CN115004864A - 等离子处理装置以及等离子处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明的等离子处理装置之一的特征在于，具备：处理室，对试样进行等离子处理；第一高频电源，经由匹配器供给用于生成等离子的第一高频功率；试样台，载置所述试样；第二高频电源，向所述试样台供给第二高频功率；以及控制装置，控制所述匹配器，以使得在通过具有多个振幅值并周期性反复的波形调制所述第一高频功率的情况下，在与规定用于通过所述匹配器进行匹配的要件的模式对应的期间进行所述匹配，所述期间是与所述多个振幅值中的任1个对应的所述波形的各期间。

Description

等离子处理装置以及等离子处理方法

技术领域

本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法。

背景技术

以往，随着半导体器件的高微细化、高集成化，提出了各种等离子处理技术。作为其之一，已知有以5～2100Hz的周期将高频电源的供给功率以脉冲状接通/断开的等离子蚀刻处理。

例如，在专利文献1中公开了“通过使供给功率以高速周期进行电平变化来使沉积膜非晶化的等离子蚀刻处理”。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-22482号公报

发明内容

发明要解决的课题

在等离子处理中，优选将高频电源的供给功率高效地供给到等离子、试样等负载(以下称为“等离子负载”)。因此，需要使高频电源与等离子负载之间的阻抗尽可能地匹配。

然而，如专利文献1那样，在以高速周期使供给功率变化的情形(例如，以5～2100Hz的周期反复进行70微秒～200毫秒的多个电平的输出的情形)中，起因于供给功率的高速变化，等离子负载的阻抗高速变动成为问题。

通常，等离子处理装置中的匹配器的阻抗值通过机械式的控制而变更。在这样的情况下，有可能在技术上难以追随高速的阻抗变动而进行阻抗匹配。

进而，在阻抗不充分匹配的情况下，从等离子负载向高频电源反射功率波。通过该反射波功率的叠加而高频电源的输出电平变动。如果该反射波功率超过容许范围而成为外扰，则有可能在技术上难以使高频电源的输出电平稳定为期望值。

因此，本发明的目的在于提供一种在等离子处理中减轻高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响的技术。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的代表性的等离子处理装置之一的特征在于，具备：处理室，对试样进行等离子处理；第一高频电源，经由匹配器供给用于生成等离子的第一高频功率；试样台，载置所述试样；第二高频电源，向所述试样台供给第二高频功率；以及控制装置，控制所述匹配器，以使得在通过具有多个振幅值并周期性反复的波形调制所述第一高频功率的情况下，在与规定用于通过所述匹配器进行匹配的要件的模式对应的期间进行所述匹配，所述期间是与所述多个振幅值中的任1个对应的所述波形的各期间。

发明效果

在本发明中，在等离子处理中，能够减轻高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响。

上述以外的课题、结构以及效果通过以下的实施方式的说明而变得明确。

附图说明

图1是表示实施例1的结构的图。

图2是说明高频电源的输出设定的一例的图。

图3是对能够对匹配器设定的多个模式进行说明的图。

图4是说明控制装置207的模式的自动选择的流程图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对本发明的实施例进行说明。

[实施例1]

<实施例1的结构>

图1是表示作为实施例1的等离子处理装置的ECR(Electron CyclotronResonance，电子回旋共振)方式的微波等离子蚀刻装置100的结构的图。

在该图中，微波等离子蚀刻装置100具备处理室201、电磁波供给部202A、气体供给装置202B、高频电源203、匹配器204、直流电源205、滤波器206以及控制装置207。

处理室201具备：真空容器208，保持规定的真空度；簇射板209，用于向真空容器208内导入蚀刻气体；电介质窗210，用于密闭真空容器208；排气用开闭阀211，进行真空容器208的排气；排气速度可变阀212；真空排气装置213，经由排气速度可变阀212进行排气；磁场产生线圈214，从处理室201的外侧形成磁场；和试样载置用电极215，用于在与簇射板209对置的位置载置晶片300(试样)。

气体供给装置202B经由簇射板209向处理室201内供给蚀刻气体。

电磁波供给部202A具备：波导管221，从电介质窗210向处理室201内照射电磁波；以及高频电源222A(第一高频电源)，经由匹配器222B向电磁波产生器222C供给用于生成等离子的第一高频功率。控制装置207控制高频电源222A、匹配器222B以及电磁波产生器222C，将电磁波产生器222C输出的电磁波调制为脉冲状。另外，在实施例1中，例如使用2.45GHz的微波的电磁波。

经由波导管221向处理室201照射的电磁波作用于磁场产生线圈214的磁场，使处理室201内的蚀刻气体电离。通过该电离作用生成高密度的等离子。

设置于载置晶片300的试样台的试样载置用电极215的电极表面被喷镀膜覆盖，经由滤波器206连接直流电源205。

进而，在试样载置用电极215经由匹配器204连接有高频电源203(第二高频电源)。该高频电源203的基本频率例如是400kHz。匹配器204在高频电源203与试样载置用电极215之间变更阻抗。

控制装置207按照预先设定的蚀刻参数来控制高频电源203的供给功率的输出电平。通过该输出电平的控制，高频电源203以规定的周期模式切换并输出供给功率的输出电平。输出的供给功率经由匹配器204以及试样载置用电极215作用于等离子、晶片300等的等离子负载。

进而，控制装置207基于供给功率的周期模式的设定来切换匹配器204的模式设定。关于该供给功率的周期模式与匹配器204的模式设定的关系，在后面叙述。

这样赋予试样载置用电极215的功率作用于等离子状的蚀刻气体和晶片300，实施对晶片300的干式蚀刻处理。

另外，簇射板209、试样载置用电极215、磁场产生线圈214、排气用开闭阀211、排气速度可变阀212以及晶片300相对于处理室201的中心轴轴对称地配置。因此，通过蚀刻气体的流动、等离子而生成的自由基以及离子、进而通过蚀刻而生成的反应生成物相对于晶片300同轴地导入，同轴地排气。该轴对称的流动具有提高蚀刻速率、蚀刻形状的晶片面内均匀性的效果。

<关于高频电源203的输出设定>

接着，对上述的供给功率的周期模式进行说明。

图2是说明高频电源203的输出设定的一例的图。

图2的上层[1]表示高频电源203输出的供给功率的周期模式的一例。在该周期模式中，以频率625Hz(反复周期1600μ秒)反复进行接下来的期间A～E。

·期间A：将供给功率400W在100μ秒的期间输出到等离子负载。

·期间B：在200μ秒的期间输出供给功率250W。

·期间C：在400μ秒的期间输出供给功率30W。

·期间D：在250μ秒的期间输出供给功率200W。

·期间E：650μ秒的断开期间

在该周期模式中，在期间A～E内，期间A成为供给功率的输出电平大的期间。

接着，图2的中层[2]表示基于下式(1)计算该周期模式的1周期中的期间A～E各自的占空比的结果。

占空比(％)＝供给功率的输出时间(秒)÷反复周期(秒)×100 (1)

在该周期模式中，在期间A～E内，期间C成为供给功率的占空比大的期间。另外，关于期间E，由于供给功率断开，因此不计算供给功率的占空比。

进而，图3的下层[3]表示基于下式(2)计算每1秒的平均功率的结果。

平均功率(W)

＝供给功率的设定值(W)×输出时间(秒)×频率(Hz) (2)

在该周期模式中，在期间A～E内，在期间B和期间D中，平均功率最大且大致相等。因此，平均功率电平高的期间候补成为期间B以及期间D。

<关于匹配器204的模式设定>

接着，对匹配器204的模式设定进行说明。

图3是对能够对匹配器204设定的多个模式进行说明的图。

以下，参照图3对各个模式依次进行说明。

(1)第一模式…基于调制后的高频功率的值来规定进行阻抗匹配的期间的模式。例如是配合供给功率的输出电平大的期间(例如输出电平最大的期间)来进行阻抗匹配的模式。

在图3所示的第一模式中，匹配器204配合供给功率的输出电平大的期间A来进行阻抗匹配。在除此以外的期间B～D中，阻抗不匹配，因此从等离子负载向高频电源203产生反射波功率。然而，在供给功率的输出电平大的期间A中不产生大的反射波功率，因此反射波功率的峰值被抑制得较低。通过该作用，第一模式减轻阻抗不匹配的影响。

(2)第二模式…基于调制后的高频功率的占空比来规定进行阻抗匹配的期间的模式。例如是配合供给功率的占空比大的期间(例如输出时间最长的期间)来进行阻抗匹配的模式。

在图3所示的第二模式中，匹配器204配合供给功率的占空比大的期间C来进行阻抗匹配。在除此以外的期间A～B、D中，阻抗不匹配，因此从等离子负载向高频电源203产生反射波功率。然而，在输出时间长的期间C中不产生反射波功率，因此反射波功率所影响的时间被抑制得较短。通过该作用，第二模式减轻阻抗不匹配的影响。

(3)第三A模式…基于调制后的高频功率与期间的占空比的积即平均高频功率值来规定进行阻抗匹配的期间的模式。例如是配合平均功率的输出电平大的期间(例如平均输出电平最大的期间)来进行阻抗匹配的模式。

但是，在存在多个平均功率的输出电平大的期间候补的情况下，在期间候补内，配合供给功率的输出电平大的期间来进行阻抗匹配。

在图3所示的第三A模式中，匹配器204在平均功率的输出电平大的期间B、D内，配合供给功率的输出电平大的期间B来进行阻抗匹配。在除此以外的期间A、C～D中，阻抗不匹配，因此从等离子负载向高频电源203产生反射波功率。

然而，在平均功率的输出电平大并且供给功率的输出电平大的期间B中不会产生大的反射波功率。因此，反射波功率的平均功率、峰值被抑制得较低。通过该作用，第三A模式减轻阻抗不匹配的影响。

(4)第三B模式…基于调制后的高频功率与期间的占空比的积即平均高频功率值来规定进行阻抗匹配的期间的模式。例如，配合平均功率的输出电平大的期间(例如平均输出电平最大的期间)来进行阻抗匹配模式。

但是，在存在多个平均功率的输出电平大的期间候补的情况下，在期间候补内，配合供给功率的占空比大的期间来进行阻抗匹配。

在图3所示的第三B模式中，匹配器204在平均功率的输出电平大的期间B、D内，配合供给功率的占空比更大的期间D来进行阻抗匹配。在除此以外的期间A～C中，阻抗不匹配，因此从等离子负载向高频电源203产生反射波功率。

然而，在平均功率的输出电平大并且供给功率的占空比大的期间D中不会产生大的反射波功率。因此，反射波功率的平均功率、所影响的时间被抑制得较低。通过该作用，第三B模式减轻阻抗不匹配的影响。

(5)第三模式…另外，在仅存在1个平均功率的输出电平大的期间候补的情况下，在第三A模式以及第三B模式中进行匹配的期间相等。在这种情况下，由于在第三A模式和第三B模式中没有动作上的差异，因此都能够作为第三模式来处理。

即，第三模式是基于调制后的高频功率与期间的占空比的积即平均高频功率值来规定进行阻抗匹配的期间的模式。例如是配合平均功率的输出电平大的期间(例如平均输出电平最大的期间)来进行阻抗匹配模式。

因此，反射波功率的平均功率、所影响的时间被抑制得较低。通过该作用，第三模式减轻阻抗不匹配的影响。

<关于控制装置207的动作>

接着，对控制装置207的动作进行说明。

图4是说明控制装置207的模式的自动选择的流程图。

在此，按照该图所示的步骤编号的顺序进行说明。

步骤S01：控制装置207取得微波等离子蚀刻装置100中设定的蚀刻参数。根据该蚀刻参数，控制装置207决定向高频电源203输出设定的供给功率的周期模式(例如参照图2)。

步骤S02：当在高频电源203与等离子负载之间阻抗不匹配时，针对从高频电源203向等离子负载供给的供给功率(瞬间为行波功率)而产生从等离子负载返回到高频电源203的反射波功率。此时，行波功率与反射波功率干涉，产生最大2倍的功率峰值。

因此，控制装置207针对周期模式的每个期间的供给功率判定供给功率的2倍值是否超过保护功率值(绝对额定)。在存在超过保护功率值的“供给功率的2倍值”的情况下，控制装置207将动作转移到步骤S03。在除此以外的情况下，控制装置207将动作转移到步骤S05。

步骤S03：控制装置207判定“供给功率的2倍值”超过保护功率值的期间是否仅为1个。

如果“超过期间”为1个，则控制装置207选择第一模式。如果是第一模式，则配合供给功率的输出电平最大的“超过期间”来进行阻抗匹配。因此，“超过期间”的反射波功率被抑制，不会产生超过保护功率值的功率峰值。此外，“超过期间”的大的反射波功率被抑制，因此贯穿周期模式整体，高频电源与等离子负载之间的阻抗不匹配的影响减轻。

另一方面，在“超过期间”为2个以上的设定的情况下，控制装置207将动作转移到步骤S04。

步骤S04：在此，“超过期间”为2个以上。在这种情况下，能够在“超过期间”的1个中取得阻抗匹配。然而，在剩余的“超过期间”中，阻抗变得不匹配，因此，万一有可能产生超过保护功率值的功率峰值。因此，控制装置207向工厂的管理系统通知当前的蚀刻参数不可输入。之后，控制装置207使动作返回步骤S01，待机直到重新设定蚀刻参数为止。

步骤S05：接着，控制装置207判定周期模式中的供给功率的最大值是否超过第一阈值th1。在此的第一阈值th1是用于判定供给功率的最大值在周期模式内是否突出地大的阈值，例如被设定为100W。

在此，在供给功率的最大值超过第一阈值th1的情况下，控制装置207将动作转移到步骤S06。

另一方面，在供给功率的最大值超过第一阈值th1的情况下，控制装置207选择第一模式。如果是第一模式，则配合供给功率的最大值超过第一阈值th1的期间来进行阻抗匹配。因此，抑制该期间的大的反射波功率。其结果，贯穿整个周期模式，高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响减轻。

步骤S06：接着，控制装置207针对周期模式的每个期间的平均功率，判定是否超过第二阈值th2。在此的第二阈值th2是用于判定期间的平均功率是否在整个周期模式中突出地大的阈值，例如被设定为60W。

在此，在存在平均功率超过第二阈值th2的期间的情况下，控制装置207将动作转移到步骤S07。

另一方面，在不存在平均功率超过第二阈值th2的期间的情况下，可预见在整个周期模式中平均功率的变化平缓。因此，控制装置207选择第二模式。如果是第二模式，则配合供给功率的占空比大的期间来进行阻抗匹配，在输出时间长的期间抑制反射波功率。因此，在平均功率的变化平缓的周期模式中，高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响减轻。

步骤S07：接着，控制装置207判定超过第二阈值th2的平均功率的值是否仅为1个。

在超过第二阈值th2的平均功率的值为2个以上的情况下，控制装置207将动作转移到步骤S08。

另一方面，如果超过第二阈值th2的平均功率的值为1个，则控制装置207选择第三A模式。在第三A模式中，配合“超过第二阈值th2的平均功率”的期间来进行阻抗匹配。另外，在存在多个“超过第二阈值th2的平均功率”的期间的情况下，在这些期间内配合供给功率的输出电平更大的期间来进行阻抗匹配。

在这种情况下，在平均功率大(并且在供给功率的输出电平的更大的期间)抑制反射波功率。因此，在平均功率部分地变高的周期模式中，高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响减轻。

步骤S08：控制装置207计算“超过第二阈值th2的平均功率”的期间占周期模式的占空比。控制装置207判定计算出的占空比是否超过第三阈值th3。

该第三阈值th3是用于判定平均功率高的期间的输出时间是否长还是短的阈值，例如设定为31.25％(输出时间500μ秒)。

在此，在平均功率高的期间的占空比超过第三阈值th3的情况下，控制装置207选择第三B模式。在第三B模式中，在“超过第二阈值th2的平均功率”的期间内，配合占空比大的期间来进行阻抗匹配。

在这种情况下，在平均功率大并且占空比大的期间(输出时间长的期间)抑制反射波功率。因此，在平均功率持续变高的周期模式中，高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响减轻。

另一方面，在平均功率高的期间的占空比不超过第三阈值th3的情况下，控制装置207选择第三A模式。在这种情况下，在平均功率部分地变高的周期模式中，高频电源与离子体负载的阻抗不匹配哦影响减轻。

通过以上的一系列的动作，控制装置207能够根据对高频电源203设定的周期模式，适当地选择匹配器204的模式。

<实施例1的效果等>

实施例1起到如下的效果。

(1)在实施例1中，通过选择第一模式，配合供给功率的输出电平大的期间来进行阻抗匹配。在该情况下，能够抑制在供给功率的输出电平大的期间产生的反射波功率。

(2)通常，在等离子处理中，供给功率的输出电平越大的期间，对离子、自由基等赋予的能量越大，对等离子处理贡献越大。第一模式配合该期间来进行阻抗匹配。因此，能够降低由阻抗的不匹配引起的等离子的能量损失，进一步提高等离子处理的处理效率。

(3)在实施例1中，通过选择第二模式，配合供给功率的占空比大的期间来进行阻抗匹配。在该情况下，能够抑制在供给功率的占空比大的期间产生的反射波功率。

(4)通常，在等离子处理中，供给功率的占空比越大的期间，对离子、自由基等持续赋予的能量越大，对等离子处理贡献越大。第二模式配合该期间来进行阻抗匹配。因此，能够降低由阻抗的不匹配引起的等离子的能量损失，进一步提高等离子处理的处理效率。

(5)在实施例1中，通过选择第三模式(第三A模式、第三B模式)，配合平均功率的输出电平大的期间来进行阻抗匹配。因此，在该第三模式中，能够抑制在平均功率的输出电平大的期间产生的反射波功率。

(6)通常，在等离子处理中，平均功率的输出电平越大的期间，对离子、自由基等赋予的平均能量越大，对等离子处理贡献越大。第三模式(第三A模式、第三B模式)配合该期间来进行阻抗匹配。因此，能够降低由阻抗的不匹配引起的等离子的能量损失，进一步提高等离子处理的处理效率。

(7)在实施例1中，通过选择第三A模式，配合平均功率的输出电平大且供给功率的输出电平大的期间来进行阻抗匹配。因此，在该第三A模式中，能够抑制在平均功率和供给功率都大的期间产生的反射波功率。

(8)在实施例1中，通过选择第三B模式，配合平均功率的输出电平大且供给功率的占空比大的期间来进行阻抗匹配。因此，在该第三B模式中，能够抑制在平均功率和占空比都大的期间产生的反射波功率。

(9)如上所述，在实施例1中，能够通过模式选择来变更进行阻抗匹配的期间。其结果，能够选择有效地减轻阻抗不匹配的影响的模式。

(10)在实施例1中，判定是否存在供给功率超过第一阈值th1的期间，在判定为“存在”的情况下自动地选择第一模式。在这种情况下，配合供给功率超过第一阈值th1的期间来进行阻抗匹配。因此，能够自动地抑制在供给功率超过第一阈值th1的期间产生的反射波功率。

(11)在实施例1中，判定是否存在平均功率超过第二阈值th2的期间，在判定为“不存在”的情况下自动地选择第二模式。在这种情况下，在全部的期间的平均功率不超过第二阈值th2的状况下，配合供给功率的占空比大的期间来进行阻抗匹配。因此，能够自动地抑制在那样的期间产生的反射波功率。

(12)在实施例1中，判定是否存在平均功率超过第二阈值的期间，在判定为“存在”的情况下自动地选择第三模式(第三A模式、第三B模式)。在这种情况下，配合平均功率超过第二阈值的期间来进行阻抗匹配。因此，能够自动地抑制在那样的期间产生的反射波功率。

(13)在实施例1中，判定超过第二阈值的平均功率的值存在几个，在判定为“仅存在1种”的情况下自动地选择第三A模式。在这种情况下，配合平均功率比第二阈值大且供给功率的输出电平大的期间来进行阻抗匹配。因此，能够自动地抑制在那样的期间产生的反射波功率。

(14)在实施例1中，在判定为存在多个超过第二阈值的平均功率的值、并且该期间的占空比不超过第三阈值的情况下，自动地选择第三A模式。在该情况下，配合平均功率比第二阈值大且供给功率的输出电平大的期间来进行阻抗匹配。因此，能够自动地抑制在那样的期间产生的反射波功率。

(15)在实施例1中，在判定为存在多个超过第二阈值的平均功率的值、且该期间的占空比超过第三阈值的情况下，自动地选择第三B模式。在该情况下，配合平均功率比第二阈值大且供给功率的占空比大的期间来进行阻抗匹配。因此，能够自动地抑制在那样的期间产生的反射波功率。

接着，对实施例2进一步进行说明。

[实施例2]

<实施例2的结构>

实施例2的等离子处理装置即ECR(Electron Cyclotron Resonance，电子回旋共振)方式的微波等离子蚀刻装置是与实施例1的微波等离子蚀刻装置100(参照图1)相同的结构。因此，对于实施例2的结构，参照实施例1的结构说明以及图1，在此省略重复的说明。

<关于实施例2的动作的说明>

在实施例2中，控制装置207使用高频电源222A与电磁波产生器222C之间的匹配器222B来控制进行阻抗匹配的期间。

即，控制装置207根据电磁波产生器(高频功率)的调制，在由第一模式、第二模式或者第三模式(第三A模式、第三B模式)的任1个规定的期间内，实施匹配器222B的阻抗匹配。

另外，实施例2的具体的动作的流程除了阻抗匹配的动作对象从实施例1的『(第二)高频电源203、匹配器204以及试样载置用电极215』置换为『(第一)高频电源222A、匹配器222B以及电磁波产生器222C』这一点之外，与实施例1的具体的动作的流程是同样的。

因此，为了简化说明，作为与实施例2的动作相关的说明，对于与实施例1的动作相关的说明，进行动作对象的变更和与其相伴的需要的称呼改换，在此省略重复的说明。另外，对于阈值等动作参数的具体的数值，能够通过实验、模拟运算来设计。

<实施例2的效果等>

实施例2对于第一高频电源222A能够得到与实施例1的上述效果(1)～(15)同样的效果。

<实施方式的补充事项等>

另外，在实施例1、2中，对第一阈值th1、第二阈值th2、第三阈值th3以及其他参数进行了说明。然而，本发明不限定于此。第一阈值th1、第二阈值th2、第三阈值th3以及其他参数根据等离子处理中的气体、压力等条件，基于实验、模拟运算等设定最佳值即可。

此外，在实施例1、2中，作为等离子处理的1个，对进行蚀刻处理的情况进行了说明。然而，本发明不限定于此。本发明在等离子处理中，能够应用于减轻变动的高频电源与等离子负载的阻抗不匹配的影响的用途。

进而，在实施例1、2中，对于高频电源的输出电平为0W(断开期间)，在哪个模式中不进行阻抗匹配。因此，对于上述那样的断开期间，也可以从进行阻抗匹配的期间预先排除。

此外，将实施例1、2说明为独立的实施例。然而，也可以同时实施实施例1和实施例2。

另外，本发明并不限定于上述的实施例，包含种种变形例。例如，上述的实施例为了以易于理解的方式来说明本发明而进行了详细说明，并不必限定为具备所说明的全部结构。可以适当地组合实施例1、2的全部或者一部分。此外，能够对实施例1、2的结构的一部分进行其他结构的追加、删除、置换。

附图标记说明

100…微波等离子蚀刻装置、

201…处理室、

202A…电磁波供给部、

202B…气体供给装置、

203…第二高频电源、

204…匹配器、

205…直流电源、

206…滤波器、

207…控制装置、

208…真空容器、

209…簇射板、

210…电介质窗、

211…排气用开闭阀、

212…排气速度可变阀、

213…真空排气装置、

214…磁场产生线圈、

215…试样载置用电极(试样台)、

221…波导管、

222A…第一高频电源、

222B…匹配器、

222C…电磁波产生器、

300…晶片。

Claims (8)

1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：

处理室，对试样进行等离子处理；

第一高频电源，经由匹配器供给用于生成等离子的第一高频功率；

试样台，载置所述试样；

第二高频电源，向所述试样台供给第二高频功率；以及

控制装置，控制所述匹配器，以使得在通过具有多个振幅值并周期性反复的波形调制所述第一高频功率的情况下，在与规定用于通过所述匹配器进行匹配的要件的模式对应的期间进行所述匹配，

所述期间是与所述多个振幅值中的任1个对应的所述波形的各期间。

2.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：

处理室，对试样进行等离子处理；

第一高频电源，供给用于生成等离子的第一高频功率；

试样台，载置所述试样；

第二高频电源，经由匹配器向所述试样台供给第二高频功率；以及

控制装置，控制所述匹配器，以使得在通过具有多个振幅值并周期性反复的波形调制所述第二高频功率的情况下，在与规定用于通过所述匹配器进行匹配的要件的模式对应的期间进行所述匹配，

所述期间是与所述多个振幅值中的任1个对应的所述波形的各期间。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的等离子处理装置，其中，

所述模式具备第一模式，其基于调制后的所述高频功率的值来规定用于进行匹配的要件。

4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的等离子处理装置，其中，

所述模式具备第二模式，其基于调制后的所述高频功率的占空比来规定用于进行匹配的要件。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的等离子处理装置，其中，

所述模式还具备第三模式，其基于调制后的所述高频功率与所述期间的占空比的积即平均高频功率值来规定用于进行匹配的要件。

6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其中，

在与所述第三模式对应的期间候补为多个的情况下，所述第三模式还具备：基于调制后的所述高频功率的值来规定要件的第三A模式；和基于所述占空比来规定要件的第三B模式。

7.一种等离子处理方法，使用通过高频功率生成的等离子对试样进行处理，该高频功率通过具有多个振幅值并周期性反复的波形进行调制，经由匹配器供给，其特征在于，

在与规定用于通过所述匹配器进行匹配的要件的模式对应的期间进行所述匹配，

所述期间是与所述多个振幅值中的任1个对应的所述波形的各期间。

8.一种等离子处理方法，一边经由匹配器向载置有试样的试样台供给通过具有多个振幅值并周期性反复的波形进行调制的高频功率，一边对所述试样进行等离子处理，其特征在于，

在与规定用于通过所述匹配器进行匹配的要件的模式对应的期间进行所述匹配，

所述期间是与所述多个振幅值中的任1个对应的所述波形的各期间。

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