CN114530566A

CN114530566A - 电致发光显示装置

Info

Publication number: CN114530566A
Application number: CN202111355024.5A
Authority: CN
Inventors: 李今荣; 金正五; 李成浩; 姜圣浩
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2020-11-23
Filing date: 2021-11-16
Publication date: 2022-05-24
Anticipated expiration: 2041-11-16
Also published as: US12402514B2; KR20220070769A; KR102768018B1; CN114530566B; US20220165990A1

Abstract

本公开内容涉及一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置具有抵抗氢颗粒渗透的鲁棒结构。根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置包括：基板；设置在基板上的驱动层；设置在驱动层上的发射层；设置在发射层上的封装层；以及围绕发射层的周缘区域的堰部，该堰部包括有机层和氢吸收层。

Description

电致发光显示装置

技术领域

本公开内容涉及电致发光显示装置。更具体地，本公开内容涉及一种具有抗氢颗粒渗透的鲁棒结构的电致发光显示装置。

背景技术

在显示装置中，电致发光显示装置是自发光装置，并且具有的优点是视角和对比度比其他显示装置的视角和对比度更优异。此外，由于电致发光显示装置不需要单独的背光，因此有利的是电致发光显示装置能够薄且轻便并且具有低功耗。此外，电致发光显示装置中的有机发光显示装置具有的优点是其可以以低的直流电压来驱动，具有快速的响应速度，并且具有低的制造成本。

电致发光显示装置包括多个电致发光二极管。电致发光二极管包括阳极电极、形成在阳极电极上的发光层以及形成在发光层上的阴极电极。如果向阳极电极施加高电位电压而向阴极电极施加低电位电压，则阳极电极中的空穴和阴极电极中的电子分别向发光层移动。当空穴和电子在发光层中彼此结合时，在激发过程期间形成激子，并且由于来自激子的能量而产生光。电致发光显示装置通过对由堤部隔开的多个电致发光二极管的发光层所产生的光量进行电控制来显示图像。

封装层可以被包括，以保护电致发光显示装置的各种元件免受从外部侵入的氧或湿气的影响。封装层可以具有无机层和有机层交替堆叠的结构。特别地，由于封装层的有机层可以具有相对低的粘度，因此当将其设置在显示面板上时需要控制铺展性。为了控制封装层的有机层的铺展性，可以在电致发光显示器的外部区域中设置诸如堰部的结构元件。

堰部可以由有机材料制成。可能存在有机材料不能完全阻止湿气或氢颗粒从外部渗透的问题。已经提出了各种方法。然而，需要提供一种用于防止氢颗粒渗透和/或传播到显示元件中的结构和方法。

发明内容

本公开内容的目的是提供一种包括用于防止湿气从外部环境侵入的堰部结构的电致发光显示装置。本公开内容的另一个目的是提供一种包括用于防止氢颗粒从外部环境侵入并传播到显示元件中的结构元件的电致发光显示装置。

为了实现上述目的之一，根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置包括：基板；设置在基板上的驱动层；设置在驱动层上的发射层；设置在发射层上的封装层；以及围绕发射层的周缘区域的堰部，堰部包括有机层和氢吸收层。

在一个示例中，有机层包括：第一有机层；在第一有机层上的第二有机层；以及在第二有机层上的第三有机层。氢吸收层包括第一氢吸收层，其接触第一有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

在一个示例中，第二有机层覆盖第一有机层，并且接触第一氢吸收层的整个外表面。

在一个示例中，氢吸收层还包括第二氢吸收层，其接触第二有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

在一个示例中，氢吸收层还包括第三氢吸收层，其接触第三有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

在一个示例中，有机层包括：第一有机层；在第一有机层上的第二有机层；以及在第二有机层上的第三有机层。氢吸收层包括第一氢吸收层，其设置在驱动层上并且被第一有机层覆盖。

在一个示例中，氢吸收层还包括第二氢吸收层，其设置在第一有机层上并且被第二有机层覆盖。

在一个示例中，氢吸收层还包括竖直氢吸收层，其连接第一氢吸收层和第二氢吸收层，并且穿透第一有机层。

在一个示例中，氢吸收层还包括第三氢吸收层，其设置在第二有机层上并且被第三有机层覆盖。

在一个示例中，氢吸收层还包括竖直氢吸收层，其连接第一氢吸收层和第三氢吸收层，并且穿透第一有机层和第二有机层。

在一个示例中，氢吸收层还包括第二氢吸收层，其接触第一有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

在一个示例中，氢吸收层包括彼此分离的多个岛形状。

在一个示例中，氢吸收层还包括第二氢吸收层，其设置在驱动层的第一无机层与第二无机层之间。

在一个示例中，氢吸收层还包括竖直氢吸收层，其连接第一氢吸收层和第二氢吸收层，并且穿透第二无机层。

在一个示例中，堰部包括：靠近显示区域设置的内堰部；以及设置在内堰部的外部的外堰部。

在一个示例中，有机层包括：与驱动层的上表面接触的底侧；以预定高度与底侧分开的顶侧；连接底侧和顶侧的内壁侧；以及连接底侧和顶侧并且面向内壁侧的外壁侧。氢吸收层覆盖有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

在一个示例中，有机层包括：与驱动层的上表面接触的底侧；以预定高度与底侧分开的顶侧；连接底侧和顶侧的内壁侧；以及连接底侧和顶侧并且面向内壁侧的外壁侧。氢吸收层设置在有机层的底侧与驱动层的上表面之间。

在一个示例中，有机层包括：与驱动层的上表面接触的底侧；以预定高度与底侧分开的顶侧；连接底侧和顶侧的内壁侧；以及连接底侧和顶侧并且面向内壁侧的外壁侧。氢吸收层具有竖直壁片形状，该竖直壁片形状从顶侧到底侧穿透有机层，并且接触驱动层的上表面。

根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置可以包括具有氢吸收层的堰部结构，该氢吸收层用于阻挡氢颗粒和湿气从外部环境侵入。另外，即使氢颗粒可能侵入到显示器的最外表面中，根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置也可以包括由钼、钛或它们的合金金属制成的氢吸收层，以通过吸收氢颗粒来防止氢颗粒传播到显示元件。因此，根据本公开内容的电致发光显示装置可以防止由于氢颗粒和/或湿气从外部环境渗透和/或传播而对有机元件和氧化物半导体元件的损坏。

除了以上提及的本公开内容的效果之外，本领域技术人员将从本公开内容的以下描述中清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。

附图说明

附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开内容的电致发光显示装置的结构的平面图。

图2是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置的结构。

图3是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示装置的结构。

图4是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置的结构。

图5是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置的结构。

图6是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置的结构。

图7是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置的结构。

图8是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示装置的结构。

图9是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第八实施方式的电致发光显示装置的结构。

图10是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第九实施方式的电致发光显示装置的结构。

图11是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十实施方式的电致发光显示装置的结构。

图12是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十一实施方式的电致发光显示装置的结构。

图13是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十二实施方式的电致发光显示装置的结构。

图14是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十三实施方式的电致发光显示装置的结构。

具体实施方式

将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容是透彻和完整的，并向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。

在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开内容不限于所示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时，将省略该详细描述。

在使用本公开内容中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加其他部分，除非使用“仅-”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非相反地指出。

在解释元件时，尽管没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当将位置关系描述为“在...上”、“在...上方”、“在...下方”和“邻近...”时，可以在两个部分之间布置一个或更多个部分，除非使用“恰好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当将时间顺序描述为“在…之后”、“随后”、“接下来”和“在…之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“恰好”或“直接”。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

术语“至少一个”应被理解为包括相关联所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。

如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以多种方式彼此互操作以及在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的电致发光显示装置的示例。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部分。

图1是示出根据本公开内容的电致发光显示装置的结构的平面图。参照图1，根据本公开内容的电致发光显示装置可以包括基板SUB、像素P、公共电力线CPL、栅极驱动电路200、堰部DM和驱动集成电路300。

基板SUB是基础基板(或基础层)，并且包括塑料材料或玻璃材料。鉴于显示装置的特性，优选的是，基板SUB是透明的。根据一个示例的基板SUB可以在平面上具有矩形形状、圆角矩形形状或非矩形形状，其中，圆角矩形形状的每一个角部分被以一定曲率半径倒圆，非矩形形状具有至少六个侧面。在这种情况下，具有非矩形形状的基板SUB可以包括至少一个突出部或至少一个凹口部分。

根据一个示例的基板SUB可以划分为显示区域AA和非显示区域IA。显示区域AA设置在基板SUB的大部分中央部分处，并且可以被定义为用于显示图像的区域。根据一个示例的显示区域AA可以在平面上具有矩形形状、每一个角部分被以一定曲率半径倒圆的圆角矩形形状、或具有至少六个侧面的非矩形形状。在这种情况下，具有非矩形形状的显示区域AA可以包括至少一个突出部或至少一个凹口部分。

非显示区域IA设置在基板SUB的边缘区域上以围绕显示区域AA，并且可以被定义为不显示图像的区域或外围区域。根据一个示例的非显示区域IA可以包括设置在基板SUB的第一边缘上的第一非显示区域IA1、与第一非显示区域IA1平行地设置在基板SUB的第二边缘上的第二非显示区域IA2、设置在基板SUB的第三边缘上的第三非显示区域IA3、以及与第三非显示区域IA3平行地设置在基板SUB的第四边缘上的第四非显示区域IA4。例如，第一非显示区域IA1可以是但不限于基板SUB的上(或下)边缘区域，第二非显示区域IA2可以是但不限于基板SUB的下(或上)边缘区域，第三非显示区域IA3可以是但不限于基板SUB的左(或右)边缘区域，第四非显示区域IA4可以是但不限于基板SUB的右(或左)边缘区域。

可以在基板SUB的显示区域AA上设置多个像素P。根据一个示例的像素P可以是以矩阵布置来布置的多个像素，并且可以布置在基板SUB的显示区域AA中。像素P可以由扫描线SL、数据线DL和像素驱动电力线PL限定。

扫描线SL沿着第一方向X横向延伸，并且沿着与第一方向X交叉的第二方向Y以一定间隔布置。基板SUB的显示区域AA包括与第一方向X平行地沿着第二方向Y彼此间隔开的多条扫描线SL。在这种情况下，第一方向X可以被定义为基板SUB的水平方向，第二方向Y可以被定义为基板SUB的竖直方向，反之亦然，并不限制这种情况。

数据线DL沿着第二方向Y纵向延伸，并且沿着第一方向X以一定间隔布置。基板SUB的显示区域AA包括与第二方向Y平行地沿着第一方向X彼此间隔开的多条数据线DL。

像素驱动电力线PL可以布置在基板SUB上以与数据线DL平行。基板SUB的显示区域AA包括与数据线DL平行的多条像素驱动电力线PL。可选地，像素驱动电力线PL可以布置成与扫描线SL平行。

根据一个示例的像素P可以布置在显示区域AA上以具有条纹结构。在这种情况下，一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。此外，一个单位像素还可以包括白色子像素。

根据另一示例的像素P可以布置在显示区域AA上以具有pentile结构。在这种情况下，一个单位像素可以包括在二维上以多边形形状布置的至少一个红色子像素、至少两个绿色子像素和至少一个蓝色像素。例如，具有pentile结构的一个单位像素可以被布置成使得一个红色子像素、两个绿色子像素和一个蓝色子像素在二维上具有八边形形状。在这种情况下，蓝色子像素可以具有相对最大的开口面积(或发光面积)，而绿色子像素可以具有相对最小的开口面积。

像素P可以包括像素电路PC以及与像素电路PC电连接的发光二极管ED，该像素电路PC与其邻近的扫描线SL、数据线DL和驱动电力线PL电连接。

像素电路PC响应于从与其相邻的至少一条扫描线SL供应的扫描信号，基于从其相邻的数据线DL供应的数据电压，控制从像素驱动电力线PL流向发光二极管ED的电流Ied。

根据一个示例的像素电路PC可以包括至少两个薄膜晶体管和一个电容器。例如，根据一个示例的像素电路PC可以包括向发光二极管ED供应基于数据电压的数据电流Ied的驱动薄膜晶体管、向驱动薄膜晶体管供应从数据线DL供应的数据电压的开关薄膜晶体管、以及存储驱动薄膜晶体管的栅极-源极电压的电容器。

根据另一示例的像素电路PC可以包括至少三个薄膜晶体管和至少一个电容器。例如，根据至少三个薄膜晶体管中的每一个的操作(或功能)，根据另一示例的像素电路PC可以包括电流供应电路、数据供应电路和补偿电路。在这种情况下，电流供应电路可以包括向发光二极管ED供应基于数据电压的数据电流Ied的驱动薄膜晶体管。数据供应电路可以包括至少一个开关薄膜晶体管，至少一个开关薄膜晶体管响应于至少一个扫描信号而向电流供应电路供应从数据线DL供应的数据电压。补偿电路可以包括至少一个补偿薄膜晶体管，至少一个补偿薄膜晶体管响应于至少一个扫描信号而补偿驱动薄膜晶体管的特性值(阈值电压和/或迁移率)的变化。

发光二极管ED发射与从像素电路PC供应的数据电流Ied相对应的亮度的光。在这种情况下，数据电流Ied可以通过驱动薄膜晶体管和发光二极管ED从驱动电力线PL流向公共电力线CPL。

根据一个示例的发光二极管ED可以包括与像素电路PC电连接的像素驱动电极(未示出)(或第一电极或阳极)、形成在像素驱动电极上的发光层(未示出)、以及与发光层电连接的公共电极CE(或第二电极或阴极)。

公共电力线CPL布置在基板SUB的非显示区域IA上，并且与布置在显示区域AA上的公共电极CE电连接。根据一个示例的公共电力线CPL在具有一定线宽的同时沿着与基板SUB的显示区域AA相邻的第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4布置，并且围绕除了以下部分之外的其他部分：与基板SUB的第一非显示区域IA1相邻的显示区域AA的部分。公共电力线CPL的一端可以布置在第一非显示区域IA1的一侧上，公共电力线CPL的另一端可以布置在第一非显示区域IA1的另一侧上。公共电力线CPL的一端和另一端可以布置成围绕第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4。因此，根据一个示例的公共电力线CPL可以在二维上具有“∩”形，与基板SUB的第一非显示区域IA1相对应的“∩”形的一侧是敞开的。

可以在基板SUB上形成封装层，以围绕显示区域AA的上表面和侧面以及公共电力线CPL。同时，封装层可以在第一非显示区域IA1中暴露公共电力线CPL的一端和另一端。封装层可以防止氧或水渗透到显示区域AA中所设置的发光二极管ED中。根据一个示例的封装层可以包括至少一个无机膜。根据另一示例的封装层可以包括多个无机膜以及在多个无机膜之间置入的有机膜。

根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置可以包括焊盘部分PP、栅极驱动电路200和驱动集成电路300。

焊盘部分PP可以包括设置在基板SUB的非显示区域IA中的多个焊盘。根据一个示例的焊盘部分可以包括设置在基板SUB的第一非显示区域IA1中的多个公共电力供应焊盘、多个数据输入焊盘、多个电力供应焊盘和多个控制信号输入焊盘。

栅极驱动电路200设置在基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中，并且与设置在显示区域AA中的扫描线SL以一对一关系连接。利用像素P的制造工艺(即，薄膜晶体管的制造工艺)，栅极驱动电路200可以与基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4集成在一起。栅极驱动电路200基于从驱动集成电路300供应的栅极控制信号产生扫描信号，并且根据给定顺序输出扫描信号，从而根据给定顺序驱动多条扫描线SL中的每一条。根据一个示例的栅极驱动电路200可以包括移位寄存器。

堰部DM可以具有闭合曲线结构，其中，堰部DM设置在基板SUB的第一非显示区域IA1、第二非显示区域IA2、第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4中，以围绕显示区域AA的外围。例如，堰部DM可以布置在公共电力线CPL外部，并且因此位于基板SUB上方的最外部。优选地，焊盘部分PP和驱动集成电路300布置在堰部DM的外部区域中。

尽管图1示出了堰部DM被布置在最外部，但是堰部DM不限于图1的示例。作为另一示例，堰部DM可以布置在公共电力线CPL与栅极驱动电路200之间。作为另一示例，堰部DM可以布置在显示区域AA与栅极驱动电路200之间。堰部DM可以具有从显示区域AA的外部完全围绕显示区域AA的闭合曲线形状。

通过芯片封装(接合)工艺，驱动集成电路300被封装在基板SUB的第一非显示区域IA1中所限定的芯片封装区域中。驱动集成电路300的输入端子与焊盘部分PP电连接，并且因此与设置在显示区域AA中的多条数据线DL和多条像素驱动电力线PL电连接。驱动集成电路300接收通过焊盘部分PP从显示驱动电路部分(或主机电路)输入的各种电源、定时同步信号和数字图像数据，通过根据定时同步信号产生栅极控制信号来控制栅极驱动电路200的驱动，并且同时将数字图像数据转换为模拟型像素数据电压，以将转换后的数据电压供应给相应的数据线DL。

<第一实施方式>

参照图2，将说明根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置。图2是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置可以包括基板SUB、像素阵列层120、间隔物SP和封装层130。

基板SUB是基础层，并且包括塑料材料或玻璃材料。根据一个示例的基板SUB可以具有不透明或彩色的聚酰亚胺材料。根据另一示例的电致发光显示装置可以包括附接在基板SUB的后表面处的背板。背板可以是用于将基板SUB保持为平面状态的元件。背板可以由诸如聚对苯二甲酸乙二酯材料的塑料材料制成。

根据本公开内容的另一实施方式的基板SUB可以是柔性玻璃基板。例如，玻璃材料的柔性基板SUB可以是具有100微米或更小的厚度的薄型玻璃基板，或者是通过基板蚀刻工艺被蚀刻为具有100微米或更小的厚度的玻璃基板。

基板SUB可以包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域IA。图2中示出的非显示区域IA可以对应于图1中示出的第四非显示区域IA4。

可以在基板SUB的上表面上形成缓冲膜(未示出)。缓冲膜形成在基板SUB的一个表面上，以防止水通过易受水渗透的基板SUB而渗透到像素阵列层120中。根据一个示例的缓冲膜可以由交替沉积的多个无机膜制成。例如，缓冲膜可以由交替沉积的硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)和SiON的一个或更多个无机膜的多层膜形成。在附图中，为方便起见，省略了缓冲膜。

像素阵列层120可以包括驱动层100和发射层110。驱动层100可以具有多个薄膜晶体管T，发射层110可以具有多个发光二极管ED。像素阵列层120可以包括薄膜晶体管层、平坦化层PLN、堤部图案BN和发光二极管ED。

根据一个示例的驱动层100可以包括薄膜晶体管T、栅极绝缘膜GI、中间绝缘层ILD。在这种情况下，图2中示出的薄膜晶体管T可以是与发光二极管ED电连接的驱动薄膜晶体管。

薄膜晶体管T包括形成在基板SUB或缓冲膜上的半导体A、栅电极G、源电极S和漏电极D。图2示出但不限于薄膜晶体管T的顶栅结构，其中栅电极G布置在半导体层A上方。对于另一示例，薄膜晶体管T可以具有栅电极G布置在半导体层A下方的底栅结构，或者栅电极G布置在半导体层A上方和下方的双栅结构。

半导体层A可以形成在基板SUB或缓冲膜上。半导体层A可以包括硅基半导体材料、氧化物基半导体材料或有机基半导体材料，并且可以具有单层结构或多层结构。可以在缓冲膜与半导体层A之间另外形成用于屏蔽外部光进入半导体层A的遮光层。

可以在整个基板SUB上形成栅极绝缘膜GI以覆盖半导体层A。栅极绝缘膜GI可以由无机膜形成，例如硅氧化物(SiOx)膜、硅氮化物(SiNx)膜、或SiOx和SiNx的多层膜。

可以在栅极绝缘膜GI上形成栅电极G以与半导体层A交叠。栅电极G可以与扫描线SL一起形成。根据一个示例的栅电极G可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成。

可以在整个基板SUB上形成中间绝缘层ILD以覆盖栅电极G和栅极绝缘膜GI。中间绝缘层ILD在栅电极G和栅极绝缘膜GI上提供平坦化平面。

可以在中间绝缘层ILD上形成源电极S和漏电极D以与半导体层A交叠。栅电极G置于源电极S与漏电极D之间。源电极S和漏电极D可以与数据线DL、驱动电力线PL和公共电力线CPL一起形成。例如，通过同时对源-漏电极材料进行图案化工艺来分别形成源电极S、漏电极D、数据线DL、驱动电力线PL和公共电力线CPL。

源电极S和漏电极D中的每一个可以通过电极接触孔而连接至半导体层A，该电极接触孔穿过中间绝缘层ILD和栅极绝缘膜GI。源电极S和漏电极D可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成。在这种情况下，图2中示出的薄膜晶体管T的源电极S可以与像素驱动电力线PL电连接。

如上所述，设置在基板SUB的像素P中的薄膜晶体管T构成像素电路PC。此外，如图1中所示布置在基板SUB的第四非显示区域IA4中的栅极驱动电路200可以包括与设置在像素P中的薄膜晶体管T(如图2中所示)相同或相似的薄膜晶体管。

在整个基板SUB上形成平坦化层PLN以覆盖驱动层100。平坦化层PLN在驱动层100上提供平坦化表面。根据一个示例的平坦化层PLN可以由有机膜或无机膜形成。对于无机膜的情况，平坦化层PLN可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层。对于有机膜的情况，平坦化层PLN可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。对于另一种情况，平坦化层PLN可以具有有机膜和无机膜交替堆叠的结构。根据另一示例的平坦化层PLN可以包括像素接触孔PH，该像素接触孔PH用于暴露设置在像素P中的驱动薄膜晶体管的漏电极D。

堤部图案BN布置在平坦化层PLN上，并且在显示区域AA的像素P内部限定开口区域(或发光区域)。堤部图案BN可以表示为像素限定膜。

发光二极管ED可以包括像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE。像素驱动电极AE形成在平坦化层PLN上，并且通过设置在平坦化层PLN中的像素接触孔PH而电连接至驱动薄膜晶体管的漏电极D。在这种情况下，除了像素驱动电极AE的中心部分之外的与像素P的开口区域交叠的其他边缘部分可以被堤部图案BN覆盖。堤部图案BN可以通过覆盖像素驱动电极AE的边缘部分来限定像素P的开口区域。

根据一个示例的像素驱动电极AE可以包括高反射率的金属材料。例如，像素驱动电极AE可以由诸如铝(Al)和钛(Ti)的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、APC(Ag/Pd/Cu)合金以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)的多层结构形成，或者可以包括由选自Ag、Al、Mo、Au、Mg、Ca和Ba中的任一种材料或者两种或更多种的合金材料制成的单层结构。

在基板SUB的显示区域AA上整体形成发光层EL以覆盖像素驱动电极AE和堤部图案BN。根据一个示例的发光层EL可以包括被竖直沉积以发射白光的两个或更多个发光部分。例如，根据一个示例的发光层EL可以包括通过第一光和第二光的组合来发射白光的第一发光部分和第二发光部分。

根据另一示例的发光层EL可以包括蓝色发光部分、绿色发光部分和红色发光部分中的任一个，以发射与像素P中设置的颜色相对应的颜色光。例如，发光层EL可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层中的任一个，或者可以包括有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的沉积结构或组合结构。

另外，根据一个示例的发光二极管ED还可以包括用于改善发光层EL的发光效率和/或寿命的功能层。

公共电极CE形成为与发光层EL电连接。公共电极CE形成在基板SUB的整个显示区域AA上，并且因此与设置在每个像素P中的发光层EL共同连接。

根据一个示例的公共电极CE包括可以透射光的透明导电材料或半透射导电材料。当公共电极CE由半透射导电材料形成时，可以通过微腔结构来增强从发光二极管ED发射的光的发光效率。根据一个示例的半透射导电材料可以包括Mg、Ag或Mg和Ag的合金。另外，还可以在公共电极CE上形成用于通过控制从发光二极管ED发射的光的折射率来改善光的发射效率的盖层。

间隔物SP可以被布置成分布在显示区域AA内部的开口区域中，即，没有布置发光二极管ED的区域中。间隔物SP旨在在沉积发光层EL的过程期间使屏幕掩模和基板彼此不接触。间隔物SP布置在堤部图案BN上，并且可以被沉积以允许发光层EL和公共电极CE跨越/覆盖布置在显示区域AA内部的间隔物SP。

视情况而定，发光层EL和/或公共电极CE可能不会跨越间隔物SP。由于间隔物SP仅布置在显示区域AA内部的堤部图案BN的一部分中，因此即使公共电极CE不跨越间隔物SP，公共电极CE也具有与显示区域AA连接同时完全覆盖显示区域AA的结构。

封装层130形成为围绕发射层110的上表面和侧面。封装层130用于防止氧或水渗透到发光二极管ED中。

根据一个示例的封装层130可以包括第一无机封装层PAS1、在第一无机封装层PAS1上的有机封装层PCL、以及在有机封装层PCL上的第二无机封装层PAS2。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2用于防止水或氧渗透到发光二极管ED中。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2中的每一个可以由诸如硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物的无机材料形成。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以通过化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成。

有机封装层PCL被第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2围绕。有机封装层PCL可以形成为比第一无机封装层PAS1和/或第二无机封装层PAS2相对更厚，以吸附和/或屏蔽在制造过程期间可能出现的颗粒。有机封装层PCL可以由诸如SiOCx(硅氧碳)丙烯酸或环氧树脂的有机材料制成。有机封装层PCL可以通过涂覆工艺(例如喷墨涂覆工艺或狭缝涂覆工艺)形成。

根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置还可以包括堰部(或堰部结构)DM。堰部DM布置在基板SUB的非显示区域IA中，以防止有机封装层PCL溢出。另外，堰部DM可以防止可能从封装层130的下表面侧引入的氢气或氢颗粒的渗透。

根据一个示例的堰部DM可以布置在以下的外部：显示区域AA、布置在显示区域AA外部的栅极驱动电路200、以及布置在栅极驱动电路200外部的公共电力线CPL。视情况而定，堰部DM可以被布置成与公共电力线CPL的外侧交叠。在这种情况下，可以减小布置有栅极驱动电路200和公共电力线CPL的非显示区域IA的宽度，以减小边框宽度。

堰部DM可以包括有机层OM和氢吸收层MT。例如，有机层OM可以形成在驱动层100的中间绝缘层ILD上。对于另一示例，在将平坦化层PLN沉积在驱动层100上之前，还可以沉积缓冲层。在这种情况下，有机层OM可以形成在缓冲层上。在此，有机层OM可以由与形成在显示区域AA中的间隔物SP相同的材料制成。否则，有机层OM可以由与平坦化层PLN和/或堤部BN相同的材料制成。

有机层OM可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，底侧可以接触驱动层100的上表面。顶侧可以与底侧平行并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于有机层OM的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

氢吸收层MT可以是覆盖有机层OM的薄膜层。例如，氢吸收层MT可以被堆叠同时与有机层OM接触，以覆盖内壁侧、顶侧和外壁侧。氢吸收层MT用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，氢吸收层MT可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，氢吸收层MT可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

堰部DM可以被封装层130的第一无机封装层PAS1和/或第二无机封装层PAS2覆盖。有机封装层PCL可以设置到堰部DM的内壁侧的一定高度。例如，在最外部区域的有机封装层PCL的高度可以低于堰部DM的有机层OM的顶侧。因此，在堰部DM的顶侧和外壁侧处，第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以彼此面对地接触。

根据本公开内容的第一实施方式的堰部DM可以包括氢吸收层MT，其用于通过吸收可能从外部渗透的氢颗粒来阻止氢颗粒传播到显示区域AA。因此，可以保护设置在显示区域AA上的发射层EL和/或包括氧化物半导体材料的半导体层A免受氢颗粒的影响。因此，根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置可以具有长的使用寿命和对于长使用寿命的高质量。

<第二实施方式>

在下文中，参照图3，将说明根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示装置。图3是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第二实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

参照图3，根据本公开内容的第二实施方式的堰部DM可以包括有机层OM和氢吸收层MT。例如，有机层OM可以由与形成在显示区域AA中的间隔物SP相同的材料制成。对于另一示例，有机层OM可以由与平坦化层PLN和/或堤部BN相同的材料制成。

氢吸收层MT可以是设置和/或堆叠在有机层OM与驱动层100之间的薄膜型层。例如，氢吸收层MT可以设置在有机层OM的底侧与驱动层100的上表面之间，并且可以被有机层OM完全覆盖。换言之，有机层OM的底表面可以与氢吸收层MT的上表面以及驱动层100的上表面相接触。氢吸收层MT用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，氢吸收层MT可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，氢吸收层MT可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

根据本公开内容的第二实施方式的堰部DM可以包括设置在有机层OM下方的氢吸收层MT，其用于通过吸收可能从外部渗透的氢颗粒来阻止氢颗粒传播到显示区域AA。具体地，侵入到显示装置中的气态异物可能主要从中间绝缘层ILD与有机层OM之间的界面的侧面渗透。因此，将氢吸收层MT设置在氢颗粒易于渗透的位置处，优选的是通过有效地吸收氢颗粒的渗透来保护布置在显示区域AA中的显示元件。

<第三实施方式>

在下文中，参照图4，将说明根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置。图4是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第三实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

参照图4，根据本公开内容的第三实施方式的堰部DM可以包括有机层OM和氢吸收层MT。有机层OM可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，底侧可以接触驱动层100的上表面。顶侧可以与底侧平行并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于有机层OM的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

氢吸收层MT可以具有穿透有机层OM的中间部分的竖直壁的形状。例如，氢吸收层MT可以是填充到从有机层OM的顶侧到底侧的竖直通孔中的薄膜型壁片(wall sheet)。氢吸收层MT用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，氢吸收层MT可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，氢吸收层MT可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

根据本公开内容的第三实施方式的堰部DM可以包括氢吸收层MT，该氢吸收层MT具有竖直穿过有机层OM的中间的竖直壁形状。

<第四实施方式>

在下文中，参照图5，将说明根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置。图5是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第四实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据本公开内容的第四实施方式的堰部DM可以具有多个薄膜层竖直地堆叠在基板SUB上的多层结构。例如，根据第四实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3和氢吸收层MT。

在形成平坦化层PLN的同时可以由与平坦化层PLN相同的材料制成第一有机层OM1。第一有机层OM1可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，底侧可以接触驱动层100的上表面。顶侧可以与底侧平行并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第一有机层OM1的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

氢吸收层MT可以堆叠在第一有机层OM1上，覆盖内壁侧、顶侧和外壁侧。氢吸收层MT用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，氢吸收层MT可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，氢吸收层MT可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

在形成堤部图案BN的同时可以由与堤部图案BN相同的材料制成第二有机层OM2。第二有机层OM2可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，底侧可以在氢吸收层MT的上表面上接触。第二有机层OM2的顶侧可以与第二有机层OM2的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第二有机层OM2的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

在形成间隔物SP的同时可以由与间隔物SP相同的材料制成第三有机层OM3。第三有机层OM3可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，底侧可以在第二有机层OM2的顶侧上接触。第三有机层OM3的顶侧可以与第三有机层OM3的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第三有机层OM3的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

形成根据第四实施方式的堰部DM的第一有机层OM1、第二有机层OM2和第三有机层OM3可以具有依次小的截面面积，使得设置在下部位置处的有机层的截面区域可以比设置在上部位置处的有机层的截面区域宽。

所有的堰部DM可以被第一无机封装层PAS1和/或第二无机封装层PAS2覆盖。例如，在最外部区域的有机封装层PCL的高度可以高于堰部DM的第一有机层OM1并且低于堰部DM的第二有机层OM2的高度。另外，在最外部区域的有机封装层PCL的高度可以高于堰部DM的第二有机层OM2并且低于堰部DM的第三有机层OM3的高度。

当有机封装层PCL的厚度相对薄使得可以容易地控制有机封装层PCL的铺展性时，堰部DM的高度可能不会很高。在这种情况下，可以省略第三有机层OM3。

<第五实施方式>

在下文中，参照图6，将说明根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置。图6是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第五实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据本公开内容的第五实施方式的堰部DM可以具有多个薄膜层竖直地堆叠在基板SUB上的多层结构。例如，根据第五实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3、第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3。

第一氢吸收层MT1可以堆叠在第一有机层OM1上，覆盖内壁侧、顶侧和外壁侧。第一氢吸收层MT1用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，第一氢吸收层MT1可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，第一氢吸收层MT1可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

在形成堤部图案BN的同时可以由与堤部图案BN相同的材料制成第二有机层OM2。第二有机层OM2可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，底侧可以在第一氢吸收层MT1的上表面上接触。第二有机层OM2的顶侧可以与第二有机层OM2的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第二有机层OM2的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

第二氢吸收层MT2可以堆叠在第二有机层OM2上，覆盖第二有机层OM2的内壁侧、顶侧和外壁侧。第二氢吸收层MT2用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，第二氢吸收层MT2可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，第二氢吸收层MT2可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

在形成间隔物SP的同时可以由与间隔物SP相同的材料制成第三有机层OM3。第三有机层OM3可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，第三有机层OM3的底侧可以在第二氢吸收层MT2的上表面上接触。第三有机层OM3的顶侧可以与第三有机层OM3的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第三有机层OM3的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

第三氢吸收层MT3可以堆叠在第三有机层OM3上，覆盖第三有机层OM3的内壁侧、顶侧和外壁侧。第三氢吸收层MT3用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，第三氢吸收层MT3可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，第三氢吸收层MT3可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

对于另一示例，可以省略第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3中的任一个。在这些情况下，第二有机层OM2和第三有机层OM3可以被包括在堰部DM中。

<第六实施方式>

在下文中，参照图7，将说明根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置。图7是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第六实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据第六实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3、第一氢吸收层MT1和第二氢吸收层MT2。

第一氢吸收层MT1可以是堆叠在第一有机层OM1与驱动层100之间的薄膜。例如，第一氢吸收层MT1可以设置在第一有机层OM1的底表面与驱动层100的上表面之间，并且完全被第一有机层OM1覆盖。换言之，第一有机层OM1的底表面可以与第一氢吸收层MT1的上表面以及驱动层100的上表面相接触。

第二氢吸收层MT2可以堆叠在第一有机层OM1上，覆盖第一有机层OM1的内壁侧、顶侧和外壁侧。第一氢吸收层MT1和第二氢吸收层MT2用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，第一氢吸收层MT1和第二氢吸收层MT2可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，第一氢吸收层MT1和第二氢吸收层MT2可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

在形成堤部图案BN的同时可以由与堤部图案BN相同的材料制成第二有机层OM2。第二有机层OM2可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，第二有机层OM2的底侧可以在第二氢吸收层MT2的上表面上接触。第二有机层OM2的顶侧可以与第二有机层OM2的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第二有机层OM2的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

在形成间隔物SP的同时可以由与间隔物SP相同的材料制成第三有机层OM3。第三有机层OM3可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，第三有机层OM3的底侧可以在第二有机层OM2的顶侧上接触。第三有机层OM3的顶侧可以与第三有机层OM3的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第三有机层OM3的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

<第七实施方式>

在下文中，参照图8，将说明根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示装置。图8是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第七实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据本公开内容的第七实施方式的堰部DM可以具有多个薄膜层竖直地堆叠在基板SUB上的多层结构。例如，根据第七实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3和氢吸收层MT。

在形成堤部图案BN的同时可以由与堤部图案BN相同的材料制成第二有机层OM2。第二有机层OM2可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，第二有机层OM2可以具有完全覆盖氢吸收层MT的形状。第二有机层OM2可以堆叠在氢吸收层MT上，覆盖第一有机层OM1的内壁侧、顶侧和外壁侧，并且直接接触氢吸收层MT的整个外表面。第二有机层OM2的底侧可以在驱动层100的上表面上接触。第二有机层OM2的顶侧可以与第二有机层OM2的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第二有机层OM2的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

<第八实施方式>

在下文中，参照图9，将说明根据本公开内容的第八实施方式的电致发光显示装置。图9是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第八实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第八实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据本公开内容的第八实施方式的堰部DM可以具有多个薄膜层竖直地堆叠在基板SUB上的多层结构。例如，根据第八实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3和氢吸收层MT。

氢吸收层MT可以是堆叠在第一有机层OM1与驱动层100之间的薄膜。特别地，氢吸收层MT可以以彼此分离的多个岛的结构而形成。氢吸收层MT可以在截面图和平面图中包括多个岛形状。例如，氢吸收层MT可以设置在第一有机层OM1的底表面与驱动层100的上表面之间，并且完全被第一有机层OM1覆盖。换言之，第一有机层OM1的底表面可以与氢吸收层MT的上表面以及驱动层100的上表面相接触。

当氢吸收层MT具有多个岛形状时，通过氢吸收层MT与第一有机层OM1之间的接触而形成的界面可以被延长。当氢颗粒侵入驱动层100与第一有机层OM1之间的界面表面并沿着该界面表面传播时，氢颗粒的传播路径可以具有之字形(或浮雕的)形状，因此路径的长度可以被延长。因此，氢颗粒的传播速度可能减慢。此外，与氢吸收层MT由一个主体制成的情况相比，与氢颗粒接触的氢吸收层MT的表面区域可以进一步更宽。因此，当氢颗粒通过氢吸收层MT与第一有机层OM1之间的界面传播时，氢颗粒的量可以被氢吸收层MT的多个岛形状逐渐吸收，然后全体氢颗粒可以被完全消除。

氢吸收层MT用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，氢吸收层MT可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，氢吸收层MT可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

在形成堤部图案BN的同时可以由与堤部图案BN相同的材料制成第二有机层OM2。第二有机层OM2可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，第二有机层OM2的底侧可以在第一有机层OM1的顶侧上接触。第二有机层OM2的顶侧可以与第二有机层OM2的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第二有机层OM2的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

根据第八实施方式的具有多个岛的氢吸收层MT还可以设置在第一有机层OM1与第二有机层OM2之间。对于另一示例，根据第八实施方式的具有多个岛的氢吸收层MT还可以设置在第二有机层OM2与第三有机层OM3之间。对于又一示例，根据第八实施方式的具有多个岛的氢吸收层MT还可以设置在第三有机层OM3的顶侧上。

<第九实施方式>

在下文中，参照图10，将说明根据本公开内容的第九实施方式的电致发光显示装置。图10是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第九实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第九实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据第九实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3、第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3。

第二氢吸收层MT2可以是堆叠在第一有机层OM1与第二有机层OM2之间的薄膜。例如，第二氢吸收层MT2可以设置在第二有机层OM2的底侧与第一有机层OM1的顶侧之间，并且完全被第二有机层OM2覆盖。

第三氢吸收层MT3可以是堆叠在第二有机层OM2与第三有机层OM3之间的薄膜。例如，第三氢吸收层MT3可以设置在第三有机层OM3的底侧与第二有机层OM2的顶侧之间，并且完全被第三有机层OM3覆盖。

可替选地，在第九实施方式中，氢吸收层可以仅包括第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3中的任何选定的两个。例如，氢吸收层可以仅包括第一氢吸收层MT1和第三氢吸收层MT3。另外，氢吸收层可以仅包括第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3。

<第十实施方式>

在下文中，参照图11，将说明根据本公开内容的第十实施方式的电致发光显示装置。图11是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第十实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据第十实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3、第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2、第三氢吸收层MT3和竖直氢吸收层MTV。

竖直氢吸收层MTV可以具有竖直壁片形状，该竖直壁片形状穿透第一氢吸收层MT1与第三氢吸收层MT3之间的第一有机层OM1和第二有机层OM2的中间部分。例如，竖直氢吸收层MTV可以是填充以下竖直通孔的薄膜：该竖直通孔从第二有机层OM2的顶侧穿透到第一有机层OM1的底侧。第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3与竖直氢吸收层MTV可以形成为彼此连接。例如，竖直氢吸收层MTV可以包括下竖直部分和上竖直部分。下竖直部分可以连接第一氢吸收层MT1和第二氢吸收层MT2。上竖直部分可以连接第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3。

第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3以及竖直氢吸收层MTV用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3以及竖直氢吸收层MTV可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3以及竖直氢吸收层MTV可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

对于第十实施方式的另一示例，氢吸收层可以仅包括选自第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3中的任意两个。在这种情况下，竖直氢吸收层MTV可以设置在选定的两个氢吸收层之间。

<第十一实施方式>

在下文中，参照图12，将说明根据本公开内容的第十一实施方式的电致发光显示装置。图12是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十一实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第十一实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据第十一实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3、第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2、第三氢吸收层MT3和第四氢吸收层MT4。

第四氢吸收层MT4可以设置在驱动层100中所包括的两个薄层之间。例如，第四氢吸收层MT4可以是堆叠在驱动层100的栅极绝缘层GI与中间绝缘层ILD之间的薄膜层。特别地，优选的是，第四氢吸收层MT4可以与第一氢吸收层MT1交叠。

对于第十一实施方式的另一示例，氢吸收层可以仅包括第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3中的任意选择的一个以及第四氢吸收层MT4。对于又一示例，氢吸收层可以仅包括第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3中的任意选择的两个以及第四氢吸收层MT4。

<第十二实施方式>

在下文中，参照图13，将说明根据本公开内容的第十二实施方式的电致发光显示装置。图13是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十二实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第十二实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据第十二实施方式的堰部DM可以包括第一有机层OM1、第二有机层OM2、第三有机层OM3、第一氢吸收层MT1、第二氢吸收层MT2、第三氢吸收层MT3、第四氢吸收层MT4、第五氢吸收层MT5和竖直氢吸收层MTV。

在形成堤部图案BN的同时可以由与堤部图案BN相同的材料制成第二有机层OM2。第二有机层OM2可以具有梯形形状，其截面形状包括底侧、顶侧、内壁侧和外壁侧。例如，第二有机层OM2的底侧可以在第二氢吸收层MT2的上表面和第一有机层OM1的顶侧上接触。第二有机层OM2的顶侧可以与第二有机层OM2的底侧平行，并且以预定高度与底侧分开。底侧与顶侧之间的距离可以对应于第二有机层OM2的高度。内壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且面对显示区域AA。外壁侧可以将底侧连接至顶侧，并且被布置成面向外部以与内壁侧对称。

第五氢吸收层MT5可以是设置在第三有机层OM3的顶侧上的薄膜层。例如，第五氢吸收层MT5可以设置在第三有机层OM3的顶侧与封装层130的第一无机封装层PAS1之间。

竖直氢吸收层MTV可以具有竖直壁片形状，该竖直壁片形状穿透第五氢吸收层MT5与第四氢吸收层MT4之间的中间绝缘层ILD、第一有机层OM1、第二有机层OM2和第三有机层OM3的中间部分。例如，竖直氢吸收层MTV可以是填充以下竖直通孔的薄膜：该竖直通孔从第三有机层OM3的顶侧穿透到中间绝缘层ILD的下表面。

第一至第五氢吸收层MT1、MT2、MT3、MT4和MT5与竖直氢吸收层MTV可以形成为彼此连接。例如，竖直氢吸收层MTV可以包括第一竖直部分、第二竖直部分、第三竖直部分和第四竖直部分。第一竖直部分可以连接第一氢吸收层MT1和第二氢吸收层MT2。第二竖直部分可以连接第二氢吸收层MT2和第三氢吸收层MT3。第三竖直部分可以连接第三氢吸收层MT3和第四氢吸收层MT4。第四竖直部分可以连接第四氢吸收层MT4和第五氢吸收层MT5。可替选地，可以省略第一至第四竖直部分中的一个或一些。

第一至第五氢吸收层MT1、MT2、MT3、MT4和MT5以及竖直氢吸收层MTV用于防止氢颗粒从外部渗透，并且优选的是，第一至第五氢吸收层MT1、MT2、MT3、MT4和MT5以及竖直氢吸收层MTV可以包括具有优异的吸收氢颗粒的特性的材料。例如，第一至第五氢吸收层MT1、MT2、MT3、MT4和MT5以及竖直氢吸收层MTV可以由钼(Mo)或钛(Ti)或钼和钛的合金金属制成。

对于第十二实施方式的另一示例，氢吸收层可以仅包括第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3中的任何选择的一个以及第四氢吸收层MT4和竖直氢吸收层MTV。在这种情况下，竖直氢吸收层MTV可以在第四氢吸收层MT4与第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3中的任何选择的一个之间具有连接结构。对于又一示例，氢吸收层可以仅包括第一至第三氢吸收层MT1、MT2和MT3中的任何选择的两个以及第四氢吸收层MT4和竖直氢吸收层MTV。在那种情况下，竖直氢吸收层MTV可以在第四氢吸收层MT4与最顶部的氢吸收层之间进行连接。

<第十三实施方式>

在下文中，参照图14，将说明根据本公开内容的第十三实施方式的电致发光显示装置。图14是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第十三实施方式的电致发光显示装置的结构。

根据第十三实施方式的电致发光显示装置可以具有与第一实施方式非常类似的结构。堰部DM的结构和/或形状可能存在差异。因此，说明将集中在堰部DM的结构和/或形状上，但是可能不会重复相同的描述。当需要时，可以参考第一实施方式的说明。

根据本公开内容的第十三实施方式的堰部DM可以包括内堰部DMI和外堰部DMO。内堰部DMI可以被设置成比外堰部DMO更靠近显示区域AA，并且围绕显示区域AA。外堰部DMO可以设置在内堰部DMI的外部，围绕内堰部DMI。

图14中示出的内堰部DMI和外堰部DMO中的每一个被示为具有图6中示出的根据本公开内容的第五实施方式的堰部DM的相同结构。然而，其不限于此，内堰部DMI和外堰部DMO中的每一个可以具有与第一至第十二实施方式中的任何选择的一种结构相同的结构和相同的形状。此外，内堰部DMI和外堰部DMO可以具有它们与第一至第十二实施方式中的任何选择的两种结构结合的各种结构。

在本公开内容的上述示例中描述的特征、结构、效果等包括在本公开内容的至少一个示例中，并且不必仅限于一个示例。此外，本领域的普通技术人员可以通过组合或修改其他示例来实现在本公开内容的至少一个示例中举例说明的特征、结构、效果等。因此，与这样的组合和修改有关的内容应被解释为包括在本申请的范围内。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变型。因此，本公开内容意图覆盖本公开内容的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。可以根据以上详细描述对实施方式进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中公开的特定实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受公开内容限制。

Claims

1.一种电致发光显示装置，包括：

基板；

设置在所述基板上的驱动层；

设置在所述驱动层上的发射层；

设置在所述发射层上的封装层；以及

围绕所述发射层的周缘区域的堰部，所述堰部包括有机层和氢吸收层。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述有机层包括：

第一有机层；

在所述第一有机层上的第二有机层；以及

在所述第二有机层上的第三有机层，

其中，所述氢吸收层包括：

第一氢吸收层，其接触所述第一有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述第二有机层覆盖所述第一有机层，并且接触所述第一氢吸收层的整个外表面。

4.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

第二氢吸收层，其接触所述第二有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

5.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

第三氢吸收层，其接触所述第三有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述有机层包括：

第一有机层；

在所述第一有机层上的第二有机层；以及

在所述第二有机层上的第三有机层，

其中，所述氢吸收层包括：

第一氢吸收层，其设置在所述驱动层上，并且被所述第一有机层覆盖。

7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

第二氢吸收层，其设置在所述第一有机层上，并且被所述第二有机层覆盖。

8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

竖直氢吸收层，其连接所述第一氢吸收层和所述第二氢吸收层，并且穿透所述第一有机层。

9.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

第三氢吸收层，其设置在所述第二有机层上，并且被所述第三有机层覆盖。

10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

竖直氢吸收层，其连接所述第一氢吸收层和所述第三氢吸收层，并且穿透所述第一有机层和所述第二有机层。

11.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

第二氢吸收层，其接触所述第一有机层的内壁侧、顶侧和外壁侧。

12.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层包括：

彼此分离的多个岛形状。

13.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

第二氢吸收层，其设置在所述驱动层的第一无机层与第二无机层之间。

14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置，其中，所述氢吸收层还包括：

竖直氢吸收层，其连接所述第一氢吸收层和所述第二氢吸收层，并且穿透所述第二无机层。

15.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述堰部包括：

靠近显示区域设置的内堰部；以及

设置在所述内堰部的外部的外堰部。

16.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述有机层包括：

与所述驱动层的上表面接触的底侧；

以预定高度与所述底侧分开的顶侧；

连接所述底侧和所述顶侧的内壁侧；以及

连接所述底侧和所述顶侧并且面向所述内壁侧的外壁侧，

其中，所述氢吸收层覆盖所述有机层的所述内壁侧、所述顶侧和所述外壁侧。

17.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述有机层包括：

与所述驱动层的上表面接触的底侧；

以预定高度与所述底侧分开的顶侧；

连接所述底侧和所述顶侧的内壁侧；以及

连接所述底侧和所述顶侧并且面向所述内壁侧的外壁侧，

其中，所述氢吸收层设置在所述有机层的所述底侧与所述驱动层的上表面之间。

18.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述有机层包括：

与所述驱动层的上表面接触的底侧；

以预定高度与所述底侧分开的顶侧；

连接所述底侧和所述顶侧的内壁侧；以及

连接所述底侧和所述顶侧并且面向所述内壁侧的外壁侧，

其中，所述氢吸收层具有竖直壁片形状，所述竖直壁片形状从所述顶侧到所述底侧穿透所述有机层，并且接触所述驱动层的上表面。