CN116053184A - 微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板，包括：S100，提供一转移基板和一阵列基板，转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个微型发光二极管包括多个引脚，转移基板包括多个第一对位构件，阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；S200，在多个引脚或多个焊盘上设置焊料；S300，将转移基板与阵列基板相对设置并相互靠近，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接；S400，将焊料固化并将微型发光二极管与转移基板分离。本申请通过第一对位构件与对应的第二对位构件匹配对位以使得转移基板与阵列基板对准，提升巨量转移的良率。

Description

微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板。

背景技术

各大面板厂正在积极开发微型发光二极管面板(MinLED面板或MicroLED面板)，微型发光二极管面板有望作为下一代显示面板的核心技术。

然而，微型发光二极管(MinLED或MicroLED)面板的制造过程中，存在诸多难题，其中巨量转移是其中难题之一，在微型发光二极管的转移过程中转移基板与阵列基板的对准是导致巨量转移良率下降的重要影响因素。

发明内容

本申请实施例提供一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板，可以解决微型发光二极管巨量转移过程中的转移基板与阵列基板的对准困难，巨量转移良率下降的问题。

本申请实施例提供了一种微型发光二极管转移方法，包括如下步骤：

S100，提供一转移基板和一阵列基板，所述转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管包括多个引脚，所述转移基板包括多个第一对位构件，所述阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；

S200，在多个所述引脚或多个所述焊盘上设置焊料；

S300，将所述转移基板与所述阵列基板相对设置并相互靠近，首先所述第一对位构件与对应的所述第二对位构件匹配以使得所述转移基板与所述阵列基板对准，然后所述引脚与对应的所述焊盘通过所述焊料连接；

S400，将所述焊料固化并将所述微型发光二极管与转移基板分离。

可选地，在本申请的一些实施例中，在所述S100中，所述第一对位构件和所述第二对位构件中一个为凸起，另一个为凹陷；

在所述S300中，所述凸起与所述凹陷的尺寸匹配且所述凸起可以容设在所述凹陷中。

可选地，在本申请的一些实施例中，在所述S100中，所述凸起的高度大于所述微型发光二极管的高度。

可选地，在本申请的一些实施例中，在所述S300中，至少部分所述第二对位构件设置于相邻的所述微型发光二极管之间。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一对位构件为凹陷，所述第二对位构件为凸起。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述凸起在所述阵列基板的厚度方向上的截面呈梯形、三角形、三角弧形和U形中任一种。

可选地，在本申请的一些实施例中，在所述S100中，所述转移基板上的多个所述微型发光二极管由晶圆上转移而来。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述转移基板包括转移基底、贴附于所述转移基底上的粘贴膜层，多个所述微型发光二极管粘贴于所述粘贴膜层上。

相应的，本申请实施例还提供了一种微型发光二极管面板，包括：

阵列基板，包括多个第二对位构件；

多个微型发光二极管，设置于所述阵列基板上；

其中，所述第二对位构件用于所述微型发光二极管转移过程中的转移基板与所述阵列基板之间进行对位，所述微型发光二极管面板的所述微型发光二极管由所述转移基板上转移而来。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述第二对位构件为凸起或凹陷

本申请提供了一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板，微型发光二极管转移方法包括如下步骤：S100，提供一转移基板和一阵列基板，转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个微型发光二极管包括多个引脚，转移基板包括多个第一对位构件，阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；S200，在多个引脚或多个焊盘上设置焊料；S300，将转移基板与阵列基板相对设置并相互靠近，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接；S400，将焊料固化并将微型发光二极管与转移基板分离。本申请通过在转移基板上设置第一对位构件，在阵列基板上设置第二对位构件，在微型发光二极管从转移基板上转移至阵列基板上时，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配对位以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接，因此，第一对位构件与对应的第二对位构件先匹配对准，避免引脚与对应的焊盘连接失效，从而使得转移基板与阵列基板的对准准确，提升巨量转移的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例一提供的一种微型发光二极管转移方法的流程步骤示意图；

图2为本申请实施例一提供的第一种转移基板的截面示意图；

图3为本申请实施例一提供的第一种阵列基板的截面示意图；

图4为本申请实施例一提供的第二种转移基板的截面示意图；

图5为本申请实施例一提供的第二种阵列基板的截面示意图；

图6为本申请实施例一提供的第一种转移基板与阵列基板准对过程的示意图；

图7为本申请实施例一提供的第二种转移基板与阵列基板准对过程的示意图；

图8为本申请实施例一提供的第一种转移基板与微型发光二极管分离后的的示意图；

图9为本申请实施例一提供的第一种微型发光二极管面板的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供了一种微型发光二极管转移方法，包括如下步骤：S100，提供一转移基板和一阵列基板，转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个微型发光二极管包括多个引脚，转移基板包括多个第一对位构件，阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；S200，在多个引脚或多个焊盘上设置焊料；S300，将转移基板与阵列基板相对设置并相互靠近，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接；S400，将焊料固化并将微型发光二极管与转移基板分离。

本申请实施例还提供了采用前述的微型发光二极管转移方法制造而成的微型发光二极管面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一

请参阅图1至图9，图1为本申请实施例一提供的一种微型发光二极管转移方法的流程步骤示意图；图2为本申请实施例一提供的第一种转移基板的截面示意图；图3为本申请实施例一提供的第一种阵列基板的截面示意图；图4为本申请实施例一提供的第二种转移基板的截面示意图；图5为本申请实施例一提供的第二种阵列基板的截面示意图；图6为本申请实施例一提供的第一种转移基板与阵列基板准对过程的示意图；图7为本申请实施例一提供的第二种转移基板与阵列基板准对过程的示意图；图8为本申请实施例一提供的第一种转移基板与微型发光二极管分离后的的示意图，图9为本申请实施例一提供的第一种微型发光二极管面板的示意图。其中，图2、图3、图6、图8和图9为同一微型发光二极管面板的制造过程或同一微型发光二极管转移方法的过程的示意图；图4、图5、图7为同一微型发光二极管面板的制造过程或同一微型发光二极管转移方法的过程的示意图。

本申请实施例提供了一种微型发光二极管转移方法，包括如下步骤：S100、S200、S300、S400。其中，S100、S200、S300、S400的步骤顺序可以调整，在S100之前还可以包括其他步骤，在S400之后还可以包括其他步骤。

S100，提供一转移基板和一阵列基板，转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个微型发光二极管包括多个引脚，转移基板包括多个第一对位构件，阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件。

具体地，如图2和图3所示，提供一转移基板20和一阵列基板10，转移基板20上设置有多个微型发光二极管30，多个微型发光二极管30包括多个引脚32，转移基板20包括多个第一对位构件101，阵列基板10包括多个焊盘和多个第二对位构件102。

具体地，或者如图4和图5所示，提供一转移基板20和一阵列基板10，转移基板20上设置有多个微型发光二极管30，多个微型发光二极管30包括多个引脚32，转移基板20包括多个第一对位构件101，阵列基板10包括多个焊盘和多个第二对位构件102。

具体地，微型发光二极管30可以包括发光元件本体31和连接发光元件本体31的引脚32，一个微型发光二极管30可以包括两个引脚32，一个微型发光二极管的两个引脚32可以分别为第一阳极和第一阴极，或第一正极和第一负极。

具体地，阵列基板10包括阵列基底11、设置于阵列基底11上的阵列功能层12和设置于阵列功能层12上的多个焊盘13，多个焊盘13可以包括与多焊盘对，一个焊盘对包括第二阳极和第二阴极，或第二正极和第二负极，阵列功能层12用以驱动微型发光二极管30发光，阵列功能层12可以包括多个薄膜晶体管和电路等结构。

具体地，阵列基底11可以为玻璃、塑料、聚酰亚胺等材质，阵列基板10可以为玻璃基的阵列基板、PCB板、柔性基底的阵列基板等。

具体地，在转移过程中，可以将阵列基板10设置于阵列基板载台41(辅助基板或机器的载台等)上，可以将转移基板20设置转移基板载台42(辅助转移基板或机器的转移载台等)上。

S200，在多个引脚或多个焊盘上设置焊料。

具体地，或者如图6或图7所示，在多个引脚32或多个焊盘13上设置焊料40。

具体地，焊料40可以为锡膏等现有的焊接或连接材料。焊料40可以通过丝网印刷等方法设置于多个引脚32或多个焊盘13上。图6和图7示意了焊料40设置于多个焊盘13上。

S300，将转移基板与阵列基板相对设置并相互靠近，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接。

具体地，如图6所示，将转移基板20与阵列基板10相对设置并相互靠近，首先第一对位构件101与对应的第二对位构件102匹配以使得转移基板20与阵列基板10对准，然后引脚32与对应的焊盘13通过焊料40连接。

具体地，或者如图7所示，将转移基板20与阵列基板10相对设置并相互靠近，首先第一对位构件101与对应的第二对位构件102匹配以使得转移基板20与阵列基板10对准，然后引脚32与对应的焊盘13通过焊料40连接。

具体地，在微型发光二极管转移过程中，将转移基板20与阵列基板10相对设置并相互靠近，首先通过第一对位构件101与对应的第二对位构件对准，以使得转移基板20与阵列基板10对准，然后，使得引脚32与对应的焊盘13对准，例如一第一阳极与对应的第二阳极对准，一第二阴极与对应第二阴极对准，然后引脚32与对应的焊盘13通过焊料40连接，因此，第一对位构件101与对应的第二对位构件102先匹配对准，避免引脚32与对应的焊盘13连接失效，从而使得转移基板20与阵列基板10的对准准确，避免引脚32与对应的焊盘13发生连接错误、连接偏移、连接短路等问题发生，提升巨量转移的良率。

S400，将焊料固化并将微型发光二极管与转移基板分离。

具体地，如图8所示，将焊料40固化并将微型发光二极管30与转移基板20分离。

具体地，可以通过热固化、紫外固化和激光固化等方法，选取焊料40对应的固化方法将焊料40固化，使得引脚32与对应焊盘13连接稳固和固定。

具体地，进一步地，如图9所示，将阵列基板载台41与阵列基板10分离。

实施例二

本实施例与实施一相同或相似，不同之处，在于进一步描述了微型发光二极管转移方法的一些详细过程，在此，只描述不同之处，相同之处不再赘述。

在一些实施例中，在S100中，第一对位构件101和第二对位构件102中一个为凸起T1，另一个为凹陷A1；在S300中，凸起T1与凹陷A1的尺寸匹配且凸起T1可以容设在凹陷A1中。

具体地，图2、图3、图6、图8和图9示意了第一对位构件101为凹陷A1，第二对位构件102为凸起T1；图4、图5、图7示意了第一对位构件101为凸起T1，第二对位构件102为凹陷A1。

具体地，凸起T1与凹陷A1的尺寸匹配且凸起T1可以容设在凹陷A1中，在转移基板20与阵列基板10对位过程中，首先第一对位构件101与第二对位构件102对位，凸起T1插入或容设在对应的凹陷A1中，避免转移基板20与阵列基板10错位，提升对位准确性。

在一些实施例中，在S100中，凸起T1的高度大于微型发光二极管30的高度。

具体地，第一对位构件101为凸起T1时，在转移完成前，凸起T1的高度大于微型发光二极管30的高度，凸起T1相对于微型发光二极管30在转移基板20上凸出，确保在转移基板20与阵列基板10对位过程中，首先第一对位构件101与第二对位构件102对位。

具体地，或者，第二对位构件102为凸起T1时，在转移完成后，凸起T1的高度大于微型发光二极管30的高度，凸起T1相对于微型发光二极管30在阵列基板10上凸出，例如图8中，凸起T1的第一高度h1大于微型发光二极管30的第二高度h2，确保在转移基板20与阵列基板10对位过程中，首先第一对位构件101与第二对位构件102对位。

在一些实施例中，在S300中，至少部分第二对位构件102设置于相邻的微型发光二极管30之间。

具体地，在阵列基板10中，一个焊盘对对应一个微型发光二极管30，至少部分第二对位构件102设置于相邻的焊盘对之间。

具体地，在微型发光二极管转移完成后，至少部分第二对位构件102设置于相邻的微型发光二极管30之间，可以确保转移基板20和阵列基板10即便发生微量的变形、翘曲，也能确保转移基板20和阵列基板10在各个部位对位准确。

在一些实施例中，第一对位构件101为凹陷A1，第二对位构件102为凸起T1。

具体地，在一优选实施例中，第一对位构件101为凹陷A1，第二对位构件102为凸起T1，避免第一对位构件101为凸起T1在对位过程中压伤阵列基板10上的焊料40、焊盘13等结构。

在一些实施例中，凸起T1在阵列基板10的厚度方向上的截面呈梯形、三角形、三角弧形和U形中任一种。

具体地，凸起T1在阵列基板10的厚度方向上的截面呈梯形、三角形、三角弧形和U形中任一种，凸起T1的顶部尺寸小于凸起T1的底部尺寸，凹陷A1的形状和尺寸与凸起T1匹配，凹陷A1的顶部的尺寸大于底部尺寸，在转移基板20与阵列基板10对位过程中，即便凸起T1的顶部与凹陷A1的顶部发生微小错位，凸起T1的顶部没有对准凹陷A1的中心，只要凸起T1的顶部位于凹陷A1内，随着转移基板20与阵列基板10相互接近过程中，凸起T1也能逐渐滑进对应的凹陷A1中，提升了对位准确性和精确性。

在一些实施例中，在S100中，转移基板20上的多个微型发光二极管30由晶圆上转移而来。

具体地，晶圆上的微型发光二极管30转移至转移基板20，再转移至阵列基板10上。

在一些实施例中，转移基板20包括转移基底21、贴附于转移基底21上的粘贴膜层22，多个微型发光二极管30粘贴于粘贴膜层22上。

实施例三

请参阅图9。

本实施例提供了一种微型发光二极管面板，微型发光二极管面板可以采用上述实施例中的任一项的微型发光二极管转移方法制造而成。本实施例的微型发光二极管面板可以包括上述实施例中描述的阵列基板10和阵列基板10上的微型发光二极管30中的任一项特征，在此不再赘述。

本实施例提供了一种微型发光二极管面板300，微型发光二极管面板300包括阵列基板10和多个微型发光二极管30，阵列基板10包括多个第二对位构件102；多个微型发光二极管30设置于阵列基板10上；其中，第二对位构件102用于微型发光二极管转移过程中的转移基板20与阵列基板10之间进行对位，微型发光二极管面板300的微型发光二极管30由转移基板20上转移而来。

在一些实施例中，第二对位构件102为凸起T1或凹陷A1。

需要说明的是，微型发光二极管面板300可以用作液晶显示面板的背光源；微型发光二极管面板300也可以直接显示图像，此时微型发光二极管30可以作为子像素。

以上对本申请实施例所提供的一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种微型发光二极管转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

S100，提供一转移基板和一阵列基板，所述转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管包括多个引脚，所述转移基板包括多个第一对位构件，所述阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；

S200，在多个所述引脚或多个所述焊盘上设置焊料；

S300，将所述转移基板与所述阵列基板相对设置并相互靠近，首先所述第一对位构件与对应的所述第二对位构件匹配以使得所述转移基板与所述阵列基板对准，然后所述引脚与对应的所述焊盘通过所述焊料连接；

S400，将所述焊料固化并将所述微型发光二极管与转移基板分离。

2.如权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述S100中，所述第一对位构件和所述第二对位构件中一个为凸起，另一个为凹陷；

在所述S300中，所述凸起与所述凹陷的尺寸匹配且所述凸起可以容设在所述凹陷中。

3.如权利要求2所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述S100中，所述凸起的高度大于所述微型发光二极管的高度。

4.如权利要求2所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述S300中，至少部分所述第二对位构件设置于相邻的所述微型发光二极管之间。

5.如权利要求1至4中任一项所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，所述第一对位构件为凹陷，所述第二对位构件为凸起。

6.如权利要求2所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，所述凸起在所述阵列基板的厚度方向上的截面呈梯形、三角形、三角弧形和U形中任一种。

7.如权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述S100中，所述转移基板上的多个所述微型发光二极管由晶圆上转移而来。

8.如权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，所述转移基板包括转移基底、贴附于所述转移基底上的粘贴膜层，多个所述微型发光二极管粘贴于所述粘贴膜层上。

9.一种微型发光二极管面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括多个第二对位构件；

多个微型发光二极管，设置于所述阵列基板上；

其中，所述第二对位构件用于所述微型发光二极管转移过程中的转移基板与所述阵列基板之间进行对位，所述微型发光二极管面板的所述微型发光二极管由所述转移基板上转移而来。

10.如权利要求9所述的微型发光二极管面板，其特征在于，所述第二对位构件为凸起或凹陷。

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