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CN115055439A - 一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法 - Google Patents

一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法 Download PDF

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CN115055439A
CN115055439A CN202210714677.6A CN202210714677A CN115055439A CN 115055439 A CN115055439 A CN 115055439A CN 202210714677 A CN202210714677 A CN 202210714677A CN 115055439 A CN115055439 A CN 115055439A
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CN
China
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wafer
cleaning
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solution
main cleaning
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Application number
CN202210714677.6A
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English (en)
Inventor
李思汗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
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    • H10P70/27—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect

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  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract

本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，晶圆的上表面已完成后段工艺；后段工艺包括形成通孔的刻蚀及形成铜互连结构；对晶圆的上下表面进行预清洗，以去除晶圆上下表面的静电；利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第一主清洗，利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；利用去离子水对晶圆的上表面进行第三主清洗，时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；利用去离子水对晶圆上表面进行第三主清洗，时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。本发明通过改进湿法刻蚀工艺来改善聚合物残留导致的缺陷，DICO2预清洗可使电荷释放从而加强后续UDHF的主清洗能力，并且主清洗增强了清洗能力，使得聚合物更容易去除。

Description

一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法。
背景技术
在晶圆制造过程中，在后段金属填充后的站点常出现晶圆中心分布有聚合物残留导致的缺陷,这种缺陷是由于第一金属层形成后的湿法清洗导致的。若聚合物残留存在于沟槽处可能会造成铜线缺失。
因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，用于解决现有技术中由于的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，至少包括：
步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段刻蚀；
步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；
步骤三、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；
步骤四、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；
步骤五、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；
步骤六、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。
优选地，步骤二中的所述预清洗的清洗液为DICO2，所述DICO2为混合有二氧化碳的去离子水。
优选地，步骤二中的所述预清洗的过程中，所述清洗液从所述晶圆的边缘喷洒。
优选地，步骤二中的所述预清洗的时间为5s。
优选地，步骤三中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。
优选地，步骤三中的所述第一主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的边缘喷洒。
优选地，步骤三中的所述第一主清洗的清洗时间为80s。
优选地，步骤四中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。
优选地，步骤四中的所述第二主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的中央进行喷洒。
优选地，步骤四中的所述第二主清洗的清洗时间为160s。
如上所述，本发明的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，具有以下有益效果：本发明通过改进湿法刻蚀工艺来改善聚合物残留导致的缺陷，在先的DICO2预清洗从晶圆边边缘喷洒，之后进行主清洗。DICO2预清洗可以使电荷释放从而加强后续UDHF的主清洗能力，并且两步主清洗更加增强了清洗能力，使得聚合物更容易去除。
附图说明
图1显示为本发明改善后段刻蚀后聚合物残留的方法流程图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，如图1所示，图1显示为本发明改善后段刻蚀后聚合物残留的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段工艺；所述后段工艺包括形成通孔的刻蚀以及形成铜互连结构；也就是说，本发明中的所述晶圆的上表面为正面，用于形成器件结构。下表面为背面。
步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；
本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述预清洗的清洗液为DICO2，所述DICO2为混合有二氧化碳的去离子水。也就是说，本实施例中用混合有二氧化碳的去离子水对所述晶圆进行预清洗。
本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述预清洗的过程中，所述清洗液从所述晶圆的边缘喷洒。也就是说，该步骤二中利用混合有二氧化碳的去离子水对所述晶圆的正面和反面的边缘进行喷洒，用于对晶圆去除静电。
本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述预清洗的时间为5s。
步骤三、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；
本发明进一步地，本实施例的步骤三中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。
本发明进一步地，本实施例的步骤三中的所述第一主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的边缘喷洒。
本发明进一步地，本实施例的步骤三中的所述第一主清洗的清洗时间为80s。
步骤四、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；
本发明进一步地，本实施例的步骤四中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。
本发明进一步地，本实施例的步骤四中的所述第二主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的中央进行喷洒。
本发明进一步地，本实施例的步骤四中的所述第二主清洗的清洗时间为160s。
步骤五、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；
步骤六、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。
综上所述，本发明通过改进湿法刻蚀工艺来改善聚合物残留导致的缺陷，在先的DICO2预清洗从晶圆边边缘喷洒，之后进行主清洗。DICO2预清洗可以使电荷释放从而加强后续UDHF的主清洗能力，并且两步主清洗更加增强了清洗能力，使得聚合物更容易去除。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段工艺；所述后段工艺包括形成通孔的刻蚀以及形成铜互连结构；
步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；
步骤三、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；
步骤四、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；
步骤五、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；
步骤六、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。
2.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的清洗液为DICO2，所述DICO2为混合有二氧化碳的去离子水。
3.根据权利要求2所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的过程中，所述清洗液从所述晶圆的边缘喷洒。
4.根据权利要求3所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的时间为5s。
5.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。
6.根据权利要求5所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的边缘喷洒。
7.根据权利要求6所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一主清洗的清洗时间为80s。
8.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。
9.根据权利要求8所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述第二主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的中央进行喷洒。
10.根据权利要求9所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述第二主清洗的清洗时间为160s。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270403A (ja) * 1997-03-20 1998-10-09 Samsung Electron Co Ltd 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法
TWI220060B (en) * 2001-05-10 2004-08-01 Macronix Int Co Ltd Cleaning method of semiconductor wafer
CN101089734A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶残留物的清洗方法
CN101894735A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨后残留物的去除方法
CN102157368A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨的残留物去除方法
CN109326500A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 上海新昇半导体科技有限公司 一种半导体晶圆的清洗方法
CN111009458A (zh) * 2019-12-25 2020-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN113140445A (zh) * 2021-03-18 2021-07-20 上海华力集成电路制造有限公司 后段刻蚀后清洗方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270403A (ja) * 1997-03-20 1998-10-09 Samsung Electron Co Ltd 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法
TWI220060B (en) * 2001-05-10 2004-08-01 Macronix Int Co Ltd Cleaning method of semiconductor wafer
CN101089734A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶残留物的清洗方法
CN101894735A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨后残留物的去除方法
CN102157368A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨的残留物去除方法
CN109326500A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 上海新昇半导体科技有限公司 一种半导体晶圆的清洗方法
CN111009458A (zh) * 2019-12-25 2020-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN113140445A (zh) * 2021-03-18 2021-07-20 上海华力集成电路制造有限公司 后段刻蚀后清洗方法

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