CN114556167A - 透射型扩散器 - Google Patents

Abstract

一种扩散器，所述扩散器被配置成接收和透射辐射。所述扩散器包括散射层(510)，所述散射层被配置成散射所接收的辐射，所述散射层(510)包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙。所述第一物质可以是散射物质，或替代地，所述空隙中的至少一个空隙可以包含所述散射物质，并且所述第一物质具有与所述散射物质相比更低的折射率。

Description

透射型扩散器

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年10月11日递交的欧洲申请19202644.1的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及透射型扩散器，即被配置成接收并且透射辐射的扩散器，经透射的辐射具有改变的角分布。所述扩散器可以适于与EUV辐射一起使用且可以形成EUV光刻设备内的测量系统的部分。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以被形成在所述衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

已知光刻设备包括用于确定一个或更多个光瞳功能变化的测量系统。光瞳功能变化可以包括：光瞳平面内的相对相位变化和/或光瞳平面内的相对强度变化。这样的测量系统典型地包括对象水平图案形成装置(例如，衍射光栅或针孔或其类似物)；照射系统；以及图像水平传感器设备。所述照射系统被布置成利用辐射来照射所述图案形成装置。所述辐射的由图案形成装置所散射的至少一部分由所述投影系统(投影系统的性质被测量)接收，所述投影系统被布置成在图像水平传感器设备上形成所述图案形成装置的图像。对于这样的测量系统期望的是，所述投影系统的整个入射光瞳从图案形成装置接收辐射。然而，照射系统典型地也由光刻设备使用以用于在图像水平衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的硅晶片)上形成对象水平掩模版或掩模的(衍射受限的)图像，其中可以期望仅照射所述投影系统的所述入射光瞳的一个或更多个离散的部分。

可以期望提供一种机构，其中将会以其它方式照射所述投影系统的入射光瞳的一个或更多个分离的部分的照射束的角分布可以被改变，使得所述投影系统的整个入射光瞳可以从图案形成装置接收辐射。

发明内容

本文描述一种被配置成接收和透射辐射的扩散器或散步器/漫射器(diffuser)。所述扩散器包括被配置成散射所接收的辐射的散射层。所述散射层包括第一物质且具有分布于其中的多个空隙。所述第一物质可以是散射物质。替代地，所述空隙中的至少一个空隙可以包含散射物质，并且所述第一物质可以是具有比所述散射物质更低的折射率的物质。所述散射材料用以提供微透镜阵列，从而造成由所述扩散器所接收的所述辐射的散射。这种扩散器可以被配置成以便能够以将会使得投影系统的整个入射光瞳可以从图案形成装置接收辐射的方式改变所接收的辐射的角分布。

所述空隙可以包含真空(或大致或功能上为真空的环境)。替代地，所述空隙可以包含第二物质，并且所述第一物质和所述第二物质中的一种可以是散射物质，其中所述第一物质和所述第二物质中的另一种具有比所述散射物质更低的折射率。在所述第一物质是所述散射物质的情况下，所述第二物质可以是惰性气体。具有较低的折射率的物质对于所接收的辐射可以具有接近于1的折射率。这样的物质可以被认为对所接收的辐射是光学中性的(或与所述散射材料相比是相对地光学中性的)。例如，如果所接收的辐射是EUV辐射，则具有所述较低的折射率的物质对于EUV辐射可以具有接近于1的折射率。然而，应了解，辐射可以具有任何波长(即可以不是EUV辐射)。

在所述第一物质是所述散射物质的情况下，所述散射物质可以包括具有微孔的泡沫且所述空隙可以由所述微孔提供。所述空隙中的一个或更多个空隙可以包含真空或惰性气体。所述空隙中的一个或更多个空隙可以包含硅或氮化硅中的一种。以这种方式，所述第二物质对于EUV辐射将是光学中性的。另外，所述第二物质对于所接收的辐射将具有低衰减。所述空隙内的物质也将具有与所述散射物质相比差异大的折射率。另外，以这种方式，所述散射层特别容易制造，这是因为不需要执行从散射物质移除第二物质的中间步骤。

在所述空隙包含所述散射物质的情况下，所述第一物质可以包括多孔硅基结构，所述空隙由所述第一物质的微孔限定。

在本文中所描述的示例中使用多孔物质的情况下，所述多孔物质的所述微孔可以具有在至少一个维度上大约数纳米的范围。

所述散射物质可以包括接触颗粒的主体。所述空隙可以被设置在相邻颗粒之间。可以使用各种沉积方法，例如液相沉积方法来相对简易地制作这种扩散器。关于术语“接触颗粒”，应理解，颗粒主体中的每个颗粒与颗粒主体中的至少一个其它颗粒成实体接触。

所述颗粒可以被熔合。即，接触颗粒主体中的每个颗粒可以与接触颗粒主体中的至少一个其它颗粒熔合在一起。例如，可以使用烧结来熔合所述颗粒。

所述颗粒可以包括二元混合物，所述二元混合物包括第一材料和具有不同于所述第一材料的折射率的第二材料。所述第一材料与所述第二材料的折射率可以是差异大的。所述第一材料和所述第二材料对于所接收的辐射可以具有低衰减。所述第一材料可以包括硅。所述第二材料可以包括钼或钌。应了解，所述第一材料或所述第二材料中的一种或两者可以是两种或更多种材料的混合物。例如，所述第一材料可以是硅化钼。

所述颗粒可以具有在至少一个维度上大约数纳米的范围。所述颗粒在至少一个维度上的大小可以不同。即，所述颗粒可以是多分散的。可以基于散射层的一个或更多个期望的性质，例如高的散射角和/或对零阶散射的抑制来选择所述颗粒的颗粒大小、颗粒大小分布和/或填充密度。

所述散射物质可以包括第一参数对第二参数的比率为1或小于1的物质，其中所述第一参数是将允许对所接收的辐射透射10％的物质的层的最大厚度，并且所述第二参数是将导致Pi nm的相移的物质的层的最小厚度。

仅作为示例，例如，所述散射物质可以是钼、钌、铌、铑、钇、硼、二硅化钼、锆、铑或锝。

所述空隙可以在所述第一物质内分布于多个层中，每个层大致处于在使用期间与所述辐射的传播方向垂直的平面中。

所述空隙可以在所述第一物质内分布于单个层中，所述层大致处于在使用期间与所述辐射的所述传播方向垂直的平面中。

所述散射物质可以包括去合金化材料。所述去合金化材料将为散射材料提供与所述空隙的多个界面。

所述空隙可以具有在至少一个维度上大约数纳米的范围。所述空隙在所述第一材料内可以是多分散的。所述空隙可以随机地或准随机地布置于所述第一材料内。

所述散射层可以具有介于50nm至1000nm之间的厚度。在所述扩散器的使用期间在所接收的辐射的传播方向上测量所述材料的厚度。

所述扩散器可以被配置成使得在至少一个散射方向上的角散射分布具有5°或更大的宽度。所述散射方向可以优选地具有9°或更大的宽度。

所述散射物质可以包括以下各项中的一种：钼、钌、铌、铑、钇或锝。

所述扩散器可以包括多个散射层。可以根据本文中或在其它地方所描述的任何技术来制造所述散射层中的每个散射层。

第一散射层可以由中间层与第二散射层分离。所述中间层可以包括硅，或对于所接收的辐射相对光学中性的某一其它材料。

所述中间层可以包括具有与所述散射物质相比更低的折射率的分离颗粒的层。因为所述颗粒被分离，所以所述中间层的至少一部分可以由例如惰性气体或真空占据，由此减少所接收的辐射的衰减。

所述分离颗粒可以随机地或准随机地布置于所述中间层内。所述分离颗粒可以包括在至少一个维度上的大小不同的颗粒。

所述第一物质以及其中的空隙可以协作以在一旦在所述散射层的表面处接收到辐射后产生全息图。即，所述第一物质和所述空隙可以包括全息干涉图案。可以选择所述全息干涉图案以便在给出期望的波长的辐射的情况下形成期望的全息图。所述辐射可以是EUV辐射。所述第一物质可以是散射物质。能够操作以产生全息图的扩散器可以有益地提供与辐射的最小吸收相结合的辐射的受控扩散。这种扩散器可以具有与已知扩散器相比例如由于辐射的有所减少的吸收而增加的寿命。

所述全息图可以具有角强度分布，所述角强度分布至少在所述全息图的径向外部部分中与所述全息图的中心区相比一样强。所述角强度分布可以具有与所述全息图的径向外部部分相比在中心区中相似的强度。所述角强度分布可以是顶帽形分布。所述角强度分布具有与所述全息图的径向外部部分相比在中心区中的较低的强度。

所述径向外部部分可以与所述全息图的所述中心在角度上间隔开至少9°。这种扩散器可以在具有高数值孔径的设备中具有特定益处。

所述第一物质可以包括具有变化的厚度的多个结构。即，所述多个结构的厚度分布变化。可以在所述扩散器的平面(例如被布置成接收辐射的表面的平面)中测量所述厚度分布。所述厚度分布可以变化大约数纳米。例如，所述结构的厚度分布可以在0nm与200nm的厚度之间变化。

所述扩散器可以是能够操作的以在接收到具有波长λ的辐射后形成所述全息图。所述波长可以是EUV波长λ。所述全息扩散器可以具备有效折射率n_eff。所述多个结构中的每个结构的厚度可以是

的整数倍。有益地，这种扩散器可以向辐射的行进通过其的部分赋予0、pi或2pi的相移。

所述空隙可以包含第二物质。即，可以提供第二物质以便填充所述空隙。

所述第二物质的折射率的实部可以不同于所述第一物质的折射率的实部。有益地，具有第一物质和第二物质的折射率的不同实部的所述第一物质和所述第二物质可以散射辐射。所述第二物质的折射率的虚部可以类似于所述第一物质的折射率的虚部。有益地，具有第一物质和第二物质折射率的类似虚部的所述第一物质和所述第二物质可以减少经过所述扩散器的衰减。组合的第一物质和第二物质用以减少由行进经过结构和空隙的辐射所经历的衰减的相对差异。

组合的第一物质和第二物质可以具有大致恒定的组合厚度分布。即，所述扩散器的被布置成接收辐射的表面是大致平滑的。所述表面可以在微尺度上是平滑的。所述表面可以在纳米尺度上是平滑的。

所述第一物质可以包括以下各项中的一种：钼、钌、铌、铑、钇或锝。所述第二物质可以包括硅。

本文中也描述一种全息扩散器，所述全息扩散器包括散射层，所述散射层包括多个结构，所述多个结构被配置成在一旦在所述散射层的表面处接收到极紫外辐射后产生全息图，其中所述全息图具有角强度分布，所述角强度分布在所述全息图的径向外部部分中与所述全息图的中心区相比至少一样强。

本文中所描述的任何扩散器还可以包括保护层，所述保护层被配置成保护所述散射层免受EUV等离子体蚀刻影响。所述扩散器还可以包括盖(cap)层，所述盖层至少部分地覆盖散射层以在使用期间保护所述散射层。

本文中也描述一种用于确定用于投影系统的像差映射或相对强度映射的测量系统，所述测量系统包括本文中所描述的任何示例的扩散器。

所述测量系统可以包括：图案形成装置；照射系统，所述照射系统被布置成利用辐射照射所述图案形成装置；和传感器设备。所述照射系统和所述图案形成装置可以被配置成使得所述投影系统接收由所述图案形成装置散射的所述辐射的至少一部分，并且所述传感器设备被配置成使得所述投影系统将所接收的辐射投影至所述传感器设备上。所述扩散器可以是能够操作的以接收由所述照射系统产生的所述辐射且在所述辐射照射所述图案形成装置之前变更所述辐射的角分布。

所述扩散器可以在至少以下位置之间是能够移动的：第一操作位置，其中所述扩散器至少部分地设置于由所述照射系统产生的所述辐射的路径中且被布置成在所述辐射照射所述图案形成装置之前变更所述辐射的角分布；与第二储存位置，其中所述扩散器被设置在由所述照射系统产生的所述辐射的所述路径之外。

当如本文中所描述的测量系统与如本文中所描述的全息扩散器一起使用时，全息扩散器可以被设计和/或被布置成使得所述全息图形成在所述测量系统的输入平面处。所述输入平面可以包括所述测量系统的传感器设备的输入平面。

本文中也描述一种光刻设备，所述光刻设备包括：如本文中的任何示例中所描述的测量系统；和投影系统，所述投影系统被配置成接收所述辐射的由图案形成装置散射的至少一部分且被配置成将所接收的辐射投影至所述传感器设备上。

所述扩散器可以被安装在所述光刻设备的图案形成装置遮蔽叶片上，所述图案形成装置遮蔽叶片的边缘限定所述光刻设备的场区。

本文中也描述一种形成用以接收和透射辐射的扩散器的方法。所述方法包括形成合金层，所述合金层包括第一物质和第三物质，其中所述第一物质是散射物质。所述方法还包括对所述合金层进行去合金化以便从所述合金层移除所述第三物质且以便形成包括所述第一物质且具有在其中分布的多个空隙的散射层。

所述第二物质可以是锌，并且所述脱合金可以是脱锌。

本文中也描述一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：通过利用散射材料渗透多孔结构来形成散射层。

所述多孔结构可以是多孔硅。所述微孔可以具有在至少一个维度上大约数纳米的范围。

所述散射层可以被形成在支撑层上。

也描述一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：在支撑层的表面上沉积多个颗粒以形成掩模；在所述掩模上方在所述支撑层上沉积散射材料以围绕所述多个颗粒形成散射层。

所述第二材料可以是对于预期辐射相对光学中性的材料。例如，所述第二材料可以对于EUV辐射是相对光学中性的。例如，所述第二材料可以是硅。

所述方法还可以包括使沉积于所述支撑层上的所述多个颗粒中的一个或更多个颗粒收缩，以便在沉积所述散射材料之前暴露所述支撑层的所述表面的较大区域。

所述颗粒可以经由垂直胶体沉积而被沉积于所述支撑层上。所述颗粒可以形成沉积于所述支撑层的所述表面上的单个层，并且所述散射层在所述支撑层上形成波纹起伏散射表面。所述颗粒形成沉积于所述支撑层的所述表面上的多个层，所述多个层中的每个层在使用中处于大致与所接收的辐射的方向垂直的平面中。

所述方法还可以包括在沉积所述散射材料之后移除所述颗粒。

也描述一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：在支撑层的表面上沉积多个颗粒以形成掩模；在所述掩模上方在所述支撑层的所述表面上沉积第二材料以围绕所述多个颗粒形成所述第二材料的一层；移除所述多个颗粒中的至少一些颗粒以在所述第二材料的所述层内形成凹坑；将散射材料沉积至所述第二材料内的所述凹坑中的至少一些凹坑中以在所述第二材料的所述层内形成散射特征。

也描述一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：在支撑层的表面上沉积多个颗粒以形成掩模；在所述掩模上方在所述支撑层的所述表面上沉积第二材料；选择性地蚀刻所述支撑层的所述表面以在所述支撑层的所述表面上形成多个结构；将散射材料沉积至所述支撑层的所述表面上，所述散射材料形成在所述多个结构上方以形成散射层；其中所述第二材料是催化剂且所述选择性蚀刻包括蚀刻所述支撑层的与所述第二材料接触的区域，或其中所述第二材料是保护性材料且所述选择性蚀刻包括蚀刻所述支撑层的不与所述第二材料接触的区域。

本文中也描述一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：将多个颗粒沉积至支撑层的表面上使得所述颗粒形成接触颗粒的主体。所述颗粒可以从颗粒在液体中的分散而沉积。所述颗粒可以沉积为具有一定颗粒密度，使得大多数颗粒与一个或更多个相邻颗粒接触。

沉积可以包括以下各项中的至少一种：垂直胶体沉积、旋涂和喷墨印制。这样的沉积方法提供容易的扩散器制作方法。

沉积所述多个颗粒还可以包括熔合所述多个颗粒。所述多个颗粒可以经由提供热和/或压力而被熔合。所述多个颗粒可以使用烧结而被熔合。

所述颗粒可以包括二元混合物，所述二元混合物包括第一材料和具有与所述第一材料不同的折射率的第二材料。所述第一材料可以包括钼、钌、铌、铑、钇或锝。所述第二材料可以包括硅。

所述方法还可以包括在所述扩散器上形成另一散射层。所述另一散射层可以根据本文中所描述的示例中的任一示例的方法而形成。

形成另一散射层可以包括在所述散射层上方沉积中间层以及在所述中间层的顶上形成所述另一散射层。例如，所述中间层可以是硅或氮化硅。

在本文中所描述的用于形成扩散器的示例方法中的任一示例方法中，所述支撑层可以形成在载体层上，所述载体层用以在形成所述扩散器时支撑所述支撑层，并且其中所述方法还包括一旦已形成第一层和第二层就移除所述载体层。所述载体层可以是例如硅。例如，所述载体层可以是通常在半导体制造中所使用的类型的标准硅晶片。

本文中也描述一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括在所述扩散器的支撑层的表面上产生多个结构，其中所述结构被布置成在一旦在所述表面处接收到辐射后产生全息图。所述辐射可以是EUV辐射。能够操作以产生全息图的扩散器可以有益地提供与辐射的最小吸收相结合的辐射的受控扩散。这种扩散器可以具有与已知扩散器相比例如由于辐射的有所减少的吸收而增加的寿命。

所述全息图可以具有角强度分布，所述角强度分布至少在所述全息图的径向外部部分中与所述全息图的中心区相比一样强。所述角强度分布可以具有与所述全息图的径向外部部分相比在中心区中的相似强度。所述角强度分布可以是顶帽形分布。所述角强度分布可以具有与所述全息图的径向外部部分相比在中心区中的较低强度。所述径向外部部分可以与所述全息图的所述中心在角度上间隔开至少9°。这种扩散器可以在具有高数值孔径的设备中具有特定益处。

可以使用光刻来产生所述多个结构。所述多个结构的每个部分可以具有

的整数倍的厚度，其中λ是当辐射由扩散器接收时产生所述全息图的辐射的波长，并且全息扩散器具备有效折射率neff。

所述方法还可以包括将第二物质沉积至分布于所述多个结构内的多个空隙中。所述第二物质具有一定厚度使得所述第一物质和所述第二物质的组合厚度分布是大致恒定的。即，在提供所述第二物质后，所述扩散器的能够操作以在接收到辐射后产生全息图的所述表面可以是大致平滑的。所述第二物质可以是散射物质。所述第二物质的折射率的实部可以不同于所述第一物质的折射率的实部。有益地，具有第一物质和第二物质的折射率的不同实部的第一物质和第二物质可以散射辐射。所述第二物质的折射率的虚部可以类似于所述第一物质的折射率的虚部。有益地，具有第一物质和第二物质的折射率的类似虚部的所述第一物质和所述第二物质可以减少通过扩散器的衰减。组合的第一物质和第二物质用以减少由行进通过结构和空隙的辐射所经历的衰减的相对差异。

所述方法还可以包括产生与多个表面特征的期望的布置对应的厚度分布，所述期望的布置基于所述全息图的期望的角度分布。产生所述厚度分布可以包括数值方法。产生所述厚度分布可以包括基于光学关系迭代地求解和/或执行计算。所述光学关系可以表示以下各项中的一种或更多种：衰减、折射率、散射角、层厚度、相移。所述厚度分布产生可以包括对于最大和/或最小所允许厚度的限制。所述最大和/或最小所允许厚度可以基于制作参数。所述最大和/或最小所允许厚度可以基于期望的光学性质，例如衰减。

产生所述厚度分布可以包括使用Gerchberg-Saxton算法。产生所述厚度分布可以包括使用所述Gerchberg-Saxton算法的修改版本。

本文中所描述的形成扩散器的示例方法中的任一示例方法还可以包括从所述支撑层的与所述支撑层的支撑所述散射层的表面相对的表面蚀刻所述支撑层。

本文中所描述的用于形成扩散器的示例方法中的任一示例方法还可以包括提供至少部分地覆盖所述支撑层和/或所述散射层的盖层。

本文中描述的方法还可以包括：一旦所述多个纳米颗粒已经被沉积以便形成由所述支撑层支撑的所述纳米颗粒层，则从所述支撑层的与所述支撑层的支撑所述纳米颗粒层的表面相反的表面蚀刻所述支撑层。

所述支撑层的这种反向蚀刻允许在所述扩散器的制造期间使用较厚、较稳定的支撑层。有利地，这可以防止所述支撑层的损害或甚至断裂。这种最终蚀刻步骤可能特别有益于其中使用一种胶体来沉积纳米颗粒的实施例，这是由于这种最终蚀刻步骤可以防止毛细管力制动所述支撑层。一旦已经形成所述纳米颗粒层，则可以使用蚀刻过程最终确定这种层的厚度。

本文中描述的方法还可以包括：提供覆盖层，所述覆盖层至少部分地覆盖所述支撑层和/或所述罩盖层。

如本发明所使用的术语图案形成装置在本文中也可以被称为掩模或掩模版，所述术语将被理解为同义的。

附图说明

现在将参考随附示意性附图而仅借助于示例来描述本发明的实施例，在附图中：

-图1描绘包括光刻设备和辐射源的光刻系统；

-图2是反射型标识的示意性图示；

-图3A和图3B是传感器设备的示意性图示；

-图4A示出图1中所示的光刻设备的双极照射模式的强度分布；

-图4B示出图1中所示的光刻设备的四级照射模式的强度分布；

-图5A至图5C示意性地描绘用于制造透射型扩散器的示例过程中的中间阶段；

-图6A至图6C示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图7A至图7E示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图8A至图8D示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图9A至图9E示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图10A至图10E示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图11A至图11C示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图12示意性地图示EUV扩散器；

-图13示出一些材料的针对EUV辐射的消光系数k相对于针对EUV辐射的(1-n)的量值的曲线标绘图；

-图14A至图14C示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图15A图示根据图14A至图14C的过程所制造的示例扩散器的高度图；

-图15B和图15C描绘入射到图15A的扩散器上的辐射的平面波的散射角；

-图16A和图16B示意性地描绘用于制造透射型扩散器的另一示例过程中的中间阶段；

-图17图示根据图16A和图16B的过程所制造的示例扩散器的性质；

-图18图示根据图16A和图16B的过程所制造的示例扩散器的性质；

-图19图示根据图16A和图16B的过程所制造的示例扩散器的性质；以及

-图20图示根据图16A和图16B的过程所制造的示例扩散器的性质。

具体实施方式

图1示出包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B和将EUV辐射束B供应至光刻设备LA。所述光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和被配置成支撑衬底W的衬底台WT。

照射系统IL被配置成在EUV辐射束B入射到所述图案形成装置MA上之前调节EUV辐射束B。另外，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起向EUV辐射束B提供期望的横截面形状和期望的强度分布。除琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11以外或代替所述琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL也可以包括其它反射镜或装置。

在因而调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生图案化的EUV辐射束B'。投影系统PS被配置成将经图案化的EUV辐射束B'投影至衬底W上。出于所述目的，投影系统PS可以包括被配置成将经图案化的EUV辐射束B'投射至由衬底台WT所保持的衬底W上的多个反射镜13、14。投影系统PS可以将缩减因子应用于图案化的EUV辐射束B'，因而形成具有比图案形成装置MA上的相对应的特征更小的特征的图像。例如，可以应用缩减因子4或8。虽然投影系统PS被图示为仅具有图1中的两个反射镜13、14，但投影系统PS可以包括不同数目个反射镜(例如，六个或八个反射镜)。

衬底W可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，光刻设备LA使由经图案化的EUV辐射束B'所形成的图像与先前形成在衬底W上的图案对准。

可以在辐射源SO中、在照射系统IL中、和/或在投影系统PS中设置相对真空，即，处于比大气压力充分地低的压力下的少量气体(例如氢气)。

辐射源SO可以是激光产生等离子体(LPP)源、放电产生等离子体(DPP)源、自由电子激光器(FEL)、或能够产生EUV辐射的任何其它辐射源。

光刻设备可以(例如)以扫描模式使用，其中在赋予至辐射束的图案被投影至衬底W上的同时，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT(即，动态曝光)。可以由所述投影系统PS的缩小率和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。入射到衬底W上的图案化辐射束可以包括辐射带。辐射带可以被称作曝光狭缝。在扫描曝光期间，衬底台WT和支撑结构MT的移动可以使得曝光狭缝在衬底W的曝光场上行进。

如上文已经描述的，光刻设备可以用于曝光衬底W的部分以便在衬底W上形成图案。为改善将期望的图案转印至衬底W的准确度，可以测量所述光刻设备LA的一个或更多个性质。这样的性质可以被定期地测量，例如在每个衬底W的曝光之前和/或之后测量，或可以较不频繁地测量，例如作为校准过程的部分来测量。可以被测量的光刻设备LA的性质的示例包括光刻设备LA的部件的相对对准和/或光刻设备的部件的像差。例如，可以进行测量以便确定用于支撑图案形成装置MA的支撑结构MT与用于支撑衬底W的衬底台WT的相对对准。确定支撑结构MT与衬底台WT的相对对准有助于将经图案化的辐射束投影至衬底W的期望的部分上。当将经图案化的辐射投影至包括已经暴露于辐射的部分的衬底W上以便改善经图案化辐射与先前曝光区的对准时，这可能是特别重要的。另外或替代地，可以进行测量以便确定图案形成装置MA的变形。

另外或替代地，可以进行测量以便确定所述投影系统PS的光学像差。光学像差是光学系统的性能的与旁轴光学器件的偏离且可能导致在衬底W处被曝光的图案的模糊或变形。可以调整和/或考虑投影系统PS的像差以便增大期望的图案被形成在衬底W上的准确度。

可以通过利用辐射照射反射型标识17(如图1中示意性地示出)来执行测量，诸如上文所描述的对准和像差测量。在替代布置中，可以使用透射型标识。标识是当所述标识被放置于光学系统的视场中时出现在由所述光学系统所产生的图像中的反射型特征。本文中所描述的反射型标识适于用作参考点和/或用作由光学系统所形成的图像的性质的量度。例如，从反射型标识反射的辐射可以用于确定一个或更多个部件的对准和/或一个或更多个部件的光学像差。

在图1中示出的实施例中，反射型标识17形成图案形成装置MA的部分。一个或更多个标识17可以设置在用于执行光刻曝光的图案形成装置MA上。标识17可以被定位在图案形成装置MA的经图案化区域外部，在光刻曝光期间，所述经图案化区域由辐射照射。在一些实施例中，一个或更多个标识17可以另外或替代地设置于支撑结构MT上。例如，一件专用硬件(通常被称作基准件)可以设置于支撑结构MT上。基准件可以包括一个或更多个标识。出于本说明书的目的，基准件被视为图案形成装置的示例。在一些实施例中，专门设计用于测量光刻设备LA的一个或更多个性质的图案形成装置MA可以被放置于支撑结构MT上，以便执行测量过程。所述图案形成装置MA可以包括用于进行作为测量过程的部分的照射的一个或更多个标识17。

在图1中示出的实施例中，所述光刻设备LA是EUV光刻设备且因此使用反射型图案形成装置MA。标识17因而是反射型标识17。标识17的配置可以取决于待使用标识17而进行的测量的属性。标识可以例如包括一个或更多个反射型针孔特征，所述一个或更多个反射型针孔特征包括由吸收区域所包围的反射区域、反射线特征、多个反射线特征的布置、和/或诸如反射型衍射光栅之类的反射光栅结构。

为了测量所述光刻设备LA的一个或更多个性质，设置传感器设备19(如图1中示意性地示出)以测量从投影系统PS所输出的辐射。如图1所示，传感器设备19可以例如设置于衬底台WT上。为了执行测量过程，所述支撑结构MT可以被定位成使得图案形成装置MA上的标识17由辐射照射。衬底台WT可以被定位成使得由投影系统PS将从标识反射的辐射投影至传感器设备19上。传感器设备19与控制器CN连通，所述控制器可以根据由传感器设备19进行的测量来确定光刻设备LA的一个或更多个性质。在一些实施例中，可以设置多个标识17和/或传感器设备19，且可以在多个不同场点(即，投影系统PS的场或物平面中的部位)处测量光刻设备LA的性质。

如上文所描述的，在一些实施例中，从标识反射的辐射可以用于确定光刻设备LA的部件的相对对准。在这样的实施例中，标识17可以包括特征，当利用辐射进行照射时，所述特征向辐射施加对准特征。所述特征可以例如包括呈光栅结构的形式的一个或更多个反射图案。

可以由位于衬底W水平处(例如，在如图1中示出的衬底台WT上)的传感器设备19来测量对准特征在辐射束B中的位置。传感器设备19可以能够操作以检测对准特征在入射到传感器设备19上的辐射中的位置。这可以允许相对于待确定的图案形成装置MA上的标识来对准衬底台WT。在知晓图案形成装置MA与衬底台WT的相对对准的情况下，图案形成装置MA和衬底台WT可以相对于彼此移动以便在衬底W上的期望的部位处形成图案(使用从图案形成装置MA所反射的经图案化辐射束B)。可以使用单独的测量过程确定衬底W在衬底台上的位置。

如上文进一步描述的，在一些实施例中，图案形成装置MA可以具备可以用于测量投影系统PS的像差的一个或更多个标识17。类似于上文描述的对准测量，可以通过利用位于衬底台WT处或靠近衬底台WT的传感器设备19来测量从标识17所反射的辐射，来检测像差。可以由照射系统IL利用EUV辐射来照射图案形成装置MA上的一个或更多个标识17。由投影系统PS将从一个或更多个标识所反射的辐射投影至所述投影系统PS的像平面上。一个或更多个传感器设备19被定位于像平面处或靠近像平面(例如，如图1中示出的衬底台WT上)，并且可以测量经投影的辐射以便确定所述投影系统PS的像差。现将参考图2和图3，描述可以用于确定所述投影系统PS的像差的标识17和传感器设备19的实施例。

图2是可以形成根据本发明的实施例的图案形成装置MA的部分的标识17的示意图。图2中也示出笛卡尔坐标系。y方向可以表示所述光刻设备的扫描方向。即，在扫描曝光期间，衬底台WT和支撑结构MT的移动可以使得在y方向上相对于衬底W扫描图案形成装置MA。标识17通常位于x-y平面中。即，所述标识通常在垂直于z方向的方向上延伸。虽然参考通常位于平面中的标识，但将理解，所述标识不完全被约束于/限于一平面。即，标识的部分可以延伸至标识通常位于的平面之外。如下文将进一步解释的，标识可以包括衍射光栅。衍射光栅可以包括三维结构，所述三维结构包括并没有完全处于平面中但替代地延伸至平面之外的部分。

图2中示出的标识17包括第一部分17a和第二部分17b。第一部分和第二部分两者包括反射型衍射光栅，所述反射型衍射光栅包括周期性光栅结构。所述光栅结构在光栅方向上延伸。第一部分17a包括在第一光栅方向上延伸的衍射光栅，所述第一光栅方向在图2中标示为u方向。第二部分17b包括在第二光栅方向上延伸的衍射光栅，所述第二光栅方向在图2中标示为v方向。在图2的实施例中，u方向和v方向两者相对于x和y方向两者以大约45°对准且大致彼此垂直。标识17的第一部分17a和第二部分17b可以在相同的时间或不同的时间时被辐射照射。

虽然图2中示出的实施例包括包含以垂直光栅方向而定向的衍射光栅的第一部分17a和第二部分17b，但在其它实施例中，标识17可以被设置呈其它形式。例如，标识17可以包括被布置成形成棋盘图案的反射区域和吸收区域。在一些实施例中，标识17可以包括针孔特征的阵列。反射型针孔特征可以包括由吸收材料所包围的反射材料区域。

当标识的第一部分17a和/或第二部分17b由辐射照射时，从所述标识反射多个衍射阶。经反射的衍射阶的至少一部分进入投影系统PS。所述投影系统PS在传感器设备19上形成标识17的图像。图3A和图3B是传感器设备19的示意图。图3A是传感器设备的侧视图且图3B是传感器设备的俯视图。图3A和图3B中也示出笛卡尔坐标。

用于图2、图3A和图3B中的笛卡尔坐标系旨在作为传播穿过所述光刻设备的辐射的坐标系。在每个反射型光学元件处，z方向被定义为垂直于光学元件的方向。即，在图2中，z方向垂直于图案形成装置MA和标识17通常在其中延伸的x-y平面。在图3A和图3B中，z方向垂直于衍射光栅19和辐射传感器23通常在其中延伸的x-y平面。y方向表示扫描方向，在扫描曝光期间，支撑结构MT和/或衬底台WT相对于彼此在扫描方向上被扫描。x方向表示垂直于扫描方向的非扫描方向。应理解(例如，根据图1)，在光刻设备中，所述图案形成装置MA处的z方向不与衬底W处的z方向对准。如上文所解释的，将z方向定义为在光刻设备中的每个光学元件处垂直于光学元件。

传感器设备19包括透射型衍射光栅21和辐射传感器23。从所述投影系统PS输出的辐射25中的至少一些传递穿过所述衍射光栅21且入射到辐射传感器23上。衍射光栅21更详细地示出于图3B中并且包括棋盘衍射光栅。衍射光栅21的在图3B中示出为阴影黑色的区域表示所述衍射光栅21的被配置成对入射辐射大致不透明的区域。图3B中示出的衍射光栅21的非阴影的区域表示被配置成透射辐射的区域。为易于图示，图3B中并没有按比例示出衍射光栅21的不透明区域和透射区域。例如，实际上，衍射光栅特征相对于衍射光栅自身的尺寸的比例可以小于图3B中所指示的。

图3B中所示出的衍射光栅21被描绘为具有包括正方形的透射区域和不透明区域的棋盘构造。然而，实际上，可能难以或不可能制造包括完全正方形的透射区域和不透明区域的透射型衍射光栅。透射区域和/或不透明区域因此可以具有除完全正方形以外的横截面形状。例如，透射区域和/或不透明区域可以具有包括具有倒圆角即经倒圆处理的拐角部的正方形(或更通常是矩形)的横截面形状。在一些实施例中，透射区域和/或不透明区域可以具有大致圆形或椭圆形的横截面形状。在一些实施例中，所述衍射光栅21可以包括形成在不透光材料中的针孔的阵列。

所述辐射传感器23被配置成检测入射到辐射检测器23上的辐射的空间强度分布。所述辐射检测器23可以(例如)包括单独的检测器元件的阵列。例如，辐射检测器23可以包括CCD或CMOS阵列。在用于确定像差的过程期间，支撑结构MT可以被定位成使得利用来自所述照射系统IL的辐射来照射所述标识17。衬底台WT可以被定位成使得由投影系统PS将从所述标识反射的辐射投影至传感器设备19上。

如上文所描述的，多个衍射阶形成在标识17处。辐射的进一步衍射出现在衍射光栅21处。形成在标识17处的衍射阶与形成在衍射光栅21处的衍射图案之间的相互作用产生形成在辐射检测器23上的干涉图案。干涉图案与已传播穿过投影系统的波前的相位的导数相关。因此，干涉图案可以用以确定投影系统PS的像差。

如上文所描述的，标识17的第一部分和第二部分包括垂直于彼此对准的衍射光栅。从标识17的第一部分17a反射的辐射可以提供与沿第一方向的波前的梯度有关的信息。从标识的第二部分17b反射的辐射可以提供与沿第二方向的波前的梯度有关的信息，所述第二方向垂直于第一方向。在一些实施例中，标识的第一部分和第二部分可以在不同时间时被照射。例如，标识17的第一部分17a可以在第一时间时被照射以便导出与沿第一方向的波前的梯度有关的信息，并且标识17的第二部分17b可以在第二时间时被照射以便导出与沿第二方向的波前的梯度有关的信息。

在一些实施例中，图案形成装置MA和/或传感器设备19可以被循序地扫描和/或在两个垂直方向上被步进。例如，图案形成装置MA和/或传感器设备19可以在u方向和v方向上相对于彼此步进。在图案形成装置MA和/或传感器设备19可以在u方向上步进的同时，标识17的第二部分17b被照射；并且在图案形成装置MA和/或传感器设备19可以在v方向上步进的同时，标识17的第一部分17a被照射。即，图案形成装置MA和/或传感器设备19可以在与被照射的衍射光栅的光栅方向垂直的方向上被步进。

图案形成装置MA和/或传感器设备19可以被步进与衍射光栅的光栅周期的一小部分相对应的距离。可以分析在不同步进位置处进行的测量以便导出与步进方向上的波前有关的信息。例如，所测量的信号的第一谐波的相位可以包含与步进方向上的波前的导数有关的信息。因此，在u方向和v方向两者(u方向和v方向两者彼此垂直)上步进所述图案形成装置MA和/或所述传感器设备19允许导出在两个垂直方向上的与波前有关的信息，由此允许重构完整波前。

除图案形成装置MA和/或传感器设备19在与正在受照射的衍射光栅的光栅方向垂直的方向上的步进以外(如上文所描述的)，图案形成装置MA和/或传感器设备19也可以相对于彼此被扫描。可以在与正在受照射的衍射光栅的光栅方向平行的方向上执行图案形成装置MA和/或传感器设备19的扫描。例如，在图案形成装置MA和/或传感器设备19可以在u方向上被扫描的同时，标识17的第一部分17a被照射；并且在图案形成装置MA和/或传感器设备19可以在v方向上被扫描的同时，标识17的第二部分17a被照射。在与正在受照射的衍射光栅的光栅方向平行的方向上扫描图案形成装置MA和/或传感器设备19允许跨越整个衍射光栅上对测量结果求平均值，由此考虑衍射光栅在扫描方向上的任何变化。可以在与上文所描述的图案形成装置MA和/或传感器设备19的步进不同的时间时执行图案形成装置MA和/或传感器设备19的扫描。

如上文所描述的，形成传感器设备19的部分的衍射光栅21被配置呈棋盘的形式。这可以允许在确定在u方向和v方向两者上的波前相位变化期间使用传感器设备19。形成标识17和传感器设备19的衍射光栅的布置仅作为示例性实施例而呈现。将理解，可以使用各种不同布置以便确定波前变化。

在一些实施例中，标识19和/或传感器设备19可以包括除衍射光栅以外的部件。例如，在一些实施例中，标识17和/或传感器设备19可以包括单个狭缝或一个或更多个针孔特征，辐射束的至少一部分可以传播穿过所述单个狭缝或一个或更多个针孔特征。在标识17的情况下，针孔特征可以包括由吸收材料所包围的一部分反射材料，使得辐射仅从标识的较小部分被反射。单个狭缝特征可以具有由吸收材料所包围的反射材料的单个条带的形式。传感器设备19处的针孔特征和/或单个狭缝特征可以是透射特征。通常，标识17可以是向辐射束施加可以用作参考点或用以确定辐射束的测量结果的特征的任何特征。

尽管在上文所描述的实施例中，设置单个标识17和传感器设备19，但是在其它实施例中，可以设置多个标识17和传感器设备19以便测量位于不同的场点处的波前相位变化。通常，任何数目和配置的标识和传感器设备19可以用于提供与波前相位变化有关的信息。

控制器CN(如图1中示出)接收在传感器设备19处进行的测量的结果，并且根据所述测量的结果确定投影系统PS的像差。控制器还可以被配置成控制光刻设备LA的一个或更多个部件。例如，控制器CN可以控制定位设备，所述定位设备能够操作以将衬底台WT和/或支撑结构MT相对于彼此移动。控制器CN可以控制用于调整投影系统PS的部件的调整装置PA。例如，调整装置PA可以调整投影系统PS的元件以便校正由控制器CN所确定的像差。

投影系统PS包括多个反射型透镜元件13、14和用于调整透镜元件13、14以便校正像差的调整装置PA。为了实现这种校正，调整装置PA可以能够操作以通过一种或更多种不同的方式操控投影系统PS内的反射型透镜元件。调整装置PA可以能够操作以进行以下各项的任何组合：使一个或更多个透镜元件移位；使一个或更多个透镜元件倾斜；和/或使一个或更多个透镜元件变形。

投影系统PS具有可能是不均一的光学传递函数，不均一的光学传递函数会影响成像在衬底W上的图案。对于非偏振辐射，这些影响可以由两个标量映射或标量图非常良好地描述，所述两个标量映射描述作为在投影系统PS的光瞳平面中的位置的函数的、射出投影系统PS的辐射的透射(变迹)和相对相位(像差)。可以将可以被称作透射映射和相对相位映射的这些标量映射表达为基函数的完整集合的线性组合。将理解，术语“透射映射”和“相对强度映射”是同义的且透射映射可以可替代地被称作相对强度映射。用于表达这些标量映射的特别便利的基函数的集合是泽尼克(Zernike)多项式，所述泽尼克多项式形成被限定于单位圆上的正交多项式的集合。每个标量映射的确定可以涉及确定这种展开式中的系数。由于泽尼克多项式在单位圆上是正交的，则可以通过依次计算被测量的标量映射与每个泽尼克多项式的内积且将这种内积除以所述泽尼克多项式的范数的平方来确定泽尼克系数。

透射映射和相对相位映射是取决于场和系统的。即，通常，每个投影系统PS将针对每个场点(即，针对投影系统PS的像平面中的每个空间部位)具有不同的泽尼克展开式。

确定投影系统PS的像差可以包括将由传感器设备19进行的波前测量与泽尼克多项式进行拟合以便获得泽尼克系数。不同的泽尼克系数可以提供与由投影系统PS所引起的不同形式的像差有关的信息。可以在x和/或y方向上的不同位置处(即，不同场点处)独立地确定泽尼克系数。

不同的泽尼克系数可以提供与由投影系统PS所引起的不同形式的像差有关的信息。典型地，泽尼克多项式被认为包括多个阶，每个阶具有相关联的泽尼克系数。可以利用指数来标注阶和系数，所述指数通常被称作诺尔(Noll)指数。具有为1的诺尔指数的泽尼克系数可以被称作第一泽尼克系数，具有为2的诺尔指数的泽尼克系数可以被称作第二泽尼克系数，等等。

第一泽尼克系数与所测量的波前的平均值(该平均值可以被称作“活塞”)相关。第一泽尼克系数可以不与投影系统PS的性能相关，并且如此，可以不使用本文中所描述的方法来确定第一泽尼克系数。第二泽尼克系数与所测量的波前在x方向上的倾斜相关。波前在x方向上的倾斜等效于在x方向上的放置。第三泽尼克系数与所测量的波前在y方向上的倾斜相关。波前在y方向上的倾斜等效于在y方向上的放置。第四泽尼克系数与所测量的波前的散焦相关。第四泽尼克系数等效于在z方向上的放置。较高阶的泽尼克系数与其它形式的像差(例如像散、慧差、球差和其它影响)相关。

在整个本说明书中，术语“像差”应预期包括波前与完全球形波前的偏差的所有形式。即，术语“像差”可以与图像的放置(例如，第二泽尼克系数、第三泽尼克系数和第四泽尼克系数)和/或与较高阶的像差相关，较高阶的像差诸如，与具有为5或更大的诺尔指数的泽尼克系数相关的像差。

如上文详细地描述的，一个或更多个反射型标识17可以用于确定光刻设备LA的部件的对准和/或像差。在一些实施例中，分立的标识17可以用于确定部件与用于确定像差的标识的对准。例如，适用于光刻曝光过程的图案形成装置MA可能具有在适用于光刻曝光过程的图案化区域外部的一个或更多个标识。所述一个或更多个标识可以适用于确定图案形成装置MA相对于衬底台WT的对准。

适用于确定像差的一个或更多个标识17可以被设置于测量图案形成装置上，所述测量图案形成装置与用于执行光刻曝光的图案形成装置MA(例如掩模版)分离。出于执行像差测量的目的，测量图案形成装置MA可以例如被设置于支撑结构MT上。测量图案形成装置MA可以包括适用于确定投影系统PS的其它性质的其它特征。例如，测量图案形成装置可以额外地包括适用于确定测量图案形成装置相对于衬底台WT的对准的标识。

在一些实施例中，同一标识可以用于确定对准和像差两者。例如，可以使用呈反射光栅结构(例如衍射光栅)的形式的一个或更多个标识来确定对准和像差两者。在一些实施例中，可以使用同一集合的测量结果来同时确定对准和像差两者。

本文中对图案形成装置MA的提及应被解释为包括包含被配置成修改辐射的一个或更多个特征的任何装置。图案形成装置MA可以例如具备用于在光刻曝光期间使用的图案(例如，图案形成装置可以是掩模版)。另外或替代地，图案形成装置可以具备用于测量过程的一个或更多个标识。通常，图案形成装置MA是被放置于支撑结构MT上以便执行特定过程(例如，用以执行光刻曝光和/或执行一个或多个测量过程)的可移除部件。然而，在一些实施例中，光刻设备LA自身可以具备一个或更多个图案化特征。例如，支撑结构MT可以具备用于测量过程的一个或更多个图案化特征(例如标识)。例如，支撑结构MT可以具备包括一个或更多个标识的一个或更多个基准物。在这样的实施例中，由于支撑结构MT具备被配置成修改辐射的一个或更多个特征，则支撑结构MT自身可以被视为图案形成装置的示例。本文中对于包括反射型标识的图案形成装置的提及不应解释为限制于可移除图案形成装置，而应解释为包括具有设置于其上的反射型标识的任何装置。

参考图1，图案形成装置MA可以被视为设置于投影系统PS的物平面中并且衬底W可以被视为设置于投影系统PS的像平面中。在这样的光刻设备的情境下，投影系统PL的物平面(在投影系统PL的物平面中设置所述图案形成装置MA)，投影系统PL的像平面(在投影系统PL的像平面中设置衬底W)和与其共轭的任何平面可以被称为光刻设备的场平面。将理解，在光学系统(例如光刻设备)内，如果第一平面P内的每个点被成像至第二平面P'的点上，则两个平面是共轭的。

将理解，光刻设备LA包括具有光功率或光焦度的光学器件(即，聚焦和/或发散光学器件)以便在物平面中的物体的像平面中形成图像。在这样的光学系统内，在每对场平面之间可以限定一种作为先前场平面和连续场平面的傅里叶变换平面的光瞳平面。每个这样的光瞳平面内的电场的分布与设置于先前场平面中的对象的傅里叶变换相关。将理解，这种光瞳平面的品质将取决于系统的光学设计且这样的光瞳平面甚至可以是弯曲的。这适用于考虑两个这样的光瞳平面：照射系统的光瞳平面和投影系统的光瞳平面。照射系统的光瞳平面和投影系统的光瞳平面(和任何其它光瞳平面)是相互共轭的平面。辐射在照射系统的光瞳平面PP_IL中的强度(或等效地，电场强度)分布可以被称为照射模式或光瞳填充并且表征光锥在图案形成装置MA处(即，在物平面中)的角分布。类似地，辐射在投影系统的光瞳平面PP_IL中的强度(或等效地，电场强度)分布表征光锥在晶片水平处(即，在像平面中)的角分布。

照射系统IL可以改变束在照射系统的光瞳平面中的强度分布。这可以通过适当地配置琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11来实现。

在曝光衬底W期间，照射系统IL和投影系统PS用于在图像水平衬底W(例如，涂覆有抗蚀剂的硅晶片)上形成物体水平图案形成装置MA的(衍射受限的)图像。在这样的曝光期间，对于照射模式，可以期望使用局部照射模式。例如，可以期望使用多极(例如偶极或四极)照射模式，其中在照射系统PP_IL的光瞳平面中，仅有限数目个(例如两个或四个)离散的极区域接收辐射。图4A和图4B中示出这样的照射模式的两个示例。例如，照射模式可以是如图4A中示出的偶极分布30或如图4B中示出的四极分布32。图4A和图4B中也示出环34，环34表示可以由投影系统PS以物理方式捕获并且被成像至像平面上的限制(这表示数值孔径NA，或可以由投影系统PS所捕获的最大角度的正弦)。在由投影系统PS的数值孔径NA进行标准化的坐标中，环34具有半径σ＝1。偶极分布30包括两个沿直径相对的极区域36，在两个沿直径相对的极区域36中强度是非零的。四极分布32包括类似于图4A中示出的偶极分布的第一偶极分布和相对于第一偶极分布旋转达π/2弧度但其它方面与第一偶极分布一致的第二偶极分布。因此，四极分布32包括四个极区域34，在四个极区域34中强度是非零的。

当光刻设备并不曝光衬底W时，设置于图案形成装置MA上的较多个反射型标识中的一个反射型标识可以用于测量过程中，例如以确定与光刻设备LA相关联的对准和/或像差。当使用来自标识的反射来测量对准和/或像差时，可以期望从标识反射的辐射填充所述投影系统PS的光瞳的较大部分。为了实现这种填充，原则上，照射系统IL可以被重新配置成填充照射系统的光瞳平面(并且因此也填充投影系统的入射光瞳)。然而，为此(并且为在下一次曝光之前恢复至曝光照射模式)可能耗费比这样的在线测量或联机测量所需的时间更多的时间。因此，已知在这样的测量期间提供一种扩散器，所述扩散器被布置成增大从物体水平图案形成装置散射的辐射的角度扩展即角展度以便增大所述投影系统PS的由辐射所填充的入射光瞳的比例。

可以在这些量测测量期间但不在衬底W的曝光期间将这种扩散器放置于辐射束的路径中。这允许EUV光刻设备能够操作以执行半连续的在线量测即联机量测，所述半连续的在线量测即联机量测继而可以用于维持投影系统PS、支撑结构MT和衬底台WT的最优动态设置。另外，这样的测量系统可以用于在曝光所述衬底W之前将图案形成装置MA与衬底W对准。

在物体水平处，一些现有的测量系统使用组合式扩散器和图案形成装置(例如，一维衍射光栅)。一种布置使用安装在支撑结构MT上的三维结构，所述三维结构包括设置于两个不同平面中的凹陷式扩散器和光栅隔膜。EUV辐射束B辐射束离开照射系统IL，从凹陷式扩散器(凹陷式扩散器增大所述辐射的角展度)反射，并且接着在反射后传递穿过光栅隔膜(光栅隔膜散射所述辐射，一些被散射的辐射由投影系统捕获)。这种三维布置无法被形成在掩模版上且因此形成在基准件上。

如WO2017/207512中所描述的，另一布置使用反射型物体，即组合式扩散器和图案形成装置。这种布置呈多层反射叠层形式，所述多层反射叠层被布置成优选地反射EUV辐射，所述布置被施加EUV吸收材料的图案(例如，衍射光栅)。所述多层反射叠层中的各层具备表面粗糙度使得经反射的辐射被扩散。然而，虽然原则上这种图案形成装置可以设置于掩模版上，但制造具有这种内置式表面粗糙度的图案形成装置明显更复杂。因此，实际上，这种图案形成装置更可能形成在基准件上。

本发明的实施例涉及新型扩散器以及用于所述扩散器制备的方法，所述新型扩散器特别适于与上文所论述类型的EUV光刻设备内的EUV测量系统一起使用。

图5A至图5C(共同地，即图5)示意性地示出根据第一示例制备扩散器的方法中的阶段。可以从多个层构造扩散器，所述多个层在本文中被称为叠层。在图5A至图5C中以横截面描绘了用于创建扩散器的一个示例过程中的多个层的中间叠层。参考图5A，第一中间叠层50包括支撑材料层502。例如，支撑材料可以包括氮化硅(SiN)、硅、硅化钼(MoSi₂)。支撑材料层502可以具有大约10nm至60nm的厚度。在一些实施例中，支撑材料是具有对于EUV辐射接近为1的折射率和对于EUV辐射的相对较低吸收系数的材料。对于这样的实施例，支撑材料可以被认为对于EUV辐射是相对光学中性的。支撑材料层502被形成在载体层504上，所述载体层可以用以在形成所述扩散器的同时支撑所述支撑材料层502。例如，所述载体层504可以由硅、氮化硅(SiN)、多孔硅(pSi)或硅化钼(MoSi)形成。所述载体层504可以例如具有在制造期间适于提供足够支撑的任何厚度，并且在一些布置中，可以具有大约100μm至500μm的厚度。例如，所述载体层可以是标准硅晶片。替代地，所述载体层504和支撑层502可以由相同材料的单层提供。

散射材料层506被设置在支撑层502上。散射材料可以是例如诸如钼、钌或铌的物质，但可以是其它合适的散射材料，如下文进一步详细论述的。取决于特定散射材料，散射材料层506可以例如具有大约50nm与400nm之间的厚度(在所描绘的z方向上)。

另一不同金属的另一层508被沉积于中间叠层50的顶上以形成第二中间叠层52。例如，另一金属可以是锌(Zn)。层506和508被处理以形成包括散射金属和另一金属的合金(例如钼-锌合金)的合金层(图中未示出)。散射材料506提供所述合金的第一组分，而另一金属508提供所述合金的第二组分。例如，层506、508可以被退火。可以例如在400度的情况下执行退火。可以在保护性气体环境中执行退火。例如，可以在存在诸如氩气之类的惰性气体的情况下执行退火。

使得到的合金层经受脱合金即去合金化过程以选择性地腐蚀所述合金的所述第二组分。例如，在所述第二组分是锌的情况下，脱合金即去合金化包括脱锌过程。可以通过任何合适的方法执行脱合金即去合金化。例如，脱合金即去合金化可以包括通过浸没在酸(诸如硝酸)中来选择性地溶解锌。

在脱合金即去合金化处理之后，设置一种中间叠层54，其包括支撑层502上的多孔散射层510。所述散射层510可以被认为是具有在其中分布的多个空隙的散射物质。所述方法还可以包括从与支撑层的支撑所述多孔散射层510的表面相对的表面蚀刻所述载体层504。在载体层502和支撑层504是分离的即单独的层的情况下，载体层502可以此背面蚀刻过程期间提供蚀刻停止。载体层504的这种背面蚀刻允许在制造期间使用较厚的、较稳定的载体502和支撑层504。有利地，这可以防止支撑层504损坏或甚至断裂。

可选地，多孔散射层510可以包含位于多个孔(或空隙)内的另一物质。例如，多孔散射层510的多个孔可以填充有惰性气体。替代地，多孔散射层510的多个孔可以利用真空填充。例如，在散射层510随后被罩盖(在下文更详细地论述的)的情况下，可以在惰性气体的气氛中、或在真空中执行所述罩盖。替代地，多孔散射层510可以用光学差异大的材料(例如对于EUV辐射是相对光学中性的材料，例如具有折射率为1或大致接近于1的材料)渗透(通过任何合适的处理，诸如例如ALD、CVD或溅射)。多孔散射层510的这种渗透或浸润可以有益于保护免受劣化、保护结构完整性、允许热扩散。

虽然在实践中，扩散器很可能包含多个层(诸如散射层和支撑层)，但本文中的术语扩散器也可以仅指散射层(即，被配置成扩散入射辐射的层)。

图6A至图6C(共同地，即图6)描绘用于制造适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。在图6A至图6C中以横截面描绘了所述示例过程中的多个层的中间叠层。参考图6A，第一中间叠层60包括支撑层602和载体层604。支撑层602和载体层604可以如上文结合图5A至图5C的支撑层502和载体层504所描述的。

所述中间叠层60还包括多孔层606，所述多孔层606由已被处理以形成结构的材料形成。例如，所述多孔层606可以包括硅或多孔硅。用以创建多孔层606的处理可以包括例如选择性蚀刻(例如金属辅助化学蚀刻、阳极化、选择性浸出/沥滤)。

将散射材料沉积至多孔层602上以形成第二中间叠层62，使得所述散射材料至少部分地占据多孔层602内的多个孔(或空隙)以由此形成散射层608。取决于所使用的散射材料，散射层604可以具有大约介于50nm与1000nm之间的厚度。散射层604可以被认为了提供具有在其中分布的空隙的第一物质，所述空隙中的至少一些空隙填充有散射物质。

如关于先前示例过程所描述的，所述方法还可以包括从与支撑所述散射层604相对的表面蚀刻所述载体层604以提供另一叠层64(其可以是最终叠层或可以是另一中间叠层)。应了解，在下文所论述的其它示例中，虽然没有描绘载体层，但可以设置载体层且可以在散射层已被设置在支撑结构上之后蚀刻所述载体层。

另外，在本文中所描述的所有示例中，除了图5和图6中示出的那些层之外，可以设置额外的层。例如，参考图5作为示例，另一层可以被设置在支撑层502与散射层510之间或载体层504与支撑层502之间。所述额外的层可以在使用期间有益于提供对散射层的额外的保护，特别是保护免受存在于所述光刻设备内部的颗粒影响。类似地，出于相同目的，额外(或“罩盖”)层可以被设置在散射层510的顶上。这样的额外层可以具有大约10nm的厚度。所形成的这种额外的层形成金属氧化物或金属硝酸盐。例如，可以从氮化硅或硅化钼提供额外的层。

图7A至图7E(共同地，即图7)描绘用于制造适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。在图7的示例中，不均匀的散射材料层被沉积于多个结构的随机或准随机布置上(诸如支撑层的表面上的导柱或支撑层的表面中的孔)。可以根据任何合适的技术提供结构。例如且如图7中所描绘的，可以通过纳米颗粒光刻提供结构。替代地，可以使用利用伪随机掩模的正常(例如抗蚀剂)光刻、利用选择性浸出/沥滤进行的脱合金、使用金属催化剂颗粒的随机沉积进行的金属辅助化学蚀刻等来创建结构。

在图7中描绘的示例中，中间叠层70包括支撑层702。例如，所述支撑层702可以采取与以上参考图5和图6所描述的支撑层502、602相同或类似的形式。虽然图7中没有被描绘，但应了解，中间叠层70可以包括载体层，所述载体层可以采取与以上所描述的载体层504、604相同或类似的形式。

纳米颗粒层704被沉积于支撑层702上呈随机或准随机分布。层704中的颗粒可以由聚苯乙烯颗粒形成。替代地，层704中的颗粒可以由适用于纳米球光刻的另一材料形成，诸如乳胶或硅土、纤维素等。在图7A中所描绘的示例中，层704中的颗粒是多分散的，包括具有不同大小范围的多个颗粒。特别地，例如，可以是一些颗粒704具有比其它颗粒704的直径更小的直径。作为示例，颗粒可以具有在20nm至300nm的范围内的直径。颗粒具有相邻颗粒的位移的随机分布。层704中的颗粒可以采取球体的形式。可以任何适当方式将颗粒施加至支撑层702。例如，可以使用来自包含颗粒的胶体或胶质的垂直沉积过程来施加颗粒。例如，可以使用Langmuir-Blodgett沉积过程，如通常例如在Langmuir的2003年12月25日的20042041524-1526(https://doi.org/10.1021/la035686y)中所描述的。垂直沉积过程适于提供聚苯乙烯颗粒的单层。然而应了解，沉积可以根据能够适于产生单层或小数目的层的任何方法。例如，沉积可以借助于在溶剂中旋涂或喷墨颗粒。颗粒可以是球形或大致球形(例如颗粒可以是多个椭球体)。然而，颗粒可以具有其它形状。

如图7B中描绘的，可以使层704中的颗粒收缩以提供第二中间叠层72。层704中的颗粒的收缩是可选的步骤，并且可以有益于进一步暴露支撑层702的区域，从而允许调节所创建的结构的尺寸(大小、间距、密度)，如下文更详细地描述的。例如，可以使用反应性离子蚀刻(RIE)来处理颗粒，这引起层704中的颗粒中的每个颗粒收缩。

无论层704中的颗粒是否收缩，层704中的颗粒都可操作以在支撑层702的表面上提供掩模。应了解，表面上的颗粒的布置是随机或准随机的，由那些颗粒所提供的掩模也将是随机或准随机的。

催化剂被沉积至支撑层702的与颗粒层704相邻的表面上，使得所述表面的没有由颗粒遮蔽的部分被涂覆有催化剂的沉积物712。催化剂可以是金属催化剂，诸如金或铂。移除层704中的颗粒，并且选择性地蚀刻所述支撑层702中的上方沉积有所述催化剂的表面以便形成经修改的支撑材料层714和第三中间叠层74。实际上，支撑层702的与催化剂的沉积物712接触的位置被蚀刻，以便在支撑材料的与所述催化剂接触的表面上创建多个结构(或特征)。这种类型的金属辅助催化蚀刻也是已知且稳固即鲁棒的过程。这种示例中的结构包括具有相对应的峰部或导柱的多个空腔或凹坑。

在替代方案中，可以使用一种过程，由此在颗粒与支撑层的在不受掩模保护的那些区域中受蚀刻的表面之间将所述掩模沉积至支撑层704上。在图7中所描绘的过程在催化剂下方的区域中创建空腔的情况下，这种替代过程可以被认是在保护性掩模下方的区域中创建导柱。如本领域技术人员将众所周知的，可以使用任何适当的掩模材料和蚀刻过程。

在创建经修改的支撑结构714之后，可以移除催化剂或掩模以提供第四中间叠层76，但应理解，这是可选的步骤。

可以接着将散射材料716沉积至经修改的支撑结构714上，所述散射材料形成在经修改的支撑结构714的表面上所提供的结构内和周围以提供另一叠层78(其可以是最终叠层或可以是另一中间叠层)。由于存在于经修改的支撑结构714上的结构，散射材料716充当微透镜的阵列，从而造成入射到从其创建的扩散器上的EUV辐射的散射。透镜形成(部分地)是由结构存在所引起的阴影的结果。因此，可以通过以与所述衬底的表面不成90度的角度引导散射材料716的颗粒流而增加阴影。

虽然没有描绘，但如在先前示例中且在提供载体层的情况下，可以对载体层进行背面蚀刻。另外或替代地，可以蚀刻所述支撑结构714(特别是来自与上方沉积有散射材料716的表面相对的表面)的一部分，以提供扩散器。

图8A至图8D(共同地，即图8)描绘了用于制造适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。图8A描绘第一中间叠层80，所述第一中间叠层包括支撑层802，在所述支撑层上沉积有纳米颗粒804的多分散的单层。层804中的纳米颗粒可以与如上文关于层704中的纳米颗粒所论述的相同，并且可以通过任何过程来沉积。例如，纳米颗粒704可以由聚苯乙烯形成且可以使用垂直沉积过程而被沉积于支撑层802上呈随机或伪随机分布。

通过将散射材料层806沉积于纳米颗粒804之间的支撑层802上来创建第二中间叠层82。例如，可以借助于电沉积来沉积散射材料层806。以这种方式，纳米颗粒804在支撑层802上形成掩模使得散射材料806形成于所述颗粒804周围的间隙中，以提供不均匀的散射材料层。纳米颗粒804可以可选地在散射层沉积之前被收缩，以变更纳米颗粒之间的间距并且暴露较多支撑层802。

可选地移除纳米颗粒804以提供第三叠层84。所述第三叠层84可以用以提供扩散器(例如在载体层(图中未示出)的任何所需的背面蚀刻之后)。应了解，散射材料806在所述支撑层802上形成波纹起伏的或波状的结构。所述波纹起伏结构由峰部和谷部来限定，且相邻峰部之间的间距由在扩散器的制造期间将那些峰部分离的所述纳米颗粒804或多个纳米颗粒804的大小限定。类似地，谷部的深度(即在辐射束的传播的方向上)由纳米颗粒804的形状和深度以及散射材料层806围绕纳米颗粒804沉积至的深度限定(其可以取决于期望的散射/衰减性质和所使用的特定散射材料而变化)。

波纹将与纳米颗粒804的分布匹配，使得波纹可以跨越整个所述散射层随机地或准随机地分布，且在每个维度上具有多个不同的范围。例如，多个峰部中的一些峰部可以在x、y或z方向中的任一方向上具有与所述多个峰部中的其它峰部相比不同的范围，并且任何对相邻峰部之间的间距(在x或y方向上)可能不同于任何其它对相邻峰部之间的间距。另外，应了解，由于纳米颗粒804的不同大小，波纹将具有不同的曲率(例如波纹将具有不同梯度)。

另外，可以提供可选的第二散射材料层，如图8D中所描绘的，在这个示例中，中间层808被沉积于散射层806的顶上以创建另一中间叠层86。中间层808可以由对于EUV辐射是相对光学中性(例如对于EUV辐射具有接近于1的折射率且对于EUV辐射具有相对较低吸收系数)的材料形成。例如，中间层808可以由硅形成。中间层808可以具有在30nm至400nm的范围内，并且优选在30nm至150nm的范围内的厚度。可以接着重复图8A至图8C中所描绘的过程以在中间层808上形成第二散射层810。应了解，所述第二散射层将在用作扩散器时提供入射EUV辐射的额外散射，并且将有助于防止或减少零阶散射。

图9A至图9E(共同地，即图9)描绘用于制造适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。如图9A中示出，第一中间叠层90采取与图8A的中间叠层80相同的形式，使纳米颗粒层904沉积于支撑层902的顶上。与图8中所描绘的过程类似地，第一散射层906沉积于纳米颗粒904之间的支撑层902上。与图8中所描绘的方法形成对比，通过在第一散射层906与另一散射层910之间沉积中间(或牺牲)层908来创建第二中间叠层92(图9B)。中间层908可以由适于选择性蚀刻或使叠层的剩余元件无损的任何其它移除过程的材料形成。

通过移除纳米颗粒904，从而在层906、908、910内留下空腔来创建第三中间叠层94(图9C)。可以通过有时被称为“纳米颗粒光刻”的领域内的任何适当技术，和实际上如对于本领域技术人员将显而易见的任何其它适当技术来移除纳米颗粒904。仅作为示例，可以通过加热来移除纳米颗粒904。通过利用对于EUV辐射为相对光学中性的材料填充空腔来创建第四中间叠层96(图9D)。例如，可以利用硅填充所述空腔(例如经过使用液体硅的硅渗透过程、经过沉积硅(其中一些将填充一些空腔)，或经过任何其它适当方法)。空腔内的材料由此在散射层906上方形成支撑所述散射层910的中间支撑结构912。

通过移除中间层908来创建第五叠层98(图9E)。例如，可以通过蚀刻来移除中间层908。叠层98由此包括由相对稀疏的中间支撑结构912(即分离的颗粒)分离和支撑的两个散射层906、910。如在前述示例中一样，可以重复图9的过程以在散射层910的顶部上创建另外的多层。

在替代布置中，纳米颗粒904可以由例如硅制成。在这样的情况下，在移除所述牺牲层之前无需移除纳米颗粒。在另一替代布置中，纳米颗粒和牺牲层两者可以由硅形成。在这样的情况下，图9B中所描绘的叠层92可以被认为是最终叠层且可以用以提供扩散器(在诸如罩盖层的背面蚀刻或沉积之类的任何其它所需的处理之后)。即，在一些布置中，层910、908、906和纳米颗粒904的组合可以一起提供扩散器的散射层。

图10A至图10E示意性地描绘用于创建适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。在图10A中，示出中间叠层100。所述中间叠层100包括支撑层1002，所述支撑层上沉积有纳米颗粒层1004。所述中间叠层100可以是中间叠层70、80、90，且所述中间叠层100可以根据中间叠层70、80、90而产生。

通过将相对光学中性材料(例如硅)沉积至纳米颗粒1004之间和周围的纳米颗粒1004之间的表面上来创建第二中间叠层102。多个纳米颗粒中的至少一些纳米颗粒的顶部部分保持在光学中性材料的最高水平上方。光学中性材料由此形成填充剂层1006。可选地，可以在填充剂层1006沉积之前处理纳米颗粒1004以使纳米颗粒1004收缩，以进一步暴露支撑层1002的部分。

通过移除纳米颗粒以在填充剂层1006内留下凹坑或空腔来创建第三中间叠层104。纳米颗粒1004可以根据如上文所描述的任何适当技术且将取决于它们的组成来移除。

通过利用散射材料填充所述填充剂层1006内的空腔以在所述填充剂层内形成多个散射颗粒1008来创建第四叠层106。所述第四叠层106可以用以提供扩散器(例如在载体层和/或支撑层1002的任何所需的背面蚀刻之后)。替代地，所述第四叠层106可以是中间叠层，并且可以通过沉积相对光学中性材料(其可能与用于填充剂层1006的材料(例如硅)相同，或可能不同)的另一层1010来创建另一中间叠层108。所述另一层1010提供支撑以创建另一散射层(例如使用图10A至图10D中所阐述的过程，或本文中或在其它地方所教导的另一过程)。

图11A至图11C(共同地，即图11)描绘用于创建适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。在图11A中，中间叠层110包括支撑层1102，所述支撑层上提供有多分散纳米颗粒1104(诸如聚苯乙烯颗粒)的随机或准随机的多层沉积物。可以用如本文中先前描述的任何适当方式，诸如通过垂直胶体沉积将纳米颗粒1104的多层沉积物设置于支撑层1102上。在由纳米颗粒1104所占据的体积内，纳米颗粒可以具有大约60％至70％的填充密度。即，对于由纳米颗粒所占据的体积，所述体积的60％至70％可以由纳米颗粒占据，且剩余的30％至40％是空隙。

通过利用散射材料1106渗透纳米颗粒1104之间的空隙来创建第二中间叠层112。可以根据任何合适的方法提供散射材料1106。提供散射材料1106的示例方法包括原子激光沉积(ALD)和电沉积(例如，如在Fabrication and optical characterization ofpolystyrene opal templates for the synthesis of scalable,nanoporous(photo)electrocatalytic materials by electrodeposition(J.Mater.Chem.A，2017年5月，11601-11614)中所描述的))。

可选地，通过移除纳米颗粒1104以在散射材料1106内留下空隙1108来创建第三叠层114。例如，可以通过在使得纳米颗粒蒸发的足够高温度(例如500度)的情况下加热所述第二叠层112来移除纳米颗粒。在图7至图11中所阐述的示例过程中，纳米颗粒用于创建散射结构/层。在制造过程中的中间阶段，可以移除纳米颗粒。例如，在纳米颗粒是聚苯乙烯颗粒的情况下，可以通过加热和蒸发来移除纳米颗粒。如上文所指示的，可以使用其它类型的纳米颗粒来代替聚苯乙烯，诸如硅土、纤维素等，其也可以通过蒸发而被移除。作为替代的方案，也可以使用氧化钛(TiO₂)纳米颗粒，并且可以通过例如选择性蚀刻来移除氧化钛纳米颗粒。

在一些示例过程中，可以不移除纳米颗粒。

纳米颗粒可以由除聚苯乙烯之外的材料制成。在另一示例中，纳米颗粒可以由对于EUV辐射相对光学中性的材料，诸如硅制成。在纳米颗粒由例如硅(或另一光学中性材料、或与散射材料1106相比提供差异大的折射率的材料)制成的情况下，可以有益的是将纳米颗粒保留用于最终扩散器。这提供了需要较少处理步骤的另一益处。

更通常地，在以上示例中，创建材料的多重的叠层以提供适用于EUV的扩散器。如本领域技术人员应理解的，在一个示例的情境下所描述的创建特定材料层(例如散射层、中间层、颗粒层和诸如气溶胶沉积、垂直沉积、电沉积等)的方法可以在任何其它示例中使用。另外，以上所描述的实施例提供用于在多重的叠层中创建散射表面或结构的方法。应理解，可以组合以上所阐述的过程中的任一种或更多种过程以形成具有多个散射层或结构的多重的叠层。例如，如参考图8C所描述的散射层可以被设置在参考图5所描述的多孔散射结构510的顶上。散射层的任何其它组合是可能的且应被理解为在本公开的范围内。

另外，虽然不同层通常被描述是具有不同厚度，但应了解，那些厚度可以取决于所述层内的所使用材料以及所述层与入射EUV辐射的期望的光学相互作用(如果存在)而改变。然而，通常，在每个示例中，扩散器层(或散射层，即被配置成散射所述入射EUV辐射的那些层)可以沿所接收的辐射的传播方向具有大约介于100nm与1000nm之间的总组合厚度。

应了解，根据本文中所描述的过程所制造的扩散器将是用于EUV辐射的透射型扩散器。通常，为了最大化由所述扩散器所输出的EUV辐射的强度，期望最小化由散射材料层所引起的衰减。这可以通过最小化散射材料的消光系数和/或最小化散射材料的厚度来实现。此外，将理解，对于给定的散射材料，为了增大角分散即角散布的量，期望增大层的厚度；然而为了降低由散射材料所引起的衰减，期望减小层的厚度。具有具备(1-n)的量值较大的散射材料允许减小厚度(而同时仍提供合理的角分散)。具有具备针对EUV辐射的较小的消光系数k的散射材料允许增大厚度(而同时仍提供合理的透射)。

对于散射材料层来说适合的材料包括：钼、钌、钇、铑、锝或铌。图13示出对于这三种材料中的一些材料以及针对碳和硅的、针对EUV辐射的消光系数k相对于针对EUV辐射的(1-n)的量值的曲线。

如已声明的，期望最大化散射材料的针对EUV辐射的(1-n)的量值。在一些实施例中，散射材料的针对EUV辐射的(1-n)的量值可以比0.06的阈值更大(即，图13中的线60的右侧)。在一些实施例中，散射材料的针对EUV辐射的(1-n)的量值可以比0.08的阈值更大(即，图13中的线62的右侧)。在一些实施例中，散射材料的针对EUV辐射的(1-n)的量值可以比0.1的阈值更大(即，图13中的线64的右侧)。在一些实施例中，散射材料的针对EUV辐射的(1-n)的量值可以比0.12的阈值更大(即，图13中的线66的右侧)。

如已声明的，期望最小化散射材料的针对EUV辐射的消光系数k。在一些实施例中，散射材料可以具有针对EUV辐射的比0.04nm^-1的阈值更小(即，图13中的线70下方)的消光系数k。在一些实施例中，散射材料可以具有针对EUV辐射的比0.03nm^-1的阈值更小(即，图13中的线72下方)的消光系数k。在一些实施例中，散射材料可以具有针对EUV辐射的比0.02nm^-1的阈值更小(即，图13中的线74下方)的消光系数k。在一些实施例中，散射材料可以具有针对EUV辐射的比0.01nm^-1的阈值更小(即，图13中的线76下方)的消光系数k。

将理解，对于给定的散射材料，为了增大角分散的量，期望增大层的厚度；然而为了降低由散射材料所引起的衰减，期望减小层的厚度。具有具备较大的(1-n)的量值的散射材料允许减小厚度(而同时仍提供合理的角分散)。具有具备针对EUV辐射的较小的消光系数k的散射材料允许增大厚度(而同时仍提供合理的透射)。因此，将理解，实际上可以选择适合的材料以平衡这两种需要。

在一些实施例中，(1-n)的量值比0.06的阈值更大且针对EUV辐射的消光系数k的量值比0.01nm^-1的阈值更小；或(1-n)的量值比0.08的阈值更大且针对EUV辐射的消光系数k的量值比0.02nm^-1的阈值更小；或(1-n)的量值比0.1的阈值更大且针对EUV辐射的消光系数k的量值比0.03nm^-1的阈值更小；或(1-n)的量值比0.12的阈值更大且针对EUV辐射的消光系数k的量值比0.04nm^-1的阈值更小。即，可以在图13的交叉阴影线区域中找到所述材料。

在一些实施例中，针对EUV辐射的(1-n)的量值和消光系数k满足以下关系：

其中|1-n|是(1-n)的量值。这相当于低于图13中的线80。

本文中所描述的实施例提供造成散射且具有形成在其上或其中的纳米结构的散射材料的一个或更多个层(在本文中被称为散射层、散射结构等)。散射材料的所述层(或多个层)可充当微透镜的随机阵列，从而造成入射到包括所述散射层的扩散器上的EUV辐射的散射。这特别有利地用于EUV辐射(其可以例如具有13.5nm的波长)，这是因为这样的纳米结构包括具有相当于或小于期望扩散的辐射的波长的尺寸的特征。在这些条件下，散射在米氏散射(Mie-scattering)体系中，并且可以实现显著的角分散。例如，在一些实施例中，形成在散射材料层中的纳米结构包括具有在2nm至220nm的范围内的尺寸的特征。

图12示意性地示出扩散器120。所述扩散器120包括载体层1202的已经被背面蚀刻以允许辐射传递穿过所述扩散器120的残余物。在其它实施例中，载体层整体可能已经被背面蚀刻。所述扩散器120还包括支撑层1204和罩盖层1206。散射层1208在支撑层1204与罩盖层1206之间。在所描绘的示例中，所述散射层1208采取图11C的散射层1106的形式，但应了解，散射层1208可以采取如本文中所描述的任何形式。在使用中，辐射1210入射到扩散器120上，大致在所描绘的z方向上传播。这种入射辐射1210可以对应于由照射系统IL所输出的辐射束B。应了解，所述入射辐射可以包括具有不同入射角范围的辐射，并且图12中所示出的箭头1210可以表示主射线的方向。散射层1208使得这种入射辐射在较大角度范围内散布。这是由箭头1212示意性地指示的。

在使用时，扩散器120可以用于增大角范围，从对象水平标识所反射的具有所述角范围的辐射进入所述投影系统PS。特别地，可期望扩散器120的每个部分导致辐射1210的发散度，辐射1210的发散度大约是由所述光刻设备LA中的图案形成装置MA所接受的辐射的角范围。例如，在一个实施例中，所述光刻设备中的图案形成装置MA(和投影系统PS)的数值孔径可以是大约0.08，大约0.08的数值孔径对应于大致7°的角范围。因此，可期望由散射层1208所提供的微透镜引起辐射1210的约7°的发散度。这可确保所述图案形成装置MA上的每个场点从具有约7°的完整角范围的锥体内的大致整个角范围接收辐射。等效地，这可确保利用大致完全的光瞳填充来照射所述图案形成装置。对于一些应用，诸如在偶极照射(如图4A中描绘)情况下，可优选地提供扩散器以使得辐射1210的发散度为大约

度以提供大致完全的光瞳填充。在另一实施例中，所述光刻设备中的所述图案形成装置MA(和所述投影系统PS)的数值孔径可能高于0.08，例如，0.16弧度的数值孔径对应于大致9°的角度范围。

在一些实施例中，所述扩散器120可以具有一定厚度(在图12中的z方向上)，所述厚度被布置成使得传播跨越所述扩散器120的整个厚度的EUV辐射1210产生(2m+1)π弧度的相移。有利地，这抑制零阶(或镜面)散射。

以下的表1列出了可以用作散射材料的多种示例材料。在表1中，n是关于具有13.5nm的波长的辐射(例如EUV辐射)的折射率、k是材料的针对具有13.5nm的波长的辐射的消光系数、Lt指示述材料的层的将使入射辐射衰减至多90％的最大厚度(在辐射的传播方向上)，并且Lr是所述材料的层的针对pi弧度的相移将会需要的最小厚度。行Lr/Lt是指示扩散电位与每种材料的衰减之间的平衡的比率。

表1

从表1可以看到，存在针对特定材料厚度将会提供足够透射和足够散射的多种材料。特别地，具有小于1的比率Lr/Lt的那些材料可以被认为提供了合适的候选。较低Lr/Lt比率可以指示优选材料，但应了解，可以适用其它考虑因素，诸如易于工作、获取、寿命，等等。

如上文所描述的，一些示例包括扩散器，所述扩散器包括多个散射层，每个层被布置成不同地改变传递通过其的EUV辐射的角分布。有利地，通过提供多个层，每个层被布置成不同地改变通过其的EUV辐射的角分布，所述扩散器提供一种布置，由此EUV辐射束可以遍及期望的角度范围较有效地扩散。另外，不同地改变传递通过其的EUV辐射的角分布的多个层提供了对离开所述扩散器的辐射的角分布的更多控制。

图14A至图14C描绘用于制造适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。在图14A至图14C中以横截面描绘了所述示例过程中的多个层的中间叠层。所述第一中间叠层140包括支撑层1402。例如，所述支撑层1402可以采取与上文参考图5和图6所描述的支撑层502、602相同或类似的形式。虽然图14中没有被描绘，但应了解，所述中间叠层70可以包括载体层，所述载体层可以采取与以上所描述的载体层504、604相同或类似的形式。

以如本文中先前描述的任何适当方式，诸如通过垂直胶体沉积将颗粒1406的随机或准随机多层沉积物提供至支撑层1402。所述颗粒是多分散的。颗粒1406的多层沉积物的每个颗粒与一个或更多个相邻颗粒接触使得在相邻颗粒之间形成空隙1408。颗粒1406的多层沉积物可以被认为形成颗粒主体1406。颗粒主体1406中的颗粒可被称为接触颗粒，这是因为每个颗粒与一个或更多个相邻颗粒相接触。

颗粒主体1406包括第一材料的第一颗粒群体1406A和第二材料的第二颗粒群体1406B，并且可被称为颗粒的二元混合物。所述两种材料是散射材料，其示例参考图13和表1被更详细地论述。特别地，选择第一材料和第二材料以具有不同的折射率。基于所述扩散器的期望的性质选择所述二元混合物的组成(即，第一颗粒群体1406A和第二颗粒群体1406B的群体的组成)。示例二元混合物包括硅和钼、钌和硅、硅化钼和硅。

除了所述颗粒1406A、1406B的组成以外，也可以基于所述扩散器的期望的光学性质选择颗粒主体1406的其它特性。例如，经过所述扩散器的辐射的散射的角分布取决于颗粒大小、颗粒大小分布、和填充密度。通过变更组成、颗粒大小、颗粒大小分布、和/或填充密度，诸如散射角、零阶散射的抑制、发射率和衰减之类的性质。在由颗粒主体1406所占据的体积内，颗粒1406A、1406B可以具有大约60％至70％的填充密度。即，对于由颗粒所占据的体积，该体积的60％至70％可以由颗粒1406A、1406B所占据，其中剩余的30％至40％是空的(即包括空隙1408)。

在第二中间叠层142中，例如通过熔合颗粒以形成熔合颗粒主体1014，来将颗粒主体1406固定就位。用于固定所述颗粒1406的工序可以包括提供热和/或压力。特别地，可以使用烧结以固定所述颗粒，例如激光闪光烧结、火花等离子体烧结或放电烧结。其它固定方法是可用的。将颗粒固定就位可以作为沉积过程的一部分或作为单独的过程来执行。

在第三中间叠层144中，保护层被设置在熔合颗粒主体1410的顶上。所述保护层可以提供对在使用中(例如在光刻设备中的环境中)的散射层(即熔合颗粒主体1410)的保护。另外或替代地，保护层可以提供对于扩散器的增大的发射率。

图15A至图15C图示根据参考图14A至图14C所描述的过程所制造的示例扩散器，和所述扩散器的性能。特别地，颗粒包括硅化钼和硅(MoSi和Si)，并且是以介于75nm至85nm之间的半径而多分散的。颗粒以(准)随机分布而沉积。大致六个颗粒层被沉积于支撑层上。

图15A描绘得到的颗粒主体的高度图或高度映射1500。高度图1500省略了支撑层，但在使用中颗粒主体将会由支撑层支撑。

图15B和图15C描绘针对入射到示例扩散器上的EUV辐射的平面波的散射角。特别地，图15B和图15C协作以图示经散射的EUV辐射的束廓形，其中图15B描绘在与经散射EUV辐射的行进方向正交的平面中所述经散射EUV辐射跨越一定角度范围的强度，并且图15C描绘所述束廓形的横截面表示。EUV辐射在高达40°的广角度范围经历散射。EUV辐射在大致10°的角分布内经历了具有相对恒定强度的散射。如此，这种示例扩散器可以对于高数值孔径图案形成装置提供有效扩散器。

图16A和图16B描绘用于制造适用于EUV辐射的扩散器的另一示例过程。特别地，图16A和图16B中的扩散器是适用于EUV辐射的全息扩散器。以横截面描绘所述示例过程中的中间叠层160、162。

第一中间叠层160包括支撑层1602。例如，所述支撑层1602可以采取与如上文参考图5和图6所描述的支撑层502、602相同或类似的形式。虽然图16A和图16B中没有被描绘，但应了解，中间叠层70可以包括载体层，所述载体层可以采取与如以上所描述的载体层504、604相同或类似的形式。

结构1604被设置在支撑层1602的顶上。可以根据任何合适的技术设置所述结构1604。例如，并且如图16中描绘的，可以使用电子束掩模经过光刻来设置所述结构1604。替代地，可以使用电子束光刻或纳米压印光刻术等来创建所述结构。

空隙1605被形成在所述结构1604之间。即，在由结构1604所占据的空间的体积内，存在不包含结构的因此包括空隙1605的体积。

结构1604(并且因此空隙1605)被布置呈全息干涉图案，使得当由辐射照射时，所述辐射被衍射以便形成全息图。选择结构布置使得产生期望的全息图。可以在测量系统(例如，如上文所描述的测量系统)的输入平面处产生所述全息图。

在示例布置中，选择形成具有跨越选定角分布(例如10°)为大致恒定的角度分布(即角强度分布)的全息图的全息干涉图案。大致恒定的角度分布可以被称为顶帽形分布。在另一示例布置中，选择全息干涉图案以便形成一种全息图，其中与全息图的径向内部部分相比在全息图的径向外部部分中具有更强的角度分布。即，全息扩散器扩散EUV辐射，使得针对较大散射角以较高强度散射光。

结构1604以特定布置被布置于支撑层1602的平面上(例如在x-y平面中)。每个结构1604的每个部分具有一定高度，所述每个部分从支撑层1602延伸达所述高度。所述高度可以被称为结构1604的所述部分的厚度。支撑层1602上的结构1604的布置包括支撑层1602上的每个结构1604的位置和厚度的组合，并且可以被称为全息干涉图案的厚度分布L(x,y)。在下文中进一步较详细地描述确定厚度分布L(x,y)的方法。

第二中间叠层162描绘将填料层或填补层1606设置在支撑层1602和/或结构1604的顶上的步骤。可以根据任何合适的技术，例如原子激光沉积(ALD)或电沉积来设置所述填料层1606。

设置填料层1606以便填充先前包括空隙1605(例如，如图16A中示出)的体积。所述填料层1606具备一定厚度，使得结构1604和填料层1606在z方向(即从支撑结构1604延伸)上的经组合的厚度是大致恒定的。填料层1606可以被认为对结构进行水平调整即调平，从而提供平滑表面(例如在微尺度或纳米尺度上大致平滑的)。

所述填料层1606包括具有与结构1604的材料相比不同折射率的材料。特别地，填料层1606包括具有与结构1604的折射率的实部(n_structure)相比折射率的不同实部(n_padding)的材料。

可以使用微分折射率δn_padding、δn_structure以量化通过层1606的折射率的实部n_padding、和结构1604的折射率的实部n_structure偏离1的量。当填料层1606和结构1604被组合呈薄层(如图16B中所描绘的)时，所述薄层具有使用方程式(2)来近似的折射率的有效实部n_eff。为简单起见，折射率的有效实部可以被简单地称作有效折射率。

n_eff＝δn_padding-δn_structure (2)

折射率的实部n_padding、n_structure影响辐射的折射，并且因此控制所述扩散器的散射性质。选择填料层1606使得其具有与结构1604的折射率的实部n_structure相比更高的折射率的实部n_padding。

填料层1606还包括具有与结构1604的折射率的类似虚部(k_structure)相比折射率的类似虚部(k_padding)的材料。当将填料层1606和结构1604组合呈薄层(如图16B中所描绘的)时，所述薄层具有使用方程式(3)所近似的折射率的有效虚部n_eff。

k_eff＝δk_structure-δk_padding (3)

折射率的有效虚部k_eff影响所述扩散器的衰减。如此，通过向填料层1606和结构1604提供折射率的类似虚部，则它们各自具有可比的即相当的衰减。

可以使用方程式(4)来近似所述薄层的有效层厚度L。

行进经过所述扩散器的辐射在所述辐射行进经过的所述扩散器的位置处基于填料层1606和结构1604中的每个的厚度而经历相移和衰减。当辐射传递穿过所述扩散器的其中所述填料层1606的厚度为零(0)且所述结构1604的厚度为L的区域时，经历零(0)的相移。当辐射传递穿过所述扩散器的其中所述填料层1606和所述结构1604各自具有厚度

的区域时，经历pi(π)的相移。当辐射传递穿过所述扩散器的其中所述填料层1606的厚度为L且所述结构1604的厚度为零(0)的区域时，经历两个pi(2π)的相移。通过将填料层1606和结构1604的厚度限制为

的倍数，则可以将相移控制为pi(π)相移的倍数，由此提供受控的相位调制。将这样的受控厚度用于全息扩散器中可以被称为二元相位调制或三元相位调制。

应注意，如本文中所描述的全息扩散器由于所述散射层内的厚度和布置的受控选择来采用受控相位调制。这与本文中所描述的其它扩散器(例如参考图14A至图14C所描述的扩散器)形成对比，所述扩散器由于所述散射层中的纳米颗粒的(准)随机布置来使用随机相位调制。

所述填料层1606和所述结构1604的部分的厚度可以例如基于制造限制而被进一步限制至最小厚度，例如50nm或0nm。填料层1606和结构1604的部分的厚度可以被进一步限制至最大厚度，例如200nm，例如用以限制衰减。

确定所述结构1604的布置和厚度的示例方法如下。考虑在表示为平面(x,y)的平面中延伸的薄扩散层，可以根据方程式(5)来近似光通过扩散层的散射。

M(x,y)对由行进通过所述扩散层的特定位置(在x和y中)的具有波长λ的辐射射线所经历的散射角进行量化。所计算的光的散射M(x,y)可以被称为角度分布M(x,y)。所述扩散层具有表示所述扩散层的在x和y中的每个位置处的有效厚度的厚度分布L(x,y)。Δn表示所述扩散层的折射率的实部与1的偏差，并且k是折射率的虚部。

在给出方程式(4)中的近似值的情况下，可以通过根据方程式(5)进行傅立叶变换

来近似与扩散层相关联的经扩散光的空间分布S(fx,fy)(即，空间强度分布)。

可以选择期望的角度分布M_D(x,y)。期望的角度分布M_D(x,y)可以包括，例如且如以上所描述的，顶帽形分布。在给出期望的角度分布M_D(x,y)的情况下，诸如方程式(4)和(5)中的近似值之类的近似值可以用以确定厚度分布L(x,y)，所述厚度分布将在给出特定波长λ的辐射的情况下产生具有期望的角度分布M_D(x,y)的全息图。应理解，另外或替代地，可以使用相似方法来确定折射率分布(例如折射率的实部与1的偏差Δn和/或折射率的虚部)，所述折射率分布将在给出特定波长的辐射的情况下产生具有期望的角度分布M_D(x,y)的全息图。此外，为了确定对应厚度分布，可以选择在与所述全息扩散器相距一定距离处的期望的空间强度分布，而不是选择期望的角度分布M_D(x,y)。然而，在本文中所描述的示例中，为简单起见描述对厚度分布L(x,y)的确定。

在特定示例中，使用Gerchberg-Saxton算法在数值上执行对厚度分布L(x,y)的确定。所述算法接收所选材料(例如以上关于表1所描述的散射物质中的一种)的期望的角度分布M_D(x,y)、波长λ、折射率和/或偏差Δn。所述算法接着迭代地执行计算，诸如方程式(2)和(3)的修改版本，以便确定厚度分布L(x,y)。所述确定可以是估计值。可以预定迭代的次数。替代地，可以基于与所估计的厚度分布L(x,y)相关联的品质度量来选择迭代的次数。所述算法可以使用高度限制，例如用以限制厚度分布使得扩散层的区域不会超过最大厚度和/或不会比最小厚度更薄。可以基于制造方法，例如制造方法的分辨率极限来选择这样的最大和最小厚度。应理解，可以使用其它方法来确定厚度分布L(x,y)和/或折射率分布，例如可以使用分析方法或可以使用不同数值方法。

返回至图16A和图16B，通过布置对应于所确定的厚度分布L(x,y)的结构1604，可以制作以期望的角度分布M_D(x,y)散射辐射的全息扩散器。

图17、图18和图19分别图示各自包括钼、钌和硅化钼的示例全息扩散器和它们的性能。图17、图18和图19的示例全息扩散器不包括填料层，而是替代地包括介于其上的结构之间的空隙。

每个全息扩散器包括根据所确定的厚度分布L(x,y)而布置的结构1604。针对包括具有9°的角分布的顶帽形分布的期望的角度分布M_D(x,y)，使用上文所描述的方法来确定每个全息扩散器的厚度分布L(x,y)。使用针对每个相应的全息扩散器所包括的材料(即钼、钌和硅化钼)的折射率数据来确定针对每个全息扩散器的厚度分布L(x,y)。

图17图示了针对包括钼结构的全息扩散器所确定的厚度分布L(x,y)172。所述厚度分布L(x,y)包括具有高度量度0、

或L的结构的准随机布置，其中L是针对钼而计算的。

图17也示出针对包括钼结构的全息扩散器的相移分布170和透射分布174。相移分布170图示了由被透射经过所述全息扩散器的EUV辐射在跨越整个所述扩散器的不同位置处所经历的相移在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何为-π、0或π(即等效于0、π和2π)。透射分布174图示了穿过所述全息扩散器的EUV辐射的透射率在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何在从0.6至1的范围内。全息扩散器的平均透射率大致为78％。

图17也示出由包括钼结构的全息扩散器所扩散的EUV辐射的角度分布176。所述角度分布176在为9°的角分布内是大致恒定的。即，角度分布176大致对应于期望的角度分布M_D(x,y)。角度分布176并没有确切地对应于期望的角度分布M_D(x,y)，这是因为在为9°的角分布内存在某种非均一性。特别地，在0°的情况下存在亮斑177，指示某一零阶散射。此外，一些EUV辐射被散射大于9°，这是由于在大于9°的角度的情况下出现散射光的“光晕”178而显而易见的。

图18图示针对包括钌结构的全息扩散器所确定的厚度分布L(x,y)182。所述厚度分布L(x,y)包括具有高度量度0、

或L的结构的准随机布置，其中L是针对钌来计算的。

图18也示出针对包括钌结构的全息扩散器的相移分布180和透射分布184。相移分布180图示了由被透射穿过所述全息扩散器的EUV辐射在跨越整个所述扩散器的不同位置处所经历的相移在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何为-π、0或π(即等效于0、π和2π)。透射分布184图示了穿过所述全息扩散器的EUV辐射的透射率在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何在从0.4至1的范围内。所述全息扩散器的平均透射率大致为66％。

图18也示出由包括钌结构的全息扩散器所扩散的EUV辐射的角度分布186。所述角度分布186在为9°的角分布内是大致恒定的。即，角度分布186大致对应于期望的角度分布M_D(x,y)。角度分布186并没有确切地对应于期望的角度分布M_D(x,y)，这是因为在为9°的角分布内存在某种非均一性。特别地，在0°的情况下存在亮斑187，指示某一零阶散射。此外，一些EUV辐射被散射大于9°，这是由于在大于9°的角度的情况下出现散射光的“光晕”188而显而易见的。

图19图示了针对包括硅化钼结构的全息扩散器所确定的厚度分布L(x,y)192。所述厚度分布L(x,y)包括具有高度量度0、

或L的结构的准随机布置，其中L是针对硅化钼来计算的。

图19也示出针对包括硅化钼结构的全息扩散器的相移分布190和透射分布194。相移分布190图示由被透射穿过所述全息扩散器的EUV辐射在跨越整个扩散器的不同位置处所经历的相移在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何为-π、0或π(即等效于0、π和2π)。透射分布194图示了穿过所述全息扩散器的EUV辐射的透射率在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何在从0.45至1的范围内。全息扩散器的平均透射率大致为68％。

图19也示出由包括硅化钼结构的全息扩散器所扩散的EUV辐射的角度分布196。所述角度分布196在9°的角分布内是大致恒定的。即，角度分布196大致对应于期望的角度分布M_D(x,y)。角度分布196并没有确切地对应于期望的角度分布M_D(x,y)，这是因为在9°的角分布内存在某种非均一性。特别地，在0°的情况下存在亮斑197，指示某一零阶散射。此外，一些EUV辐射被散射大于9°，这是由于在大于9°的角度的情况下出现散射光的“光晕”198而显而易见的。

图20图示如针对包括钌结构和氧化硅填料层的全息扩散器所确定的钌结构的厚度分布(x,y)2002。示出在填料层的沉积之前的厚度分布(x,y)2002。所述厚度分布(x,y)2002包括具有高度量度0、

或L的结构的准随机布置，其中L是针对钌来计算的。在提供所述填料层之后，得到的厚度分布大致等于L，而无任何实质性厚度变化。

图20也示出针对包括钌结构和氧化硅填料层的全息扩散器的相移分布2000和透射分布2004。相移分布2000图示了由被透射穿过所述全息扩散器的EUV辐射在跨越整个所述扩散器的不同位置处所经历的相移在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何为-π、0或π(即等效于0、π和2π)。透射分布2004图示了穿过所述全息扩散器的EUV辐射的透射率在大致对应于结构的准随机布置的准随机图案中如何在从0.3至0.5的范围内。全息扩散器的平均透射率大致为39％。

图20也示出由包括硅化钼结构的全息扩散器所扩散的EUV辐射的角度分布2006。所述角度分布2006在9°的角分布内是大致恒定的。即，角度分布2006大致对应于期望的角度分布M_D(x,y)。角度分布2006并没有确切地对应于期望的角度分布M_D(x,y)，这是因为在9°的角分布内存在某种非均一性。然而，所述非均一性与不具有所述填料层的先前示例全息扩散器的非均一性相比是较低的。特别地，在0°处不存在亮斑，指示有所减少的零阶散射。

包括填料层的全息扩散器可以有益地在期望高度均一散射分布的应用中使用。不具有填料层的全息扩散器有益地在期望高EUV透射的应用中使用。

根据本发明的一些实施例，提供一种用于确定用于投影系统PS的像差映射或相对强度映射的测量系统，所述测量系统包括上述扩散器中的一种扩散器。根据本发明的一些实施例，提供一种包括这种测量系统的光刻设备。

在使用时，扩散器被设置成使得扩散器可以被移动至介于所述照射系统IL与所述投影系统PS之间的辐射的光学路径中和所述辐射的光学路径外。这种光学设备提供对于光刻设备LA的场平面中的辐射的角分布的控制，所述光学设备在所述光刻设备LA的下游。这样的场平面包括支撑结构MT的平面(即，图案形成装置MA的平面)和衬底台WT的平面(即，衬底W的平面)。为了确保所述扩散器可以被移动至介于所述照射系统IL与所述投影系统PS之间的辐射的光学路径中和所述辐射的光学路径外，可以将所述扩散器安装在光刻设备LA的图案形成装置遮蔽叶片上，如现在所论述的。

光刻设备LA具有四个掩模版遮蔽叶片，所述掩模版遮蔽叶片(其也可以被称为图案形成装置遮蔽叶片)限定所述图案形成装置MA上的受照射的场的范围。照射系统IL能够操作以照射被设置在支撑结构MT上的物体(例如，图案形成装置MA)的大致矩形的区域。这种大致矩形的区域可以被称为所述照射系统IL的狭缝且由四个掩模版遮蔽叶片限定。第一方向(第一方向可以被称为x方向)上的大体上矩形的区域的范围由一对x遮蔽叶片限定。第二方向(第二方向可以被称为y方向)上的大体上矩形的区域的范围由一对y遮蔽叶片限定。

遮蔽叶片中的每个遮蔽叶片被设置成靠近于支撑结构MT的平面，但略微在所述平面外。x遮蔽叶片被设置于第一平面中并且y遮蔽叶片被设置于第二平面中。

遮蔽叶片中的每个遮蔽叶片限定物体的平面中的接收辐射的矩形场区域的一个边缘。每个叶片可以是能够在回缩位置(在回缩位置处，所述叶片没有被设置于所述辐射束的路径中)与插入位置(在插入位置处，所述叶片至少部分地阻挡被投影至所述物体上的辐射束)之间独立地移动。通过将遮蔽叶片移动至辐射束的路径中，可以(在x和/或y方向上)截断所述辐射束B，因而限制接收辐射束B的场区域的范围。

x方向可以对应于所述光刻设备LA的非扫描方向，并且y方向可以对应于所述光刻设备LA的扫描方向。即，所述物体(和像平面中的衬底W)可以是能够在y方向上移动穿过所述场区域，以便在单次动态扫描曝光中曝光所述物体(和所述衬底W)的较大的目标区域。在这样的动态扫描曝光期间，y遮蔽叶片被移动以控制所述场区域，以便确保不曝光所述衬底W的在目标区域外部的部分。在扫描曝光开始时，y遮蔽叶片中的一个y遮蔽叶片被设置于辐射束B的路径中，以充当遮蔽件，使得衬底W的部分不接收辐射。在扫描曝光结束时，另一y遮蔽叶片被设置于辐射束B的路径中，以充当遮蔽件，使得衬底W的部分不接收辐射。

所述扩散器可以被安装在所述光刻设备LA的图案形成装置遮蔽叶片上。特别地，在扫描曝光期间，所述扩散器可以被定位成使得当遮蔽叶片被设置于它们的名义运动范围内的位置处时，所述扩散器并没有被大体设置于辐射束的路径中。

所述扩散器可以具有以下性质中的任一性质。所述扩散器可以在至少一个散射方向上产生具有5°至10°或更大的宽度的角散射分布。所述扩散器可以产生(作为散射角的函数的)均一的或高斯角功率分布。所述扩散器可以具有针对EUV辐射的小于90％，例如小于50％的吸收率(对于单程即单个行程)。所述扩散器在光刻设备中可以具有超过7年的寿命即使用期限(例如，具有约～0.1％至1％的照射占空比)。所述扩散器可以能够操作以经受约1W/cm²至10W/cm²的未衰减的EUV功率密度。所述扩散器可以具有约～1至3mm²×1至3mm²的尺寸。

在参考垂直胶体沉积作为沉积方法的情况下，另外或替代地，可以使用以下工序：喷墨印刷和旋涂。

根据另一实施例，透射式扩散器包括支撑结构，所述支撑结构包括具有孔的多孔结构。所述支撑结构可以是纳米管的网络，例如碳纳米管、多壁碳纳米管、单壁碳纳米管的束、氮化硼或MoS2纳米管作为芯纤维。所述纳米管可以随机地对准，从而向沉积至所述管上的光学活性扩散器材料提供结构支撑。

散射层至少部分地覆盖支撑结构，所述散射层被配置成散射所接收的辐射。所述散射层包括Mo、Y、Zr、Nb、Ru中的至少一种。所述散射层提供光学活性材料以将光扩散成期望的光廓形。理想地，散射层具有与真空的情况相比相对较低的EUV光吸收和较高的折射率收缩率。所述散射层具有至少10nm、可选地至少20nm、可选地至少40nm、可选地至少100nm的厚度。所述厚度确定吸收度。

可选地，所述散射层支撑顶部层，所述顶部层包括至少一种MoO₃、Y₂O₃、ZrO₂、Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、Ru、W、金属，所述顶部层的厚度为至少0.3nm、可选地至少1nm。这种顶部层可以提供等离子体和高温耐受性和缓解。所述扩散器可以是全息扩散器。

这种实施例中所描述的支撑结构也可以用于其它实施例中。

虽然可以在本文中具体地提及在IC制造中光刻设备的使用，但将理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。

虽然可以在本文中具体地提及在光刻设备的情境下的本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的目标的任何设备的部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

虽然上文已描述本发明的特定实施例，但将理解，可以用与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述旨在是例示性的，而不是限制性的。因而，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐明的方面的范围的情况下对如所描述的本发明进行修改。

方面1.一种被配置成接收和透射辐射的扩散器，其中所述扩散器包括：散射层，所述散射层被配置成散射所接收的辐射，所述散射层包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙，其中：所述第一物质是散射物质，或所述空隙中的至少一个空隙包含散射物质且所述第一物质具有与所述散射物质相比更低的折射率。

方面2.根据方面1所述的扩散器，其中所述第一物质是所述散射物质。

方面3.根据方面2所述的扩散器，其中散射物质包括具有微孔的泡沫且所述空隙由所述微孔提供且所述空隙包含真空或惰性气体。

方面4.根据方面2所述的扩散器，其中所述空隙包含硅或氮化硅中的一种。

方面5.根据方面1所述的扩散器，其中空隙包含所述散射物质。

方面6.根据方面5所述的扩散器，其中所述第一物质包括多孔硅基结构，所述空隙由所述第一物质的微孔限定。

方面7.根据方面1至4中任一项所述的扩散器，其中所述散射物质包括接触颗粒的主体，并且所述空隙被设置在相邻颗粒之间。

方面8.根据方面7所述的扩散器，其中接触颗粒的所述主体内的每个颗粒与接触颗粒的所述主体中的至少一个其它颗粒熔合。

方面9.根据方面7或8所述的扩散器，其中所述颗粒包括二元混合物，所述二元混合物包括第一材料和具有不同于所述第一材料的折射率的第二材料。

方面10.根据方面9所述的扩散器，其中所述第一材料包括硅。

方面11.根据方面9或10所述的扩散器，其中所述第二材料包括钼或钌。

方面12.根据方面7至11中任一项所述的扩散器，其中所述颗粒具有在至少一个维度上大约数纳米的范围。

方面13.根据方面7至12中任一项所述的扩散器，其中所述颗粒在至少一个维度上的大小不同。

方面14.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述散射物质包括第一参数对第二参数的比率为1或小于1的物质，其中所述第一参数是将允许对所接收的辐射透射10％的物质的层的最大厚度，并且所述第二参数是将导致Pi的相移的物质的层的最小厚度。

方面15.根据任一前述方面所述的扩散器，其中空隙在所述第一物质内分布于多个层中，每个层大致处于在使用期间与所述辐射的传播方向垂直的平面中。

方面16.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述空隙在所述第一物质内分布于单个层中，所述层大致处于在使用期间与所述辐射的所述传播方向垂直的平面中。

方面17.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述散射物质包括去合金化材料。

方面18.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述空隙具有在至少一个维度上大约数纳米的范围。

方面19.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述空隙在所述第一材料内是多分散的。

方面20.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述空隙随机地或准随机地布置于所述第一材料内。

方面21.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述散射层具有介于50nm至1000nm之间的厚度。

方面22.根据任一前述方面所述的扩散器，所述扩散器被配置成使得在至少一个散射方向上的角散射分布具有5°或更大的宽度。

方面23.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述散射物质包括以下各项中的一种：钼、钌、铌、铑、钇或锝。

方面24.根据任一前述方面所述的扩散器，包括多个散射层。

方面25.根据方面24所述的扩散器，其中第一散射层由中间层与第二散射层分离。

方面26.根据方面25所述的扩散器，其中所述中间层包括硅。

方面27.根据方面25或26所述的扩散器，其中所述中间层包括具有与所述散射物质相比更低的折射率的分离颗粒的层。

方面28.根据方面27所述的扩散器，其中所述分离颗粒随机地或准随机地布置于所述中间层内。

方面29.根据方面27或28所述的扩散器，其中所述分离颗粒包括在至少一个维度上的大小不同的颗粒。

方面30.根据方面1所述的扩散器，其中所述第一物质和所述空隙协作以在一旦在所述散射层的表面处接收到辐射后产生全息图。

方面31.根据方面30所述的扩散器，其中所述全息图具有角强度分布，所述角强度分布至少在所述全息图的径向外部部分中与其在所述全息图的中心区中一样强。

方面32.根据方面31所述的扩散器，其中所述径向外部部分与所述全息图的所述中心在角度上间隔开至少9°。

方面33.根据方面30至32中任一项所述的扩散器，其中所述第一物质包括与所述散射层的所述表面垂直的具有变化的厚度的多个结构。

方面34.根据方面33所述的扩散器，其中：所述扩散器能够操作以在接收到具有波长λ的辐射后形成所述全息图；所述全息扩散器具备有效折射率n_eff；并且所述多个结构中的每个结构的厚度是

的整数倍。

方面35.根据方面30至34中任一项所述的扩散器，其中所述空隙包含第二物质。

方面36.根据方面35所述的扩散器，其中所述第二物质的折射率的实部不同于所述第一物质的折射率的实部，并且所述第二物质的折射率的虚部类似于所述第一物质的折射率的虚部。

方面37.根据方面35或36所述的扩散器，其中组合的第一物质和第二物质具有大致恒定的组合厚度分布。

方面38.根据方面30至37中任一项所述的扩散器，其中所述第一物质包括以下各项中的一种：钼、钌、铌、铑、钇或锝。

方面39.根据方面35至38中任一项所述的扩散器，其中所述第二物质包括硅。

方面40.一种全息扩散器，所述全息扩散器包括散射层，所述散射层包括多个结构，所述多个结构被配置成在一旦在所述散射层的表面处接收到极紫外辐射后产生全息图，其中所述全息图具有角强度分布，所述角强度分布在所述全息图的径向外部部分中与所述全息图的中心区相比至少一样强。

方面41.根据任一前述方面所述的扩散器，所述扩散器还包括保护层，所述保护层被配置成保护所述散射层免受EUV等离子体蚀刻影响。

方面42.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述扩散器还包括盖层，所述盖层至少部分地覆盖散射层以在使用期间保护所述散射层。

方面43.一种用于确定用于投影系统的像差映射或相对强度映射的测量系统，所述测量系统包括根据任一前述方面所述的扩散器。

方面44.根据方面43所述的测量系统，所述测量系统包括：图案形成装置；照射系统，所述照射系统被布置成利用辐射照射所述图案形成装置；以及传感器设备；其中所述照射系统和所述图案形成装置被配置成使得所述投影系统接收由所述图案形成装置散射的所述辐射的至少一部分，并且所述传感器设备被配置成使得所述投影系统将所接收的辐射投影至所述传感器设备上；并且其中所述扩散器能够操作以接收由所述照射系统产生的所述辐射且在所述辐射照射所述图案形成装置之前变更所述辐射的角分布。

方面45.根据方面44所述的测量系统，其中所述扩散器在至少以下位置之间是能够移动的：第一操作位置，其中所述扩散器至少部分地设置于由所述照射系统产生的所述辐射的路径中且被布置成在所述辐射照射所述图案形成装置之前变更所述辐射的角分布；与第二储存位置，其中所述扩散器被设置在由所述照射系统产生的所述辐射的所述路径之外。

方面46.根据方面43至45中任一项所述的测量系统，当包括根据方面30至40中任一项所述的扩散器时，其中所述全息图形成在所述测量系统的输入平面处。

方面47.一种光刻设备，所述光刻设备包括：根据方面43至46中任一项所述的测量系统；和投影系统，所述投影系统被配置成接收所述辐射的由图案形成装置散射的至少一部分且被配置成将所接收的辐射投影至所述传感器设备上。

方面48.根据方面47所述的光刻设备，其中所述扩散器被安装在所述光刻设备的图案形成装置遮蔽叶片上，所述图案形成装置遮蔽叶片的边缘限定所述光刻设备的场区。

方面49.一种形成用以接收和透射辐射的根据方面1至3或14至20所述的扩散器的方法，所述方法包括：形成合金层，所述合金层包括第一物质和第三物质，其中所述第一物质是散射物质；对所述合金层进行去合金化以便从所述合金层移除所述第三物质且以便形成包括所述第一物质且具有在其中分布的多个空隙的散射层。

方面50.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：通过利用散射材料渗透多孔结构来形成散射层。

方面51.根据方面50所述的方法，其中所述散射层被形成在支撑层上。

方面52.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：在支撑层的表面上沉积多个颗粒以形成掩模；在所述掩模上方在所述支撑层上沉积散射材料以围绕所述多个颗粒形成散射层。

方面53.根据方面52所述的方法，还包括使沉积于所述支撑层上的所述多个颗粒中的一个或更多个颗粒收缩，以便在沉积所述散射材料之前暴露所述支撑层的所述表面的较大区域。

方面54.根据方面52或53所述的方法，其中所述颗粒经由垂直胶体沉积而被沉积于所述支撑层上。

方面55.根据方面52、53或54所述的方法，其中所述颗粒形成沉积于所述支撑层的所述表面上的单个层，并且所述散射层在所述支撑层上形成波纹起伏散射表面。

方面56.根据方面52、53或54所述的方法，其中所述颗粒形成沉积于所述支撑层的所述表面上的多个层，所述多个层中的每个层在使用中处于大致与所接收的辐射的方向垂直的平面中。

方面57.根据方面52至56中任一项所述的方法，还包括在沉积所述散射材料之后移除所述颗粒。

方面58.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：在支撑层的表面上沉积多个颗粒以形成掩模；在所述掩模上方在所述支撑层的所述表面上沉积第二材料以围绕所述多个颗粒形成所述第二材料的一层；移除所述多个颗粒中的至少一些颗粒以在所述第二材料的所述层内形成凹坑；将散射材料沉积至所述第二材料内的所述凹坑中的至少一些凹坑中以在所述第二材料的所述层内形成散射特征。

方面59.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：在支撑层的表面上沉积多个颗粒以形成掩模；在所述掩模上方在所述支撑层的所述表面上沉积第二材料；选择性地蚀刻所述支撑层的所述表面以在所述支撑层的所述表面上形成多个结构；将散射材料沉积至所述支撑层的所述表面上，所述散射材料形成在所述多个结构上方以形成散射层；其中所述第二材料是催化剂且所述选择性蚀刻包括蚀刻所述支撑层的与所述第二材料接触的区域，或其中所述第二材料是保护性材料且所述选择性蚀刻包括蚀刻所述支撑层的不与所述第二材料接触的区域。

方面60.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括：将多个颗粒沉积至支撑层的表面上使得所述颗粒形成接触颗粒的主体。

方面61.根据方面50所述的方法，其中沉积包括以下各项中的至少一个：垂直胶体沉积、旋涂和喷墨印制。

方面62.根据方面60或61所述的方法，其中沉积包括熔合所述多个颗粒。

方面63.根据方面62所述的方法，其中所述多个颗粒经由提供热和/或压力而被熔合。

方面64.根据方面62或63所述的方法，其中所述多个颗粒使用烧结而被熔合。

方面65.根据方面60至64中任一项所述的方法，其中所述颗粒包括二元混合物，所述二元混合物包括第一材料和具有与所述第一材料不同的折射率的第二材料。

方面66.根据方面52至65中任一项所述的方法，还包括形成另一散射层。

方面67.根据方面66所述的方法，其中所述另一散射层是依据根据方面33至40中任一项所述的方法而形成的。

方面68.根据方面66或67所述的方法，其中形成另一散射层包括在所述散射层上方沉积中间层以及在所述中间层的顶上形成所述另一散射层。

方面69.根据方面52至68中任一项所述的方法，其中所述支撑层形成在载体层上，所述载体层用以在形成所述扩散器时支撑所述支撑层，并且其中所述方法还包括一旦已形成第一层和第二层就移除所述载体层。

方面70.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括在所述扩散器的支撑层的表面上产生多个结构，其中所述结构被布置成在一旦在所述表面处接收到辐射后产生全息图。

方面71.根据方面70所述的方法，其中所述全息图具有角强度分布，所述角强度分布至少在所述全息图的径向外部部分中与所述全息图的中心区相比一样强。

方面72.根据方面69至71中任一项所述的方法，其中使用光刻来产生所述多个结构。

方面73.根据方面69至72中任一项所述的方法，还包括将第二物质沉积至分布于所述多个结构内的多个空隙中。

方面74.根据方面70至73中任一项所述的方法，还包括产生与多个表面特征的期望的布置对应的厚度分布，所述期望的布置基于所述全息图的期望的角度分布。

方面75.根据方面74所述的方法，其中产生所述表面分布包括使用Gerchberg-Saxton算法。

方面76.根据方面52至75中任一项所述的方法，还包括从所述支撑层的与所述支撑层的支撑所述散射层的表面相对的表面蚀刻所述支撑层。

方面77.根据方面52至76中任一项所述的方法，还包括提供至少部分地覆盖所述支撑层和/或所述散射层的盖层。

方面78.一种被配置成接收和透射辐射的扩散器，其中所述扩散器包括：支撑结构，所述支撑结构包括具有孔的多孔结构；散射层，所述散射层至少部分地覆盖所述支撑结构、被配置成散射所接收的辐射。

方面79.根据方面78所述的扩散器，其中所述支撑结构包括纳米管。

方面80.根据方面78至79中任一项所述的扩散器，其中所述散射层包括以下各项中的至少一种：钼、钌、铌、铑、钇、锆或锝。

方面81.根据方面78至80中任一项所述的扩散器，其中所述散射层具有至少10nm、可选地至少20nm、可选地至少40nm、可选地至少100nm的厚度。

方面82.根据方面78至81中任一项所述的扩散器，其中所述散射层支撑包括以下各项中的至少一种的顶部层：MoO3、Y2O3、ZrO2、Al2O3、HfO2、ZrO2、Ru、W、金属，所述顶部层具有至少0.3nm、可选地至少1nm的厚度。

方面83.根据方面78至82中任一项所述的扩散器，其中扩散器具有至少10％、可选地至少20％、可选地至少30％、可选地至少40％、可选地至少50％的孔隙率分数。

方面84.根据任一前述方面所述的扩散器，其中所述扩散器是透射型扩散器。

Claims (15)

1.一种被配置成接收和透射辐射的扩散器，其中所述扩散器包括：

散射层，所述散射层被配置成散射所接收的辐射，

所述散射层包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙，

其中：所述第一物质是散射物质，或

所述空隙中的至少一个空隙包含散射物质且所述第一物质具有与所述散射物质相比更低的折射率。

2.根据权利要求1所述的扩散器，其中所述第一物质是所述散射物质，其中散射物质包括具有微孔的泡沫且所述空隙由所述微孔提供且所述空隙包含真空或惰性气体。

3.根据权利要求2所述的扩散器，其中所述空隙包含硅或氮化硅中的一种。

4.根据权利要求1所述的扩散器，其中空隙包含所述散射物质，其中所述第一物质包括多孔硅基结构，所述空隙由所述第一物质的微孔限定。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的扩散器，其中所述散射物质包括接触颗粒的主体，并且所述空隙被设置在相邻颗粒之间。

6.根据权利要求5所述的扩散器，其中所述颗粒包括二元混合物，所述二元混合物包括第一材料和具有不同于所述第一材料的折射率的第二材料。

7.根据权利要求6所述的扩散器，其中所述第一材料包括硅，并且所述第二材料包括钼或钌。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的扩散器，还包括支撑结构，其中所述散射层至少部分地覆盖所述支撑结构，其中所述支撑结构包括纳米管。

9.根据权利要求1所述的扩散器，其中所述第一物质和所述空隙协作以在一旦在所述散射层的表面处接收到辐射后产生全息图。

10.根据权利要求9所述的扩散器，其中所述空隙包含第二物质，其中所述第二物质的折射率的实部不同于所述第一物质的折射率的实部，并且所述第二物质的折射率的虚部类似于所述第一物质的折射率的虚部。

11.根据前述权利要求中任一项所述的扩散器，其中所述第一物质至少包括以下各项中的一种：钼、钌、铌、铑、钇、锆或锝。

12.根据权利要求10至11中任一项所述的扩散器，其中所述第二物质包括硅。

13.一种全息扩散器，所述全息扩散器包括散射层，所述散射层包括多个结构，所述多个结构被配置成在一旦在所述散射层的表面处接收到极紫外辐射后产生全息图，其中所述全息图具有角强度分布，所述角强度分布在所述全息图的径向外部部分中与所述全息图的中心区相比至少一样强。

14.一种光刻设备，包括：

测量系统，所述测量系统用于确定用于投影系统的像差映射或相对强度映射，所述测量系统包括根据任一前述权利要求所述的扩散器；和

投影系统，所述投影系统被配置成接收所述辐射的由图案形成装置散射的至少一部分且被配置成将所接收的辐射投影至传感器设备上。

15.一种形成用于接收和透射辐射的扩散器的方法，所述方法包括在所述扩散器的支撑层的表面上产生多个结构，其中所述结构被布置成在一旦在所述表面处接收到辐射后产生全息图。

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