CN115816669A

CN115816669A - 清扫装置、切割设备和晶体的切割方法

Info

Publication number: CN115816669A
Application number: CN202211153735.9A
Authority: CN
Inventors: 黄末; 陈俊宏
Original assignee: Xuzhou Xinjing Semiconductor Technology Co Ltd
Current assignee: Zhonghuan Leading Xuzhou Semiconductor Materials Co ltd; Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
Priority date: 2022-09-21
Filing date: 2022-09-21
Publication date: 2023-03-21

Abstract

本发明公开了一种清扫装置、切割设备和晶体的切割方法。本发明实施例的清扫装置包括：气液混合件，所述气液混合件具有混合腔和与混合腔连通的气体进口、液体进口和气液出口；喷射件，所述喷射件通过所述气液出口与所述混合腔连通，所述喷射件上设有喷射部，所述喷射部沿第一方向延伸，且所述喷射部在所述第一方向上的喷射范围可调。根据本发明的清扫装置能高效、更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，同时对待清扫件进行降温，并减少清扫过程中的用水量。

Description

清扫装置、切割设备和晶体的切割方法

技术领域

本发明涉及晶体切割的清扫装置技术领域，具体而言，涉及一种清扫装置、具有清扫装置的切割设备和晶体的切割方法。

背景技术

在切割晶体(例如晶圆或晶棒)的过程中会产生热量，并且会产生灰尘与颗粒，沾污晶体。现有技术通过冷却水对晶体降温，依靠水流带走切割过程中产生的灰尘和颗粒。但是，清扫效果并不理想。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本发明提出一种清扫装置，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。

本发明还提出了一种包括上述清扫装置的切割设备。

本发明还提出了一种包括上述清扫装置的晶体的切割方法。

根据本发明实施例的清扫装置包括：气液混合件，所述气液混合件具有混合腔和与混合腔连通的气体进口、液体进口和气液出口；喷射件，所述喷射件通过所述气液出口与所述混合腔连通，所述喷射件上设有喷射部，所述喷射部沿第一方向延伸，且所述喷射部在所述第一方向上的喷射范围可调。

根据本发明实施例的清扫装置，通过喷射部喷出气体和液体的混合物高效、彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，同时对待清扫件进行降温；喷射部的喷射范围可调节，能减少清洗过程中的用水量，节约用水量，精准清洗。

根据发明的一些实施例，所述喷射部包括多个喷孔，多个所述喷孔沿所述第一方向依次排布。

根据发明的一些实施例，所述喷射件还包括止挡部，所述止挡部可活动地设于所述喷射部上用于打开和关闭至少部分所述喷孔。

根据发明的一些实施例，所述喷射件还包括多个喷头，至少部分所述喷孔位置设有所述喷头，且每个所述喷头均绕预设的球心可转动地设于对应的所述喷孔位置。

根据发明的一些实施例，所述喷射部包括两个，两个所述喷射部在垂直于所述第一方向的方向上间隔布置，其中一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷射孔，另一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷雾孔。

根据本发明另一方面实施例的切割设备，包括：切割装置，所述切割装置包括用于切割晶体的切割刀具；上述的清扫装置，所述喷射部朝向所述切割刀具和所述晶体设置。

根据本发明另一方面实施例的切割设备，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。

根据本发明又一方面实施例的晶体的切割方法，所述晶体利用上述的切割设备进行切割，所述切割方法包括：根据所述切割刀具与所述晶体的切割接触长度，调节所述喷射部的所述喷射范围。

根据本发明又一方面实施例的晶体的切割方法，能根据切割接触长度智能调节喷射部的喷射范围，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。

根据发明的一些实施例，所述控制所述喷射部的所述喷射范围包括：控制所述喷射部平行于所述切割接触长度所在的方向，控制所述喷射范围在所述第一方向上完全覆盖所述切割刀具与所述晶体的切割接触区域。

根据发明的一些实施例，所述晶体为圆柱状，设定所述切割接触长度所在方向为所述第一方向，与所述切割接触长度方向垂直的方向为第二方向，平行于所述第二方向的所述晶体的直径与所述晶体的外周面的交点为原点，

所述喷射范围在所述第一方向上的长度L满足：L＝2*[(D+a)*X-X²]^1/2，

其中，X为所述切割刀具在所述晶体上的切割位置与所述原点在所述第二方向上的距离，D为所述晶体的直径，a为补偿常数，且1≤a≤10。

根据发明的一些实施例，所述晶体为晶圆或晶棒。

根据发明的一些实施例，所述晶体为晶棒，当所述切割刀具沿垂直于所述晶体的轴向切割所述晶体时，所述控制方法还包括：

当所述切割刀具在所述晶体上的切割位置与所述原点在所述第二方向上的距离X大于所述晶棒的半径之后，控制所述喷射范围在所述第一方向上的长度L保持不变。

根据发明的一些实施例，在切割所述晶体之前，所述控制方法还包括：向所述晶体的表面喷雾，并持续预设时间。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是清扫装置的示意图；

图2是晶体的切割方法的流程图；

图3是切割刀具的位置(X)与切割接触长度(Y)的坐标关系示意图；

图4是带喷雾步骤的晶体的切割方法的流程图。

附图标记：

清扫装置100、气液混合件1、喷射件2、气体进口11、液体进口12、气液出口13、喷孔21。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面结合图1详细描述根据本发明实施例的清扫装置100。

根据本发明实施例的清扫装置100可以包括：气液混合件1和喷射件2。

其中，气液混合件1具有混合腔和与混合腔连通的气体进口11、液体进口12和气液出口13，气体从气体进口11进入混合腔内，液体从液体进口12进入混合腔内，气体和液体在混合腔内充分混合产生气液混合物。喷射件2通过气液出口13与混合腔连通，喷射件2上设有喷射部，喷射部沿第一方向延伸，且喷射部在第一方向上的喷射范围可调。气液混合物通过气液出口13进入喷射件2中，并从喷射件2喷出，对被清扫件进行清洗和降温。

在一些示例中，气液混合物以气水帘的形式喷出，清洗待清扫件上的灰尘和颗粒，通过调整混合腔内的压力可调节气水帘的清洗力度和气水帘的流量，取得更好的清洗效果。在一些示例中，气液混合物以气水雾的形式喷出，使得带清扫件的表面处于湿润状态，防止灰尘及飞溅物扩散到空气中。可选地，喷射件2包含两种喷射部，气液混合物可以同时以气水帘和喷雾的形式喷出，清洗待清扫件上的灰尘和颗粒。或者，通过压力调节方式，喷射部可以选择喷射气水帘或者气水雾。气水雾和气水帘用于去除被清扫件上的灰尘和颗粒，同时对被清扫件进行降温，例如可以用于清洗待清扫件切割过程中产生的灰尘和颗粒，同时对待清扫件进行降温。为了便于描述，以下以被清扫件为晶体为例进行说明。

喷射部沿第一方向延伸并且喷射部在第一方向上的喷射范围可调整，起到节约用水的效果。可选的，喷射范围可根据晶体上的灰尘、颗粒的位置进行调整，节约用水量。

根据本发明实施例的清扫装置100，通过喷射部喷出气体和液体的混合物高效、彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，同时对待清扫件进行降温；喷射部的喷射范围可调节，能减少清洗过程中的用水量，节约用水量，精准清洗。

在本发明的一些实施例中，喷射部包括多个喷孔21，多个喷孔21沿第一方向依次排布。气水混合物从喷孔21中喷出，清洗待清扫件。设置多个喷孔21便于调节喷射范围，适用于清洗不同形状和大小的物品。多个喷孔21沿第一方向依次排列，能提高清洗效率。可选地，第一方向为待清扫面的延伸方向，喷孔21沿着待清扫面的延伸方向排布，气水混合物可沿着待清扫面冲刷灰尘和颗粒，减少清洗死角，清扫效果好，效率高。可选地，喷孔21的排布长度不小于待清扫面沿第一方向的长度，能充分覆盖被清扫件，防止出现清洗死角，提高了清扫装置100的清洗效果。

在本发明的一些实施例中，喷射件2还包括止挡部，止挡部可活动地设于喷射部上用于打开和关闭至少部分喷孔21，以便调节喷射范围。可选地，止挡部包括挡条，由于多个喷孔21沿第一方向依次排布，挡条可移动以改变打开喷孔21的数量；可选地，挡条可以设置在多个喷孔21的两侧或单侧，调节打开喷孔21开启的数量，进而控制喷射范围。在一些示例中，止挡部包括多个挡片，挡片与喷孔21一一对应，挡片的移动以遮挡或打开对应的喷孔21。挡片遮挡喷孔21，气水混合物就无法从喷孔21中喷出，进而控制喷射范围。挡片打开喷孔21，喷孔21喷出气水混合物以清扫晶体。

在本发明的一些实施例中，喷射件2还包括多个喷头，至少部分喷孔21位置设有喷头，且每个喷头均绕预设的球心可转动地设于对应的喷孔21位置。可选地，喷头可喷出气水雾，气水雾为雾状气水混合物，且喷头在朝向待清洗表面的一侧自由旋转使得覆盖范围大，水珠细小，使得待清洗表面处于湿润状态，防止灰尘及飞溅物扩散到空气中。喷头可绕预设的球心转动，这样，喷头可喷出球形范围的气水雾。

在本发明的一些实施例中，喷射部包括两个，两个喷射部在垂直于第一方向的方向上间隔布置，其中一个喷射部上设有沿第一方向间隔布置的多个喷射孔，另一个喷射部上设有沿第一方向间隔布置的多个喷雾孔。可选地，两个喷射部平行设置，喷射孔可喷出水柱状的气水帘，喷雾孔可喷出气水雾，气水帘用于清洗晶体被切割后产生的灰尘和颗粒，气水雾可在切割前湿润晶体表面，减少灰尘及飞溅物扩散到空气中。可选地，喷雾孔和喷射孔可以先后开启，这样可以先喷出气水雾湿润晶体表面，切割后，再喷射气水帘冲洗灰尘和颗粒。或者，喷雾孔和喷射孔同时打开，可起到冲洗和降温的效果。

根据本发明另一方面实施例的切割设备，包括切割装置和上述的清扫装置100。切割装置包括用于切割晶体的切割刀具，清扫装置100的喷射部朝向切割刀具和晶体设置，便于清洗切割刀具和晶体。可选地，切割装置设置在喷射部预设距离范围内，预设距离范围可以是50mm以内，例如，切割装置与喷射部之间的距离可以是5mm、10mm、15mm、20mm等。切割装置可以设置在喷射部的下方，这样利用重力，可以增大喷射部喷出的气水混合物对晶体的清扫力度，在切割装置切割晶体的过程中，喷射部喷射出的气水混合物以对晶体进行清扫、降温。

根据本发明又一方面实施例的晶体的切割方法，所述晶体利用上述的切割设备进行切割，所述切割方法包括：根据切割刀具与晶体的切割接触长度，调节喷射部的喷射范围。当切割刀具与晶体的切割接触长度短时，喷射部的喷射范围调小。可选地，可移动挡条或者关闭挡片关闭一些喷孔21，以缩小气水帘和/或气水雾的喷射范围。当切割刀具与晶体的切割接触长度长时，喷射部的喷射范围调大，节约用水量。可选地，可移开挡条或者打开挡片打开一些喷孔21，以扩大气水帘和/或气水雾的喷射范围，充分清洗晶体。

根据本发明又一方面实施例的晶体的切割方法，能根据切割接触长度对应地调节喷射部的喷射范围，能高效和更彻底地去除待清扫件上的灰尘和颗粒，并减少清扫过程中的用水量。

在本发明的一些实施例中，控制喷射部的喷射范围包括：控制喷射部平行于切割接触长度所在的方向，控制喷射范围在第一方向上完全覆盖切割刀具与晶体的切割接触区域。可选地，喷射部平行于切割接触长度所在方向，且喷射部位于切割接触长度的正上方，第一方向与切割接触长度方向平行，喷射范围在第一方向上完全覆盖切割刀具与晶体的切割接触区域，充分清洗切割接触区域内的灰尘和颗粒。

在本发明的一些实施例中，参照图2和图3所示，晶体为圆柱状，设定切割接触长度所在方向为第一方向，与切割接触长度方向垂直的方向为第二方向，平行于第二方向的晶体的直径与晶体的外周面的交点为原点，喷射范围在第一方向上的长度L满足：L＝2*[(D+a)*X-X²]^1/2，其中，X为切割刀具在晶体上的切割位置与原点在第二方向上的距离，D为晶体的直径，a为补偿常数，且1≤a≤10。可选地，D＝301mm，a＝1，此时，L＝2*[302*X-X²]^1/2，当X₁＝0时，L₁＝0；当X₂＝302mm时，L₂＝0。从喷射范围在第一方向上的长度L与X的关系可以看出，喷射范围随着切割接触长度的不同发生变化，切割接触长度长时，喷射范围在第一方向上的长度随之变长，确保清洗彻底，切割接触长度短时，喷射范围在第一方向上的长度随之缩短，这样能节约用水量，减少无效冲洗。同时，补偿常数a的设置使得喷射范围在第一方向上的长度大于晶体的切割接触长度，也就是说，清扫长度大于晶体的被切割长度，从而可以对晶体进行全面清扫，防止出现清洁死角。

参照图2所示，切割晶体时的清扫方法包括以下步骤：

调节步骤S11：根据切割刀具在晶体上的切割位置与原点在第二方向上的距离X调节喷射范围在第一方向上的长度L；

切割步骤S12：使用切割刀具切割晶体。

在本发明的一些实施例中，晶体为晶圆或晶棒。

具体的实施例1：

晶体为直径为300㎜、长度为1200㎜的晶棒，现将该晶棒切割成多个晶圆，该晶圆的直径为300㎜、厚度为790μm，该晶棒的切割方法，包括以下步骤：

首先，晶棒的轴向投影形成圆形，切割刀具沿着垂直于晶棒轴向的方向切割。第一方向为切割接触长度所在方向，第二方向为与切割接触长度方向垂直的方向，平行于第二方向的晶棒的直径与晶棒的外周面的交点为原点，也就是说第一方向为纵轴、第二方向为横轴以及原点建立直角坐标系，具体见附图3所示。

其中，上述切割设备中切割刀具的位置，只要满足切割后得到厚度为790μm的晶圆就可以。

其次，在确定好切割刀具在晶棒轴向上的位置后，该切割刀具沿着垂直于晶棒轴向的方向切割，切割刀具在晶棒上的切割位置与原点在第二方向上的距离可为X_晶棒＝10㎜、20㎜、30㎜、40㎜、50㎜、60㎜、70㎜、80㎜、90㎜、100㎜、110㎜、120㎜、130㎜、140㎜、150㎜、160㎜、170㎜、180㎜、190㎜、200㎜、210㎜、220㎜、230㎜、240㎜、250㎜、260㎜、270㎜、280㎜、290㎜、300㎜，依据切割刀具在晶棒上的切割位置与原点在第二方向上的距离X_晶棒可得到喷射范围在第一方向上的长度L_晶棒，即L_晶棒＝2*Y_晶棒＝2*[(D+a)*X_晶棒-X_晶棒 ²]^1/2＝2*(302X_晶棒-X_晶棒 ²)^1/2，其中D＝300，a＝2。很显然在不同的切割位置，依据上述公式对应的喷射范围在第一方向上的长度L_晶棒是变化的，对应的切割晶棒的切割接触长度也是变化的。

最后，得到直径为300㎜、厚度为790微米的晶圆。

具体的实施例2：

当晶体为直径为300㎜、厚度为790μm的晶圆，现将晶圆切割成多个的晶片，该晶圆的切割方法，包括以下步骤：

首先，把晶圆的轴向投影形成圆形，切割刀具的切割方向垂直于晶圆所在平面，切割刀具的刀刃平行于晶圆所在平面。第一方向为切割接触长度所在方向，第二方向为与切割接触长度方向垂直的方向，平行于第二方向的晶圆的直径与晶圆的外周面的交点为原点，也就是说第一方向为纵轴、第二方向为横轴以及原点建立直角坐标系，具体见附图3所示。

然后，上述切割设备中的切割刀具沿着垂直于晶圆所在平面切割，即沿着与横轴垂直的方向切割晶圆，即切割刀具在晶圆上的切割位置与原点在第二方向上的距离可为X_晶圆＝10㎜、20㎜、30㎜、40㎜、50㎜、60㎜、70㎜、80㎜、90㎜、100㎜、110㎜、120㎜、130㎜、140㎜、150㎜、160㎜、170㎜、180㎜、190㎜、200㎜、210㎜、220㎜、230㎜、240㎜、250㎜、260㎜、270㎜、280㎜、290㎜、300㎜，依据切割刀具在晶圆上的切割位置与原点在第二方向上的距离X_晶圆可得到喷射范围在第一方向上的长度L_晶圆，即L_晶圆＝2*Y_晶圆＝2*[(D+a)*X_晶圆-X_晶圆 ²]^1/2＝2*(301X_晶圆-X_晶圆 ²)^1/2，其中D＝300，a＝1。很显然在不同的切割位置，依据上述公式对应的喷射范围在第一方向上的长度L_晶圆是变化的，对应的切割晶圆的切割接触长度也是变化的。

通过上述步骤，最后得到宽度为10mm的矩形晶片。

当晶体为宽度为10㎜、厚度为790μm的晶片，现将晶片切割成多个的芯片，包括以下步骤：

切割刀具垂直于晶片的长度方向，切割刀具的刀刃平行于晶片的表面，通过多次切割得到10㎜×10㎜的芯片。其中，切割刀具垂直于晶片的表面切割，由于晶片为矩形片状，因此，切割刀具每次切割时与晶片的切割接触长度都是10㎜，同时每次切割时清扫装置100的喷射范围基本保持不变。

在本发明的一些实施例中，晶体为晶棒，当切割刀具沿垂直于晶体的轴向切割晶体时，控制方法还包括：

当切割刀具在晶体上的切割位置与原点在第二方向上的距离X大于晶棒的半径之后，控制喷射范围在第一方向上的长度L保持不变。

参照图3所示，当切割刀具在晶棒上的切割位置与原点在第二方向上的距离X_晶棒大于晶棒的半径之后，切割接触长度会逐渐变短，需要清洗的长度也会变短，但是随着切割深度的增加，切割产生的颗粒会累积，保持喷射范围在第一方向上的长度不变，既能保证切割位置都被清洗到，同时保证清扫装置100有足够的清洗力度。具体的，参照图3所示，当X＝X_晶棒时，X_晶棒>1/2D，喷射范围在第一方向上的长度L_晶棒等于切割刀具在晶棒上的切割位置与原点在第二方向上的距离为晶棒的半径时的喷射范围在第一方向上的长度。

在本发明的一些实施例中，参照图4所示，在切割晶体之前，控制方法还包括：向晶体的表面喷雾，并持续预设时间。可选地，在调节步骤和切割步骤之前，还可以包括，喷雾步骤S10：向晶体的表面喷雾，并持续预设时间。参照图2所示，在调节步骤和切割步骤之前控制喷雾头向晶体表面喷气水雾，并设置持续时间。可选地，设置持续时间为10秒-60秒，使得晶体的表面处于湿润状态，防止灰尘及飞溅物扩散到空气中。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims

1.一种清扫装置，其特征在于，包括：

气液混合件(1)，所述气液混合件(1)具有混合腔和与混合腔连通的气体进口(11)、液体进口(12)和气液出口(13)；

喷射件(2)，所述喷射件(2)通过所述气液出口(13)与所述混合腔连通，所述喷射件(2)上设有喷射部，所述喷射部沿第一方向延伸，且所述喷射部在所述第一方向上的喷射范围可调。

2.根据权利要求1所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射部包括多个喷孔(21)，多个所述喷孔(21)沿所述第一方向依次排布。

3.根据权利要求2所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射件(2)还包括止挡部，所述止挡部可活动地设于所述喷射部上用于打开和关闭至少部分所述喷孔(21)。

4.根据权利要求2所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射件(2)还包括多个喷头，至少部分所述喷孔(21)位置设有所述喷头，且每个所述喷头均绕预设的球心可转动地设于对应的所述喷孔(21)位置。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的清扫装置，其特征在于，所述喷射部包括两个，两个所述喷射部在垂直于所述第一方向的方向上间隔布置，其中一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷射孔，另一个所述喷射部上设有沿所述第一方向间隔布置的多个喷雾孔。

6.一种切割设备，其特征在于，包括：

切割装置，所述切割装置包括用于切割晶体的切割刀具；

根据权利要求1-5中任一项所述的清扫装置，所述喷射部朝向所述切割刀具和所述晶体设置。

7.一种晶体的切割方法，其特征在于，所述晶体利用权利要求6所述的切割设备进行切割，所述切割方法包括：

根据所述切割刀具与所述晶体的切割接触长度，调节所述喷射部的所述喷射范围。

8.根据权利要求7所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述控制所述喷射部的所述喷射范围包括：

控制所述喷射部平行于所述切割接触长度所在的方向，控制所述喷射范围在所述第一方向上完全覆盖所述切割刀具与所述晶体的切割接触区域。

9.根据权利要求8所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述晶体为圆柱状，设定所述切割接触长度所在方向为所述第一方向，与所述切割接触长度方向垂直的方向为第二方向，平行于所述第二方向的所述晶体的直径与所述晶体的外周面的交点为原点，

10.根据权利要求9所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述晶体为晶圆或晶棒。

11.根据权利要求9所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述晶体为晶棒，当所述切割刀具沿垂直于所述晶体的轴向切割所述晶体时，所述控制方法还包括：

12.根据权利要求7所述的晶体的切割方法，其特征在于，在切割所述晶体之前，所述控制方法还包括：

向所述晶体的表面喷雾，并持续预设时间。