可以装载水平姿态的基板W。第一工艺处理单元10可以处理水平姿态的基板W。第一工艺处理单元40可以包括第一装载端口单元110、第一索引单元120-1、液体处理单元130、第一缓冲单元160-1和第一传送处理单元170-1。第一装载端口单元110-1和第一索引单元120-1可以被称为第一索引模块，液体处理单元130、第一缓冲单元160-1和第一传送处理单元170-1可以被称为第一工艺模块。

第一装载端口单元110-1可以包括多个装载端口。在其中储存至少一个基板W的传送容器F可以放置在第一装载端口单元110-1的装载端口上。可以在传送容器F中储存多个基板W。例如，可以在传送容器F中储存25个基板。传送容器F可以被称为匣、盒FOD、FOUP(前开式晶圆传送盒)等。可以通过容器传送装置(在实施方案中为OHT)将传送容器F装载到第一装载端口单元110-1上。可以仅将其中储存未处理的基板W的容器F放置在第一装载端口单元110-1中。也就是说，第一装载端口单元110-1可以仅用于装载需要处理的基板W。

第一索引单元120-1可以联接到第一装载端口单元110-1。第一索引单元120-1和第一装载端口单元110-1可以沿第二方向Y布置。第一索引单元120-1可以设置在第一装载端口单元110-1与第一缓冲单元160-1之间。第一索引单元120-1可以包括第一索引机械手122-1。第一索引机械手122-1可以从安装在第一装载端口单元110上的容器F中取出未处理的基板W或需要处理的基板。第一索引机械手122-1通过将基板W从容器中取出而将基板W送入第一工艺模块。第一索引机械手122-1可以从容器F中取出基板W并将基板W传送到液体处理单元130或第一缓冲单元160-1(稍后将进行描述)。

第一索引机械手122-1可以具有能够保持和传送基板W的手部。第一索引机械手122-1的手部可以是用于逐个传送基板W的单一式手部。第一索引机械手122-1的手部可以设置成沿第一方向X、第二方向Y和第三方向Z可移动的。此外，第一索引机械手122的手部可以设置成关于第三方向Z作为旋转轴而可旋转的。

第一工艺处理单元40可以设置有用于以单一式方法对基板进行处理的液体处理单元130。可以设置多个液体处理单元130。可以设置多个液体处理单元130，且该多个液体处理单元在竖直方向上堆叠。液体处理单元130可以设置在第一传送处理单元170-1(稍后将进行描述)的侧表面。液体处理单元130可以相对于第一传送处理单元170-1面向第一缓冲单元160-1。液体处理单元130可以通过旋转水平姿态的基板W并向旋转的基板W供应第一处理液来对基板W进行处理。液体处理单元130可以逐个对基板W进行处理。从液体处理单元130供应的第一处理液可以设置为能够蚀刻基板W上的氧化膜的处理液。例如，从液体处理单元130供应的第一处理液可以设置为能够蚀刻基板W上的氧化膜的处理液。在实施方案中，稀释的氢氟酸(DHF)可以用作第一处理液。液体处理单元130可以向旋转的基板W供应第一处理液，并且可以旋转基板W以对基板W进行处理。

液体处理单元130可以具有与根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1的第一工艺处理单元10中设置的液体处理单元130相同的结构。液体处理单元130可以设置为与图2的单一式基板处理装置400相同的装置。下文中，省略对另一实施方案的基板处理装置2的液体处理单元130的重复说明。

第一缓冲单元160-1可以提供用于临时储存基板W的储存空间，第一缓冲单元160-1可以临时储存未处理的基板W或需要处理的基板W。此外，第一缓冲单元160-1可以临时储存由液体处理单元130处理的基板W。第一缓冲单元160-1可以包括多个第一缓冲单元160-1，多个第一缓冲单元160-1中的每个可以储存由液体处理单元130处理的基板W或通过索引机械手122传送的未处理基板W。

第一缓冲单元160-1可以设置在第一传送处理单元170-1(稍后将进行描述)的两个侧表面中的任一个上。第一缓冲单元160-1可以基于第一传送处理单元170-1面向液体处理单元130。第一缓冲单元160-1可以包括多个第一缓冲单元160-1。当从上方观察时，多个第一缓冲单元160-1可以布置在第一方向X上。多个第一缓冲单元160-1中的一些可以储存从第一索引单元120-1的第一索引机械手122-1传送的未处理的基板W或需要处理的基板W(在下文中，称为1-1缓冲单元160-1a)。多个第一缓冲单元160-1的其他部分可以储存已经以单一式方法在液体处理单元130中进行了液体处理的基板W(在下文中，称为1-2缓冲单元160-1b)。在实施方案中，与储存未处理的基板W或需要处理的基板W的1-2缓冲单元160-1b相比，在液体处理单元130中储存经液体处理的基板W的1-1缓冲单元(160-1a)可以邻近第一姿态改变单元50(稍后将进行描述)设置。

1-1缓冲单元160-1a可以朝向第一传送处理单元170-1打开。因此，向1-1缓冲单元160-1a传送的未处理的基板W或需要处理的基板W可以由第一传送处理单元170-1的第一传送机械手172-1取出。由第一传送机械手172-1从1-1缓冲单元160-1a取出的基板W可以传送到待以单一式方法进行液体处理的液体处理单元130。

1-2缓冲单元160-1b可以朝向第一姿态改变单元50打开。因此，由液体处理单元130处理并在1-2缓冲单元160-1b中储存的基板W可以由第一姿态改变机械手220-1抓握并传送到第一姿态改变单元50。此外，1-2缓冲单元160-1b可以朝向第一传送处理单元170-1打开。因此，由液体处理单元130处理的基板W可以由第一传送机械手172-1传送到1-2缓冲单元160-1b。已经由液体处理单元130处理并在1-2缓冲单元160-1b中储存的基板W可以通过第一姿态改变机械手220-1将其姿态从水平姿态改变为竖直姿态。

第一缓冲单元160-1可以以与设置在根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1的第一工艺处理单元10中的缓冲单元160(参见图4)相同的结构设置。此外，1-1缓冲单元160-1a和1-2缓冲单元160-1b可以具有相同的结构。下文中，省略根据另一实施方案的基板处理装置2的第一缓冲单元160-1的重复描述。

第一传送处理单元170-1可以设置在液体处理单元130与第一缓冲单元160-1之间。液体处理单元130可以设置在第一传送处理单元170-1的一侧上，第一缓冲单元160-1可以设置在另一侧上。第一传送处理单元170-1可以具有第一传送机械手172-1。第一传送机械手172-1可以具有用于逐个传送基板W的单一式传送手部。第一传送机械手172-1可以在液体处理单元130与第一缓冲单元160-1之间传送基板W。第一传送机械手172-1可以从第一缓冲单元160-1取出未处理的基板W或需要处理的基板W，并将该基板传送到液体处理单元130。第一传送机械手172-1可以将送入1-1缓冲单元160-1a中的未处理的基板W或者需要处理的基板W传送到液体处理单元130。第一传送机械手172-1可以取出由液体处理单元130处理的基板W，并将基板W传送到1-1缓冲单元160-1a。在这种情况下，第一姿态改变机械手220-1可以将在1-2缓冲单元160-1b中储存的经液体处理的基板W传送到第一姿态改变单元50。

第一姿态改变单元50可以改变基板W的姿态。第一姿态改变单元50可以定位在以单一式方法对基板W进行处理的第一工艺处理单元40与以批量式对基板进行处理的第二工艺处理单元60之间。第一姿态改变单元50可以定位在对水平姿态的基板W进行处理的第一工艺处理单元40与对竖直姿态的基板W进行处理的第二工艺处理单元60之间。第一姿态改变单元50可以将基板W的姿态从竖直姿态转变为水平姿态。第一姿态改变单元50可以将在第一工艺处理单元40中处理的水平姿态的基板W改变为竖直姿态。

第一姿态改变单元50可以以与根据实施方案的基板处理装置1设置的姿态改变单元20相同的结构设置。第一姿态改变单元50可以包括第一姿态改变处理浴210-1和第一姿态改变机械手220-1。第一姿态改变处理浴210-1设置为具有与根据本发明构思的实施方案的姿态改变单元20的姿态改变处理浴210相同的结构。此外，第一姿态改变机械手220-1设置为具有与根据本发明构思的实施方案的姿态改变单元20的姿态改变机械手220相同的结构。在下文中，将省略重复的描述。

第一姿态改变机械手220-1将由第一工艺处理单元40处理的基板W传送到第一姿态改变处理浴210-1。第一姿态改变机械手220-1将在第一缓冲单元160-1中储存的基板W传送到第一姿态改变处理浴210-1。第一姿态改变机械手220-1将在1-2缓冲单元160-1b中储存的经处理的基板W传送到第一姿态改变处理浴210-1。第一姿态改变机械手220-1将第一姿态改变处理浴210-1中的基板W的姿态从水平姿态转换为竖直姿态。

第一姿态改变处理浴210-1以与根据本发明构思的实施方案的姿态改变处理浴210(参见图5)相同的结构设置。第一姿态改变机械手220-1以与根据本发明构思的实施方案的姿态改变机械手220(参见图6)相同的结构设置。在下文中，将省略重复的描述。

第二工艺处理单元60可以对由第一工艺处理单元40处理的基板W进行处理。第二工艺处理单元60可以对在第一工艺处理单元40中经液体处理的基板W进行处理。第二工艺处理单元60可以以批量式方法对多个基板W进行集体地液体处理。例如，第二工艺处理单元60也可以以批量式方法对多个基板W进行清洁。第二工艺处理单元60也可以同时对竖直姿态(基板W的顶表面或者底表面与垂直于地面的方向平行的姿态)的多个基板W进行处理。

第二工艺处理单元60可以包括第一批量式处理浴310、第二批量式处理浴320和传送单元340。在第一批量式处理浴310中，可以用第二处理液同时对多个基板W进行液体处理。第二处理液可以是化学品。第二处理液可以为具有强酸或强碱性质的化学品。化学品可以包括例如氨-过氧化氢混合物(APM)、盐酸-过氧化氢混合物(HPM)、氢氟酸-过氧化氢混合物(FPM)、稀释的硫酸过氧化物(DSP)、含有SiN的化学品、含有磷酸的化学品、含有硫酸的化学品。

在第二批量式处理浴320中，可以用第三处理液同时对多个基板W进行液体处理。第二处理液可以是冲洗液。冲洗液可以是含水液体。例如，冲洗液可以适当地选自纯水或臭氧水。

第一批量式处理浴310和第二批量式处理浴320中的每个被设置为具有与根据本发明构思的实施方案的第一批量式处理浴310和第二批量式处理浴320相同的结构。在下文中，将省略重复的描述。

传送单元340可以在第一姿态改变单元50、第二工艺处理单元60与第二姿态改变单元70之间传送基板W。传送单元340可以在第一姿态改变处理浴210-1、第一批量式处理浴310、第二批量式处理浴320与第二姿态改变处理浴210-2之间传送基板W。

参考图9，传送单元340可以包括沿第一方向X延伸的轨道和配置为一次携带多个基板W的手部。传送单元340可以保持已经在第一姿态改变处理浴210-1中改变姿态的基板W，并且将抓握的基板W传送到第二工艺处理单元60。传送单元340可以保持在第一姿态改变处理浴210-1中竖直姿态的多个基板W，并将多个基板W传送到第一批量式处理浴310。

传送单元340可以保持在第一批量式处理浴310中经处理的基板W，并将基板传送到第二批量式处理浴320。传送单元340可以保持已经在第二批量式处理浴320中用液体处理的基板W，并将基板传送到第二姿态改变处理浴210-2。当需要用第一批量式处理浴310中的第二处理液和第二批量式处理浴320中的第三处理液对基板W进行处理时，传送单元340可以在第一批量式处理浴310与第二批量式处理浴320之间重复传送基板W。

第二姿态改变单元70可以改变基板W的姿态。第二姿态改变单元70可以设置在以批量式方法对基板W进行处理的第二工艺处理单元60与以单一式方法对基板W进行处理的第三工艺处理单元80之间。第二姿态改变单元70可以定位在对竖直姿态的基板W进行处理的第二工艺处理单元60与对水平姿态的基板W进行处理的第三工艺处理单元80之间。第二姿态改变单元70可以将基板W的姿态从竖直姿态转变为水平姿态。

第二姿态改变单元70可以以与根据实施方案的基板处理装置1设置的姿态改变单元20相同的结构设置。第二姿态改变单元70可以包括第二姿态改变处理浴210-2和第二姿态改变机械手220-2。第二姿态改变处理浴210-2设置为具有与根据本发明构思的实施方案的姿态改变单元20的姿态改变处理浴210相同的结构。第二姿态改变机械手220-2设置为具有与根据本发明构思的实施方案的姿态改变单元20的姿态改变机械手220相同的结构。在下文中，将省略重复的描述。

第二姿态改变机械手220-2将由第二工艺处理单元60处理的基板W传送到第二姿态改变处理浴210-2。第二姿态改变机械手220-2改变在第二姿态改变处理浴210-2中储存的基板W的姿态。第二姿态改变机械手220-2将在第二姿态改变处理浴210-2中储存的基板W的姿态从水平姿态改变为竖直姿态。第二姿态改变机械手220-2抓握转换为竖直姿态的多个基板W，并将多个基板W传送到第三工艺处理单元80的第二缓冲单元160-2。

第二姿态改变处理浴210-2以与根据本发明构思的实施方案的姿态改变处理浴210(参见图5)相同的结构设置。第二姿态改变机械手220-2以与根据本发明构思的实施方案的姿态改变机械手220(参见图6)相同的结构设置。在下文中，将省略重复的描述。

第三工艺处理单元80可以以单一式方法对基板W进行处理。第三工艺处理单元80可以卸载水平姿态的基板W。第三工艺处理单元80可以对水平姿态的基板W进行处理。第三工艺处理单元80可以包括第二装载端口单元110-2、第二索引单元120-2、有机溶剂处理单元140、干燥处理单元150、第二缓冲单元160-2和第二传送处理单元170-2。第二装载端口单元110-2和第二索引单元120-2可以被称为第二索引模块，有机溶剂处理单元140、干燥处理单元150、第二缓冲单元160-2和第二传送处理单元170-2可以被称为第二工艺模块。

第二装载端口单元110-2可以包括多个装载端口。在其中储存至少一个基板W的传送容器F可以放置在第二装载端口单元110-2的装载端口上。可以在传送容器F中储存多个基板W。例如，可以在传送容器F中储存25个基板。传送容器F可以被称为匣、盒FOD、FOUP(前开式晶圆传送盒)等。可以通过容器传送装置(例如OHT)将传送容器F从第二装载端口单元110-2上卸载。放置在第二装载端口单元110-2中的传送容器F可以储存在第一工艺处理单元40、第二工艺处理单元60和第三工艺处理单元80中处理的基板W。放置在第二装载端口单元110-2中的传送容器F可以仅储存在第一工艺处理单元40、第二工艺处理单元60和第三工艺处理单元80中处理的基板W。也就是说，第二装载端口单元110-2可以执行从基板处理装置卸载处理过的基板W的功能。

第二索引单元120-2可以联接到第二装载端口单元110-2。第二索引单元120-2和第二装载端口单元110-2可以沿第二方向Y布置。第二索引单元120-2可以设置在第二装载端口单元110-2与第二缓冲部160-2之间。第二索引单元120-2可以包括第二索引机械手122-2。第二索引机械手122-2可以取出被放入第二缓冲单元160-2中的经处理的基板W，并将基板传送到安装在第二装载端口单元(110-2)上的容器F。该容器可以通过物品传送装置(例如，OHT)传送到基板处理装置2的外部。

第二索引机械手122-2可以具有能够保持和传送基板W的手部。第二索引机械手122-2的手部可以是用于逐个传送基板W的单一式手部。第二索引机械手122-2的手部可以设置成沿第一方向X、第二方向Y和第三方向Z可移动的，此外，第二索引机械手122的手部可以设置成关于第三方向Z作为旋转轴而可旋转的。

有机溶剂处理单元140可以设置有在其中以单一式方法执行液体处理的基板处理装置。设置到有机溶剂处理单元140的基板处理装置可以具有与设置在图1中所示的液体处理单元130上的基板处理装置400相同的结构。因此，将相同的附图标记分配给相同的结构，并且省略了多余的描述。

可以设置多个有机溶剂处理单元140。可以设置多个有机溶剂处理单元140，且该多个有机溶剂处理单元在竖直方向上堆叠。有机溶剂处理单元140可以设置在第一传送处理单元170-1的一侧上。有机溶剂处理单元140可以基于第一传送处理单元170-1而面向第二缓冲单元160-2。当从上方观察时，有机溶剂处理单元140可以与干燥处理单元150一起布置在第一方向X上。

有机溶剂处理单元140可以逐个处理基板W。有机溶剂处理单元140可以逐个处理水平姿态的基板W。有机溶剂处理单元140可以通过旋转水平姿态的基板W并向旋转的基板W供应处理液来对基板W进行处理。从有机溶剂处理单元140供应的处理液可以用冲洗液替换，以作为能够去除残留在基板W表面上的冲洗液的液体提供。例如，从有机溶剂处理单元140供应的处理液可以是有机溶剂。例如，从有机溶剂处理单元140供应的处理液可以是异丙醇(IPA)。

有机溶剂处理单元140可以向旋转的水平姿态的基板W供应有机溶剂，并且可以通过旋转基板W来干燥基板W。相反地，有机溶剂处理单元140向旋转的水平姿态的基板W供应有机溶剂，并且在用有机溶剂润湿基板W的情况下、将基板传送到干燥处理单元150(稍后将进行描述)，使得基板W可以在干燥处理单元150中干燥。

干燥处理单元150可以设置有在其中执行单一式基板干燥处理的基板处理装置500。干燥处理单元150可以使用超临界状态的干燥流体去除残留在基板W上的处理液。干燥处理单元150可以设置为超临界腔室，该超临界腔室使用超临界流体去除残留在基板W上的处理液(例如，冲洗液或有机溶剂)。例如，设置在干燥处理单元150中的基板处理装置500可以使用超临界二氧化碳(CO₂)来执行去除残留在基板W上的有机溶剂的干燥工艺。

根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置2中设置的干燥处理单元150可以具有与根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1的第一工艺处理单元10中设置的干燥处理单元150相同的结构。也就是说，根据另一实施方案的设置在干燥处理单元150中的基板处理装置500可以以与根据实施方案的干燥处理单元150中设置的基板处理装置500相同的方式来设置。在下文中，将省略重复的描述。

第二缓冲单元160-2可以提供用于临时储存基板W的储存空间。第二缓冲单元160-2可以临时储存第二工艺处理单元60处理的基板W。第二缓冲单元160-2可以储存在第二姿态改变单元70中改变姿态的基板W。第二缓冲单元160-2可以临时储存由有机溶剂处理单元140和/或干燥处理单元150处理的基板W。

第一缓冲单元160-1可以设置在第二传送处理单元170-2的一侧。第一缓冲单元160-1可以相对于第二传送处理单元170-2面向有机溶剂处理单元140和/或干燥处理单元150。

第二缓冲单元160-2可以包括多个第二缓冲单元160。多个第二缓冲单元160-2中的一些可以临时储存由第二工艺处理单元60处理的基板W和/或在第二姿态改变单元70中已经改变的基板W(在下文中，称为2-1缓冲单元160-2a)。多个第二缓冲单元160-2的其它部分可以临时储存由有机溶剂处理单元140和/或干燥处理单元150处理的基板W(在下文中，称为2-2缓冲单元160-2b)。2-1缓冲单元160-2a可以设置为比2-2缓冲单元160-2b更靠近第二姿态改变单元70。

当从上方观察时，2-1缓冲单元160-2a可以朝向第二姿态改变单元70打开。因此，2-1缓冲单元160-2a可以与由第二工艺处理单元60处理的基板W或已经由第二姿态改变单元70改变姿态的基板W一起由第二传送机械手172-2传送到2-1缓冲单元160-2a。此外，当从上方观察时，2-1缓冲单元160-2a可以朝向传送处理单元170打开。因此，在2-1缓冲单元160-2a中储存的基板W可以通过第二传送机械手172-2传送到有机溶剂处理单元140和/或干燥处理单元150。

当从上方观察时，2-2缓冲单元160-2b可以朝向第二传送处理单元170-2打开。因此，通过有机溶剂处理单元140和/或干燥处理单元150处理的基板W可以通过第二传送机械手172-2传送到2-1缓冲单元160-2a。经处理的基板W可以通过索引机械手122传送到第二装载端口单元110-2。

第二缓冲单元160-2可以以与设置在根据本发明构思的实施方案的基板处理装置10的第一工艺处理单元10中设置的缓冲单元160(参见图4)相同的结构设置。在下文中，将省略重复的描述。

第二传送处理单元170-2可以设置在有机溶剂处理单元140与第二缓冲单元160-2之间。第二传送处理单元170-2可以设置在干燥处理单元150与第二缓冲单元160-2之间。有机溶剂处理单元140和干燥处理单元150可以设置在传送处理单元170的一侧上。第二缓冲单元160-2可以设置在第二传送处理单元170-2的其他侧上。第二传送处理单元170-2可以具有第二传送机械手172-2。第二传送机械手172-2可以具有用于逐个传送基板W的单一式传送手部。第二传送机械手172-2可以在有机溶剂处理单元140、干燥处理单元150与缓冲单元160之间传送基板W。

第二传送机械手172-2可以从2-1缓冲单元160-2a中取出基板W，并将基板W传送到有机溶剂处理单元140。第二传送机械手172-2可以将由有机溶剂处理单元140处理的基板W传送到干燥处理单元150。第二传送机器人172-2可以将有机溶剂从有机溶剂处理单元140供应到2-2缓冲单元160-2b，这意味着在基板W用有机溶剂润湿的情况下、通过旋转基板W来干燥基板W。第二传送机械手172-2可以将由干燥处理单元150处理的基板W传送到缓冲单元160-2b。

控制器900可以控制基板处理装置1和2。例如，控制器900可以控制基板处理装置1和2的组件。例如，控制器900可以控制基板处理设备1和2，使得基板处理设备1和2可以执行处理基板W的工艺。

控制器可以包括工艺控制器，该工艺控制器由以下构成：微处理器(计算机)，该微处理器执行基板处理装置的控制；用户界面，该用户界面诸如键盘，操作者通过该用户界面输入命令来管理基板处理装置；以及显示器，该显示器显示基板处理装置的运行情况；以及存储单元，该存储单元存储通过控制工艺控制器来执行基板处理装置的处理工艺的处理方案(treating recipe)，即控制程序，或存储根据数据和处理条件执行基板处理装置的组件的程序。进一步地，用户界面和存储器单元可以连接到工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如，CD-ROM或DVD)或半导体存储器(诸如，闪存)。

图10是示出了使用图1的基板处理装置或图2的基板处理装置的基板处理方法的流程图。图11和图12示出了在图10的第二姿态改变步骤中姿态改变机械手将基板的姿态改变为水平姿态。图13示出了执行图10中的润湿步骤的姿态改变机械手。图14是示出在图10的润湿步骤中液体供应构件供应润湿液的状态的俯视图。图15是示出在图19的润湿步骤中液体供应构件供应润湿液的状态的侧视图。图16示出了根据本发明构思的另一实施方案的手部。图17是示出了图16的液体供应构件向基板供应润湿液的状态的俯视图。

参考图10，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法S100可以包括基板装载步骤S110、第一单一式处理步骤S120、第一姿态改变步骤S130、批量式处理步骤S140、第二姿态改变步骤S150、第二单一式处理步骤S160和基板卸载步骤S170。

在基板装载步骤S110中，需要处理的处于未处理状态的所谓基板W可以装载在基板处理装置1和2上。在基板装载步骤S110中，传送容器F可以放置在第一装载端口单元110-1上。

在图1的基板处理装置1中，在缓冲容器F中储存的基板W由索引机械手122取出并传送到缓冲单元160。在图9的基板处理装置2中，在传送容器F中储存的基板W可以由第一索引机械手122-1取出，并传送到第一缓冲单元160-1。在图9的基板处理装置2中，在传送容器F中储存的基板W可以由第一索引机械手122-1取出，并传送到1-1缓冲单元160-1a。

在第一单一式处理步骤S120中，可以以单一式方法处理具有水平姿态的基板W。在第一单一式处理步骤S120中，基板W可以通过向基板W供应能够蚀刻氧化膜的第一处理液来进行处理。第一处理液可以是稀释的氢氟酸(DHF)。在第一单一式处理步骤S120中，可以向基板W供应第一处理液，并且可以旋转基板W以对基板W进行处理。

在图1的基板处理装置1中，第一传送机械手172-1可以从缓冲单元160取出基板W并向液体处理单元130传送基板。第一传送机械手172可以传送从缓冲单元160取出的水平姿态的基板W。第一传送机械手172可以将从缓冲单元160取出的基板W传送到液体处理单元130的基板处理装置400，并且可以将水平姿态的基板W安置在支承单元440上。支承单元440可以旋转基板W。液体供应单元480可以向旋转的基板W供应第一处理液。由液体处理单元130处理的基板W可以由第一传送机械手172传送到缓冲单元160。

在图2的基板处理装置1中，第一传送机械手172-1可以从1-1缓冲单元160a取出基板W并将基板传送到液体处理单元130。第一传送机械手172-1可以传送从1-1缓冲单元160-1a取出的水平姿态的基板W。第一传送机械手172-1可以将从1-1缓冲单元160取出的基板W传送到液体处理单元130的基板处理装置400，并且可以将水平姿态的基板W安置在支承单元440上。支承单元440可以旋转基板W。液体供应单元480可以向旋转的基板W供应第一处理液。由液体处理单元130处理的基板W可以由第一传送机械手172-1传送到1-2缓冲单元160-1a。

在第一姿态改变步骤S130中，基板W的姿态可以从水平姿态改变为竖直姿态。在第一姿态改变步骤S130中，可以一起改变多个基板W的位置。

在图1的基板处理装置1中，放置在缓冲单元160上的多个基板W的姿态可以由姿态改变单元20一起改变。姿态改变机械手220可以将储存的水平位置的多个基板W传送到缓冲单元160，并传送到姿态改变处理浴211。姿态改变机械手220可以将姿态改变处理浴211中的多个基板W的姿态从水平姿态改变为竖直姿态。改变为竖直姿态的基板W可以通过传送单元330传送到第二工艺处理单元30的第一批量式处理浴310。

在图9的基板处理装置2中，放置在1-2缓冲单元160-2a上的多个基板W的姿态可以由第一姿态改变单元50一起改变。第一姿态改变机械手220-1可以将在1-2缓冲单元160-1b中储存的水平位置的多个基板W传送到第一姿态改变处理浴210-1。第一姿态改变机械手220可以在第一姿态改变处理浴210-1中将多个基板W的姿态从水平姿态改变为竖直姿态。改变为竖直姿态的基板W可以通过传送单元340传送到第二工艺处理单元60的第一批量式处理浴310。

在批量式处理步骤S140中，可以对竖直姿态的多个基板W执行液体处理。在批量式处理步骤S140中，可以用第二处理液同时对多个基板W进行液体处理，然后可以用第三处理液同时对多个基板W进行处理。第二处理液可以为具有强酸或强碱性质的化学品。化学品可以包括例如氨-过氧化氢混合物(APM)、盐酸-过氧化氢混合物(HPM)、氢氟酸-过氧化氢混合物(FPM)、稀释的硫酸过氧化物(DSP)、含有SiN的化学品、含有磷酸的化学品、含有硫酸的化学品。

在图1和9的基板处理装置1和2中，在第一批量式处理浴310中可以用第二处理液同时对多个基板W进行处理。如果在第一批量式处理浴310中完成处理，则传送单元330和340将在第一批量式处理浴310中储存的多个基板W同时传送到第二批量式处理浴320。在第二批量式处理浴320中，可以用第三处理液同时对多个基板W进行液体处理。

在图1的基板处理装置1中，如果在第二批量式处理浴320中完成处理，则可以将用第三处理液冲洗处理的多个基板W传送到姿态改变单元20。传送单元330可以将多个经冲洗处理的基板W一起传送到姿态改变处理浴210。

在图9的基板处理装置2中，如果在第二批量式处理浴320中完成处理，则可以将用第三处理液冲洗处理的多个基板W通过传送单元340传送到第二姿态改变单元70。传送单元340可以将多个经冲洗处理的基板W一起传送到第二姿态改变处理浴210。

第二姿态改变步骤S150可以在图1的基板处理设备1中的姿态改变单元20以及在图9的基板处理装置2中的第二姿态改变单元70中执行。第二姿态改变步骤S150可以包括保持基板W的保持步骤和改变基板W的姿态的旋转步骤。在第二姿态改变步骤S150中，可以由每个片材执行基板W的姿态改变。

例如，如图11所示，在第二姿态改变步骤S150的保持步骤中，手部230可以接近由支承构件212支承的竖直姿态的基板W中的任一个。手部230可以移动，使得基板W可以定位在第一引导部232与第二引导部233之间。如果基板W定位在第一引导部232与第二引导233之间，则夹持体235可以保持基板W。

如果手部230保持基板W，则基板W可以向上移动，使得基板W可以从在支承构件212处形成的支承凹槽脱离。

此后，如图11中所示，在第二姿态改变步骤S150的旋转步骤中，在基于紧固体236的轴线旋转基板W的情况下，基板W可以沿改变基板W的位置的方向(例如，水平方向)线性移动。也就是说，在旋转步骤中，手部230可以相对于轴旋转，并且手部230可以根据水平方向线性移动。在这种情况下，可以在描绘虚拟曲线(例如，切割抛物线)的情况下改变基板W的端部的位置。也就是说，在描绘切割抛物线的情况下，在浸入处理液L中的状态下，基板W的姿态可以从竖直姿态变为水平姿态。另外，可以在基板W的端部远离手部156-H移动的方向上执行基板W的旋转。

此外，基板W的旋转结束的时间与基板W的线性移动结束的时间之间的差可以小于或等于设定时间。例如，这两个时间点可以是相同的时间点。也就是说，在基板W的线性移动结束的时间点，可以同时终止由紧固体236进行的基板W的旋转。

此外，在保持基板W并旋转基板W的情况下，视觉构件237可以不浸入处理液L。也就是说，视觉构件237可以安装在不浸入在姿态改变处理浴211、210-1和210-2中储存的处理液L中的位置。因此，可以使视觉构件237被处理液L损坏的问题最小化。

如果将基板W的姿态改变为基板W浸入处理液L中的状态，则基板W可能被处理液L的阻力损坏。然而，如在本发明的构思中，如果在基板W浸入处理液L中的情况下通过同时线性移动和旋转来改变姿态，则可以尽可能地抑制由处理液L导致的阻力传送到基板W。此外，如果将基板W从处理液L移开(即，暴露于空气)并且改变姿态，则基板W的润湿性可能不能被保持、且可能在基板W上产生水印，并且通过在将基板W浸入处理液L中的情况下改变基板W的姿态，可以使这种问题最小化。

在执行第二姿态改变步骤S150之后，可以执行润湿步骤(未示出)。润湿步骤S50可以在第二姿态改变步骤S150与第二单一式处理步骤S160之间执行。

在图1的基板处理装置的情况下，润湿步骤可以在姿态改变机械手220和/或缓冲单元160中执行。在图9的基板处理装置2的情况下，润湿步骤可以由第二姿态改变机械手220-2和/或2-1缓冲单元160-2a执行。

在润湿步骤S50中，通过向远离处理液L的、暴露于外部的基板W喷洒润湿液，可以防止基板W的自然干燥。润湿液可以是与在上述姿态改变处理浴210、210-1和210-2中储存的处理液L相同类型的液体。相反地，润湿液可以是与上述处理液L不同的液体类型。

例如，如图13所示，完成了基板W的姿态改变，并且姿态改变机械手220和220-2可以向上移动基板W以偏离在姿态改变处理浴210和210-2处储存的处理液L。如果基板W偏离处理液L，则液体供应构件168可以供应润湿液WL。在这种情况下，如图11和图15所示，向作为基板W的边缘区域的第一区域和第二区域供应润湿液WL。向基板W的边缘区域供应的润湿液WL可以沿基板W的上表面流动以在基板W的上表面形成液膜。如果润湿液WL沿基板W的边缘区域流动以形成液膜，则润湿液WL的飞溅被最大程度地抑制，从而可以更有效地对基板W进行处理。

另外，润湿步骤S50可以如上所述在第一缓冲单元160中执行。通过姿态改变机械手220可以将其上执行第二姿态改变步骤S150的基板W传送到第一缓冲单元160。在润湿步骤S30中，如果将基板W送入第一缓冲单元160中，则第一缓冲单元160的润湿喷嘴163可以向基板W喷洒润湿液。

当执行润湿步骤S30时，可以在将基板W送入单一式处理腔室之前使基板W的自然干燥最小化。

单一式处理步骤S60可包括液体处理步骤S61和干燥步骤S162。

在第二单一式处理步骤S160中，可以在水平姿态的单一基板W上执行处理。第二单一式处理步骤S60可以包括有机溶剂处理步骤S61和干燥步骤S162。在有机溶剂处理步骤S161中，可以向基板W供应诸如IPA的有机溶剂。在有机溶剂处理步骤S161中，可以向基板W供应诸如IPA的有机溶剂。

有机溶剂处理步骤S161可以以单一式方法对基板W进行液体处理。

在图1的基板处理装置1的情况下，如果在缓冲单元160中临时储存的基板被传送到有机溶剂处理单元140，则可以在有机溶剂处理单元140中执行有机溶剂处理步骤S161。在图9的基板处理装置2的情况下，如果在2-2缓冲单元160-2b中临时储存的基板W被传送到有机溶剂处理单元140，则可以在有机溶剂处理单元140中执行有机溶剂处理步骤S161。

在干燥步骤S162中，可以以单一式方法干燥基板W。如果将在液体处理步骤S161中进行了液体处理的基板W传送到干燥处理腔室150，则可以在干燥处理腔室150中执行干燥步骤S162。在干燥步骤S162中，可以向基板W供应超临界状态的处理流体(例如超临界二氧化碳)，以去除残留在基板上的有机溶剂、润湿液或处理液L。

在一些情况下，干燥步骤S162可以不在干燥处理单元150中执行，但是可以通过在有机溶剂处理单元140中高速旋转基板W来干燥基板W(所谓的离心干燥)。

如果干燥步骤S162完成，则执行卸载基板W的基板卸载步骤S170。

在图1的基板处理装置的情况下，在基板卸载步骤S170中，可以将在其上执行第二单一式处理步骤S160的基板W传送到缓冲单元160，然后由第一传送机械手172传送到放置在第二装载端口单元上的传送容器F，并且放置在第二装载端口单元上的传送容器F可以由待从基板处理装置卸载的传送装置(诸如，OHT)保持。

在图9的基板处理装置2的情况下，在基板卸载步骤S170中，可以将在其上执行第二单一式处理步骤S160的基板W传送到2-2缓冲单元160-2b，然后传送到放置在第二装载端口单元110-2上的传送容器F，并且放置在第二装载端口单元110-2上的传送容器F可以由待从基板处理装置2卸载的传送装置(诸如，OHT)保持。

如上所述，根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1和2可以包括批量式处理单元和单一式液体处理单元。因此，它可以具有批量式液体处理方法和单一式液体处理方法的所有优点。

例如，由于批量式处理单元30和60可以一次性处理多个基板W，所以基板W处理的量产性优异，并且基板W之间的处理均匀性非常高。此外，如果在基板W上形成的图案具有高的纵横比，批量式处理单元30和60可以补充通过供应化学制品、冲洗液等的单一式处理没有完全处理的部分(例如，没有完全蚀刻的部分)。

此外，通过从有机溶剂处理单元140供应的有机溶剂润湿的基板W(例如，晶圆)可以被传送到用于通过供应超临界流体干燥基板W的干燥处理单元150。超临界流体可以具有相对于在基板W上形成的图案之间的空间的高渗透力，并且可以在不旋转基板W的情况下干燥基板W，从而使上述图案倾斜现象最小化。此外，本发明构思的基板处理装置1和2可以执行所有的单一式液体处理方法、批量式液体处理方法和使用超临界流体干燥基板W的方法，从而改善由于颗粒、滴落和流动性导致的缺陷。此外，由于能够在批量式处理单元30和60中处理的基板W的数量相对较大，所以不需要大量的液体处理腔室，因此可以减小基板处理装置10的占地面积。

此外，与根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1和2类似，如果同时设置执行批量式处理的第二工艺处理单元30和60以及执行单一式处理的工艺处理单元批量式处理单元140(图1中为10，图9中为40和80)，则必须将基板W的姿态从竖直姿态改变为水平姿态。因此，根据本发明构思的实施方案的基板处理设备1和2包括姿态改变机械手220、220-1、220-2，以将基板W的姿态从竖直姿态改变为水平姿态。在这种情况下，在将基板W浸入处理液L的状态下进行基板W的姿态改变，以尽可能地保持基板W的润湿性(如果不这样，基板W可能干燥并产生水印)。

在上述实施例中，已经描述了在支承体231上安装液体供应构件238，但是本发明构思不限于此。例如，如图16所示，液体供应构件239可以安装在紧固体236上。液体供应构件239可以是其上形成有第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c的供应管线。第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c可以在向下倾斜的方向上朝向基板W喷洒润湿液WL。可以形成第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c中的至少一个。例如，可以形成多个第一喷嘴239a、多个第二喷嘴239b和多个第三喷嘴239c。多个第一喷嘴239a可以设置在多个第二喷嘴239b之间，多个第二喷嘴239b可以设置在多个第三喷嘴239c之间。多个第一喷嘴239a可以相对地设置在内侧，且多个第三喷嘴239c可以相对地设置在外侧。另外，如图17所示，第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c的喷洒孔的直径可以彼此不同。第一喷嘴239a的喷洒孔的直径可以大于第二喷嘴239b的喷洒孔的直径，第二喷嘴239b的喷洒孔的直径可以大于第三喷嘴239c的喷洒孔的直径。此外，传送到第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c的每单位时间的润湿液WL的供应流量可以相同。因此，关于从第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c供应的润湿液WL的喷洒距离，第一喷嘴239a可以最短，第三喷嘴239c可以最长。此外，第一喷嘴239a、第二喷嘴239b和第三喷嘴239c可以向基板W的边缘区域供应润湿液WL。

在上述实施例中，已经描述了姿态改变机械手220、220-1和220-2向基板W的边缘区域供应润湿液WL，但是本发明构思不限于此。例如，如图18所示，液体供应构件247可以紧固在第三臂245上。此外，液体供应构件247可以设置成以平行于第四臂246的旋转轴的方向作为旋转轴而可旋转的，并且可以配置为向放置在手部230上的基板W的中心区域供应润湿液WL。

图19是示出根据本发明构思的另一实施方案的手部的俯视图，且图20是图19中手部的侧视图。

参考图19和图20，根据另一实施方案的姿态改变机械手220、220-1和220-2的手部250可以包括支承体251、引导部252、夹持体253、驱动构件254、旋转构件255、旋转马达256、连接体257和视觉构件258。

支承体251可以具有手指形状。引导部252可以设置在支承体251的远端处。导向部252可以支承基板W的侧部，支承体251可以支承基板W的底表面。

夹持体253可以通过驱动构件254在一方向上移动。夹持体253可以在用于夹持基板W的夹持位置与用于通过驱动构件254不夹持基板W的待机位置之间移动。旋转构件255可以基于轴旋转支承体251和基板W，旋转马达255可以传送用于旋转旋转马达256的驱动力。连接体257可以连接到姿态改变机械手220、220-1和220-2的关节部156-R。视觉构件258可以执行与上述视觉构件257相同或类似的功能。此外，与视觉构件257类似，视觉构件258可以安装在当基板W的姿态改变时不浸入在姿态改变处理浴210中储存的处理液L中的位置。

图21是示出根据本发明构思的另一实施方案的手部的俯视图，且图22是图21的保持器的侧视图。参考图21和图22，根据本发明构思的另一实施方案的姿态改变机械手的手部260可以包括紧固体261、旋转构件262、夹持体263和保持器264。紧固体261可以联接到姿态改变机械手220、220-1和220-2的关节部156-R。旋转构件262可以旋转夹持体263。多个抓握器264可以安装在夹持体263上。用于保持基板W的侧部的保持凹槽265可以形成在保持器264中。

在上述实施例中，根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1和2包括液体处理单元130、有机溶剂处理单元140和干燥处理腔室150，但是不限于此。例如，基板处理装置1和2可以仅包括液体处理单元130、有机溶剂处理单元140和干燥处理腔室150中的一者。

在上述实施例中，从批量式处理单元30和60取出的基板W被传送到有机溶剂处理单元140，在有机溶剂处理单元140完成基板W处理之后，将基板W传送到干燥处理腔室150。例如，如果颗粒水平良好，则可以将基板W从批量式液体处理单元30和60直接传送到干燥处理单元150。

在上述方案实施例中，液体处理单元130可以通过包括氢氟酸等的第一处理液对基板W进行液体处理，第一批量式处理浴310可以用包括磷酸的第二处理液对基板进行液体处理，但是本发明构思不限于此。例如，液体处理单元130可以用含有磷酸等的第二处理液对基板进行处理，并且基板W可以在第一批量式处理浴310中用含有氢氟酸的第一处理液批量处理。

根据本发明构思的实施方案的基板处理装置1和2可以通过在单一式方法中根据第一处理液至第三处理液中的第一处理液、以及在批量式方法中根据第二处理液和第三处理液配置基板处理，使基板处理装置1和2中包括的批量式处理浴的数量最小化。批量式处理浴的问题在于，由处理液产生的烟气量比单一式处理装置的烟气量更高，并且根据本发明构思的实施方案，可以使批量式处理浴的数量最小化。

此外，根据本发明实施方案的基板处理装置1、2具有通过减少批量式处理浴的数量来减少基板处理装置1、2的总长度的优势。

本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属技术领域的技术人员能够从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。

尽管至此已经图示和描述了本发明构思的优选的实施方案，但是本发明构思不限于上述具体实施方案，并且应当注意，本发明构思所属技术领域的普通技术人员可以在不脱离权利要求中要求保护的发明构思的本质的情况下以各种方式执行本发明构思，并且不应将修改与本发明构思的技术精神或前景分开进行解释。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

第一工艺处理单元，所述第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；

第二工艺处理单元，所述第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及

姿态改变单元，所述姿态改变单元设置在所述第一工艺处理单元与所述第二工艺处理单元之间、且配置为在竖直姿态与水平姿态之间改变所述基板的姿态，并且

其中，所述基板被装载到所述第一工艺处理单元、并从所述第一工艺处理单元卸载。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述姿态改变单元包括：

姿态改变机械手，所述姿态改变机械手用于在所述竖直姿态与所述水平姿态之间改变所述基板的所述姿态；

姿态改变处理浴，所述姿态改变处理浴具有用于储存所述基板的储存空间；以及

支承构件，所述支承构件定位在所述姿态改变处理浴的所述储存空间内，并且所述支承构件支承通过所述姿态改变机械手使姿态改变为所述竖直姿态的所述基板。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括：

液体处理单元，所述液体处理单元配置为通过向所述水平姿态的所述基板供应第一处理液来以单一式方法对所述基板进行处理；以及

缓冲单元，所述缓冲单元配置为储存已经在所述液体处理单元中处理的、所述水平姿态的所述基板。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述姿态改变机械手在所述缓冲单元与所述姿态改变处理浴之间移动，并且

所述姿态改变机械手将在所述缓冲单元中储存的、所述水平姿态的所述基板改变为所述竖直姿态、以传送到所述姿态改变处理浴，并且将在所述姿态改变处理浴中储存的、所述竖直姿态的所述基板改变为所述水平姿态、以传送到所述缓冲单元。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二工艺处理单元包括：

多个批量式处理浴，所述多个批量式处理浴用于对所述基板进行批量式处理；以及

传送单元，所述传送单元配置为在所述姿态改变处理浴与所述多个批量式处理浴之间传送所述基板。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述多个批量式处理浴包括：

第一批量式处理浴，所述第一批量式处理浴通过向所述基板供应第二处理液来对所述基板进行批量式处理；以及

第二批量式处理浴，所述第二批量式处理浴通过向所述基板供应第三处理液来对所述基板进行批量式处理。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括：

有机溶剂处理单元，所述有机溶剂处理单元配置为通过向所述基板供应有机溶剂来对所述基板进行单一式处理；

超临界处理单元，所述超临界处理单元配置为通过向所述基板供应干燥流体来对所述基板进行单一式处理；

传送处理单元，所述传送处理单元配置为在所述缓冲单元、所述液体处理单元、所述有机溶剂处理单元与所述干燥处理单元之间传送所述基板。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括装载端口单元，所述装载端口单元配置为包括多个装载端口，并且

所述多个装载端口的部分设置为第一装载端口单元，在所述第一装载端口单元处装载所述水平姿态的所述基板，并且

所述多个装载端口的其他部分设置为第二装载端口单元，在所述第二装载端口单元处卸载所述水平姿态的所述基板。

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述姿态改变机械手包括：

手部，所述手部配置为保持所述基板；以及

臂，所述臂移动所述手部。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，以及

其中，所述控制器控制所述基板以顺序地执行：

基板装载步骤，所述基板装载步骤用于将所述水平姿态的所述基板装载到所述第一工艺处理单元的所述装载端口；

第一单一式处理步骤，所述第一单一式处理步骤用于在所述第一工艺处理单元的所述液体处理单元中对所述水平姿态的所述基板进行处理；

第一姿态改变步骤，所述第一姿态改变步骤用于将所述基板的姿态从所述水平姿态改变为所述竖直姿态；

批量式处理步骤，所述批量式处理步骤用于在所述第二工艺处理单元中对所述竖直姿态的所述基板进行处理；

第二姿态改变步骤，所述第二姿态改变步骤用于将所述基板的姿态从所述竖直姿态改变为所述水平姿态；

第二单一式处理步骤，所述第二单一式处理步骤用于在所述第一工艺处理单元中对所述水平姿态的所述基板进行处理；以及

基板卸载步骤，所述基板卸载步骤用于将所述水平姿态的所述基板卸载到所述第一工艺处理单元的所述装载端口。

11.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

第一工艺处理单元，所述第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；

第二工艺处理单元，所述第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；

第三工艺处理单元，所述第三工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；

第一姿态改变单元，所述第一姿态改变单元设置在所述第一工艺处理单元与所述第二工艺处理单元之间，并且所述第一姿态改变单元配置为在竖直姿态和水平姿态之间改变所述基板的姿态；以及

第二姿态改变单元，所述第二姿态改变单元设置在所述第二工艺处理单元与所述第三工艺处理单元之间，并且所述第二姿态改变单元配置为在所述竖直姿态与所述水平姿态之间改变所述基板的姿态，并且

其中所述第二工艺处理单元设置在所述第一工艺处理单元和所述第三工艺处理单元之间，并且

所述基板设置为以单一式方法被装载和卸载。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，将所述基板装载到所述第一工艺处理单元，并且所述基板由所述第二工艺处理单元卸载。

13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括：

第一装载端口单元，所述第一装载端口单元包括多个装载端口，在所述多个装载端口处装载所述水平姿态的所述基板；

液体处理单元，所述液体处理单元配置为通过向所述基板供应第一处理液来对所述水平姿态的所述基板进行单一式处理；以及

第一缓冲单元，所述第一缓冲单元配置为储存已经在所述液体处理单元中处理的所述水平姿态的所述基板，以及

其中所述第三工艺处理单元包括：

有机溶剂处理单元，所述有机溶剂处理单元配置为通过向所述基板供应有机溶剂来对所述基板进行单一式处理；

干燥处理单元，所述干燥处理单元配置为通过向所述基板供应干燥液体来对所述水平姿态的所述基板进行单一式处理；以及

第二缓冲单元，所述第二缓冲单元配置储存在所述有机溶剂处理单元和所述干燥处理单元处已经被单一式处理的所述水平姿态的所述基板。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述第一姿态改变单元包括：

第一姿态改变机械手，所述第一姿态改变机械手用于在所述竖直姿态与所述水平姿态之间改变所述基板的所述姿态；

第一姿态改变处理浴，所述第一姿态改变处理浴具有用于储存所述基板的储存空间；以及

第一支承构件，所述第一支承构件定位在所述第一姿态改变处理浴的所述储存空间内，并且所述第一支承构件支承通过所述第一姿态改变机械手将姿态改变为所述竖直姿态的所述基板，并且

其中，所述第一姿态改变机械手将在所述第一缓冲单元处储存的所述水平姿态的所述基板改变为所述竖直姿态、以传送到所述第一姿态改变处理浴。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述第二姿态改变单元包括：

第二姿态改变机械手，所述第二姿态改变机械手用于在所述竖直姿态与所述水平姿态之间改变基板的姿态；

第二姿态改变处理浴，所述第二姿态改变处理浴具有用于储存所述基板的储存空间；以及

第二支承构件，所述第二支承构件定位在所述第二姿态改变处理浴的所述储存空间内，并且所述第二支承构件支承通过所述第二姿态改变机械手将姿态改变为所述竖直姿态的所述基板，并且

其中，所述第二姿态改变机械手将在所述第二姿态改变处理浴中储存的所述竖直姿态的所述基板改变为所述水平姿态、以传送到所述第二缓冲单元。

16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述第二工艺处理单元包括：

多个批量式处理浴，所述多个批量式处理浴用于对所述基板进行批量式处理；以及

传送单元，所述传送单元配置为在所述第一姿态改变处理浴、第二姿态改变处理浴与所述多个批量式处理浴之间传送所述基板，

其中所述多个批量式处理浴包括：

第一批量式处理浴，所述第一批量式处理浴用于通过向所述基板供应第二处理液来对所述基板进行批量式处理；以及

第二批量式处理浴，所述第二批量式处理浴通过向所述基板供应第三处理液来对所述基板进行批量式处理。

17.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述第一姿态改变单元包括第一姿态改变机械手，所述第一姿态改变机械手将所述基板的姿态从所述水平姿态改变为所述竖直姿态；以及

所述第二姿态改变单元包括第二姿态改变机械手，所述第二姿态改变机械手将所述基板的姿态从所述竖直姿态改变为所述水平姿态，并且

其中，所述第一姿态改变机械手和所述第二姿态改变机械手的每一者均包括：

手部，所述手部配置为保持所述基板；以及

臂，所述臂移动所述手部。

18.根据权利要求11至17中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，并且

其中，所述控制器控制所述基板以顺序地执行：

基板装载步骤，所述基板装载步骤用于将所述水平姿态的所述基板装载到所述第一工艺处理单元的所述装载端口；

第一单一式处理步骤，所述第一单一式处理步骤用于在所述第一工艺处理单元中对所述水平姿态的所述基板进行处理；以及

第一姿态改变步骤，所述第一姿态改变步骤用于将所述基板的姿态从所述水平姿态改变为所述竖直姿态；

批量式处理步骤，所述批量式处理步骤用于在所述第二工艺处理单元中对所述竖直姿态的所述基板进行处理；

第二姿态改变步骤，所述第二姿态改变步骤用于将所述基板的姿态从所述竖直姿态改变为所述水平姿态；

第二单一式处理步骤，所述第二单一式处理步骤用于在所述第三工艺处理单元中对所述水平姿态的所述基板进行处理；以及

基板卸载步骤，所述基板卸载步骤用于将所述水平姿态的所述基板卸载到所述第三工艺处理单元的所述装载端口。

19.根据权利要求1或11所述的基板处理装置，其中，所述竖直姿态是指所述基板的顶表面或底表面平行于与地面垂直的方向的姿态，并且

所述水平姿态是指所述基板的所述顶表面或所述底表面平行于所述地面的姿态。

20.根据权利要求6或16所述的基板处理装置，其中，所述第一处理液是用于去除所述基板上的氧化膜的去除液，所述第二处理液是用于去除残留在所述基板上的污染物的化学品，并且所述第三处理液是纯水。

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