CN115224927A - 基于斜率控制的驱动电路及芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于斜率控制的驱动电路及芯片,驱动电路包括:开关管、控制电路以及反馈电路。控制电路与开关管的控制端相连,控制电路用于根据输入电压提供开启开关管的控制电压。反馈电路与控制电路和开关管相连,反馈电路用于根据开关管的输出电压的上升或者下降速率,自适应调节控制电压的大小以控制输出电压的斜率。本发明的基于斜率控制的驱动电路及芯片,通过控制电路提供开启开关管的控制电压,通过反馈电路根据开关管的输出电压的上升或者下降速率,自适应调节控制电压的大小以控制输出电压的斜率,从而优化输出斜率控制,减小过充,提高信号完整性,同时满足以上要求的基础上能够得到更快的电平切换速率。
Description
技术领域
本发明是关于集成电路领域,特别是关于一种基于斜率控制的驱动电路及芯片。
背景技术
具有斜率控制的输出驱动电路在通信及其他应用领域有广泛的应用,通常需要输出电平切换能够有尽量小的过充,在满足一定的信号完整性要求的基础上,同时希望得到更快的切换速率。因此有必要提供一种基于斜率控制的驱动电路。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于斜率控制的驱动电路及芯片,其能够得到更快的切换速率,更小的过充以及更好的信号完整性。
为实现上述目的,本发明的实施例提供了一种基于斜率控制的驱动电路,包括:开关管、控制电路以及反馈电路。
控制电路与开关管的控制端相连,控制电路用于根据输入电压提供开启开关管的控制电压。反馈电路与控制电路和开关管相连,反馈电路用于根据开关管的输出电压的上升或者下降速率,自适应调节控制电压的大小以控制输出电压的斜率。
在本发明的一个或多个实施例中,所述控制电路包括若干反相器,所述反相器包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管和第二MOS管的栅极相连形成输入端,所述第一MOS管和第二MOS管的漏极相连形成连接开关管的控制端的输出端,所述第一MOS管的源极与第一电压相连,所述第二MOS管的源极与第二电压相连。
在本发明的一个或多个实施例中,所述反馈电路包括电容,所述电容的第一端与开关管的控制端相连,所述电容的第二端与开关管的第一端相连。
在本发明的一个或多个实施例中,所述反馈电路包括电容和电阻,所述电容的第一端与开关管的控制端相连,所述电容的第二端与开关管的第一端相连,所述电阻的第一端与开关管的控制端以及第一MOS管的漏极相连,所述电阻的第二端与第二MOS管的漏极相连。
在本发明的一个或多个实施例中,所述电容为MOM电容、MIM电容或者开关管的控制端和第一端之间的寄生电容。
在本发明的一个或多个实施例中,所述开关管包括第一开关管和第二开关管,所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路,所述第一控制电路和第二控制电路的输出端分别与第一开关管和第二开关管的控制端相连,所述第一开关管和第二开关管的第一端相连以输出电压。
在本发明的一个或多个实施例中,所述驱动电路还包括非交叠控制电路,所述非交叠控制电路与第一开关管和第二开关管的控制端以及第一控制电路和第二控制电路的输入端相连,用于根据第一开关管和第二开关管的控制端的控制电压以控制第一控制电路和第二控制电路驱动第一开关管和第二开关管,防止第一开关管和第二开关管同时开启。
在本发明的一个或多个实施例中,所述非交叠控制电路包括与非门、与门和非门,所述与非门的第一输入端与输入电压相连,所述与非门的输出端与第一控制电路的输入端相连,所述与门的第一输入端与输入电压相连,所述与门的输出端与第二控制电路的输入端相连;
所述与非门的第二输入端与非门的输出端相连,所述非门的输入端与第二开关管的控制端相连,所述与门的第二输入端与第一开关管的控制端相连,或者所述与门的第二输入端与非门的输出端相连,所述非门的输入端与第一开关管的控制端相连,所述与非门的第二输入端与第二开关管的控制端相连。
在本发明的一个或多个实施例中,所述非交叠控制电路还包括第一电平转换电路和第二电平转换电路;
若所述非门的输出端与与非门的第二输入端相连,则所述非门的输出端通过第二电平转换电路与第二开关管的控制端相连,所述与门的第二输入端通过第一电平转换电路与第一开关管的控制端相连;
若所述非门的输出端与与门的第二输入端相连,则所述非门的输出端通过第一电平转换电路与第一开关管的控制端相连,所述与非门的第二输入端通过第二电平转换电路与第二开关管的控制端相连。
本发明还公开了一种芯片,包括所述的基于斜率控制的驱动电路。
与现有技术相比,根据本发明的基于斜率控制的驱动电路及芯片,通过控制电路提供开启开关管的控制电压,通过反馈电路根据开关管的输出电压的上升或者下降速率,自适应调节控制电压的大小以控制输出电压的斜率,从而优化输出斜率控制,减小过充,提高信号完整性,同时满足以上要求的基础上能够得到更快的电平切换速率。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的基于斜率控制的驱动电路的系统图。
图2是根据本发明一实施例的基于斜率控制的驱动电路的第一电路原理图。
图3是根据本发明一实施例的基于斜率控制的驱动电路的第二电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的具体实施例进行详细描述,但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施例的限制。
除非另有其它明确表示,否则在整个说明书和权利要求书中,术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分,而并未排除其它元件或其它组成部分。
应当理解,在以下的描述中,“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件,或与另一元件“相连”,或称元件/电路“连接在”两个节点之间时,它可以直接耦合或连接到另一元件或者可以存在中间元件,元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的、或者其结合。相反,当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时,意味着两者不存在中间元件。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
实施例1
如图1和图2所示,一种基于斜率控制的驱动电路,包括:开关管、控制电路以及反馈电路。
在本实施例中,开关管设置有两个,分别为第一开关管PM和第二开关管NM。控制电路设置有两个,分别为第一控制电路11和第二控制电路12。反馈电路设置有两个,分别为第一反馈电路21和第二反馈电路22。
在其他实施中,开关管可以只设置一个或者三个以上;控制电路对应的也可以只设置一个或者三个以上;反馈电路对应的也可以只设置一个或者三个以上;另外,一个控制电路也可以同时控制两个以上的开关管;一个反馈电路也可以控制两个以上的开关管输出电压的斜率。
如图1和图2所示,第一开关管PM和第二开关管NM的第一端相连以输出电压VOUT,第一开关管PM和第二开关管NM的第一端相连且同时连接滤波电容Cout。第一开关管PM的第二端连接第一电压VDDH,第二开关管NM的第二端连接第四电压VDDL。在本实施例中,第一开关管PM为P沟道MOS管,第二开关管NM为N沟道MOS管。第一开关管PM和第二开关管NM的第一端均为漏极,第一开关管PM和第二开关管NM的第二端均为源极,第一开关管PM和第二开关管NM的控制端均为栅极。在其他实施例中,N沟道MOS管和P沟道MOS管可以互换,第一开关管PM和第二开关管NM也可以为三极管等其他类型的开关管。
第一开关管PM的控制端与第一控制电路11的输出端相连,第二开关管NM的控制端与第二控制电路12的输出端相连。第一控制电路11根据输入电压能够输出开启第一开关管PM的第一控制电压;第二控制电路12根据输入电压能够输出开启第二开关管NM的第二控制电压。通过第一控制电路11和第二控制电路12的轮流开启第一开关管PM和第二开关管NM,使得输出电压VOUT在低电平和高电平之间翻转。
如图2所示,第一控制电路11包括若干第一反相器111,第一反相器111可以选择采用多个进行串联,串联的多个第一反相器111也形成了缓冲器。其中,每个第一反相器111包括第一MOS管M1和第二MOS管M2。第一MOS管M1和第二MOS管M2的栅极相连形成输入端,第一MOS管M1和第二MOS管M2的漏极相连形成输出端,第一MOS管M1的源极与第一电压VDDH相连,第二MOS管M2的源极与第二电压VDDH1相连。在本实施例中,第一MOS管M1为P沟道MOS管,第二MOS管M2为N沟道MOS管。在其他实施中,第一MOS管M1可以为N沟道MOS管,第二MOS管M2可以为P沟道MOS管。
如图2所示,第二控制电路12包括若干第二反相器112,第二反相器112可以选择采用多个进行串联,串联的多个第二反相器112也形成了缓冲器。其中,每个第二反相器112包括第三MOS管M3和第四MOS管M4。第三MOS管M3和第四MOS管M4的栅极相连形成输入端,第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极相连形成输出端,第三MOS管M3的源极与第三电压VDDL1相连,第四MOS管M4的源极与第四电压VDDL相连。在本实施例中,第三MOS管M3为P沟道MOS管,第四MOS管M4为N沟道MOS管。在其他实施中,第三MOS管M3可以为N沟道MOS管,第四MOS管M4可以为P沟道MOS管。
如图2所示,第一反馈电路21用于根据第一开关管PM输出电压的上升速率,自适应调节第一控制电压的大小以控制输出电压VOUT从低电平翻转至高电平的上升斜率。
在选择多个第一反相器111时,第一反馈电路21与最后一个与第一开关管PM的控制端相连的第一反相器111相连。具体的,第一反馈电路21包括第一电容CPM和第一电阻RPM。第一电容CPM的第一端与第一开关管PM的控制端相连,第一电容CPM的第二端与第一开关管PM的第一端相连。第一电阻RPM的第一端与第一开关管PM的控制端以及第一MOS管M1的漏极相连,第一电阻RPM的第二端与第二MOS管M2的漏极相连。在其他实施例中,第一电阻RPM可以连接于第二MOS管M2的源极与第二电压VDDH1之间。
上述自适应调节体现在于,当第一开关管PM被开启时,第一开关管PM的第一端的输出电压VOUT会从低电平翻转至高电平。此时第一开关管PM的第一端的电流上升,也同时向第一电容CPM充电,并经第一电容CPM流过第一电阻RPM从而带来第一开关管PM的控制端的第一控制电压的变化。
当从低电平翻转至高电平的速率过快,导致流过第一电阻RPM的电流变大的速率也变快,第一开关管PM的控制端的第一控制电压也快速升高,从而带来第一开关管PM的导通能力减弱,继而降低第一开关管PM的第一端的输出电压VOUT从低电平翻转至高电平的速率;反之,当低电平翻转至高电平的速率过慢时,第一开关管PM的控制端的第一控制电压的升高速度也变慢,从而带来第一开关管PM的导通能力变强,继而提高第一开关管PM的第一端的输出电压VOUT从低电平翻转至高电平的速率。最终达到自适应调节低电平翻转至高电平的上升斜率的目的。
如图2所示,第二反馈电路22用于根据第二开关管NM输出电压的下降速率,自适应调节第二控制电压的大小以控制输出电压VOUT从高电平翻转至低电平的下降斜率。
在选择多个第二反相器112时,第二反馈电路22与最后一个与第二开关管NM的控制端相连的第二反相器112相连。具体的,第二反馈电路22包括第二电容CNM和第二电阻RNM。第二电容CNM的第一端与第二开关管NM的控制端相连,第二电容CNM的第二端与第二开关管NM的第一端相连。第二电阻RNM的第一端与第二开关管NM的控制端以及第四MOS管M4的漏极相连,第二电阻RNM的第二端与第三MOS管M3的漏极相连。在其他实施例中,第二电阻RNM可以连接于第三MOS管M3的源极与第三电压VDDL1之间。
上述自适应调节体现在于,当第二开关管NM被开启时,第二开关管NM的第一端的输出电压VOUT会从高电平翻转至低电平。此时第二开关管NM的第一端的电流上升也同时给第二电容CNM放电,并经第二电容CNM流过第二电阻RNM从而带来第二开关管NM的控制端的第二控制电压的变化。
当从高电平翻转至低电平的速率过快,导致流过第二电阻RNM的电流变大的速率也变快,第二开关管NM的控制端的第二控制电压升高速度降低,从而带来第二开关管NM的导通能力减弱,继而降低第二开关管NM的第一端的输出电压VOUT从高电平翻转至低电平的速率;反之,当高电平翻转至低电平的速率过慢时,第二开关管NM的控制端的第二控制电压的升高速度也加快,从而带来第二开关管NM的导通能力也变强,继而提高第二开关管NM的第一端的输出电压VOUT从高电平翻转至低电平的速率。最终达到自适应调节高电平翻转至低电平的下降斜率的目的。
在本实施例中,第一电容CPM为MOM电容、MIM电容或者第一开关管PM的控制端和第一端之间的寄生电容。第二电容CNM为MOM电容、MIM电容或者第二开关管NM的控制端和第一端之间的寄生电容。
在本实施例中,通过选择导通电阻合理的第二MOS管M2和第三MOS管M3,使得输出电压VOUT的边沿斜率分别由第一电容CPM和第一电阻RPM时间常数以及第二电容CNM和第二电阻RNM时间常数决定。
另外,如图3所示,驱动电路还包括非交叠控制电路30,非交叠控制电路30与第一开关管PM和第二开关管NM的控制端以及第一控制电路11和第二控制电路12的输入端相连,非交叠控制电路30用于根据第一开关管PM的控制端的第一控制电压以控制第一控制电路11以及根据第二开关管NM的控制端的第二控制电压以控制第二控制电路12,使得在第一开关管PM开启时,保证第二开关管NM处于关闭状态,在第二开关管NM开启时,保证第一开关管PM处于关闭状态,从而防止第一开关管PM和第二开关管NM同时开启。
如图3所示,非交叠控制电路30包括与非门N1、与门N2、非门N3、第一电平转换电路41和第二电平转换电路42。在本实施例中,由于第一开关管PM为P沟道MOS管,第二开关管NM为N沟道MOS管,所以与非门N1的第一输入端与输入电压相连,与非门N1的第二输入端与非门N3的输出端相连,非门N3的输入端通过第二电平转换电路42与第二开关管NM的控制端相连,与非门N1的输出端与第一控制电路11的输入端相连。与门N2的第一输入端与输入电压相连,与门N2的第二输入端通过第一电平转换电路41与第一开关管PM的控制端相连,与门N2的输出端与第二控制电路12的输入端相连。
在本实施例中,在第一开关管PM开启时,则第一开关管PM的控制端的第一控制电压通过第一电平转换电路41转换成低电平信号,从而将与门N2的输入端锁住,防止第二开关管NM再受到输入电压的变化而导通;在第二开关管NM开启时,则第二开关管NM的控制端的第二控制电压通过第二电平转换电路42转换成高电平信号并经过非门N3转变成低电平信号,从而将与非门N1的输入端锁住,防止第一开关管PM再受到输入电压的变化而导通。
本发明还公开了一种芯片,包括上述的基于斜率控制的驱动电路。
实施例2
本实施例和实施例1的区别在于,去除了第一反馈电路21中的第一电阻RPM以及第二反馈电路22中的第二电阻RNM,通过选择导通电阻较大的第二MOS管M2和第三MOS管M3,使得输出电压VOUT的边沿斜率分别由第一电容CPM和第二MOS管M2的导通电阻时间常数以及第二电容CNM和第三MOS管M3的导通电阻时间常数决定。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式,并且很显然,根据上述教导,可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用,从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
Claims (10)
1.一种基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,包括:
开关管;
控制电路,与开关管的控制端相连,用于根据输入电压提供开启开关管的控制电压;以及
反馈电路,与控制电路和开关管相连,用于根据开关管的输出电压的上升或者下降速率,自适应调节控制电压的大小以控制输出电压的斜率。
2.如权利要求1所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述控制电路包括若干反相器,所述反相器包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管和第二MOS管的栅极相连形成输入端,所述第一MOS管和第二MOS管的漏极相连形成连接开关管的控制端的输出端,所述第一MOS管的源极与第一电压相连,所述第二MOS管的源极与第二电压相连。
3.如权利要求1所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述反馈电路包括电容,所述电容的第一端与开关管的控制端相连,所述电容的第二端与开关管的第一端相连。
4.如权利要求2所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述反馈电路包括电容和电阻,所述电容的第一端与开关管的控制端相连,所述电容的第二端与开关管的第一端相连,所述电阻的第一端与开关管的控制端以及第一MOS管的漏极相连,所述电阻的第二端与第二MOS管的漏极相连。
5.如权利要求3或4所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述电容为MOM电容、MIM电容或者开关管的控制端和第一端之间的寄生电容。
6.如权利要求1所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述开关管包括第一开关管和第二开关管,所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路,所述第一控制电路和第二控制电路的输出端分别与第一开关管和第二开关管的控制端相连,所述第一开关管和第二开关管的第一端相连以输出电压。
7.如权利要求6所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括非交叠控制电路,所述非交叠控制电路与第一开关管和第二开关管的控制端以及第一控制电路和第二控制电路的输入端相连,用于根据第一开关管和第二开关管的控制端的控制电压以控制第一控制电路和第二控制电路驱动第一开关管和第二开关管,防止第一开关管和第二开关管同时开启。
8.如权利要求7所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述非交叠控制电路包括与非门、与门和非门,所述与非门的第一输入端与输入电压相连,所述与非门的输出端与第一控制电路的输入端相连,所述与门的第一输入端与输入电压相连,所述与门的输出端与第二控制电路的输入端相连;
所述与非门的第二输入端与非门的输出端相连,所述非门的输入端与第二开关管的控制端相连,所述与门的第二输入端与第一开关管的控制端相连,或者所述与门的第二输入端与非门的输出端相连,所述非门的输入端与第一开关管的控制端相连,所述与非门的第二输入端与第二开关管的控制端相连。
9.如权利要求8所述的基于斜率控制的驱动电路,其特征在于,所述非交叠控制电路还包括第一电平转换电路和第二电平转换电路;
若所述非门的输出端与与非门的第二输入端相连,则所述非门的输出端通过第二电平转换电路与第二开关管的控制端相连,所述与门的第二输入端通过第一电平转换电路与第一开关管的控制端相连;
若所述非门的输出端与与门的第二输入端相连,则所述非门的输出端通过第一电平转换电路与第一开关管的控制端相连,所述与非门的第二输入端通过第二电平转换电路与第二开关管的控制端相连。
10.一种芯片,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的基于斜率控制的驱动电路。
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Cited By (1)
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| CN209267542U (zh) * | 2018-12-29 | 2019-08-16 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 斜率控制开关电路及电子设备 |
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2022
- 2022-08-09 CN CN202210951979.5A patent/CN115224927A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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