CN115915846A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括衬底基板以及依次位于衬底基板一侧的驱动电路层和遮光层；驱动电路层包括多层绝缘层，部分绝缘层包括开口；绝缘层包括第一绝缘层；第一绝缘层覆盖开口侧壁；遮光层覆盖开口侧壁处的第一绝缘层。采用上述技术方案，通过将驱动电路层内的绝缘层延伸至覆盖驱动电路层的开口侧壁，将遮光层覆盖开口侧壁处的第一绝缘层，增大遮光层与衬底基板的粘附性，实现对驱动电路层中薄膜晶体管的包裹，有利于减小光线对驱动电路层内薄膜晶体管的影响，解决驱动电路层中薄膜晶体管(TFT)光漏流的问题，从而改善显示面板的显示效果。

Description

一种显示面板和显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

在显示面板中，驱动电路层中薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)对光线比较敏感，易出现光漏流的问题，影响显示面板的正常显示。

发明内容

本发明提供一种显示面板和显示装置，通过将驱动电路层内的至少一层绝缘层延伸覆盖驱动电路层的开口侧壁，遮光层覆盖开口侧壁处的绝缘层，有利于增大遮光层与衬底基板的粘附性，实现对驱动电路层中薄膜晶体管的包裹，减小光线对驱动电路层内薄膜晶体管的影响，解决驱动电路层中薄膜晶体管(TFT)光漏流的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括衬底基板以及依次位于所述衬底基板一侧的驱动电路层和遮光层；

所述驱动电路层包括多层绝缘层，部分所述绝缘层包括开口；所述绝缘层包括第一绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述开口侧壁；所述遮光层覆盖所述开口侧壁处的第一绝缘层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面提供的显示面板。

综上，本发明实施例提供的显示面板，该显示面板包括衬底基板以及依次位于衬底基板一侧的驱动电路层和遮光层；驱动电路层包括多层绝缘层，部分绝缘层包括开口；绝缘层包括第一绝缘层；第一绝缘层覆盖开口侧壁；遮光层覆盖开口侧壁处的第一绝缘层。采用上述技术方案，通过将驱动电路层内的绝缘层延伸至覆盖驱动电路层的开口侧壁，将遮光层覆盖开口侧壁处的第一绝缘层，有利于增大遮光层与衬底基板的粘附性，实现对驱动电路层中薄膜晶体管的包裹，减小光线对驱动电路层内薄膜晶体管的影响，解决驱动电路层中薄膜晶体管(TFT)光漏流的问题，从而改善显示面板的显示效果。

附图说明

图1是相关技术提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的表面示意图；

图3是图2中沿AA’方向的一种显示面板的截面示意图；

图4是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图5是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图6是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图7是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图8是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图9是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图10是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图11是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图12是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；

图13是本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是相关技术提供的一种显示面板的结构示意图。结合图1所示，相关技术中的一种显示面板100包括显示区A1和透明区A2，显示面板100在透明显示时，存在大面积的透明区域，显示区A1中的发光元件11向下出射的光线以及从透明区A2入射的外界环境光线后到达薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的有源层10，光线在衬底基板110玻璃表面发生全反射，反射光线从下玻璃基板照射到了TFT器件，由于光线作用，易导致薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)出现光漏流的问题，显示面板点亮时的出现闪灭，影响显示面板的正常显示。

基于上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括衬底基板以及依次位于衬底基板一侧的驱动电路层和遮光层；驱动电路层包括多层绝缘层，部分绝缘层包括开口；绝缘层包括第一绝缘层；第一绝缘层覆盖开口侧壁；遮光层覆盖开口侧壁处的第一绝缘层。采用上述技术方案，通过将驱动电路层内的绝缘层延伸至覆盖驱动电路层的开口侧壁，将遮光层覆盖开口侧壁处的第一绝缘层，增大遮光层与衬底基板的粘附性，实现对驱动电路层中薄膜晶体管的包裹，可以减小光线对驱动电路层内薄膜晶体管的影响，解决驱动电路层中薄膜晶体管(TFT)光漏流的问题，有利于改善显示面板的显示效果。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的表面示意图；图3是图2中沿AA’方向的一种显示面板的截面示意图；图4是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；图5是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图。结合图2-图5所示，本发明实施例提供的显示面板200包括衬底基板210以及依次位于衬底基板210一侧的驱动电路层220和遮光层40；驱动电路层220包括多层绝缘层，部分绝缘层包括开口V；绝缘层包括第一绝缘层30；第一绝缘层30覆盖开口V侧壁；遮光层40覆盖开口V侧壁处的第一绝缘层30。

具体的，显示面板200包括有机发光显示面板(Organic Light Emitting DiodeDisplay，OLED)、发光二极管显示面板(Light Emitting Diode Display，LED)、微发光二极管显示面板(Micro Light Emitting Diode Display，Micro LED)等，本发明实施例对显示面板200的类型不做具体的限制。显示面板的衬底基板210可以为玻璃或硅片等刚性材料，也可为超薄玻璃、金属箔或高分子塑料材料等柔性材料，柔性或者刚性衬底基板210可以阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底基板210向显示面板内部扩散。

下面以显示面板200的顶栅型的薄膜晶体管为例，对驱动电路层30的结构进行说明，驱动电路层220包括薄膜晶体管TFT、电容C和走线L等结构。驱动电路层220的膜层可以包括缓冲层221、有源层222、栅极绝缘层223、栅极224、中间介电层225、层间介电层226、源极227s、漏极227d、钝化层228、连接电极229和平坦化层230。

其中，缓冲层221可防止诸如氧气、湿气等的杂质从衬底210渗透，并且可使衬底210平坦化。此外，缓冲层221可控制用于有源层222的形成的退火工艺中的传热率。缓冲层221可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。

有源层222可布置于缓冲层221上，有源层222可包括沟道区222c以及位于沟道区222c的相对端的源区222s和漏区222d。以有源层222包括多晶硅半导体为例，沟道区222c包括未掺杂的多晶硅半导体，并且源区222s和漏区222d可包括掺杂有杂质的多晶硅半导体。有源层222可为n型半导体或p型半导体。作为示例，掺杂在源区222s和漏区222d中的杂质可为n型杂质，例如，诸如磷(P)离子的材料可用作n型杂质。作为示例，掺杂在源区222s和漏区222d中的杂质可为p型杂质。例如，诸如硼(B)离子的材料可用作p型杂质。有源层222可以包括硅半导体或者氧化物半导体。硅半导体可以包括非晶硅、单晶硅和多晶硅中的一种或多种，作为示例，有源层222可以包括低温多晶硅。栅极绝缘层223覆盖有源层222，栅极绝缘层223可布置于缓冲层221上。栅极绝缘层223可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。栅极224可布置于栅极绝缘层223上，且可与有源层222的沟道区222c交叠，栅极224和有源层222可以形成薄膜晶体管TFT。栅极224可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，栅极224可包括钼(Mo)。

中间介电层225覆盖栅极224，并可布置于栅极绝缘层223上。中间介电层225可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。作为示例，中间介电层225可包括氮化硅。层间介电层226可布置于中间介电层225上，层间介电层226可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。

源极227s可与有源层222的源区222s接触，并且漏极227d可与有源层222的漏区222d接触，源极227s和漏极227d可以在同一制程中形成，两者位于同一膜层。作为示例，暴露源区222s的一部分的第一接触孔CH1和暴露漏区222d的一部分的第二接触孔CH2可各自通过栅绝缘层223、中间介电层225和层间介电层226形成。源极227s可通过第一接触孔CH1与源区222s的上表面接触，漏极227d可通过第二接触孔CH2与漏区222d的上表面接触。源极227s和漏极227d可包括诸如铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，源极227s和漏极227d可包括Ti/Ai/Ti金属堆叠结构。

钝化层228覆盖源极227s和漏极227d，并且钝化层228可布置于层间介电层226上。钝化层228可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。作为示例，钝化层228可包括氮化硅。

电容C可包括相对的第一极板CP1和第二极板CP2，电容C可以用于维持驱动电路中的节点电位。第一极板CP1可位于栅极绝缘层223和中间介电层225之间，且与栅极224位于同一膜层，且可与栅极224采用相同材料形成。第二极板CP2可位于中间介电层225和层间介电层226之间，第二极板CP2可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，第二极板CP2可包括钼(Mo)。

走线L可以用于提供各类信号，图中以走线L位于层间介电层226与钝化层228之间为例，走线L可与源极227s、漏极227d位于同一膜层，且可与源极227s、漏极227d的材料相同。根据走线L所传输的信号种类及需求，走线L可以位于其他一个膜层或者多个膜层，比如，走线L与栅极224位于同一膜层，或者，走线L与第二极板CP2位于同一膜层，等等。

平坦化层230具有平坦化作用，薄膜晶体管TFT的漏极227通过连接电极229a与发光元件50的第一电极51电连接，连接电极229b与发光元件50的第二电极52电连接。驱动电路层220包括驱动电路，用于驱动发光元件50发光。作为示例，发光元件50可为微发光二极管(Micro Light Emitting Diode Display，Micro LED)，TFT用于驱动发光元件50发光显示。

如上所示，结合图3和图5所示，栅极绝缘层223、中间介电层225、层间介电层226和钝化层228均可是显示面板200的驱动电路层220中的绝缘层，由于部分绝缘层包括开口V，其对应的区域为可包括显示面板200的透光区或者透明区，开口V的侧壁区域存在漏光。本实施例通过将栅极绝缘层223、中间介电层225、层间介电层226和钝化层228中的任一层延伸覆盖开口V侧壁，如图3中将钝化层228覆盖层间介电层226远离衬底基板210一侧的表面以及延伸覆盖开口V处的栅极绝缘层223、中间介电层225和层间介电层226的侧壁，遮光层40覆盖平坦化层310远离衬底基板210一侧的表面以及延伸覆盖开口V侧壁处的钝化层228b；如图5中将层间介电层226覆盖中间介电层225远离衬底基板210一侧的表面以及延伸覆盖开口V处栅极绝缘层223、中间介电层225的侧壁，遮光层40覆盖平坦化层310远离衬底基板210一侧的表面以及延伸覆盖开口V侧壁处的层间介电层226b，通过增大驱动电路层220中的某一层绝缘层的覆盖面积，将遮光层40延伸至覆盖开口V侧壁处的绝育层，开口V侧壁的绝缘层可以增大遮光层40与V侧壁的粘附性，避免遮光层40脱落，保证遮光层40结构的稳定。

其中，遮光层40包括吸光材料，可以用于遮光，比如，遮光层40包括黑色颜料。作为示例，遮光层40可以为黑色光刻胶。一方面，遮光层40可以极大程度地降低驱动电路层220中的金属部件对显示面板内部光线的反射率；另一方面，遮光层40也可以减少来自开口V处的外界透射光线对驱动电路层220中的薄膜晶体管TFT的性能的影响，减小光漏流的问题；再一方面，遮光层40可以吸收发光元件50朝向下方发出的光，避免其被反射而影响显示效果。

需要说明的是，显示面板还包括其他膜层，如封装层等，共同作用实现显示面板的正常显示，这里不再做一一列举。

综上，本发明实施例提供的显示面板，通过将显示面板驱动电路层中多层绝缘层中的第一绝缘层覆盖开口侧壁，遮光层延伸至开口侧壁且覆盖开口侧壁处的第一绝缘层，通过开口侧壁处的第一绝缘层增大遮光层与驱动电路层的粘附性，避免遮光层脱落，保证遮光层的遮光特性，解决了驱动电路层的薄膜晶体管TFT光漏流的问题，避免了显示面板点亮时的闪灭，改善了显示面板的显示效果。

一种可行的实施方式，继续结合图3-图5所示，本发明实施例提供的显示面板200包括显示区AA和非显示区NA，显示区AA围绕至少部分非显示区NA；非显示区NA包括开口V；显示区AA包括依次位于衬底基板210一侧的有源层222、第一绝缘层30和多个发光元件50；第一绝缘层30包括第一子绝缘部30a和第二子绝缘部30b，第一子绝缘部30a所在平面与第一平面(XOY平面)平行；第二子绝缘部30b覆盖第一子绝缘部30a和衬底基板210之间的部分膜层的至少部分侧壁；遮光层40包括第一遮光部40a和第二遮光部40b；第一遮光部40a所在膜层位于有源层222和发光元件50之间；沿第一方向(图中Z方向所示)，第一遮光部40a投影覆盖有源层222；第二遮光部40b覆盖第二子绝缘部30b；其中，第一平面(XOY平面)与衬底基板210所在平面平行，第一方向(图中Z方向所示)为显示面板的厚度方向。

具体的，以Micro LED显示面板为例，显示面板200包括显示区AA和非显示区NA，显示区AA用于正常显示画面，薄膜晶体管TFT和发光元件50均位于显示区AA内，结合图2所示，显示区AA可以环绕非显示区NA，非显示区NA为透光区V，如复用为光感元件设置区，可设置器件，例如设置图像传感器、指纹传感器等，外部环境光线透过透光区V进入显示面板200内部，以实现图像传感器、指纹传感器等器件的光线接收。

为了避免发光元件50出射的部分显示光线或者环境光线到达薄膜晶体管TFT的有源层222，导致薄膜晶体管TFT光漏流，采用蒸镀或者物理气相沉积的方式制备第一绝缘层30，第一侧绝缘层30为驱动电路层220中的多层绝缘层中的一层绝缘层，以钝化层228为第一绝缘层30为例。通过将钝化层228延伸至覆盖非显示区NA的侧壁，第一子绝缘部30a覆盖层间介电层226、源极227s和漏极227d，第二子绝缘部30b覆盖栅极绝缘层223、中间介电层225和层间介电层226的侧壁；采用图案化工艺在驱动电路层220和多个发光元件50之间以及非显示区NA的侧壁设置遮光层40，第一遮光部40a在衬底基板210所在平面的投影覆盖各个薄膜晶体管TFT，以阻挡发光元件50出射的部分显示光线穿过显示面板200到达薄膜晶体管TFT的有源区222；设置第二遮光部40b覆盖非显示区NA的侧壁且与第二子绝缘部30b接触，由于第二子绝缘部30b采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构，有利于提高第二遮光部40b与第二子绝缘部30b的粘附性，保证遮光层40的结构稳定和遮光效果，避免薄膜晶体管TFT产生光效应，从而提高显示面板的视觉成像效果。其中，遮光层40可以利用现有的膜层工艺同层制备，也可以增加膜层工艺制备，这里不做具体限制。

需要说明的是，本文中的“图案化”具体是指非整层结构，即制作过程中先形成整层的材料再刻出具体形状后的结构。

图6是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图。一种可行的实施方式，结合图2和图6所示，本发明实施例还提供的另一种显示面板，该显示还包括粘附层222e，粘附层222e与有源层222同层，且由显示区AA延伸至部分非显示区NA；第二子绝缘部30b覆盖第一子绝缘部30a和粘附层222e之间的膜层的侧壁；第二遮光部40b与粘附层222e远离衬底基板210一侧的表面接触。

具体的，由于衬底基板210表面通常比较光滑，若遮光层40直接与衬底基板210接触，接触面易脱落。还采用图案化制备工艺，在制备有源层222时，同层制备粘附层222e，该结构设置无需增加膜层制备工艺。设置粘附层222e位于显示区AA和非显示区NA的交界处，且由显示区AA延伸至部分非显示区NA，即沿图中Z方向所示，粘附层222e投影与非显示区NA的衬底基板210部分交叠。以钝化层228为第一绝缘层30为例，设置第二子绝缘部30b覆盖第一子绝缘部30a和粘附层222e之间的膜层的侧壁，第二遮光部40b沿图中Z方向延伸覆盖第二遮光部40b的表面至粘附层222e远离衬底基板210一侧的表面截止。通过在非显示区NA增加粘附层222e，有利于提高第二遮光部40b与第二遮光部40b的表面和粘附层222e的表面的粘附力，保证遮光层40的结构稳定；同时，粘附层222e与有源层222同层，遮光层40与粘附层222e接触，可有效果包裹驱动电路层220的薄膜晶体管TFT，阻挡沿非显示区NA入射的外界环境光，减小薄膜晶体管TFT的光漏流，避免显示面板点亮时的闪灭问题，从而改善显示面板的显示效果。

图7是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图。一种可行的实施方式，结合图2和图7所示，本发明实施例还提供的另一种显示面板，该显示面板的第二子绝缘部30b覆盖第一子绝缘部30a和衬底基板210之间的膜层的侧壁，且延伸至非显示区NA的衬底基板210表面；沿第一方向(图中Z方向所示)，第二子绝缘部30b投影与衬底基板210交叠的区域为第三子绝缘部30c；第二遮光部40b与第三子绝缘部30c远离衬底基板210一侧的表面接触。

具体的，结合图7所示，为避免遮光层40直接与衬底基板210接触，还可以将第二子绝缘部30b延伸至非显示区NA的衬底基板210表面一段距离，第二子绝缘部30b覆盖第一子绝缘部30a和衬底基板210之间的膜层侧壁以及非显示区NA内衬底基板210的部分表面，第二遮光部40b沿图中Z方向延伸覆盖第二子绝缘部30b的侧壁至第三子绝缘部30c远离衬底基板210一侧的表面截止。通过增加第三子绝缘部30c，可以避免第二遮光部40b与衬底基板210直接接触，有利于提高第二遮光部40b的粘附力，避免遮光层40脱落；通过延长第二子绝缘部30b的面积至衬底基板210，可以实现第二遮光部40b下沉至有源层222所在的膜层，实现包裹驱动电路层220的薄膜晶体管TFT，阻挡沿非显示区NA入射的外界环境光，从而减小薄膜晶体管TFT的光漏流，避免显示面板点亮时的闪灭问题，改善显示面板的显示效果。

图8是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图。一种可行的实施方式，结合图2和图8所示，在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供了另一种显示面板，该显示面板200的衬底基板210包括第一凹槽V1，第一凹槽V1位于非显示区NA的衬底基板210靠近遮光层40的一侧表面；第三子绝缘部30c位于第一凹槽V1内。

具体的，为了进一步提高遮光层40对有源层222的包裹以及遮光层40与衬底基板210的粘附性，可以在非显示区NA的衬底基板210靠近遮光层40的一侧表面挖槽。设置第一凹槽V1位于非显示区NA的衬底基板210靠近遮光层40的一侧表面，作为示例，第一凹槽V1深度可以在几个微米。第二子绝缘部30b沿图中Z方向延伸至非显示区NA的衬底基板210表面的第一凹槽V1截止，第二遮光部40b沿图中Z方向延伸覆盖第二遮光部40b的侧壁至第三子绝缘部30c远离衬底基板210一侧的表面截止。通过在衬底基板210的表面挖槽，第三子绝缘部30c在第一凹槽V1内截止，提高了第三子绝缘部30c与衬底基板210的附着力，避免第二遮光部40b脱落，保证遮光层40的结构稳定；同时，由于挖槽，可以进一步下沉第二遮光部40b至有源层222所在膜层的下方，实现遮光层全面包裹驱动电路层220的薄膜晶体管TFT，起到阻挡沿非显示区NA入射的外界环境光，减小薄膜晶体管TFT的光漏流的作用。

可选的，继续参照图8所示，第一凹槽V1的表面为粗糙表面。以提高第三子绝缘部30c与衬底基板210的附着力，避免膜层分离。

图9是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；图10是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图。一种可行的实施方式，结合图6-图10，在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供的显示面板的衬底基板210包括多个第二凹槽V2；多个第二凹槽V2位于衬底基板210远离有源层222的一侧表面；沿第一方向(图中Z方向所示)，多个第二凹槽V2所在区域的投影覆盖有源层222。

具体的，对衬底基板210的下玻璃表面TFT器件位置处进行粗糙化处理，如开设多个形状大小相同或不同的第二凹槽V2，第二凹槽V2形状可以为半球形、锯齿状、方波状等，这里不再限制，通过在驱动电路层220的薄膜晶体管TFT有源层22的下方设置多个凹槽，有利于提高发光元件50向下发出的光衬底基板220的下表面出射，避免光线在衬底基板210的表面发生全反射至薄膜晶体管TFT的沟道，从而减小光漏流。

在上述实施例的基础上，结合图3-图10所示，显示面板200还包括保护层41，保护层41覆盖遮光层40。

具体的，设置保护层41覆盖遮光层40，且与遮光层40接触。保护层41可以选用耐剥离药液影响的材料、无机层或者氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。用于保护遮光层40，以避免遮光层40出现褪色失效、膜层分离等问题。

需要说明的是，图6-图10中均以钝化层228为第一绝缘层30为例进行说明，在其他实施例中还可以将驱动电路层220中的其他绝缘层覆盖其与衬底基板210之间的侧壁，以实现增加遮光层40附着力的目的，这里不再一一示出。

其中，由于连接电极229、保护层41等过刻蚀，导致发光元件50两个电极之间的遮光层40材料整体下沉，其下膜层界面在230之间，上膜层界面低于发光元件50外围41的上表面，如图3、图5-图10所示；或者去除发光元件50两个电极之间的遮光层40，仅覆盖保护层41，如图4所示。

图11是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图；图12是图2中沿AA’方向的另一种显示面板的截面示意图。在上述实施例的基础上，结合图2、图11、图12所示，以显示面板200为OLED显示面板为例，显示面板200的遮光层40包括像素限定层，像素限定层包括多个像素开口，发光元件50位于像素开口内；沿第一方向(图中Z方向所示)，遮光层40投影围绕发光元件50投影。

具体的，图11和图12中以钝化层228为第一绝缘层30为例，在制备OLED显示面板的像素限定层时，采用黑色吸光材料或者在像素限定层中掺杂吸光材料，使其围绕发光元件50且沿图中Z方向延伸覆盖像素限定层与衬底基板210之间的侧壁，且覆盖第二子绝缘层30b，实现对驱动电路层220内的薄膜晶体管TFT的包裹，从而避免光线进入显示区AA内部，减小薄膜晶体管TFT的光漏流。

结合图3-图12所示，显示面板200还包括封装层60，封装层60可包括封装胶61和盖板62，封装胶61覆盖衬底基板210和驱动电路层220，用于封装发光元件300，封装胶61覆盖发光元件50的侧面，也可以同时覆盖发光元件50的上表面。显示面板的封装层60还包括粘合层63，粘合层63位于封装胶61与盖板62之间。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。图13为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图，如图13所示，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，如图13所示，该显示装置300包括显示面板200。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。

本发明实施例提供的显示装置300可以为图13所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及依次位于所述衬底基板一侧的驱动电路层和遮光层；

所述驱动电路层包括多层绝缘层，部分所述绝缘层包括开口；所述绝缘层包括第一绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述开口侧壁；所述遮光层覆盖所述开口侧壁处的第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述显示区围绕至少部分所述非显示区；所述非显示区包括所述开口；

所述显示区包括依次位于所述衬底基板一侧的有源层、所述第一绝缘层和多个发光元件；所述第一绝缘层包括第一子绝缘部和第二子绝缘部，所述第一子绝缘部所在平面与第一平面平行；所述第二子绝缘部覆盖所述第一子绝缘部和所述衬底基板之间的部分膜层的至少部分侧壁；

所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部；所述第一遮光部所在膜层位于所述有源层和所述发光元件之间；沿第一方向，所述第一遮光部投影覆盖所述有源层；所述第二遮光部覆盖所述第二子绝缘部；

其中，所述第一平面与所述衬底基板所在平面平行，所述第一方向为显示面板的厚度方向。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开口对应的区域为显示面板的透明区或者透光区。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括粘附层，所述粘附层与所述有源层同层，且由所述显示区延伸至部分所述非显示区；

所述第二子绝缘部覆盖所述第一子绝缘部和所述粘附层之间的膜层的侧壁；所述第二遮光部与所述粘附层远离所述衬底基板一侧的表面接触。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二子绝缘部覆盖所述第一子绝缘部和所述衬底基板之间的膜层的侧壁，且延伸至所述非显示区的衬底基板表面；

沿所述第一方向，所述第二子绝缘部投影与所述衬底基板交叠的区域为第三子绝缘部；所述第二遮光部与所述第三子绝缘部远离所述衬底基板一侧的表面接触。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括第一凹槽，所述第一凹槽位于所述非显示区的衬底基板靠近所述遮光层的一侧表面；所述第三子绝缘部位于所述第一凹槽内。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽的表面为粗糙表面。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括多个第二凹槽；多个所述第二凹槽位于所述衬底基板远离所述有源层的一侧表面；

沿所述第一方向，多个所述第二凹槽所在区域的投影覆盖所述有源层。

9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层包括像素限定层，所述像素限定层包括多个像素开口，所述发光元件位于所述像素开口内；

沿所述第一方向，所述遮光层投影围绕所述发光元件投影。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层包括黑色吸光材料。

11.根据权利要求1任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括保护层，所述保护层覆盖所述遮光层。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述显示面板。

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