CN115497900A

CN115497900A - 具有阻焊结构的半导体结构

Info

Publication number: CN115497900A
Application number: CN202210071801.1A
Authority: CN
Inventors: 汪金华; 叶书伸; 赖柏辰; 林柏尧; 郑心圃
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2021-08-26
Filing date: 2022-01-21
Publication date: 2022-12-20
Also published as: TWI826896B; US20250316572A1; US20230061167A1; US11967547B2; US20240222247A1; TW202310154A

Abstract

一些实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括第一衬底，第一衬底包括在第一衬底上彼此横向间隔开的第一多个导电垫。第一多个导电凸块分别设置在第一多个导电垫上。多层阻焊结构设置在第一衬底上且排列在第一多个导电垫之间。多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触所述第一多个导电凸块的侧壁以将所述第一多个导电凸块彼此分隔。

Description

具有阻焊结构的半导体结构

技术领域

本发明实施例涉及一种具有阻焊结构的半导体结构。

背景技术

使用半导体组件的集成电路(IC)对许多现代应用至关重要。随着电子技术的进步，半导体组件的尺寸越来越小，同时具有更多的功能及更多的集成电路。与此同时，随着技术的不断发展，IC的占用面积也在不断增加，因此更小的特征尺寸与更大的IC占用面积相结合，为每一代IC提供了比前几代明显更高的处理能力。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：第一衬底，包含第一多个导电垫，第一多个导电垫在第一衬底上彼此横向间隔开；第一多个导电凸块，分别设置在第一多个导电垫上；以及多层阻焊结构，设置在第一衬底上且排列在第一多个导电垫之间，多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触第一多个导电凸块的侧壁以将第一多个导电凸块彼此分隔。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：第一衬底，包含第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第一管芯，设置在第一衬底的第二表面上；第二管芯，设置在第一衬底的第二表面上并与第一管芯相邻；多个第一导电凸块，设置在第一衬底与第一管芯之间以及第一衬底与第二管芯之间；第二衬底，设置在第一衬底的第一表面之下；多个第二导电凸块，设置在第一衬底与第二衬底之间；以及多层阻焊结构，设置在第一衬底上且排列在多个第一导电凸块之间，多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触多个第一导电凸块的侧壁以将多个第一导电凸块彼此分隔。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：第一衬底，包含第一多个导电垫，第一多个导电垫在第一衬底上彼此横向间隔开；第二衬底，包含第二多个导电垫，第二多个导电垫在第二衬底上彼此横向间隔开；第一多个导电凸块，分别设置在第一多个导电垫上；以及多层阻焊结构，垂直分隔第一衬底与第二衬底，且横向分隔第一多个导电凸块中相邻的导电凸块，多层阻焊结构包含多个导电凸块开口，多个导电凸块开口在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度，且被第一多个导电凸块穿过，使得多层阻焊结构将第一多个导电凸块彼此分隔。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本工业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图1B示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图2A示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图2B示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图3示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图4示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图5至图6示出了根据图4的一些实施例的半导体结构的不同深度处的俯视图。

图7示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图8至图9示出了根据图7的一些实施例的半导体结构的不同深度处的俯视图。

图10示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图11至图12示出了根据图10的一些实施例的半导体结构的不同深度处的俯视图。

图13示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图14至图15示出了根据图13的一些实施例的半导体结构的不同深度处的俯视图。

图16示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图17至图18示出了根据图16的一些实施例的半导体结构的不同深度处的俯视图。

图19示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图20示出了根据图19的一些实施例所示彼此迭加的第一层、第二层以及第三层的俯视图。

图21示出了根据图19的一些实施例的第三层的俯视图。

图22示出了根据图19的一些实施例的第二层的俯视图。

图23示出了根据图19的一些实施例的第一层的俯视图。

图24示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图25示出了根据图24的一些实施例所示彼此迭加的第一层、第二层以及第三层的俯视图。

图26示出了根据图24的一些实施例的第三层的俯视图。

图27示出了根据图24的一些实施例的第二层的俯视图。

图28示出了根据图24的一些实施例的第一层的俯视图。

图29示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

图30示出了根据图29的一些实施例所示彼此迭加的第一层、第二层以及第三层的俯视图。

图31示出了根据图29的一些实施例的第三层的俯视图。

图32示出了根据图29的一些实施例的第二层的俯视图。

图33示出了根据图29的一些实施例的第一层的俯视图。

图34示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第一特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

随着集成电路(IC)的不断发展，组件的特征尺寸(例如IC上的晶体管)随着每一代技术的发展而变得越来越小。同时，这些IC的管芯面积(占用面积)也随之增加。更小的特征与更大的占用面积相结合，为每一代IC提供了比前几代明显更高的处理能力。为了使这些IC可操作地耦合到电路板、其他IC、测试板等；导电凸块(如焊料凸块或柱)会布置在IC的外部。随着IC变得越来越复杂，需要增加可用的导电凸块数量以实现更好的连接。此外，在三维集成电路(3D ICs)中，包括多个彼此“堆叠”并封装在单一个封装体中的衬底，衬底可以通过封装体内部的这些导电凸块彼此互连。

本公开的一些方面理解，由于多种原因，衬底会经历翘曲或弯曲。举例来说，对于封装体内的导电凸块，此衬底翘曲会导致一些导电凸块在一些区域被“挤压”或压缩在一起，并且在其他区域彼此“拉开”。由于”挤压”，这种翘曲最终会导致相邻的导电凸块无意间短路或彼此“桥接”，从而导致最终组件失效或产生其他问题。因此，本公开提供在相邻导电凸块之间间隔开的多层阻焊结构以防止桥接，从而确保那些相邻导电凸块保持彼此隔离。

图1A至图1B是根据本公开的各种实施例的半导体结构100的剖视图。从图1A可以看出，在一些实施例中，在接合之前，半导体结构100包括第一衬底101与第二衬底106。第一衬底101包括第一多个连接结构101c，例如导电柱或接合垫，而第二衬底106包括第二多个连接结构106c，例如导电柱或接合垫，其对应于第一多个连接结构101c。第一衬底101还可包括第一连接结构101c上的预焊结构(pre-solder structures)103p，而第二衬底101也可包括第二连接结构106c上的预焊结构103p。

当如图1B所示将第一衬底101焊接到第二衬底106时，预焊结构103p合并以形成将第一衬底101耦合到第二衬底106的多个第一导电凸块103。通常，导电凸块103包括焊料，且具有通常呈圆顶状的形状。然而，在此焊接/接合期间，由于第一衬底101与第二衬底106被压得更靠近彼此，因此至少一些导电凸块103可能会在垂直方向上略微压缩并在水平方向上略微向外延伸/凸出。若继续下去，相邻的导电凸块可能会挤压到彼此短路或“桥接”的程度(参照图1B中的虚线103s)。因此，为了限制或防止这种短路问题，本公开包括设置在相邻导电凸块103之间的多层阻焊结构108。此多层阻焊结构108由介电材料制成，例如环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料，并在第一衬底101上方的不同高度处提供具有不同宽度的焊料凸块开口。通过限制或防止相邻的导电凸块103彼此短路或桥接，多层阻焊结构108提供比先前技术更好的良率及/或可靠度。

更具体地说，图1A至图1B示出了多层阻焊结构108包括第一层108a和第二层108b的实施例。第一层108a的介电材料具有第一宽度w_sr1，且在一些情况下可以在第一多个连接结构101c的相邻连接结构的外围边缘上延伸。因此，第一层108a的介电材料定义了具有第一开口宽度w_b1的第一层导电凸块开口以容纳导电凸块103的基部。第二层108b的介电材料具有第二宽度w_sr2，第二宽度w_sr2小于第一宽度w_sr1。因此，第二层108b的介电材料定义了具有第二开口宽度w_b2的第二层导电凸块开口，以容纳导电凸块103的中部或上部。

在一些情况下，第一宽度w_sr1与第二宽度w_sr2的比率可介于大约1.1：1到大约2：1的范围内；而第一开口宽度w_b1与第二开口宽度w_b2的比率可介于大约1：1.1至大约1：2的范围内。在一些情况下，多层阻焊结构108与之前的方法相比还增加了导电凸块103的高度，且因此从第一衬底101的上表面(例如，第一连接结构101c的上表面)到第二衬底106的下表面(或第二连接结构106c的下表面)所测量的导电凸块103的高度可例如介于大约20微米至大约600微米的范围内。该多层阻焊结构108从而允许导电凸块开口以限制导电凸块的桥接及/或短路的方式来容纳导电凸块103，进而提供与先前方法相比更高的良率及/或更好的可靠度。

图2A至图2B示出了半导体结构200的其他实施例，其中多层阻焊结构108包括第一层108a、第二层108b以及第三层108c。从图2A可以看出，在一些实施例中，在接合之前，半导体结构200包括第一衬底101，第一衬底101包括第一多个连接结构101c，第二衬底106包括第二多个连接结构106c。第一衬底101可包括第一连接结构101c上的预焊结构103p，第二衬底101也可包括第二连接结构106c上的预焊结构103p。当第一衬底101如图2B所示焊接到第二衬底106时，预焊结构103p再次合并形成导电凸块103，第一层108a、第二层108b以及第三层108c的介电材料再次防止及/或限制导电凸块103的桥接或短路现象发生。第一层108a具有第一宽度w_sr1，且在一些情况下可以在相邻连接结构101c的外围边缘上延伸。因此，第一层108a的介电材料具有定义第一层导电凸块开口的内边缘，该第一层导电凸块开口具有第一开口宽度w_b1，以容纳导电凸块103的基部。第二层108b的介电材料具有第二宽度w_sr2，第二宽度w_sr2小于第一宽度w_sr1。因此，第二层108b的介电材料具有定义第二层导电凸块开口的内边缘，该第二层导电凸块开口具有第二开口宽度w_b2，以容纳导电凸块103的中部或上部。第三层108c的介电材料具有第三宽度w_sr3，第三宽度w_sr3小于第二宽度w_sr2。因此，第三层108b的介电材料具有定义第三层导电凸块开口的内边缘，该第三层导电凸块开口具有第三开口宽度w_b3，以容纳导电凸块103的上部。在一些情况下，第二宽度w_sr2与第三宽度w_sr3的比率可介于大约1.1：1到大约2：1的范围内；第一宽度w_sr1与第三宽度w_sr3的比率可介于大约1.21：1到大约4：1的范围内。在一些情况下，第二开口宽度w_b2与第三开口宽度w_b3的比率可介于大约1：1.1到大约1：2的范围内；及/或第一开口宽度w_b1与第三开口宽度w_b3的比可介于大约1：1.21到大约1：4的范围内。多层阻焊结构108有助于限制及/或防止导电凸块103的桥接及/或短路。

尽管图1A至图1B以及图2A至图2B分别示出了两层结构及三层结构，但多层阻焊结构通常可以包括任意数量的层，这些层通常是锥形的，因此较低的层更宽(对应在较低层的高度处更窄的连接凸块开口)，而较高的层更窄(对应于在较高层的高度处更宽的连接凸块开口)。与以前的方法相比，这有助于导电凸块103的更可靠的形成与操作。

图3是包括根据本公开的各种实施例的多层阻焊结构的另一种半导体结构300的剖视图，并在后续的图式(例如，图4、图7、图10、图13、图16、图19、图24以及图29)中提供了与图3的半导体结构300大体上一致的更详细实施例的插图。在一些实施例中，半导体结构300包括第一衬底101与第二衬底106，第一管芯302与第二管芯320设置在第二衬底106之上。多个第一导电凸块103将第一衬底101耦合到第二衬底106，且多个第二导电凸块307将第一管芯302及/或第二管芯320耦合到第二衬底106并且可选地通过第二衬底106耦合到第一衬底101。也可存在第一底胶304与第二底胶309，而模制件305可定义半导体结构300的外部范围。

在一些实施例中，半导体结构300是半导体封装体。在一些实施例中，半导体结构300是基板上晶圆上芯片(CoWoS)封装结构。在一些实施例中，半导体结构300是集成电路上系统(SoIC)封装结构。在一些实施例中，半导体结构300是三维集成电路(3D IC)。

在一些实施例中，第一衬底101是半导体衬底。在一些实施例中，第一衬底101包括例如单晶硅、锗、镓、砷或其组合的半导体材料。在一些实施例中，第一衬底101是中介层或类似衬底，且在一些情况下第一衬底101可不具有有源半导体组件。在一些实施例中，第一衬底101是硅基板或硅中介层。中介层是一个芯片、基板或是连接件与另一芯片、基板或是连接件之间的电气接口布线(electrical interface routing)。中介层的目的是将连接扩展到更宽的间距或是将连接重新布线到不同的连接。在一些实施例中，第一衬底101包括有机材料。在一些实施例中，第一衬底101包括陶瓷、聚合物等。在其他实施例中，第一衬底101包括玻璃强化环氧树脂层压材料，且可包括具有环氧树脂黏合剂的编织玻璃纤维布；或者可包括酰胺(amide)。在一些实施例中，第一衬底101具有四边形、矩形、正方形、多边形或任何其他合适的形状。

在一些实施例中，第一多个导电垫101c设置在最靠近第二衬底106的第一衬底101上。第一导电垫101c包括例如铬、铜、金、钛、银、镍、钯、铝或钨等的导电材料。在一些实施例中，第一导电垫101c是可焊接表面且可用以当作接收第一导电凸块103的平台。

在一些实施例中，多个第一导电凸块103分别设置在第一衬底101与第二衬底106之间的多个第一导电垫101c上。在一些实施例中，第一导电凸块103具有圆柱形、球形或半球形。在一些实施例中，第一导电凸块103中的每一个是焊点、焊料凸块、焊球、球栅阵列(BGA)球、受控塌陷芯片连接(C4)凸块、微凸块等。在一些实施例中，第一导电凸块103中的每一个是导电柱或支柱。在一些实施例中，第一导电凸块103中的每一个包括金属，例如铅、锡、铜、金、镍等。

在一些实施例中，第二衬底106设置在第一多个导电凸块103之上，且可以是可选地不具有有源半导体组件的中介层，且其是第一衬底101与第一管芯302及/或第二管芯320之间并用于彼此连接的电气接口布线。此中介层的目的是将连接扩展到更宽的间距或是将连接重新布线到不同的连接。在一些实施例中，第二衬底106是半导体衬底。在一些实施例中，第二衬底106包括例如硅、锗、镓、砷或其组合的半导体材料。在一些实施例中，第二衬底106是硅基板。在一些实施例中，第二衬底106包括有机材料。在一些实施例中，第二衬底106包括树脂、环氧树脂、玻璃、陶瓷、聚合物等。在一些实施例中，第二衬底106具有四边形、矩形、正方形、多边形或任何其他合适的形状。

在一些实施例中，多个第二导电垫106c设置在第二衬底106的下表面上。在一些实施例中，多个第二导电垫106c分别通过第一导电凸块103分别耦合到多个第一导电垫101c。在一些实施例中，第二导电垫106c在第二衬底106上彼此分隔开。在一些实施例中，第二导电垫106c包括例如铬、铜、金、钛、银、镍、钯、钨等的导电材料。在一些实施例中，第二导电垫106c是可焊接表面且用以当作接收导电凸块的平台。

在一些实施例中，通孔106d设置在第二衬底106内。在一些实施例中，通孔106d延伸穿过第二衬底106。在一些实施例中，通孔106d包括例如铜、银、金、铝等的导电材料。在一些实施例中，通孔106d是镀通孔(plated through hole，PTH)。在一些实施例中，通孔106d与第二导电垫106c中的一个或多个电连接。在一些实施例中，通孔106d设置在第二导电垫106c中的两个之间。

在一些实施例中，第一管芯302与第二管芯320各自设置在第二衬底106的上方。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320是制造成具有预定功能的电路。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320包括适用于特定应用的多种电路。在一些实施例中，该电路包括各种组件，例如晶体管、电容器、电阻器、二极管等。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320是逻辑组件管芯、应用专用集成电路(ASIC)管芯、应用处理(AP)管芯、存储器管芯、高带宽存储器(HBM)管芯等。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320是芯片或封装体。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320具有四边形、矩形或正方形的顶部横截面(从图3中所示的半导体结构300的俯视图的横截面)。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320是包括四个

内核的CMOS芯片。在一些实施例中，第一管芯302包括硅基板313与内连结构312。在一些实施例中，第一管芯302及/或第二管芯320各自包括多个彼此堆叠的管芯，且堆叠的管芯通过多个连接件电连接。

在一些实施例中，多个第二导电凸块307将第一管芯302及/或第二管芯320接合至第二衬底106。在一些实施例中，第二导电凸块307设置在第二衬底106与第一管芯302之间。在一些实施例中，第二导电凸块307设置在第二衬底106与第二管芯320之间。在一些实施例中，第一管芯302通过第一导电凸块307电连接到第一衬底101。

在一些实施例中，第二导电凸块307中的每一个呈圆柱形、球形或半球形。在一些实施例中，第二导电凸块307各自是焊点、焊料凸块、焊球、球栅阵列(BGA)球、受控塌陷芯片连接(C4)凸块、微凸块等。在一些实施例中，第二导电凸块307是导电柱或支柱。在一些实施例中，第二导电凸块307包括例如铅、锡、铜、金、镍等金属。在一些实施例中，第二导电凸块307中的每一个是高度介于大约30微米到大约80微米的范围的微凸块，且在一些实施例中，微凸块的高度为50微米正负2微米。在一些实施例中，第二导电凸块307的高度小于第一导电凸块103的高度。

在一些实施例中，第一底胶材料304设置在第一衬底101之上且环绕及/或包封第一导电凸块103。在一些实施例中，第一底胶材料304直接接触第二衬底106的下表面，并填充在两个相邻的第一导电凸块103之间的空间。在一些实施例中，第一底胶材料304是用于保护第一导电凸块103或确保第一衬底101与第二衬底106之间的接合的电绝缘黏合剂。在一些实施例中，第一底胶材料304包括树脂、环氧树脂、模制化合物等。在一些实施例中，第一底胶材料304可包括单一均质成分，而在其他实施例中可包括具有不同材料成分的多个区域或层。

在一些实施例中，第二底胶材料309设置在第二衬底106之上并环绕第二导电凸块307与第一管芯302。在一些实施例中，第二底胶材料309设置在第一衬底101之上并环绕第二导电凸块307、第一管芯302以及第二管芯320。在一些实施例中，第二底胶材料309包封第二导电凸块307。在一些实施例中，第二底胶材料309与第二衬底106的上部、第一管芯302及/或第二管芯320的下表面以及第一管芯302及/或第二管芯320的部分侧壁接触。在一些实施例中，第二底胶材料309填充在两个相邻第二导电凸块307之间的空间。在一些实施例中，第二底胶材料309是用以保护第二导电凸块307或确保第二衬底106与第一管芯302及/或第二管芯320之间的接合的电绝缘黏合剂。在一些实施例中，第二底胶材料309包括树脂、环氧树脂、模制化合物等。在一些实施例中，第二底胶材料309可包括单一的同质成分，而在其他实施例中可包括具有不同材料成分的多个区域或层。

在一些实施例中，模制件(或模制材料)305设置在第一衬底101之上并环绕第二衬底106、第一管芯302以及第二管芯320。在一些实施例中，模制件305设置在第一衬底101之上并环绕第二衬底106，但不设置在第一管芯302与第二管芯320之上。在一些实施例中，模制件305设置在第一衬底101的上表面之上并环绕第二衬底305、第一管芯302、第二管芯320、第一底胶材料304以及第二底胶材料309。在一些实施例中，模制件305与第一管芯302的侧壁、第二管芯320的侧壁、第一底胶材料304的侧壁以及第一衬底101的上表面接触。在一些实施例中，模制件305可以是单层膜或复合叠层。在一些实施例中，模制件305包括各种材料，例如模制化合物、模制底胶、环氧树脂、树脂等。在一些实施例中，模制件305具有高热导率、低吸湿率以及高弯曲强度(flexural strength)。

在一些实施例中，多个第三导电凸块310设置在第一衬底101的下方。在一些实施例中，第三导电凸块310设置在第三导电垫101d处。在一些实施例中，第三导电凸块310呈圆柱形、球形或半球形。在一些实施例中，第三导电凸块310是焊点、焊料凸块、焊球、球栅阵列(BGA)球、受控塌陷芯片连接(C4)凸块、微凸块等。在一些实施例中，第三导电凸块310是导电柱或支柱。在一些实施例中，第三导电凸块310包括金属，例如铅、锡、铜、金、镍等。

第三导电凸块310将第一衬底101电耦合到印刷电路板325上的导电垫及/或导电迹线。印刷电路板325经组态为接收组件，例如积体芯片、散热器及/或离散组件，例如电容器、电阻器、电感器等；且包括位于机械结构中的导电特征，以将组件彼此耦合。导电特征包括铜迹线、焊垫或导电平面；机械结构由层压在导电材料层之间的绝缘材料所构成。

多层阻焊结构308设置在相邻的第一导电凸块103之间。该多层阻焊结构308由介电材料制成，并在第一衬底101上的不同高度处提供具有不同宽度的焊料凸块开口。通过限制或防止相邻的第一导电凸块103彼此短路或桥接，多层阻焊结构308提供比先前技术更好的良率及/或可靠度。在图3的示例中，多层阻焊结构308包括基部和基部上方的上部。下部(基部)具有向内渐窄以与上部相接的圆形侧壁，而上部也具有圆形上表面。该多层阻焊结构108从而形成开口以限制导电凸块的桥接及/或短路的方式容纳导电凸块103，进而提供与先前方法相比更高的良率及/或更好的可靠度。在一些情况下，第一底胶304接触多层阻焊结构308的上表面。

现在转而参照图4至图33，示出多层阻焊结构的数个不同实施例以插入到图3的结构中。应理解，所示出的多层阻焊结构仅仅只是非限制性示例，且其他变型亦可落入本公开的范围内。此外，这些实施例中的每一个示出了剖视图以及对应于剖视图中不同高度的数个俯视图，如下所示。

图4至图18示出了包括布置在第一层108a与第二层108b中的介电材料的各种两层阻焊结构的数个实施例。在这些实施例的每一个实施例中，第一层108a包括第一层导电凸块开口以容纳导电凸块103的基部，而第二层108b包括第二层导电凸块开口以容纳导电凸块103的中部或上部。第一层108a由第一介电材料制成或包括第一介电材料，第二层108b由第二介电材料制成或包括第二介电材料，第二介电材料可具有与第一介电材料相同的成分或可具有与第一介电材料不同的成分。此外，在这些实施例的每一个实施例中，定义出第一层导电凸块开口的第一层108a的内边缘与定义出第二层导电凸块开口的第二层108b的内边缘实质上同心。因此，第一层108a的内边缘实际上可以与第二层108b的内边缘同心，或者由于用于形成第一层108a与第二层108b的微影制程的对准失误而可能具有轻微偏置。此外，在图4至图18的每一个实施例中，第一层108a的第一介电材料可包括环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料，而第二层108b的第二介电材料可包括环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料。取决于实施方式，第一介电材料可具有与第二介电材料相同的成分或可具有与第二介电材料不同的成分。

更具体地说，图4至图6示出了两层阻焊结构的实施例的剖视图(例如，图4)与数个俯视图(例如，图5至图6)，两层阻焊结构包括排列在第一层108a与第二层108b中的介电材料。从图6可以看出，第一层108a是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部，而第二层108b是由第一介电材料制成的连续场域，第二介电材料是由第二层导电凸块开口拼接而成，该第二层导电凸块开口可容纳导电凸块103的中部或上部。第一层108a可具有介于20微米到500微米之间的第一宽度w_sr1，且可在第一多个连接结构101c的相邻连接结构的外围边缘上延伸。因此，第一层108a定义了具有第一开口宽度w_b1的第一层导电凸块开口，其可介于20微米到500微米之间，以容纳导电凸块103的基部。第二层108b可具有第二宽度w_sr2，第二宽度w_sr2小于第一宽度w_sr1，且第二宽度w_sr2可介于18微米到450微米之间。因此，第二层108b定义了具有第二开口宽度w_b2的第二层导电凸块开口，其可介于22微米到550微米之间，以容纳导电凸块103的中部或上部。

在一些情况下，多层阻焊结构108与之前的方法相比增加了导电凸块103的高度，且因此从第一衬底101的上表面(例如，第一连接结构101c的上表面)到第二衬底106的下表面(或第二连接结构106c的下表面)所测量的导电凸块103的高度可例如介于大约20微米至大约600微米的范围内。在图5至图6中，第一层导电凸块开口与第二层导电凸块开口均为圆形，但在其他实施例中它们可以是椭圆形、多边形或具有其他几何形状。此外，第一层108a的第一介电材料在最近的相邻第一导电凸块开口的边缘之间是连续的，第一层108a的第一介电材料是在最近的相邻第一导电凸块开口的边缘之间的单一连续材料，尽管在其他实施例中亦可以是多层材料。该多层阻焊结构108从而形成开口以限制导电凸块的桥接及/或短路的方式容纳导电凸块103，进而提供与先前方法相比更高的良率及/或更好的可靠度。

图7至图9示出了两层阻焊结构的另一个实施例的剖视图(例如，图7)与数个俯视图(例如，图8至图9)，两层阻焊结构包括排列在第一层108a与第二层108b中的介电材料。在一些实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(参照图9)。然而，如图8所示，在此实施例中，第二层108b包括一系列环，该系列环的内边缘与由第一层导电凸块开口定义的第一层的内边缘实质上同心。因此，第二层的环实际上可与第一层的内边缘同心，或者由于用于形成第一层108a与第二层108b的微影制程的对准失误而可能具有轻微偏置。第一层可具有介于20微米到500微米之间的第一宽度w_sr1，且可在第一多个连接结构101c的相邻连接结构的外围边缘上延伸。因此，第一层108a定义了具有第一开口宽度w_b1的第一层导电凸块开口，其可介于20微米到500微米之间，以容纳导电凸块103的基部。第二层108b可具有第二宽度w_sr2，第二宽度w_sr2小于第一宽度w_sr1，且第二宽度w_sr2可介于13微米至445微米之间。因此，第二层108b定义了具有第二开口宽度w_b2的第二层导电凸块开口，其可介于22微米到550微米之间，以容纳导电凸块103的中部或上部。

图10至图12示出了两层阻焊结构的另一个实施例的剖视图(例如，图10)与数个俯视图(例如，图11至图12)，两层阻焊结构包括排列在第一层108a与第二层108b中的介电材料。在此实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(参照图12)。如图11中可见，在此实施例中，第二层108b包括一系列环，该系列环的内边缘与由第一层导电凸块开口定义的第一层的内边缘实质上同心；但该系列环的外边缘是正方形。因此，第二层的环实际上可与第一层的内边缘同心，或者由于用于形成第一层108a与第二层108b的微影制程中的对准失误而可能具有轻微偏置。第一层108a可具有介于20微米到500微米之间的第一宽度w_sr1，且可在第一多个连接结构101c的相邻连接结构的外围边缘上延伸。因此，第一层108a定义了具有第一开口宽度w_b1的第一层导电凸块开口，其可介于20微米到500微米之间，以容纳导电凸块103的基部。第二层108b可具有第二宽度w_sr2，第二宽度w_sr2小于第一宽度w_sr1，且第二宽度w_sr2可介于13微米至445微米之间。因此，第二层108b定义了具有第二开口宽度w_b2的第二层导电凸块开口，其可介于22微米到550微米之间，以容纳导电凸块103的中部或上部。

图13至图15示出了两层阻焊结构的另一个实施例的剖视图(例如，图13)与数个俯视图(例如，图14至图15)，两层阻焊结构包括排列在第一层108a与第二层108b中的介电材料。在此实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(参照图15)。从图14中可以看出，在此实施例中，第二层108b包括一系列多边形，该系列多边形的内边缘与由第一层导电凸块开口定义的第一层的内边缘实质上同心；但该系列多边形的外边缘定义了多边形(于此是六边形)。第一层108a可具有介于20微米到500微米之间的第一宽度w_sr1，且可在第一多个连接结构101c的相邻连接结构的外围边缘上延伸。因此，第一层108a定义了具有第一开口宽度w_b1的第一层导电凸块开口，其可介于20微米到500微米之间，以容纳导电凸块103的基部。第二层108b可包括环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料，且具有小于第一宽度w_sr1的第二宽度w_sr2，且第二宽度w_sr2可介于13微米至445微米之间。因此，第二层108b定义了具有第二开口宽度w_b2的第二层导电凸块开口，其可介于22微米到550微米之间，以容纳导电凸块103的中部或上部。

图16至图18示出了两层阻焊结构的另一个实施例的剖视图(例如，图16)与数个俯视图(例如，图17至图18)，两层阻焊结构包括排列在第一层108a与第二层108b中的介电材料。在此实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(参照图18)。从图17中可以看出，在此实施例中，第二层108b包括一系列类似变形虫的形状，其内边缘与由第一层导电凸块开口定义的第一层108a的内边缘实质上同心；但其外边缘彼此不同。

图19至图33示出包括三层阻焊结构的各种半导体结构的数个实施例，该三层阻焊结构包括排列在第一层108a、第二层108b以及第三层108c中的介电材料。在这些实施例的每一个实施例中，第一层108a包括第一层导电凸块开口以容纳导电凸块103的基部，第二层108b包括第二层导电凸块开口以容纳导电凸块103中部，第三层108c包括第三层导电凸块开口以容纳导电凸块103的上部。第一层108a由第一介电材料制成或包括第一介电材料，第二层108b由第二介电材料制成或包括第二介电材料，第三层108c由第三介电材料制成或包括第三介电材料。第一介电材料可具有与第二介电材料相同的成分或可具有与第二介电材料不同的成分，第二介电材料可具有与第三介电材料相同的成分或者可具有与第三介电材料不同的成分，第一介电材料可具有与第三介电材料相同的成分或可具有与第三介电材料不同的成分。此外，在这些实施例中的每一个实施例中，定义第一层导电凸块开口的第一层108a的内边缘与定义第二层导电凸块开口的第二层108b的内边缘实质上同心，且与定义了第三层导电凸块开口的第三层108c实质上同心。因此，第一层108a的内边缘实际上可与第二层108b的内边缘同心，或者由于用于形成第一层108a与第二层108b的微影制程的对准失误而可能具有轻微偏置；而第三层108c的内边缘实际上可与第一层108a及/或第二层108b的内边缘同心，或者由于用于形成第三层108c与第一层108a及/或第二层108b的微影制程的对准失误而可能具有轻微偏置。此外，在图4至图18的每一个实施例中，第一层108a的第一介电材料可包括环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料，第二层108b的第二介电材料可包括环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料，且第三层108b的第三介电材料可包括环氧树脂、或聚合物、或聚酰亚胺、或任何介电材料。

更具体地说，图19至图23示出了包括具有三层阻焊结构的半导体结构。图19至图23包括剖视图(例如，图19)、示出彼此迭加的第一层108a、第二层108b以及第三层108c的俯视图(例如，图20)，以及数个俯视图以更清楚地单独示出第一层108a、第二层108b以及第三层108c的视角(例如，图20至图23)。在此实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(参照图23)。第二层108b也是由第二介电材料制成的连续场域，第二介电材料是由第二层导电凸块开口拼接而成，该第二层导电凸块开口容纳导电凸块103的中部(参照图22)。第三层108c是由第三介电材料制成的连续场域，第三介电材料是由第三层导电凸块开口拼接而成，该第三层导电凸块开口容纳导电凸块103的上部(见图21)。

图24至图28示出了半导体结构的另一个实施例，其包括具有三层的阻焊结构。图24至图28包括剖视图(例如，图24)、示出彼此迭加的第一层108a、第二层108b以及第三层108c的俯视图(例如，图25)，以及数个俯视图以更清楚地单独示出第一层108a、第二层108b以及第三层108c的视角(例如，图26至图28)。在此实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(参照图28)。第二层108b也是由第二介电材料制成的连续场域，第二介电材料是由第二层导电凸块开口拼接而成，该第二层导电凸块开口容纳导电凸块103的中部(参照图27)。第三层108c是由第三介电材料制成的连续场域，其包括容纳导电凸块103上部的圆环(参照图28)。尽管图24至图28示出了圆环，但是应当理解，方形环(例如之前在图10至图12中示出)、多边形环(例如之前在图13至图15中示出)及/或其他形状的环(例如在图16至图18中示出的类似变形虫的环)可以代替图24至图28所示的圆环，并且可落入本公开的范畴内。

图29至图33示出了半导体结构的另一个实施例，其包括具有三层的阻焊结构。图29至图33包括剖视图(例如，图29)、示出彼此迭加的第一层108a、第二层108b以及第三层108c的俯视图(例如，图30)，以及数个俯视图以更清楚地单独示出第一层108a、第二层108b以及第三层108c的视角(例如，图31至图33)。在此实施例中，第一层108a仍是由第一介电材料制成的连续场域，第一介电材料是由第一层导电凸块开口拼接而成，该第一层导电凸块开口容纳导电凸块103的基部(见图33)。第二层108b是由第二介电材料制成，第二介电材料包括容纳导电凸块103中部的圆环(参照图32)。第三层108c是由第三介电材料制成，第三介电材料包括容纳导电凸块103上部的圆环(参照图31)。尽管图29至图33示出了第二层108b与第三层108c的圆环，但应当理解，方形环(例如之前在图10至图12中示出)、多边形环(例如之前在图13至图15中示出)及/或其他形状的环(例如在图16至图18中示出的类似变形虫的环)可以代替图29至图33的第二层108b及/或第三层108c所示的圆环，并且可落入本公开的范畴内。

图34示出了半导体结构的又一实施例，其包括具有多层的阻焊结构。然而，在图34中，阻焊结构的第一层108a与第二层108b并未在每一个第一导电凸块103周围找到，而是将更高的层(例如第二层108b)位在预先确定为较易因衬底翘曲而导致“桥接”或短路的选定第一导电凸块之间的区域。更具体地说，在图34中，第一衬底106是翘曲的，这意味着它具有弯曲或偏离第一衬底大致对齐的平面的区域。这种翘曲可能会导致一些第一导电凸块103相对于其他第一导电凸块103被“挤压”或垂直压缩。举例来说，虽然第一导电凸块103'及103”可能具有相同的体积，但由于衬底106的翘曲，第一导电凸块103'会变得更短更宽，而第一导电凸块103”则会变得更高更窄。这种翘曲使得第一导电凸块103'容易与最近的相邻第一导电凸块短路，因此，为了减轻这种风险，多层阻焊结构108选择性地布置在这些容易桥接的第一导电凸块附近。因此，在该示例中，阻焊结构的第一层108a存在于所有相邻的第一导电凸块之间，而第二层108b仅形成在容易桥接的第一导电凸块之间。尽管图1至图33的先前实施例将各种多层阻焊结构示出为环绕布置在每一个第一导电凸块周围，但这些先前实施例中的任一个也可将多层阻焊结构仅布置在选定的第一导电凸块周围，而仅将阻焊结构的第一层108a布置在其他第一导电凸块周围。

一些实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括：第一衬底，其包含在第一衬底上彼此横向间隔开的第一多个导电垫。第一多个导电凸块分别设置在第一多个导电垫上。多层阻焊结构设置在第一衬底上且排列在第一多个导电垫之间。多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触第一多个导电凸块的侧壁以将第一多个导电凸块彼此分隔。

在一些实施例中，所述的半导体结构还包括：第二衬底，包含第二多个导电垫，所述第二多个导电垫在所述第二衬底上彼此横向间隔开，其中所述第一多个导电凸块将所述第二多个导电垫耦合到所述第一多个导电垫。在一些实施例中，所述多层阻焊结构的上表面与所述第二衬底的下表面间隔一间隙。在一些实施例中，所述的半导体结构还包括：模制材料，设置在所述第一衬底上并填充所述间隙。在一些实施例中，所述多层阻焊结构包括：第一层，包括第一介电材料且包括由所述第一层的内侧壁定义的第一导电凸块开口，所述第一层具有测量通过所述第一层的所述内侧壁之间的所述第一介电材料的第一宽度；以及第二层，包括第二介电材料且包括由所述第二层的内侧壁定义的第二导电凸块开口，所述第二层具有测量通过所述第二层的所述内侧壁之间的所述第二介电材料的第二宽度；其中所述第一宽度大于所述第二宽度。在一些实施例中，所述第一导电凸块开口与所述第二导电凸块开口实质上同心。在一些实施例中，所述多层阻焊结构包括：第一层，包括第一介电材料且包括由所述第一层的内侧壁定义的第一导电凸块开口，所述第一层具有测量通过所述第一层的所述内侧壁之间的所述第一介电材料的第一宽度；第二层，包括第二介电材料并且包括由所述第二层的内侧壁定义的第二导电凸块开口，所述第二层具有测量通过所述第二层的所述内侧壁之间的所述第二介电材料的第二宽度；以及第三层，包括第三介电材料并且包括由所述第三层的内侧壁定义的第三导电凸块开口，所述第三层具有测量通过所述第三层的所述内侧壁之间的所述第三介电材料的第三宽度；其中所述第一宽度大于所述第二宽度，且其中所述第二宽度大于第三宽度。在一些实施例中，所述第一导电凸块开口与所述第二导电凸块开口实质上同心且与所述第三导电凸块开口实质上同心。在一些实施例中，所述的半导体结构还包括：第一管芯，设置在所述第二衬底的第一部分上并通过第一多个微凸块连接到所述第二衬底；以及第二管芯，设置在所述第二衬底的第二部分上并通过第二多个微凸块连接到所述第二衬底。在一些实施例中，所述第一衬底是不具有有源半导体组件的中介层衬底。在一些实施例中，所述第二衬底是不具有有源半导体组件的第二中介层衬底。

其他实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括：第一衬底，其包含第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一管芯设置在第一衬底的第二表面上。第二管芯设置在第一衬底的第二表面上并与第一管芯相邻。多个第一导电凸块设置在第一衬底与第一管芯之间以及第一衬底与第二管芯之间。第二衬底设置在第一衬底的第一表面之下。多个第二导电凸块设置在第一衬底与第二衬底之间。多层阻焊结构设置在第一衬底上且排列在多个第一导电凸块之间。多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触多个第一导电凸块的侧壁以将多个第一导电凸块彼此分隔。

在一些实施例中，所述的半导体结构还包括：模制材料，设置在所述第一衬底的上方并环绕所述第一管芯、环绕所述第二管芯、环绕所述多个第一导电凸块以及环绕所述多个第二导电凸块。在一些实施例中，所述的半导体结构还包括：第一底胶材料，设置在所述第一衬底的上方并环绕所述多个第一导电凸块；以及第二底胶材料，设置在所述第二衬底的上方并环绕所述多个第二导电凸块。在一些实施例中，所述多层阻焊结构包括包含由多个第一导电凸块开口拼接而成的第一介电材料的层，其中所述层的内侧壁形成具有第一直径的第一圆，所述层的外侧壁形成具有第二直径的第二圆，所述第二直径大于所述第一直径，所述第二圆与所述第一圆同心，所述第一圆对应所述多个第一导电凸块开口中的一者。在一些实施例中，所述多层阻焊结构包括包含由多个第一导电凸块开口拼接而成的第一介电材料的层，其中所述层的内侧壁形成具有第一直径的第一圆，而所述层的外侧壁形成多边形，所述多边形的宽度大于所述第一直径，所述多边形与所述第一圆同心，且所述第一圆对应所述多个第一导电凸块开口中的一者。在一些实施例中，所述多边形是正方形。

又其他实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括：第一衬底，其包含在第一衬底上彼此横向间隔开的第一多个导电垫。第二衬底，其包含在第二衬底上彼此横向间隔开的第二多个导电垫。第一多个导电凸块分别设置在第一多个导电垫上。多层阻焊结构垂直分隔第一衬底与第二衬底，且横向分隔第一多个导电凸块中相邻的导电凸块。多层阻焊结构包含多个导电凸块开口，多个导电凸块开口在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度，且被第一多个导电凸块穿过，使得多层阻焊结构将第一多个导电凸块彼此分隔。

在一些实施例中，所述多层阻焊结构包括：第一层，包括第一介电材料且包括由所述第一层的内侧壁定义的第一导电凸块开口，所述第一层具有测量通过所述第一层的所述内侧壁之间的所述第一介电材料的第一宽度；以及第二层，包括第二介电材料且包括由所述第二层的内侧壁定义的第二导电凸块开口，所述第二层具有测量通过所述第二层的所述内侧壁之间的所述第二介电材料的第二宽度；其中所述第一宽度大于所述第二宽度。在一些实施例中，所述多层阻焊结构包括：第一层，包括第一介电材料且包括由所述第一层的内侧壁定义的第一导电凸块开口，所述第一层具有测量通过所述第一层的所述内侧壁之间的所述第一介电材料的第一宽度；第二层，包括第二介电材料并且包括由所述第二层的内侧壁定义的第二导电凸块开口，所述第二层具有测量通过所述第二层的所述内侧壁之间的所述第二介电材料的第二宽度；以及第三层，包括第三介电材料并且包括由所述第三层的内侧壁定义的第三导电凸块开口，所述第三层具有测量通过所述第三层的所述内侧壁之间的所述第三介电材料的第三宽度；其中所述第一宽度大于所述第二宽度，且其中所述第二宽度大于第三宽度。

以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。所属领域中的技术人员应知，其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，此种等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下在本文中作出各种改变、代替及变更。

Claims

1.一种半导体结构，包括：

第一衬底，包含第一多个导电垫，所述第一多个导电垫在所述第一衬底上彼此横向间隔开；

第一多个导电凸块，分别设置在所述第一多个导电垫上；以及

多层阻焊结构，设置在所述第一衬底上且排列在所述第一多个导电垫之间，所述多层阻焊结构在所述第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触所述第一多个导电凸块的侧壁以将所述第一多个导电凸块彼此分隔。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二衬底，包含第二多个导电垫，所述第二多个导电垫在所述第二衬底上彼此横向间隔开，其中所述第一多个导电凸块将所述第二多个导电垫耦合到所述第一多个导电垫。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层阻焊结构包括：

第一层，包括第一介电材料且包括由所述第一层的内侧壁定义的第一导电凸块开口，所述第一层具有测量通过所述第一层的所述内侧壁之间的所述第一介电材料的第一宽度；以及

第二层，包括第二介电材料且包括由所述第二层的内侧壁定义的第二导电凸块开口，所述第二层具有测量通过所述第二层的所述内侧壁之间的所述第二介电材料的第二宽度；

其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一导电凸块开口与所述第二导电凸块开口实质上同心。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多层阻焊结构包括：

第一层，包括第一介电材料且包括由所述第一层的内侧壁定义的第一导电凸块开口，所述第一层具有测量通过所述第一层的所述内侧壁之间的所述第一介电材料的第一宽度；

第二层，包括第二介电材料并且包括由所述第二层的内侧壁定义的第二导电凸块开口，所述第二层具有测量通过所述第二层的所述内侧壁之间的所述第二介电材料的第二宽度；以及

第三层，包括第三介电材料并且包括由所述第三层的内侧壁定义的第三导电凸块开口，所述第三层具有测量通过所述第三层的所述内侧壁之间的所述第三介电材料的第三宽度；

其中所述第一宽度大于所述第二宽度，且其中所述第二宽度大于第三宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一导电凸块开口与所述第二导电凸块开口实质上同心且与所述第三导电凸块开口实质上同心。

7.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

第一管芯，设置在所述第二衬底的第一部分上并通过第一多个微凸块连接到所述第二衬底；以及

第二管芯，设置在所述第二衬底的第二部分上并通过第二多个微凸块连接到所述第二衬底。

8.一种半导体结构，包括：

第一衬底，包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一管芯，设置在所述第一衬底的所述第二表面上；

第二管芯，设置在所述第一衬底的所述第二表面上并与所述第一管芯相邻；

多个第一导电凸块，设置在所述第一衬底与所述第一管芯之间以及所述第一衬底与所述第二管芯之间；

第二衬底，设置在所述第一衬底的所述第一表面之下；

多个第二导电凸块，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；以及

多层阻焊结构，设置在所述第一衬底上且排列在所述多个第一导电凸块之间，所述多层阻焊结构在所述第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触所述多个第一导电凸块的侧壁以将所述多个第一导电凸块彼此分隔。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：

模制材料，设置在所述第一衬底的上方并环绕所述第一管芯、环绕所述第二管芯、环绕所述多个第一导电凸块以及环绕所述多个第二导电凸块。

10.一种半导体结构，包括：

第二衬底，包含第二多个导电垫，所述第二多个导电垫在所述第二衬底上彼此横向间隔开；

多层阻焊结构，垂直分隔所述第一衬底与所述第二衬底，且横向分隔所述第一多个导电凸块中相邻的导电凸块，所述多层阻焊结构包含多个导电凸块开口，所述多个导电凸块开口在所述第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度，且被所述第一多个导电凸块穿过，使得所述多层阻焊结构将所述第一多个导电凸块彼此分隔。