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CN115800952A - 滤波装置电路 - Google Patents

滤波装置电路 Download PDF

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CN115800952A
CN115800952A CN202310070346.8A CN202310070346A CN115800952A CN 115800952 A CN115800952 A CN 115800952A CN 202310070346 A CN202310070346 A CN 202310070346A CN 115800952 A CN115800952 A CN 115800952A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resonator
electrically coupled
circuit
filter circuit
acoustic wave
Prior art date
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Pending
Application number
CN202310070346.8A
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English (en)
Inventor
杨新宇
邹雅丽
汤正杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd filed Critical Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202310070346.8A priority Critical patent/CN115800952A/zh
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Abstract

一种滤波装置电路,涉及半导体技术领域,包括:第一滤波器电路,包括第一部分和第二部分,第一部分的一端连接发射端另一端连接第二部分的一端,第二部分的另一端连接天线端;第二滤波器电路,一端连接天线端另一端连接接收端;第一部分:第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器电耦合发射端且连接第二谐振器,第一谐振器电耦合第二部分,第二谐振器还电耦合发射端以及接地;第二部分:第三谐振器和第四谐振器,第三谐振器电耦合第一部分且连接第四谐振器同时电耦合天线端,第四谐振器还电耦合第一部分同时接地,第三谐振器和第四谐振器包括声表面波谐振器。能够在不牺牲第一滤波器电路插入损耗的情况下,有效降低电路整体的二阶谐波效应。

Description

滤波装置电路
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种滤波装置电路。
背景技术
现有的谐振器技术主要有声表面波(Surface Acoustic Wave,简称SAW)谐振器技术,体声波(Bulk Acoustic Wave,简称BAW)谐振器技术,低温共烧陶瓷(Low TemperatureCo-fired Ceramic,简称LTCC)谐振器技术等。通过多个谐振器可以形成具有良好通带性能的射频滤波器。
体声波谐振器技术,得益于其高的品质因数(Q)及较小的结构尺寸,广泛应用于现代手持设备的无线通讯中,实现良好的射频信号滤波性能。 为了节省面积,集成两个及以上滤波器的双工器或多工器的结构被广泛采用。双工器包括发射滤波器和接收滤波器。发射滤波器连接在信号发射端与天线端,接收滤波器连接在天线端和信号接收端之间。
由于体声波谐振器的压电层材料,比如:氮化铝或氧化锌等,自身固有的非线性特质,在实际使用过程中会产生杂波信号,一般为以下两类:(1)二阶谐波信号,如果发射端产生的二阶谐波信号的频率范围刚好是某个共连天线端接收滤波器的通带范围,则会产生错误的信号串扰;(2)三阶互调信号,从发射端产生的信号与天线端的信号三阶互调而成,如果频率刚好是某个共连天线端接收滤波器的通带范围则会产生错误的信号串扰。
因此,现有的双工器的性能还有待提升。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种滤波装置电路,以改善双工器的性能。
为解决上述技术问题,本发明技术方案提供一种滤波装置电路,包括:第一滤波器电路,所述第一滤波器电路包括第一部分和第二部分,所述第一部分的一端连接发射端口,所述第一部分的另一端连接所述第二部分的一端,所述第二部分的另一端连接天线端口;其中,所述第一部分包括:第一谐振器和第二谐振器,所述第一谐振器包括第一端和第二端,所述第二谐振器包括第三端和第四端,所述第一谐振器的第一端电耦合所述发射端口,所述第一谐振器的第二端电耦合所述第二部分,所述第一谐振器的第一端还连接所述第二谐振器的第三端,所述第二谐振器的第三端还电耦合所述发射端口,所述第二谐振器的第四端接地;其中,所述第二部分包括:第三谐振器和第四谐振器,所述第三谐振器包括第五端和第六端,所述第四谐振器包括第七端和第八端,所述第三谐振器的第五端电耦合所述第一部分,所述第三谐振器的第六端电耦合所述天线端口,所述第三谐振器的第五端还连接所述第四谐振器的第七端,所述第四谐振器的第七端还电耦合所述第一部分,所述第四谐振器的第八端接地,所述第三谐振器和所述第四谐振器包括声表面波谐振器,所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型与所述第三谐振器和所述第四谐振器的类型不同;第二滤波器电路,所述第二滤波器电路的一端连接所述天线端口,所述第二滤波器电路的另一端连接接收端口。
可选的,所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型相同。
可选的,所述第一谐振器和所述第二谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
可选的,所述第三谐振器和所述第四谐振器的波长范围小于3微米。
可选的,所述第一部分还包括:第五谐振器,所述第五谐振器包括第九端和第十端,所述第五谐振器的第九端电耦合所述发射端口,所述第五谐振器的第十端电耦合所述第一谐振器的第一端,所述第五谐振器的第十端还电耦合所述第二谐振器的第三端。
可选的,所述第五谐振器的类型与所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型相同。
可选的,所述第五谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
可选的,所述第一部分还包括:第六谐振器,所述第六谐振器包括第十一端和第十二端,所述第五谐振器的第九端还连接所述第六谐振器的第十一端,所述第六谐振器的第十一端还电耦合所述发射端口,所述第六谐振器的第十二端接地。
可选的,所述第六谐振器的类型与所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型相同。
可选的,所述第六谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
可选的,所述第二部分还包括:第七谐振器,所述第七谐振器包括第十三端和第十四端,所述第七谐振器的第十三端电耦合所述第三谐振器的第六端,所述第七谐振器的第十四端电耦合所述天线端口;所述第七谐振器与所述第三谐振器和所述第四谐振器的谐振器类型相同。
可选的,所述第七谐振器包括声表面波谐振器。
可选的,所述第七谐振器的波长范围小于3微米。
可选的,所述第二部分还包括:第八谐振器,所述第八谐振器包括第十五端和第十六端,所述第八谐振器的第十五端电耦合所述第三谐振器的第六端,所述第八谐振器的第十五端还连接所述第七谐振器的第十三端,所述第八谐振器的第十六端接地;所述第八谐振器与所述第三谐振器和所述第四谐振器的谐振器类型相同。
可选的,所述第八谐振器包括声表面波谐振器。
可选的,所述第八谐振器的波长范围小于3微米。
可选的,所述第二部分还包括:第九谐振器,所述第九谐振器包括第十七端和第十八端,所述第九谐振器的第十七端电耦合所述第三谐振器的第六端,所述第九谐振器的第十七端还连接所述天线端口,所述第九谐振器的第十八端接地;所述第九谐振器与所述第三谐振器和所述第四谐振器的谐振器类型相同。
可选的,所述第九谐振器包括声表面波谐振器。
可选的,所述第九谐振器的波长范围小于3微米。
可选的,第二滤波器电路包括:梯形滤波器电路或双模态声表面波滤波器电路。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下有益效果:
本发明的技术方案,所述第一滤波器电路在靠近天线端设置有与第一部分谐振类型不同的第二部分,第二部分包括声表面波谐振器,从而能够在不牺牲第一滤波器电路插入损耗的情况下,有效降低二阶谐波效应。
进一步,所述第一部分包括体声波谐振器,所述第二部分包括声表面波谐振器,能够在降低二阶谐波效应同时,凭借体声波谐振器的Q值相对于声表面波谐振器的Q值较大的特性,降低对第一滤波器电路插入损耗的影响。
附图说明
图1是一实施例中滤波装置电路的示意图;
图2是一实施例中滤波装置电路的示意图;
图3至图6是本发明一实施例中滤波装置电路的示意图;
图7是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图;
图8是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图;
图9是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图;
图10是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图;
图11是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图;
图12是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
具体实施方式
如背景技术所述,双工器的性能还有待提升。现结合具体的实施例进行分析说明。
图1是一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图1,所述滤波装置电路包括:第一滤波器电路F1,所述第一滤波器电路F1包括若干第一谐振器S1,若干所述第一谐振器S1串联在天线端ANT和发射端Tx之间;若干第二谐振器T1,一个所述第二谐振器T1的一端与相邻两个第一谐振器S1的一端连接,所述第二谐振器T1的另一端接地或与无源器件连接;第二滤波器电路F2,所述第二滤波器电路F2的电路结构与第一滤波器电路F1的电路结构相同;天线端ANT,所述天线端ANT位于所述第一滤波器电路F1和所述第二滤波器电路F2之间,分别连接所述第一滤波器电路F1和第二滤波器电路F2;所述第二滤波器电路F2中的若干第一谐振器S1串联在天线端ANT与接收端Rx之间。
所述滤波装置电路中,第一滤波器电路F1与发射端Tx连接,所述第一滤波器电路F1为发射滤波器,所述第二滤波器电路F2与接收端Rx连接,所述第二滤波器电路F2为接收滤波器。天线端ANT分别连接所述第一滤波器电路F1和第二滤波器电路F2,构成双工器电路。而由于双工器发射端一般与功率放大器(PA)相连,对于滤波器的插入损耗要求较高。
在本实施例中,所述第一谐振器S1和所述第二谐振器T1为声表面波谐振器,声表面波谐振器可以减小二阶谐振效应的影响,但是由于声表面波谐振器的Q值相对于体声波谐振器的Q值较低,滤波器的插入损耗会变大。
图2是一实施例中滤波装置电路的示意图。
所述滤波装置电路包括:第一滤波器电路F1,所述第一滤波器电路F1包括若干第一谐振器S1,若干所述第一谐振器S1串联在天线端ANT和发射端Tx之间;若干第二谐振器T1,一个所述第二谐振器T1的一端与相邻两个第一谐振器S1的一端连接,所述第二谐振器T1的另一端接地或与无源器件连接;第二滤波器电路F2,所述第二滤波器电路F2包括若干第三谐振器S2,若干所述第三谐振器S2串联在天线端ANT和接收端Rx之间,所述天线端ANT位于所述第一滤波器电路F1和所述第二滤波器电路F2之间,分别连接所述第一滤波器电路F1和第二滤波器电路F2;若干第四谐振器T2,一个所述第四谐振器T2的一端与相邻两个第三谐振器S2的一端连接,所述第四谐振器T2的另一端接地或与无源器件连接;所述第一滤波器电路F1还包括:与最接近天线端ANT的第二谐振器T1并联的反极化谐振器T1b。
所述滤波装置电路中,第一滤波器电路F1与发射端Tx连接,所述第一滤波器电路F1为发射滤波器,所述第二滤波器电路F2与接收端Rx连接,所述第二滤波器电路F2为发接收滤波器。天线端ANT位于所述第一滤波器电路F1和所述第二滤波器电路F2之间,分别连接所述第一滤波器电路F1和第二滤波器电路F2,构成双工器电路。所述第一谐振器S1和第二谐振器T1为体声波谐振器,所述第三谐振器S2和第四谐振器T2为声表面波谐振器。体声波谐振器的二阶非线性效应较强,为了抑制发射滤波器的二阶非线性效应,要将二阶非线性效应最强的一个或者多个第二谐振器T1做极化方向反转的并联操作,在本实施例中,离天线端ANT最近的第二谐振器T1的二阶非线性效应最强,在天线端ANT最近的第二谐振器T1并联反极化谐振器T1b以减小二阶非线性效应。然而,此种电路设计在发射滤波器增加了额外的反极化连接的谐振器,谐振器的数量增加,在按照电路设计制造滤波器时,在外部封装面积要求不变的情况下,滤波器的设计及谐振器排版布局的难度增加。
为了解决上述问题,本发明技术方案提供一种滤波装置电路,所述第一滤波器电路在靠近天线端设置有与第一部分谐振类型不同的第二部分,第二部分包括声表面波谐振器,能够在不牺牲第一滤波器电路插入损耗的情况下,有效降低二阶谐波效应。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3至图6是本发明一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图3至图6,图3是所述滤波装置电路的结构示意图,图4为图3中第一部分P1的电路示意图,图5为图3中第二部分P2的电路示意图,图6为图3中第二滤波器电路F2的电路示意图,所述滤波装置电路包括:第一滤波器电路F1,所述第一滤波器电路F1包括相连接的第一部分P1和第二部分P2,所述第一部分P1的一端连接发射端口Tx,所述第一部分P1的另一端连接所述第二部分P2的一端,所述第二部分P2的另一端连接天线端口ANT;第二滤波器电路F2,所述第二滤波器电路F2的一端连接所述天线端口ANT,所述第二滤波器电路F2的另一端连接接收端口Rx。
请继续参考图4,在本实施例中,所述第一部分P1包括:第一谐振器S1和第二谐振器T1,所述第一谐振器S1包括第一端和第二端,所述第二谐振器T1包括第三端和第四端,所述第一谐振器S1的第一端电耦合所述发射端口Tx,所述第一谐振器S1的第二端电耦合所述第二部分P2,所述第一谐振器S1的第一端还连接所述第二谐振器T1的第三端,所述第二谐振器T1的第三端还电耦合所述发射端口,所述第二谐振器T1的第四端接地。
在本实施例中,所述第一谐振器S1和所述第二谐振器T1的类型相同。
在本实施例中,所述电耦合包括直接连接、间接连接或感应耦合等。
在本实施例中,所述第一谐振器S1和所述第二谐振器T1包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
请继续参考图5,在本实施例中,所述第二部分P2包括:第三谐振器S2和第四谐振器T2,所述第三谐振器S2包括第五端和第六端,所述第四谐振器T2包括第七端和第八端,所述第三谐振S2器的第五端电耦合所述第一部分P1,所述第三谐振器S2的第六端电耦合所述天线端口ANT,所述第三谐振器S2的第五端还连接所述第四谐振器T2的第七端,所述第四谐振器T2的第七端还电耦合所述第一部分P1,所述第四谐振器T2的第八端接地。
在本实施例中,所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2的类型相同。
所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2包括声表面波谐振器,所述第一谐振器S1和所述第二谐振器T1的类型与所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2的类型不同。
在本实施例中,所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2的波长范围小于3微米。
在其他实施例中,所述第三谐振器和所述第四谐振器的波长范围根据实际需求大于3微米。
在其他实施例中,所述第三谐振器还能够拆分为相串联的多个子谐振器,所述子谐振器的类型与所述第三谐振器的类型相同,且多个子谐振器的功率之和等于所述第三谐振器的功率。
所述天线端ANT位于所述第一滤波器电路F1和所述第二滤波器电路F2之间,分别连接所述第一滤波器电路F1和所述第二滤波器电路F2,构成双工器电路。
所述第一滤波器电路F1在靠近天线端ANT设置有与第一部分P1谐振类型不同的第二部分P2,第二部分P2包括声表面波谐振器,从而能够在不牺牲第一滤波器电路F1插入损耗的情况下,有效降低二阶谐波效应。
进一步,所述第一部分P1的第一谐振器S1和所述第二谐振器T1包括体声波谐振器,所述第二部分P2的第三谐振器S2和所述第四谐振器T2包括声表面波谐振器,能够在降低二阶谐波效应同时,凭借体声波谐振器的Q值相对于声表面波谐振器的Q值较大的特性,降低对第一滤波器电路F1插入损耗的影响。
请继续参考图6,在本实施例中,所述第二滤波器电路F2包括梯形滤波器电路,所述梯形滤波器电路包括第十谐振器S6和第十一谐振器T6,所述第十谐振器S6一端与天线端ANT电耦合,所述第十谐振器S6另一端和所述第十一谐振器T6的一端连接,所述第十一谐振器T6的一端还与所述接收端口Rx电耦合,所述第十一谐振器T6的另一端接地。
图7是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图7,图7为在图4基础上的示意图,所述第一部分P1还包括:第五谐振器S3,所述第五谐振器S3包括第九端和第十端,所述第五谐振器S3的第九端电耦合所述发射端口Tx,所述第五谐振器S3的第十端电耦合所述第一谐振器S1的第一端,所述第五谐振器S3的第十端还电耦合所述第二谐振器T1的第三端。
所述第五谐振器S3的类型与所述第一谐振器S1和所述第二谐振器T1的类型相同。
在本实施例中,所述第五谐振器S3包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
图8是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图8,图8为在图7基础上的示意图,所述第一部分P1还包括:第六谐振器T3,所述第六谐振器T3包括第十一端和第十二端,所述第五谐振器S3的第九端还连接所述第六谐振器T3的第十一端,所述第六谐振器T3的第十一端还电耦合所述发射端口Tx,所述第六谐振器T3的第十二端接地。
所述第六谐振器T3的类型与所述第一谐振器S1和所述第二谐振器T1的类型相同。
在本实施例中,所述第六谐振器T3包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
图9是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图9,图9为在图5基础上的示意图,所述第二部分P2还包括:第七谐振器S4,所述第七谐振器S4包括第十三端和第十四端,所述第七谐振器S4的第十三端电耦合所述第三谐振器S2的第六端,所述第七谐振器S4的第十四端电耦合所述天线端口ANT。
所述第七谐振器S4与所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2的类型相同。
在本实施例中,所述第七谐振器S4包括声表面波谐振器。
在本实施例中,所述第七谐振器S4的波长范围小于3微米。
图10是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图10,图10为在图9基础上的示意图,所述第二部分P2还包括:第八谐振器T4,所述第八谐振器T4包括第十五端和第十六端,所述第八谐振器T4的第十五端电耦合所述第三谐振器S2的第六端,所述第八谐振器T4的第十五端还连接所述第七谐振器S4的第十三端,所述第八谐振器T4的第十六端接地。
所述第八谐振器T4与所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2的谐振器类型相同。
在本实施例中,所述第八谐振器T4包括声表面波谐振器。
在本实施例中,所述第八谐振器T4的波长范围小于3微米。
在本实施例中,所述第三谐振器S2和所述第七谐振器S4的功率相同。
在其他实施例中,所述第三谐振器还能够拆分为相串联的多个第三子谐振器,所述第三子谐振器的类型与所述第三谐振器的类型相同,且多个第三子谐振器的功率之和等于所述第三谐振器的功率。
在其他实施例中,所述第七谐振器还能够拆分为相串联的多个第七子谐振器,所述第七子谐振器的类型与所述第七谐振器的类型相同,且多个第七子谐振器的功率之和等于所述第七谐振器的功率。
图11是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图11,图11为在图5基础上的示意图,所述第二部分P2还包括:第九谐振器T5,所述第九谐振器T5包括第十七端和第十八端,所述第九谐振器T5的第十七端电耦合所述第三谐振器S2的第六端,所述第九谐振器T5的第十七端还连接所述天线端口,所述第九谐振器T5的第十八端接地。
所述第九谐振器T5与所述第三谐振器S2和所述第四谐振器T2的类型相同。
在本实施例中,所述第九谐振器T5包括声表面波谐振器。
在本实施例中,所述第九谐振器T5的波长范围小于3微米。
在其他实施例中,所述第三谐振器还能够拆分为相串联的多个第三子谐振器,所述第三子谐振器的类型与所述第三谐振器的类型相同,且多个第三子谐振器的功率之和等于所述第三谐振器的功率。
图12是本发明另一实施例中滤波装置电路的示意图。
请参考图12,图12与图6的区别在于,所述第二滤波器电路F2还包括双模态声表面波滤波器电路S7,所述双模态声表面波滤波器电路S7一端与接收端口Rx连接,所述双模态声表面波滤波器电路S7另一端与第十谐振器S6的另一端相连接,所述双模态声表面波滤波器电路S7另一端还与所述第十一谐振器T6的一端连接。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种滤波装置电路,其特征在于,包括:
第一滤波器电路,所述第一滤波器电路包括第一部分和第二部分,所述第一部分的一端连接发射端口,所述第一部分的另一端连接所述第二部分的一端,所述第二部分的另一端连接天线端口;
其中,所述第一部分包括:第一谐振器和第二谐振器,所述第一谐振器包括第一端和第二端,所述第二谐振器包括第三端和第四端,所述第一谐振器的第一端电耦合所述发射端口,所述第一谐振器的第二端电耦合所述第二部分,所述第一谐振器的第一端还连接所述第二谐振器的第三端,所述第二谐振器的第三端还电耦合所述发射端口,所述第二谐振器的第四端接地;
其中,所述第二部分包括:第三谐振器和第四谐振器,所述第三谐振器包括第五端和第六端,所述第四谐振器包括第七端和第八端,所述第三谐振器的第五端电耦合所述第一部分,所述第三谐振器的第六端电耦合所述天线端口,所述第三谐振器的第五端还连接所述第四谐振器的第七端,所述第四谐振器的第七端还电耦合所述第一部分,所述第四谐振器的第八端接地,所述第三谐振器和所述第四谐振器包括声表面波谐振器,所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型与所述第三谐振器和所述第四谐振器的类型不同;
第二滤波器电路,所述第二滤波器电路的一端连接所述天线端口,所述第二滤波器电路的另一端连接接收端口。
2.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型相同。
3.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第一谐振器和所述第二谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
4.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第三谐振器和所述第四谐振器的波长范围小于3微米。
5.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第一部分还包括:第五谐振器,所述第五谐振器包括第九端和第十端,所述第五谐振器的第九端电耦合所述发射端口,所述第五谐振器的第十端电耦合所述第一谐振器的第一端,所述第五谐振器的第十端还电耦合所述第二谐振器的第三端。
6.如权利要求5所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第五谐振器的类型与所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型相同。
7.如权利要求5所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第五谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
8.如权利要求5所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第一部分还包括:第六谐振器,所述第六谐振器包括第十一端和第十二端,所述第五谐振器的第九端还连接所述第六谐振器的第十一端,所述第六谐振器的第十一端还电耦合所述发射端口,所述第六谐振器的第十二端接地。
9.如权利要求8所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第六谐振器的类型与所述第一谐振器和所述第二谐振器的类型相同。
10.如权利要求8所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第六谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。
11.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第二部分还包括:第七谐振器,所述第七谐振器包括第十三端和第十四端,所述第七谐振器的第十三端电耦合所述第三谐振器的第六端,所述第七谐振器的第十四端电耦合所述天线端口;所述第七谐振器与所述第三谐振器和所述第四谐振器的谐振器类型相同。
12.如权利要求11所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第七谐振器包括声表面波谐振器。
13.如权利要求12所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第七谐振器的波长范围小于3微米。
14.如权利要求11所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第二部分还包括:第八谐振器,所述第八谐振器包括第十五端和第十六端,所述第八谐振器的第十五端电耦合所述第三谐振器的第六端,所述第八谐振器的第十五端还连接所述第七谐振器的第十三端,所述第八谐振器的第十六端接地;所述第八谐振器与所述第三谐振器和所述第四谐振器的谐振器类型相同。
15.如权利要求14所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第八谐振器包括声表面波谐振器。
16.如权利要求15所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第八谐振器的波长范围小于3微米。
17.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第二部分还包括:第九谐振器,所述第九谐振器包括第十七端和第十八端,所述第九谐振器的第十七端电耦合所述第三谐振器的第六端,所述第九谐振器的第十七端还连接所述天线端口,所述第九谐振器的第十八端接地;所述第九谐振器与所述第三谐振器和所述第四谐振器的谐振器类型相同。
18.如权利要求17所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第九谐振器包括声表面波谐振器。
19.如权利要求18所述的滤波装置电路,其特征在于,所述第九谐振器的波长范围小于3微米。
20.如权利要求1所述的滤波装置电路,其特征在于,第二滤波器电路包括:梯形滤波器电路或双模态声表面波滤波器电路。
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