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CN115000240A - 隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及钝化接触电池 - Google Patents

隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及钝化接触电池 Download PDF

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CN115000240A CN202210575851.3A CN202210575851A CN115000240A CN 115000240 A CN115000240 A CN 115000240A CN 202210575851 A CN202210575851 A CN 202210575851A CN 115000240 A CN115000240 A CN 115000240A
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Abstract

本发明提供一种隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及一种隧穿氧化层钝化接触电池。该制备方法包括：提供硅基底，该硅基底具有相对的正面和背面；在硅基底的正面依次形成第一掺杂层、第一钝化层和第二钝化层，第一掺杂层与所述硅基底组成PN结；以及，在硅基底的背面依次形成隧穿氧化层、第二掺杂层和第三钝化层，其中，在形成隧穿氧化层的氧化过程中，利用包括氧气和惰性气体的混合气体形成隧穿氧化层。本发明的隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法在氧化过程中使用包括惰性气体和氧气的混合气体制备隧穿氧化层，具有调整隧穿氧化层的致密度并获得具有理想致密度的隧穿氧化层的优点，有利于多数载流子的选择性移动。

Description

隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及钝化接触电池
技术领域
本发明主要涉及太阳能电池生产制造领域，具体地涉及一种隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及一种隧穿氧化层钝化接触电池。
背景技术
在化石能源日益耗尽、环境污染不断加重的今天，太阳能将与其他新型能源一起成为石油、煤、天然气等不可再生能源的理想补充和替代能源。其中，光伏领域中的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)电池凭借光电转化效率高、衰减低、与现有光伏产品生产线兼容性高等诸多优点脱颖而出。
TOPCon电池在制备过程中需要形成一层隧穿氧化层。隧穿氧化层的致密度、均匀性以及厚度对TOPCon电池的性能参数有着较大的影响。以往的经验认为，致密的隧穿氧化层可在硅片表面形成良好的氧化钝化，所以在制备隧穿氧化层时，倾向于尽可能地获得致密度较高的隧穿氧化层。本发明发现隧穿氧化层的致密度对多数载流子的选择性移动有着较大的影响，较高致密度的隧穿氧化层不利于多数载流子的选择性移动。
所以，如何制备具有理想致密度的隧穿氧化层是亟待解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法，该方法可制备有利于多数载流子选择性移动的隧穿氧化层。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法，包括提供硅基底，所述硅基底具有相对的正面和背面；在所述硅基底的正面依次形成第一掺杂层、第一钝化层和第二钝化层，所述第一掺杂层与所述硅基底组成PN结；以及，在所述硅基底的背面依次形成隧穿氧化层、第二掺杂层和第三钝化层，其中，在形成所述隧穿氧化层的氧化过程中，利用包括氧气和惰性气体的混合气体形成所述隧穿氧化层。
在本发明的一实施例中，所述第二钝化层的材料包括氮化硅和/或氧化硅。
在本发明的一实施例中，所述第二钝化层为多层，所述多层第二钝化层之间的折射率不同。
在本发明的一实施例中，所述隧穿氧化层的材料包括氧化硅。
在本发明的一实施例中，所述隧穿氧化层的厚度为1-3nm。
在本发明的一实施例中，采用热氧化法制备所述隧穿氧化层。
在本发明的一实施例中，所述氧化过程包括第一氧化阶段和第二氧化阶段，其中，在所述第一氧化阶段通入所述混合气体，在所述第二氧化阶段不通入气体。
在本发明的一实施例中，所述惰性气体占所述混合气体的体积百分比为2％-8％。
在本发明的一实施例中，所述第一氧化阶段的温度为590-620℃，持续时间为2-8分钟。
在本发明的一实施例中，所述第二氧化阶段的温度与所述第一氧化阶段的温度相同，持续时间为4-10分钟。
在本发明的一实施例中，所述第二掺杂层为掺杂了磷元素的多晶硅。
在本发明的一实施例中，形成所述第二掺杂层的方法包括扩散或退火，其中所述扩散和所述退火的温度和/或时间随着所述混合气体中所述氧气含量的减少而减少。
在本发明的一实施例中，所述第三钝化层的材料包括氮化硅和/或氧化硅。
在本发明的一实施例中，所述制备方法还包括：在所述第二钝化层上形成第一电极，以及所述第三钝化层上形成第二电极。
本发明为解决上述技术问题还提出一种隧穿氧化层钝化接触电池，采用如前文所述的制备方法制得。
与在热氧化过程中使用纯氧或者含氧量极高的气体制备隧穿氧化层相比，本发明的制备方法在氧化过程中使用包括惰性气体和氧气的混合气体制备隧穿氧化层，具有调整隧穿氧化层的致密度并获得具有理想致密度的隧穿氧化层的优点，有利于多数载流子的选择性移动。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是本发明一实施例中的一种隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法的示例性流程；
图2是本发明一实施例中的一种隧穿氧化层钝化接触电池的剖面示意图。
具体实施方式
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。
本申请中使用了流程图用来说明根据本申请的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或下面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
接下来将通过具体的实施例对本发明中的隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及隧穿氧化层钝化接触电池进行说明。
图1是本发明一实施例的隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法的示例性流程。参考图1所示，该实施例中的制备方法包括以下步骤：
步骤S110：提供硅基底，该硅基底具有相对的正面和背面；
步骤S120：在硅基底的正面依次形成第一掺杂层、第一钝化层和第二钝化层，第一掺杂层与硅基底组成PN结；
步骤S130：在硅基底的背面依次形成隧穿氧化层、第二掺杂层和第三钝化层，其中，在形成隧穿氧化层的氧化过程中，利用包括氧气和惰性气体的混合气体形成隧穿氧化层。
图2是本发明一实施例的隧穿氧化层钝化接触电池的剖面示意图。结合图1和图2对本发明的制备方法进行说明。
参考图2所示，在步骤S110中，提供硅基底110。硅基底110具有相对的正面和背面，在图2所示的实施例中，正面指的是硅基底110朝上的一面。可以理解，硅基底110的正面和背面是可以相互调换的，不限于图2中的实施例。在本发明的其他一些实施例中，硅基底110的材料包括单晶硅，通过掺杂工艺在单晶硅中掺入磷元素以形成N型的硅基底110。可以理解，硅基底110中的掺杂元素不限于上述的磷元素，其也可以是其能够形成N型硅基底的元素，例如砷元素和锑元素。
在步骤S120中，在硅基底110的正面依次形成第一掺杂层120、第一钝化层130和第二钝化层140，第一掺杂层120与硅基底110组成PN结。具体地，在本发明一实施例中，第一掺杂层110的基体材料为硅，采用硼扩散的方式在硅基体中进行硼扩散形成P型的第一掺杂层110。并与上述N型的硅基底110一起形成PN结。可以理解，第一掺杂层120中的掺杂元素不限于上述的硼元素，其也可以是其能够形成P型第一掺杂层的元素，例如镓元素。
在本发明的一实施例中，第一钝化层130为氧化铝薄膜，厚度为5-15nm。第一钝化层130的制备方法包括等离子体增强原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic LayerDeposition,PEALD)或原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)。当采用ALD方式沉积氧化铝薄膜时，采用的反应物包括三甲基铝(TMA)和水或者臭氧(O3)。氧化铝具有较高的电荷密度，可以对P型的第一掺杂层120表面提供良好的化学钝化和场效应钝化，以减小载流子的复合速率，提高少数载流子的寿命。
进一步，在本发明的一实施例中，第二钝化层140的材料包括氮化硅(SiN)和/或氧化硅，厚度为40-120nm。第二钝化层140形成在第一钝化层130上，可以保护第一钝化层130免受损伤。此外，第二钝化层140本身也具有钝化效果，能够进一步地减小载流子的复合速率，提高少数载流子的寿命。
此外，第二钝化层的层数可以为多层，该多层第二钝化层形成一个叠层结构。例如，作为一个非限制性的例子，参考图2所示，依次在第一钝化层130的上表面形成两层第二钝化层140。在本发明的其他一些实施例中，第二钝化层的层数还可以是3、4或其他层数。当第二钝化层为多层时，第二钝化层不同层之间的折射率可以不同，可以根据实际需求调节不同层的折射率，如此通过调节不同层的折射率可以使电池的外观呈现出不同的颜色。
继续参考图2所示，步骤S130中，在硅基底110的背面依次形成隧穿氧化层150、第二掺杂层160和第三钝化层170。
具体地，在图2的实施例中，隧穿氧化层150的厚度为1-3nm。较薄的隧穿氧化层可以使多子隧穿进入第二掺杂层160，同时阻挡少子复合，进而使得多子在第二掺杂层160横向传输，提高了电池光电转换效率。隧穿氧化层150的材料包括氧化硅。
可对硅基底110使用包括氧气和惰性气体的混合气体进行氧化过程，以形成隧穿氧化层150。举例来说，制备隧穿氧化层150的方法包括热氧化法。在本发明一实施例中，热氧化法具体过程为，将硅基底110放入含有氧气和惰性气体的混合气体中进行加热，从而在硅基底110的背面形成隧穿氧化层150，例如氧化硅层。
在本发明的一实施例中，制备隧穿氧化层150的氧化过程包括第一氧化阶段和第二氧化阶段。在第一氧化阶段通入含有氧气和惰性气体的混合气体，其中惰性气体占混合气体的体积百分比为2％-8％，第一氧化阶段的温度为590-620℃，持续时间为2-8分钟。上述惰性气体包括氮气(N2)、氦气(He)或氩气(Ar)中的一种或多种，优选的，选择价格低的氮气作为惰性气体，以降低生产成本。
接着，在第二氧化阶段不通入气体，并封闭氧化设备，此时氧化设备内尚存一定量的上述混合气体，可以继续反应以形成隧穿氧化层150。保持第二氧化阶段的温度与第一氧化阶段的温度相同，持续时间为4-10分钟。保持第二氧化阶段与第一氧化阶段的温度相同有利于提高隧穿氧化层150的均匀度，均匀的隧穿氧化层150可使隧穿的电流分布均匀，有利于提高电池的光电转化效率。
以往的经验认为，致密的隧穿氧化层可在硅片表面产生良好的氧化钝化效果，所以在制备隧穿氧化层时，倾向于尽可能地获得致密度高的隧穿氧化层。但本申请的发明人认识到，隧穿氧化层的致密度对多数载流子的选择性移动有着较大的影响，较高致密度的隧穿氧化层不利于多数载流子的选择性移动。在此基础上，本发明的制备方法可以调整隧穿氧化层的致密度并获得具有理想致密度的隧穿氧化层。
与在热氧化过程中使用纯氧或者含氧量极高的气体制备隧穿氧化层相比，本发明上述实施例中在氧化过程中使用含有惰性气体和氧气的混合气体制备隧穿氧化层的方案具有调整隧穿氧化层的致密度并获得具有理想致密度的隧穿氧化层的优点，有利于多数载流子的选择性移动。
进一步，在本发明的一实施例中，第二掺杂层160为掺杂了磷元素的多晶硅层。形成第二掺杂层160的方法包括扩散或退火，其中扩散和退火的温度和/或时间随着混合气体中氧气含量的减少而减少。当混合气体中的氧气含量减少时，隧穿氧化层150的致密度会下降，适应性地减少扩散或退火的温度和/或时间可以避免隧穿氧化层150被击穿。此外，形成在隧穿隧穿氧化层上的第二掺杂层可以加速多子穿过隧穿氧化层，同时减少少子穿过隧穿氧化层。
为方便理解上述形成第二掺杂层的扩散和退火方法，这里给出一个非限制性的具体的示例。参考图2所示，对于扩散方法，首先在隧穿氧化层150的下表面形成一层非晶态硅，接着在该层非晶态硅中掺入磷元素，随后对上述掺杂了磷元素的非晶态硅层进行加热处理，加热处理后非晶态硅转变为多晶硅，最终形成掺杂了磷元素的多晶硅层。对于退火方法，首先在隧穿氧化层150的下表面形成一层掺杂了磷元素的非晶态硅，接着对该层掺杂磷元素的非晶态硅进行退火处理，退火处理后非晶态硅转变为多晶硅，最终形成掺杂了磷元素的多晶硅层。在本发明的一实施例中，第三钝化层170的材料包括氮化硅和/或氧化硅。有关第三钝化层的详细内容可以参考前文有关第二钝化层的描述，再次不在赘述。
在本发明的一实施例中，参考图2所示，在步骤S130后还包括步骤：分别在第二钝化层140和第三钝化层170上形成用于导出电流的第一电极180和第二电极190。第一电极180和第二电极190的材料包括银、铝或铜中的一种或多种。
本发明的隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法在氧化过程中使用含有惰性气体和氧气的混合气体制备隧穿氧化层的方案具有调整隧穿氧化层的致密度并获得具有理想致密度的隧穿氧化层的优点，有利于多数载流子的选择性移动。
本发明的另一方面提出一种隧穿氧化层钝化接触电池，采用如前文所述的制备方法制得。该隧穿氧化层钝化接触电池中的隧穿氧化层有利于多数载流子的选择性移动。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

Claims (15)

1.一种隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供硅基底，所述硅基底具有相对的正面和背面；
在所述硅基底的正面依次形成第一掺杂层、第一钝化层和第二钝化层，所述第一掺杂层与所述硅基底组成PN结；以及，
在所述硅基底的背面依次形成隧穿氧化层、第二掺杂层和第三钝化层，其中，在形成所述隧穿氧化层的氧化过程中，利用包括氧气和惰性气体的混合气体形成所述隧穿氧化层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括氮化硅和/或氧化硅。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层为多层，所述多层第二钝化层之间的折射率不同。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的材料包括氧化硅。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1-3nm。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用热氧化法制备所述隧穿氧化层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氧化过程包括第一氧化阶段和第二氧化阶段，其中，在所述第一氧化阶段通入所述混合气体，在所述第二氧化阶段不通入气体。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体占所述混合气体的体积百分比为2％-8％。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化阶段的温度为590-620℃，持续时间为2-8分钟。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化阶段的温度与所述第一氧化阶段的温度相同，持续时间为4-10分钟。
11.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂层为掺杂了磷元素的多晶硅。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层的方法包括扩散或退火，其中所述扩散和所述退火的温度和/或时间随着所述混合气体中所述氧气含量的减少而减少。
13.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三钝化层的材料包括氮化硅和/或氧化硅。
14.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第二钝化层上形成第一电极，以及所述第三钝化层上形成第二电极。
15.一种隧穿氧化层钝化接触电池，其特征在于，采用如权利要求1-14任一项所述的制备方法制得。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115513336A (zh) * 2022-09-28 2022-12-23 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层
CN118841472A (zh) * 2024-09-20 2024-10-25 鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009123357A1 (ja) * 2008-04-02 2009-10-08 帝人デュポンフィルム株式会社 太陽電池裏面保護膜用フィルム
CN103952680A (zh) * 2006-01-25 2014-07-30 赢创德固赛有限责任公司 在基材表面上以气相沉积制备硅层的方法
CN107464855A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 上海神舟新能源发展有限公司 硅基太阳能电池n型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
CN109980019A (zh) * 2019-03-28 2019-07-05 江苏日托光伏科技股份有限公司 一种二氧化硅隧穿层的制备方法
CN111477696A (zh) * 2020-04-07 2020-07-31 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法
CN111477695A (zh) * 2020-04-07 2020-07-31 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法
CN111640823A (zh) * 2020-06-11 2020-09-08 常州时创能源股份有限公司 一种n型钝化接触电池及其制备方法
CN112133788A (zh) * 2020-09-21 2020-12-25 横店集团东磁股份有限公司 一种提高perc电池开压的热氧化工艺方法及得到的perc电池片
CN113314622A (zh) * 2021-06-11 2021-08-27 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103952680A (zh) * 2006-01-25 2014-07-30 赢创德固赛有限责任公司 在基材表面上以气相沉积制备硅层的方法
WO2009123357A1 (ja) * 2008-04-02 2009-10-08 帝人デュポンフィルム株式会社 太陽電池裏面保護膜用フィルム
CN107464855A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 上海神舟新能源发展有限公司 硅基太阳能电池n型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
CN109980019A (zh) * 2019-03-28 2019-07-05 江苏日托光伏科技股份有限公司 一种二氧化硅隧穿层的制备方法
CN111477696A (zh) * 2020-04-07 2020-07-31 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法
CN111477695A (zh) * 2020-04-07 2020-07-31 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法
CN111640823A (zh) * 2020-06-11 2020-09-08 常州时创能源股份有限公司 一种n型钝化接触电池及其制备方法
CN112133788A (zh) * 2020-09-21 2020-12-25 横店集团东磁股份有限公司 一种提高perc电池开压的热氧化工艺方法及得到的perc电池片
CN113314622A (zh) * 2021-06-11 2021-08-27 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 太阳能电池及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115513336A (zh) * 2022-09-28 2022-12-23 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层
CN118841472A (zh) * 2024-09-20 2024-10-25 鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制造方法
CN118841472B (zh) * 2024-09-20 2024-12-31 鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制造方法

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