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CN116076163A - 三维存储器及其制备方法、电子设备 - Google Patents

三维存储器及其制备方法、电子设备 Download PDF

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CN116076163A
CN116076163A CN202080103591.9A CN202080103591A CN116076163A CN 116076163 A CN116076163 A CN 116076163A CN 202080103591 A CN202080103591 A CN 202080103591A CN 116076163 A CN116076163 A CN 116076163A
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CN
China
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preparation
electronic equipment
surface electrodes
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CN202080103591.9A
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CN116076163A8 (zh
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江安全
杨喜超
张岩
江钧
柴晓杰
魏侠
秦健鹰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Fudan University
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Fudan University
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Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd, Fudan University filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Publication of CN116076163A publication Critical patent/CN116076163A/zh
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
    • H10B53/50—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions

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Abstract

一种三维存储器及其制备方法、电子设备。三维存储器包括互连的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括层叠设置的三维存储阵列和第一键合层，第一键合层中的多个第一表面电极与三维存储阵列对应耦接。第二芯片包括层叠设置的读写电路和第二键合层，第二键合层中的多个第二表面电极与读写电路对应耦接。第一芯片和第二芯片的互连，通过第一键合层和第二键合层的键合实现。并且，第一键合层中的第一表面电极与第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。

Description

PCT国内申请，说明书已公开。

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  1. PCT国内申请，权利要求书已公开。
CN202080103591.9A 2020-09-29 2020-09-29 三维存储器及其制备方法、电子设备 Pending CN116076163A (zh)

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PCT/CN2020/119098 WO2022067587A1 (zh) 2020-09-29 2020-09-29 三维存储器及其制备方法、电子设备

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CI02 Correction of invention patent application
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False: 2023.02.27

Number: 18-02

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Volume: 39

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