CN114303184A

CN114303184A - 显示屏和终端设备

Info

Publication number: CN114303184A
Application number: CN201980099744.4A
Authority: CN
Inventors: 鬼岛靖典
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2019-08-30
Filing date: 2019-08-30
Publication date: 2022-04-08
Also published as: WO2021035692A1

Abstract

提供了一种能够增强柔性和可折叠性的显示屏和终端设备。显示屏包括像素矩阵，每个像素包括三个子像素。每个子像素包括阴极层和偏振器层。偏振器层包括粘合剂层。粘合剂层在阴极层上形成，并且在85℃/85％RH的条件下，粘合剂层中的H₂O和/或O₂的渗透率为40μm/h或更小。在实施例中，可以在阴极层和粘合剂层之间形成厚度为1μm或更小的无机化合物阻挡层。粘合剂层的厚度为100μm或更小。

Description

显示屏和终端设备

技术领域

本发明涉及显示屏和终端设备，尤其涉及用于具有有机发光层的显示器件的封装技术。

背景技术

上述封装技术称为薄膜封装(thin film encapsulation，TFE)。TFE通过交替地层压无机化合物阻挡层(以下各处称为“无机阻挡层”)和有机化合物阻挡层(以下各处称为“有机阻挡层”)来实现封装功能。还已知一种通过层压无机层来实现封装功能的结构。使用有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)的有机EL显示装置包括TFE层，以抑制氧气(oxygen，O₂)和水分(moisture，H₂O)侵入显示装置。

然而，由于TFE中的层压结构要求一定的厚度，所以TFE层限制了显示装置的面板的柔性和可折叠性。虽然最近的显示装置对柔性和可折叠性的需求有所增加，但是使用TFE层的显示装置总体上很难满足这样的需求。

发明内容

本公开的目的是提供一种能够增强柔性和可折叠性的显示屏以及包括该显示屏的终端设备。

第一方面提供了一种显示屏，包括像素矩阵，每个像素包括三个子像素。特别地，每个子像素包括阴极层和偏振器层。偏振器层包括粘合剂层。粘合剂层在阴极层上形成，在85℃/85％RH的条件下，粘合剂层中的H₂O和/或O₂的渗透率为40μm/h或更小。

根据该方面，粘合剂层可以实现封装功能，使得在上述阴极层上形成的上述粘合剂层实现封装。因此，与TFE的层压结构相比，用于封装的层可以制造得相对薄。此外，可以减少由于在CVD工艺中产生的粉尘等而导致的缺陷，从而确保提高了显示器件在长期使用中的可靠性。

此外，由于在85℃/85％RH的条件下，粘合剂层中的H₂O和/或O₂的渗透率为40μm/h或更小，因此配置了具有实际所需的抗渗性的显示器件。

根据第一方面的实施方式，在阴极层和粘合剂层之间形成厚度为1μm或更小的无机化合物阻挡层。

根据该实施方式，在阴极层和粘合剂层之间形成厚度为1μm或更小的无机化合物阻挡层。具有厚度为1μm或更小的无机化合物的显示屏可以防止制造过程中H₂O和O₂的侵入。因此，可以防止在制造过程中由于大气中的H₂O和O₂而导致的质量下降。

根据第一方面的实施方式，上述粘合剂层直接在阴极层上形成。

根据该实施方式，由于在阴极层上没有形成TFE的层压结构，因此封装层可以制造得相对薄。

根据第一方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为100μm或更小。

根据该实施方式，实现了显示器件的特性的长期稳定性。

根据第一方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为50μm或更小。

根据该实施方式，由于粘合剂层的厚度越薄，从粘合剂层内部去除H₂O和O₂的难度越小，因此暗点面积的增长速度明显减小，暗点的数量明显减少。

根据第一方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为10μm或更小。

根据该实施方式，由于粘合剂层的厚度越薄，从粘合剂层内部去除H₂O和O₂的难度越小，因此暗点面积的增长速度的减小和暗点的数量的减少变得更加突出。

根据第一方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为5μm或更小。

根据该实施方式，由于粘合剂层的厚度越薄，从粘合剂层内部去除H₂O和O₂的难度越小，因此暗点面积的增长速度的减小和暗点的数量的减少变得更加突出，并且粘合剂层的厚度根据需要被设置为允许吸收基板表面的不规则性(irregularities)的厚度。

根据第一方面的实施方式，阳极层；发光单元，包括在阳极层上形成的有机发光层；封装构件，覆盖阳极层、发光单元、以及阴极层的侧面的至少一部分。

根据该实施方式，提供覆盖阳极层、发光单元、以及阴极层的侧面的至少一部分的封装构件可以防止H₂O和O₂从显示器件的层结构的侧面渗透。

根据第一方面的实施方式，该显示器件是顶部发射型(top-emission type)显示器件。

根据该方面，在从基板的顶部(阴极层侧)提取光的顶部发射结构中，可以利用具有封装功能的粘合剂层的优点。

根据第一方面的实施方式，上述阴极层是厚度为30nm或更小的金属。

根据该方面，将Mg-Ag等的金属阴极层的厚度设置为30nm或更小能够调节和提高腔(cavity)结构中的发射光谱的强度。此外，可以配置平衡良好的适当设备，而不会由于阴极层吸收光而使向外部提取光的效果严重变差。

第二方面提供了一种终端设备，该终端设备包括显示屏和处理器。根据第一方面的显示屏以及用于控制该显示屏的处理器。

根据该方面，由于粘合剂层在显示屏中的阴极层上形成，因此，与用于封装的TFE的层压结构相比，用于封装的层可以制造得相对薄。这使得终端设备具有更高的柔性和可折叠性。此外，在阴极层上没有形成TFE的层压结构，可以缩短制造终端设备的加工时间。此外，可以减少由于CVD工艺中产生的粉尘等而导致的缺陷，从而提高工艺成品率，确保提高了终端设备在长期使用中的可靠性。

第三方面提供了一种制造显示屏的方法，该显示屏包括像素矩阵。每个像素包括三个子像素。该方法包括以下步骤：

形成阴极层，以及

形成包括粘合剂层的偏振器层，其中，该粘合剂层在阴极层上形成，并且在85℃/85％RH的条件下，该粘合剂层中的H₂O和/或O₂的渗透率为40μm/h或更小。

根据该方面，粘合剂层可以实现封装功能，使得在上述阴极层上形成的上述粘合剂层实现封装。因此，与用于封装的TFE的层压结构相比，用于封装的层可以制造得相对薄。此外，在阴极层上不形成用于封装的TFE的层压结构可以缩短用于制造显示器件的加工时间。特别地，CVD工艺需要很长的时间，因此取消CVD工艺可以缩短用于制造显示器件的加工时间。还可以提高显示器件的可靠性。此外，可以减少由于CVD工艺中产生的粉尘等而导致的缺陷，从而提高工艺成品率，确保提高了显示器件在长期使用中的可靠性。

根据第三方面的实施方式，该方法还包括：

在形成粘合剂层之前，在阴极层上形成厚度为1μm或更小的无机化合物阻挡层。

根据该实施方式，在阴极层和粘合剂层之间形成厚度为1μm或更小的无机化合物阻挡层，从而可以防止在制造过程中由于大气中的H₂O和O₂而导致的质量下降。

根据第三方面的实施方式，粘合剂层直接在阴极层上形成。

根据第三方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为100μm或更小。

根据该实施方式，实现了显示器件的特性的长期稳定性。

根据第三方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为50μm或更小。

根据第三方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为10μm或更小。

根据第三方面的实施方式，上述粘合剂层的厚度为5μm或更小。

根据该实施方式，由于粘合剂层的厚度越薄，从粘合剂层内部去除H₂O和O₂的难度越小，因此暗点面积的增长速度的减小和暗点的数量的减少变得更加突出，并且粘合剂层的厚度根据需要被设置为允许吸收基板表面的不规则性的厚度。

根据第三方面的实施方式，该方法还包括：

提供阳极层；

提供发光单元，该发光单元包括在阳极层上形成的有机发光层；以及

提供封装构件，该封装构件覆盖阳极层、发光单元、以及阴极层的侧面的至少一部分。

根据该实施方式，提供覆盖阳极层、发光单元、以及阴极层的侧面的至少一部分的封装构件可以防止H₂O和/或O₂从显示器件的层结构的侧面渗透。

根据第三方面的实施方式，该显示器件是顶部发射型显示器件。

根据第三方面的实施方式，上述阴极层是厚度为30nm或更小的金属。

根据该方面，将Mg-Ag等的金属阴极层的厚度设置为30nm或更小能够调节和提高腔结构中的发射光谱的强度。此外，可以配置平衡良好的适当设备，而不会由于阴极层吸收光而使向外部提取光的效果严重变差。

第四方面提供了一种制造终端设备的方法，包括：

准备根据第一方面的显示屏；以及

提供用于控制上述显示屏的处理器。

根据该方面，在基板上以矩阵形式形成的每个显示器件中的阴极层上形成粘合剂层，从而封装层可以制造得相对薄。这使得终端设备具有更高的柔性和可折叠性。此外，在阴极层上没有形成TFE的层压结构，可以缩短制造终端设备的加工时间。此外，可以减少由于CVD工艺中产生的粉尘等而导致的缺陷，从而提高工艺成品率，确保提高了终端设备在长期使用中的可靠性。

附图说明

[图1]图1是示出根据实施例的显示器件的结构的图。

[图2]图2是示出粘合剂层的结构的图。

[图3]图3是示出作为比较示例的传统显示器件的结构的图。

[图4]图4是示出根据比较示例的显示器件的制造过程的流程图。

[图5]图5是示出根据比较示例的显示器件的制造过程的图。

[图6]图6是示出根据实施例的显示器件的制造过程的流程图。

[图7]图7是示出根据实施例的粘合剂层粘合处理的过程的图。

[图8]图8是示出粘合剂层粘合处理的示例的图。

[图9]图9的(a)是示出传统OLED结构的图，图9的(b)是示出H₂O和O₂侵入OLED结构的机制的图。

[图10]图10是示出根据实施例的H₂O和O₂侵入OLED的部分结构的机制的图。

[图11]图11是示出根据实施例的H₂O和O₂侵入OLED的部分结构的机制的图。

[图12]图12是示出部分OLED结构中的时间和渗透率之间的关系的图。

[图13]图13是示出电致发光强度的角度相关性的图。

[图14]图14是示出可靠性测试中的存储时间和暗点面积之间的关系的图。

[图15]图15是示出可靠性测试中的存储时间和收缩面积之间的关系的图。

[图16]图16是示出OLED的坝(dam)结构的示例的图。

[图17]图17是示出可靠性测试中的存储时间和暗点数量之间的关系的图。

[图18]图18是示出可靠性测试中的存储时间和暗点数量之间的关系的图。

[图19]图19是示出配备有根据本实施例的显示器件的显示屏的配置的图。

具体实施方式

以下将参考附图详细描述本公开的实施例。根据实施例的显示屏可以应用于例如终端设备。终端设备可以是智能手机。该终端可以包括显示屏和诸如中央处理单元(central processing unit，CPU)的处理器，该处理器用于控制显示屏。

(第一实施例)

接下来，参照图1，描述根据本发明第一实施例的显示器件的结构。显示器件100用在下文将参考图19描述的显示屏中显示器件，该显示屏显示器件用作智能手机的显示屏。图1示出了显示器件100的截面，其顶侧是用户看到的显示器的一侧，并且图1示出了显示器件100的一部分以示出其层结构。

显示器件100被配置为包括背面阻挡层411、背板412、前平面413、以及偏振器层801的层结构。

背面阻挡层411用于防止O₂和H₂O从背面侵入，并且被配置为具有依次堆叠的第一无机阻挡层401a(氮化硅(SiN_x)、氧氮化硅(SiN_xO_y)、氧化硅(SiO_x)等)、有机阻挡层401b(有机树脂)、以及第二无机阻挡层401c(SiN_x或SiO_x)。

背板412具有直接嵌入在各个像素下面的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)的驱动器，以向选择的像素施加电压或电流，从而单独操作这些像素。背板412具有依次堆叠的基板402a以及包括TFT和平坦化膜的层(PLN/TFT)402b。

前平面413被配置为包括阳极层(以下称为“阳极”)403a、发光单元415、以及阴极层(以下称为“阴极”)403g。发光单元415包括从阳极403a侧起依次层压的空穴注入层(holeinjection layer，HIL)403b、空穴传输层(hole transport layer，HTL)403c、有机发光层403d、空穴阻挡层(hole block layer，HBL)403e、以及电子传输层(electron transportlayer，ETL)403f。

偏振器层801被配置为具有第一粘合剂层801a(包括粘合剂和无机阻挡层)、偏振板(polarization plate，POL)405b、以及第二粘合剂层405c(包括粘合剂)的顺序层压。应注意，第一粘合剂层801a还可以包括触控面板(touch panel，TP)的层。根据本实施例的第一粘合剂层的粘合剂可以被配置为例如光学透明粘合剂(optically clear adhesive，OCA)。使用的第二粘合剂层405c的粘合剂可以与第一粘合剂相同。此外，可以使用成分与第一粘合剂的成分不同的热固性粘合剂(例如丙烯酸粘合剂、环氧粘合剂、氨基甲酸乙酯粘合剂、硅酮粘合剂、或氰基丙烯酸酯粘合剂)和紫外线固化粘合剂。在实施例中，第一粘合剂层801a可以直接在阴极403g上形成。

图2是示出第一粘合剂层801a的详细结构的视图。如图2的(a)所示，第一粘合剂层801a可以被配置为仅包括粘合剂层201。或者，如图2的(b)所示，粘合剂层201可以堆叠在由SiN_x、SiN_xO_y、SiO_x等形成的无机阻挡层202上，或者，如图2的(c)所示，上述粘合剂层201和无机阻挡层202可以按与图2的(b)所示的顺序相反的顺序堆叠。此外，第一粘合剂层801a可以被配置为包括触控面板(TP)。在这种情况下，粘合剂层201、TP 203、以及无机阻挡层202可以如图2的(d)所示从底部依次堆叠，或者，如图2的(e)所示，上述粘合剂层201、TP 203、以及无机阻挡层202可以按与图2的(d)所示的顺序相反的顺序堆叠。

此外，无机阻挡层202可以由多层SiN_x、SiN_xO_y、或SiO_x构成。此外，一个粘合剂层、TP 203、以及另一粘合剂层可以顺序地堆叠在无机阻挡层202上。

显示组件100是顶部发射型显示器件，其从与基板402a相对的阴极403g侧提取当从阳极403a注入的空穴和从阴极403g注入的电子在有机发光层403d中复合时产生的光。

基板402a是支撑体，其中，在支撑体的一个主表面侧放置并形成多个显示组件100；例如，基板402a由石英、玻璃、金属箔、树脂制成的膜或片等制成。在这些材料中，石英和玻璃是优选的。当基板402a由树脂制成时，可以使用聚酯作为基板402a的材料，例如聚萘二甲酸丁二醇酯(polybutylene naphthalate，PBN)、以聚甲基丙烯酸甲酯为代表的甲基丙烯酸树脂(methacrylic resins typified by polymethylmethacrylate，PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚酰胺(polyamide，PA)、或聚碳酸酯树脂等。

为了有效地将空穴注入发光单元中，例如，阳极403a优选地由在真空能级下具有大功函数的电极材料制成。具体地，可以使用铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)、或银(Ag)等金属元素的单质或其合金作为这种电极材料。此外，阳极403a可以具有由这样的金属元素的单质或合金制成的金属膜和由氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，InZnO)、或氧化锌(zinc oxide，ZnO)和铝(Al)等的合金制成的透明导电膜的层压结构。

特别地，在顶部发射型显示器件的情况下，具有高反射率的电极被用作阳极403a，由此，由于干涉效应和高反射率效应而提高了向外部提取光的效率。例如，阳极403a优选地使用光反射属性优良的第一层和设置在第一层靠近HIL 403b的部分上并具有透光性和大功函数的第二层的层压结构。第一层优选地由合金制成，该合金主要包含Al作为主要成分，并且还包含具有比作为主要成分的Al的功函数相对较小的功函数的元素作为辅助成分。镧系元素中的任何一种优选被用作这样的辅助成分。虽然任何镧系元素的功函数都不大，但当辅助成分中包含这些元素时，这些元素中的任何一种都能提高阳极的稳定性，并满足阳极的空穴注入属性。除了任何镧系元素之外，还可以使用诸如硅(Si)或铜(Cu)之类的元素作为第一层的辅助成分。

第二层可以由铝合金的氧化物、钼(Mo)的氧化物、锆(Zr)的氧化物、铬(Cr)的氧化物、或钽(Ta)的氧化物制成。例如，当第二层由包含任何镧系元素作为辅助成分的铝合金的氧化层(包括天然氧化膜)构成时，由于任何镧系元素的氧化物都具有高透射率，所以包含任何镧系元素的氧化物作为辅助成分的第二层的透射率优良。因此，第一层的表面保持较高的反射率。此外，在第二层中使用由ITO等制成的透明导电层，改善了阳极403a的电子注入属性。应注意，由于ITO等具有大功函数，在接触基板402a的一侧，即在第一层中使用ITO等可以增强载流子注入效率，并且还可以增强阳极403a和基板402a之间的粘合。

应注意，当用于驱动包括多个显示器件100的显示屏的方法是有源矩阵系统时，每个像素部分用像素定义层(PDL、WIN)图案化，并且设置成在阳极403a形成后连接到TFT以用于驱动。

发光单元415中包括的HIL 403b、HTL 403c、有机发光层403d、HBL 403e、以及ETL403f是有机层。除了丙烯酸化合物和六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)之外，这些有机层还由下文将要描述的材料构成。上述有机层由例如喷墨打印机等形成。ETL403f的与HBL 403e相对的表面被阴极403g覆盖。虽然对构成有机层的各层的厚度、构成材料等没有特别限制，但以下将描述其一些示例。

HIL 403b是缓冲层，用于提高向有机发光层403d注入空穴的效率，并防止生成漏电流。HIL 403b的厚度优选地设置在5至200nm的范围内，更优选地，设置在8至150nm的范围内。相对于用于电极和相邻层的材料，可以充分选择用于HIL 403b的材料。上述材料的示例例如包括聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯亚乙烯基及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、导电高分子材料(例如在其主链或侧链中包含芳香胺结构的聚合物)、金属酞菁(例如酞菁铜)、以及碳。导电高分子材料的具体示例包括低聚苯胺和聚二氧噻吩，例如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)。

HTL 403c用于增强将向有机发光层403d传输空穴的效率。取决于设备的整个结构的HTL403c的厚度优选地设置在例如5至200nm的范围内，更优选地，设置在8至150nm的范围内。可溶于有机溶剂的发光材料(例如聚乙烯咔唑及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链中具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯、三苯胺衍生物等)可以用作HTL 403c的材料。

在有机发光层403d中，电场的施加使电子与空穴重新组合以发光。取决于设备的整个结构的有机发光层403d的厚度优选地设置在例如10至200nm的范围内，更优选地，设置在20至150nm的范围内。有机发光层403d可以具有单层结构或层压结构。

应该根据相应的发射颜色来选择用于有机发光层403d的材料；例如，可用于有机发光层403d的材料包括(聚)对苯乙烯撑衍生物、聚芴聚合物衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、芘颜料、香豆素颜料、罗丹明颜料、三苯胺衍生物、以及通过将上述高分子材料与有机EL材料掺杂而获得的材料。例如，作为掺杂材料，可以使用红萤烯、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗河红、香豆素6、三苯胺衍生物等。应注意，可以通过混合两种或多种上述材料来获得用于有机发光层403d的材料。此外，用于有机发光层403d的材料不限于上述高分子材料，可以是低分子材料的组合。这样的低分子材料的示例包括蒽、苯、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三苯撑、氮杂苯撑、四氰基喹二甲烷、三唑、咪唑、恶二唑、聚芳烷、苯二胺、芳胺、恶唑、芴酮、腙、二苯乙烯、上述材料的三苯胺衍生物，以及聚硅烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物、苯胺化合物等的杂环共轭单体或低聚物。

除了上述材料之外，作为有机发光层403d的材料，还可以使用作为发光客体材料的发光效率高的材料，例如有机发光材料(例如低分子荧光材料、磷光颜料、或金属络合物等)。

应注意，有机发光层403d可以是例如具有空穴传输属性并用作HTL 403c的有机发光层，以及具有电子传输属性并用作下文将要描述的ETL 403f的有机发光层。

HBL 403e用于抑制空穴流入阴极403g，并且可以由例如BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)制成。HBL 403e的厚度可以设置在例如0.1至100nm的范围内。

ETL 403f用于增强向有机发光层403d传输电子的效率。取决于设备的整个结构的ETL403f的厚度优选地设置在例如5至200nm的范围内，更优选地，设置在10至180nm的范围内。

优选使用具有优良电子传输能力的有机材料作为ETL 403f的材料。增强向有机发光层403d传输电子的效率抑制了由于电场强度引起的发射颜色的变化，这将在下文描述。具体地，例如，优选使用芳基吡啶衍生物、苯并咪唑衍生物等。因此，即使在低驱动电压下，也能保持高的电子供应效率。这样的有机材料的其他示例包括：碱金属及其氧化物、其复合氧化物、其氟化物、以及其碳酸盐，碱土金属及其氧化物、其复合氧化物、其氟化物、以及其碳酸盐，以及稀土金属及其氧化物、其复合氧化物、其氟化物、以及其碳酸盐。

ETL 403f具有电子给体属性；例如，用n型掺杂物掺杂的电子传输材料(具体地，上述用于ETL 403f的材料)可以用作ETL 403f的材料。n型掺杂材料的示例包括碱金属或其氧化物、其复合氧化物、其氟化物、以及其有机络合物，以及碱土金属或其氧化物、其复合氧化物、其氟化物、以及其有机络合物。

特别地，当ETL 403f的电子迁移率相对较大时，可以使用电负性低且电子给体属性优异的材料。在这些材料中，在薄膜状态下的可见光区域中光吸收小的材料是优选的。具体地说，具有低电子亲和势的金属材料(例如，碱金属如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、以及铯(Cs)，碱土金属如铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、以及镭(Ra)，或镧系金属如钐(Sm)、镱(Yb)、镓(Ga)、以及镧(La))是这样的材料的示例。

例如，阴极403g由厚约10nm、透光性优良、且功函数小的材料制成。此外，即使使用氧化物形成透明导电膜也能保证光提取。在这种情况下，可以使用ZnO、ITO、InZnO、铟锡锌氧化物(InSnZnO)等。此外，虽然阴极403g可以是单层，但是阴极403g也可以具有从阳极403a侧起顺序堆叠的多层的结构。

此外，阴极403g也可以由包含有机发光材料(例如铝喹啉络合物、苯乙烯胺衍生物、或酞菁衍生物)的混合层构成。在这种情况下，阴极403g可以进一步具有Al-Li层或Mg-Ag层。此外，阴极403g应采取最佳组合和最佳层压结构。

偏振器801的第一粘合剂层801a包括如图1至图3所示的粘合剂层。该粘合剂层包含从下文(1)中给出的那些材料中选择的材料作为基材，其中，添加从下文(2)中给出的树脂中选择的材料作为增粘树脂以提供粘合性。如果相容性不存在任何问题，则可以从(1)的(i)至(vi)中选择多种材料。可选地，粘合剂层可以包含从下文(3)中选择的材料作为填料。

通过选择这些材料而获得的本实施例的粘合剂层具有获得渗透到第一粘合剂层801a内部的O₂和H₂O的功能。具体地，所选材料包括用作吸气剂以获得O₂和H₂O的材料。此外，所选材料的侧链的功能还捕获了O₂和H₂O。如上所述的单层粘合剂层的功能使其能够实现下文将参照图12和后续附图描述的操作。

(1)基材

(i)环氧树脂

在本文中，上述环氧树脂可以具有缩水甘油基。

(ii)通过将异氰酸酯化合物与咪唑或包含苯氧树脂和丙氧树脂的树脂组合物封闭而得到的封闭异氰酸酯。

(iii)苯乙烯-异丁烯改性树脂。

苯乙烯-异丁烯改性树脂具有聚苯乙烯主链和聚异丁烯骨嵌段共聚物，它们具有官能团。官能团可以包括但不限于酸酐基团、氨基、羧基、氰酸酯基团、环氧基团、酰肼基团、羟基、异氰酸酯基团、恶唑啉基团、恶丁烷基团、以及苯酚基团中的一个或多个。

(iv)改性聚烯烃树脂

改性聚烯烃树脂包括甲基丙烯酸、丙烯酸烷基酯、以及酸酐改性聚烯烃树脂。

(v)A型和/或F型苯氧基树脂

该苯氧树脂由双酚A环氧树脂和/或双酚F环氧树脂合成。

(vi)聚异戊二烯和/或聚异丁烯树脂

聚异戊二烯和/或聚异丁烯树脂可以具有能够与环氧基团反应的官能团。

(2)增粘树脂

增粘树脂可以包括但不限于以下中的一个或多个成分：脂环饱和烃树脂、脂肪族石油树脂、双环戊二烯改性烃树脂、脂环不饱和烃树脂、和/或含环己烷环的饱和烃树脂。

(3)填料

填料可以包括但不限于以下中的一种或多种成分：氧化铝、钛酸钡、水滑石、氧化钛、氧化铈、和/或氧化锆。

在本公开的另一实施例中，第一粘合剂层801a还包括SiN_x/SiN_xO_y/SiO_x等的薄无机阻挡层。添加无机阻挡层以防止H₂O和O₂导致的OLED质量下降，并且无机阻挡层的厚度可以大于0nm并约等于1μm或更小。例如，可以通过在将粘合剂层直接粘合到阴极403g上之前通过CVD在阴极403g上形成SiN_x/SiO_x的无机阻挡层，然后将粘合剂层粘合到该无机阻挡层上以层压第一层。适当地选择第一层，以防止在工艺过程中由于来自周围环境的H₂O和O₂而导致下层阴极403g的质量下降。优选地，第一层较薄。

在本公开的另一实施例中，第一粘合剂层801a还包括触控面板(TP)。可以使用形成有ITO、铜等布线图案的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、环烯烃聚合物(cycloolefinpolymer，COP)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、三醋酸纤维素(cellulosetriacetate，TAC)等作为TP。通过层压处理形成TP。粘合剂层、无机阻挡层、以及TP可以按任意顺序堆叠。

偏振板405b用于防止太阳光的反射，并且聚乙烯醇(PVA)、三醋酸纤维素(TAC)等用于偏振板。第二粘合剂层405c用于粘合较高的层，例如滤色器。本文使用的粘合剂可以是粘合剂层，或者可以使用粘合剂层以外的粘合剂。

图3示出了作为比较示例的传统显示器件的结构。在显示器件200中，背面阻挡层411、背板412、以及前平面413与图1中的背面阻挡层411、背板412、以及前平面413相同。显示器件200具有在前平面413的阴极403g上堆叠的TFE 414和偏振器416。TFE 414具有厚约1μm的SiN_x/SiO_x的第一无机阻挡层404a、厚约7.5μm的有机阻挡层404b、以及厚约1μm的SiN_x/SiO_x的第二无机阻挡层404c的层压。偏振器416被配置为在TFE 414的SiN_x/SiO_x上具有第一粘合剂层405a(包括传统粘合剂、TP、和/或SiN_x/SiO_x)、POL 405b、以及第二粘合剂层405c的层压。从与显示器件100的比较中可以理解，显示器件200的TFE 414的厚度影响整个显示器件200的厚度。

接下来，参照图4描述根据比较示例的显示器件的制造方法的过程。

首先，准备基板402a，在基板402a的背面上形成有背面阻挡层411。在基板402a的表面上形成薄膜晶体管(TFT)和平坦化膜(planarization film，PLN)的层(PLN/TFT)402b。接下来，通过例如喷墨打印机在平坦化的PLN/TFT 402b上形成阳极403a、HIL 403b、HTL403c、有机发光层403d、HBL 403e、以及ETL 403f。然后，通过例如真空蒸镀(vacuumevaporation)在ETL 403f上形成阴极403g。以这种方式形成前平面413(S101)。

应注意，可以在阴极403g上形成有机覆盖层。在顶部发射型有机电致发光设备中形成有机覆盖层，以防止在形成阴极403g时由于光的全反射而损失相当数量的光。有机覆盖层优选地包含选自芳二胺衍生物、三胺衍生物、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、以及三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的一种成分。

接下来，在阴极403g上形成TFE。首先，在步骤S102中，在真空中(例如1Pa或更小)通过CVD在阴极403g上沉积SiN_x的第一无机阻挡层404a。然后，在步骤S103中，使用打印技术(例如喷墨法)在第一SiN_x层上形成丙烯酸树脂层。然后，在步骤S104中，丙烯酸树脂层在干燥空气中热固化以形成有机阻挡层404b。然后，在步骤S105中，在真空中通过CVD形成SiN_x的第二无机阻挡层404c。然后，在步骤S106中，通过层压处理在TFE 414上形成包括粘合剂层的第一粘合剂层405a、偏振板(POL)405b、以及第二粘合剂层405c。因此，形成偏振器416。

在上述工艺中形成的TFE具有包括无机阻挡层/有机阻挡层/无机阻挡层的至少三层复杂结构。无机阻挡层/有机阻挡层/无机阻挡层分别厚约1～2μm/6～12μm/1～2μm，这阻碍了使用OLED的显示屏的扁平化。

此外，下一代OLED可以转向可折叠OLED方案，例如内折叠类型、外折叠类型、以及S形(内和外)。可折叠OLED优选地由软材料(例如有机分子)构成。实际上，在OLED设备的一般有机层压结构中，有机分子并不是化学键合的，而是通过分子间的范德华(Van der Waals)相互作用形成有机薄膜。另一方面，TFE的无机部分(即SiN_xO_y、SiN_x、SiO_x等)是具有非常强的结合力的刚性膜，因此在弯曲操作中是易碎的和易损坏的。关于可折叠OLED，为了提高质量和延长寿命，最好尽可能不使用这种TFE材料。

在如图5所示的比较示例的结构中，在真空中形成TFE 414的第一无机阻挡层404a，在空气中形成有机阻挡层404b，在真空中再次形成第二无机阻挡层404c。这意味着在形成薄膜封装结构的过程中，设备基板进出真空室，导致大规模生产率低。特别地，由于高活性金属(例如高活性Mg和Li)的合金用于阴极，因此当置于空气中时，阴极会被氧化。

同样，使用SiH₄气体和NH₃气体的合适的混合物，通过CVD可以形成质量良好的SiN_xO_y或SiN_x。CVD表示化学气相沉积(chemical vapor deposition)，其中，提供气体作为成膜材料，并通过气相中在基板(基材)表面上的化学反应来进行薄膜沉积。CVD在形成无机阻挡层方面有一些缺点。下面将描述等离子体CVD和热CVD作为示例来解释这些缺点。

等离子体CVD是一种薄膜沉积技术，在反应炉中对平行板型电极施加高频，并通过等离子体气化来分解由作为薄膜主要成分的材料的卤化物组成的源气和所需的氢或氮等载气，将材料沉积在置于其中一个电极上的基板上，以形成薄膜。

等离子体生成方案除高频(平行板型)放电外，还包括高频(电感耦合型)放电、直流辉光放电、以及微波放电。等离子体的使用使得即使在低于热CVD的300℃下也可以进行薄膜沉积，并防止与基板的反应。因此，可以在塑料等非耐热基材上沉积薄膜。此外，等离子体CVD具有许多特征，例如容易在大面积上沉积，以及能够形成厚度均匀的膜。薄膜沉积的压力是1到几百Pa，在这个压力下很容易产生等离子体。在OLED中，通常使用等离子体CVD沉积无机阻挡层。

然而，在等离子体处理时SiH₄气体和NH₃气体产生的辐射热，以及在SiN_xO_y或SiN_x薄膜沉积时构成与阴极表面碰撞的物体的粒子，直接损坏用于阴极的例如Mg-Ag合金的表面。

在热CVD中，将源气和氧化剂或还原剂混合，并将混合物引入反应容器，从而在高温基板表面上发生化学反应。这种化学反应由原料配比、反应温度、以及反应容器的设计决定。热CVD具有设备配置相对简单、可形成高纯度薄膜、覆盖性好等优点。然而，热CVD也有缺点，例如限制了可用成膜温度、可用基板、以及可用源气，并且在低温下膜的质量可能下降。

在CVD中，当薄膜在沉积过程中被加热到高温时，高能粒子的攻击可能会损坏OLED。例如，来自目标的热辐射可能会提高OLED的基板温度，因此厚度为1μm的沉积可能会将基板温度提高到约100℃。虽然用于OLED的有机材料的玻璃化转变温度Tg通常高于100℃(因此不影响有机材料)，但很难保持层压结构的边界状态。即，各层容易在层压结构的边界部分处混合。这种现象导致OLED的退化，使得难以维持发光层周围的激子约束结构(exciton confinement structure)。这意味着内量子效率(internal quantumefficiency，IQE)的降低。

为了抑制SiN_x薄膜沉积对OLED的这种损伤，需要抑制沉积薄膜表面温度的升高。这给提高沉积速率带来了限制。

此外，在CVD过程中，粉尘粘合在CVD反应容器上，造成暗点、短路、收缩等。这导致面板良率下降。

图6是示出根据实施例的显示器件的制造过程的流程图。在步骤S101之后的步骤S202中，通过层压工艺将粘合剂层粘合到阴极上。粘合剂层可以是光学透明的粘合膜OCA。粘合剂层的粘合可以在空气中进行。因此，将包括偏振板和触控面板的偏振层预粘合到粘合剂层上允许通过层压粘合阴极上的层压结构，而无需在空气中进行热处理。

因此，如图7所示，如果形成了包括背面阻挡层411、背板412、以及前平面413的层结构，则可以通过层压工艺执行其余步骤。

图8示意性地示出了层压工艺的过程。图8的(a)示出了层结构301，其中偏振板303在OCA 302上形成。另一方面，图8的(c)示出了层结构304，层结构304包括背面阻挡层306、背板307、以及前平面308。分别制备层结构301和层结构304，并且如图8的(b)所示，这两个层结构由辊式层压机305压接。

应注意，在层压工艺的最后过程中，可以使用高压釜通过加热和压力从层压表面去除剩余的空气。

接下来，描述在本实施例中H₂O和/或O₂渗透到显示器件中的原理和防止H₂O和/或O₂渗透的可靠性。

丙烯酸类化合物或HMDSO经常用作OLED的保护膜的成分的一部分，但这种成分可能从空气或从制造工艺流程中捕获H₂O。这不利于OLED的可靠性。

在前平面上提供TFE能够防止H₂O从顶部渗透到前平面。然而，该显示器件的层结构的缺点在于该层结构容易受到H₂O和O₂从侧面渗透的影响。

图9示出了H₂O和O₂渗透(侵入)到比较示例的显示器件。图9的(b)示出了图9的(a)所示的显示器件200中的前平面413和TFE 414。如图9的(b)所示，H₂O和O₂从层间的表面和层的侧面水平渗透，然后下降。因此，当TFE的层数多且层的侧面面积大时，H₂O和O₂容易渗透到层中。

图10示出了根据本实施例的层结构。在图10所示的层结构中，H₂O和O₂可以从第一粘合剂层801a的侧面和阴极403g的表面渗透，但减少了渗透路径以抑制H₂O和O₂的渗透。

图11示出了根据本实施例的另一层结构。图11所示的层结构具有堆叠在包括基板和TFT的背板601上的阳极602、OLED 603、分隔OLED 603的堤(bank)608、阴极604、第一粘合剂层605、偏振板606、以及第二粘合剂层607。在这种情况下，抑制了H₂O和O₂向第一粘合剂层605的侧面以及第一粘合剂层605与阴极604之间的表面的渗透。

图12是示出根据本实施例的H₂O和O₂进入粘合剂层的渗透率的图。在该图中，横轴表示85℃/85％RH下的储存时间，纵轴表示根据暗点数的H₂O和O₂的渗透率。与传统的TFE结构相比，直接或经由SiN_x和/或SiO_x的薄无机阻挡层附着到OLED设备上的粘合剂层的材料的H₂O和/或O₂渗透速度较低，并且随着存储时间的推移具有低的渗透率。此外，渗透率曲线变为饱和曲线，并有如图12虚线所示的一个小的斜率。关于渗透率饱和曲线，粘合剂层具有这样的特性，即加入粘合剂层中的填料用作吸气剂，以便通过化学反应捕获H₂O和/或O₂。或者，粘合剂层具有这样的特性，即构成粘合剂层的物质的侧链具有通过化学反应与H₂O和/或O₂结合的部分，从而通过化学反应捕获H₂O和/或O₂。

实验结果表明，为了获得实际所需性能，在85℃/85％RH条件下，粘合剂层的材料的H₂O和/或O₂渗透速度应大于等于0μm/h且小于等于40μm/h。对于4mm²的发射面积，在85℃/85％RH条件下，300小时后的暗点面积优选地应大于等于0μm²且小于等于3000μm²(即面积≤0.75％)。

图13示出了关于本实施例和比较示例的显示器件的发射表面的每1cm²的电致发光强度(a.u.)的角度相关性。在该示例中，流过电路的电流为10mA。根据本实施例的显示器件在-90°到90°的范围内具有比根据比较示例的显示器件更高的电致发光强度。电致发光强度用来计算外量子效率(external quantum efficiency，EQE)，EQE用作OLED显示器件的特性的一个指标。即EQE(％)是从设备中提取的光子数与注入设备的载流子数之比，这个值η_EQE由下面的等式给出。

η_EQE＝k·λ/I

其中，k为常数，P是OLED单位面积的发射强度，λ是波长，I是流过显示器件的电流。

因此，从该图可以理解，根据本实施例的显示器件的EQE已经得到改善。这种效果是根据显示器件的设计(特别是SiN_x和SiN_xO_y的厚度的设计)所得到的。

图14示出了在85℃/85％RH条件下关于存储时间的暗点面积的测量结果。在该图中，示例1是具有厚度为5μm的粘合剂层的显示器件，参考示例是具有传统TFE的显示器件，示例2是具有厚度为20μm的粘合剂层的显示器件。参考示例的TFE结构为800nm的SiN_x/300nm的SiN_xO_y/8μm的有机树脂/200nm的SiN_xO_y/800nm的SiN_x/OLED。根据测量结果，直到300小时，示例1中的暗点面积的值与参考示例中的暗点面积的值基本相同。

在示例2的情况下，与5μm的粘合剂层相比，暗点面积的增长非常快。暗点面积的增长速度似乎是由于难以去除粘合剂层内部的H₂O和O₂所致。因此，使在OLED上形成的粘合剂层更薄可以提供更好的特性。优选地，适当地选择粘合剂层的厚度，以便保持足够大的强度以用于粘合并吸收下部结构的粗糙度，并且该厚度大于0nm并小于或约等于100μm。特别地，当粘合剂层的厚度约为50μm或更小时，暗点面积的增长速度明显减小，而当粘合剂层的厚度约为10μm或更小时，增长速度的抑制变得更加突出。此外，将厚度设置为约5μm或更小，更显著地减小了暗点面积的增长速度和暗点的数量，并且厚度根据需要被设置为允许吸收基板表面的不规则性的厚度。

图15示出了在85℃/85％RH条件下关于存储时间的收缩面积的测量结果。在该图中，示例1、示例2、参考示例的结构与图14相同。测量结果表明，在具有5μm厚的粘合剂层的示例1的情况下，在300小时之前看不到收缩面积。然而，在具有20μm厚的粘合剂层的示例2的情况下，在300小时时仍可见收缩面积。在示例1的情况下，收缩面积出现在900小时处的点。然而，应注意，通过施加到显示器件的侧面的坝结构，可以抑制收缩面积的出现。

图16是示出根据本公开的另一实施例的层结构的图。层结构1600形成为具有基板1201、通过将多层TFT层压到在基板1201上形成的阴极而形成的层结构1202、以及在层结构1202上形成的粘合剂层1206。然后，具有所谓坝结构的封装构件1205被设置在层结构1202的侧表面上以覆盖该侧表面。该坝结构由例如紫外线固化树脂形成，并具有如图16所示的包括多个不规则性的截面形状。层结构1600还包括粘合剂层1206，粘合剂层1206形成以用于覆盖层结构1202和封装构件1205的顶部。通过使用如上所述的坝结构，如果H₂O和O₂从层结构的侧面渗透，则H₂O和O₂沿着不规则表面移动，使得H₂O和O₂到达OLED的层结构的侧面的距离变长，从而抑制H₂O和O₂渗透到层结构1202和基板1201中。

应注意，层结构不限于图16所示的示例，并且设置有覆盖发光单元和阴极的侧面的至少一部分的封装构件的任何层结构都可以至少部分地防止H₂O和O₂从侧面渗透。

图17示出了在85℃/85％RH条件下关于存储时间的暗点数的测量结果。在该图中，示例1、示例2、以及参考示例的结构与图14中的测量目标相同。测量结果表明，在具有5μm厚的粘合剂层的示例1的情况下，在300小时，暗点的数量比参考示例中的暗点的数量少。而对于厚度大于10μm的粘合剂层，100小时后暗点数量明显增多。由此看来，粘合剂层本身所含的H₂O和O₂可能会影响暗点数量的增加。

图18在图17的基础上，示出了测量具有不同厚度的粘合剂层的OLED的结果。关于粘合剂层的厚度，随着粘合剂层变薄，暗点的数量可以减少。通过显示器件粘合OLED显示器件和粘合剂层使得其表面之间没有间隙，暗点数量的减少可以提供良好的条件。因此，暗点数量的减少受到粘合剂层的粘合的限制。粘合取决于背板中基板上的布线的设计、布线的条件等。由于OLED在背板的PLN/TFT上形成，所以总体表面粗糙度取决于设备的设计，并且粘合剂层的最小厚度根据这些条件确定。为了在85℃/85％RH条件下保持长期稳定性，粘合剂层的厚度优选地大于0nm，小于或等于100μm。特别地，当粘合剂层的厚度约为50μm或更小时，暗点面积的数量明显减少，而当粘合剂层的厚度约为10μm或更小时，暗点面积的数量的抑制变得更加突出。此外，将厚度设置为约5μm或更小，更显著地减小了暗点面积的增长速度和暗点的数量，并且厚度根据需要被设置为允许吸收基板表面的不规则性的厚度。

图19示出了包括本实施例的显示器件100的显示屏1800的配置。显示屏1800用作终端设备(例如智能手机等)的显示器，并由处理器控制。例如，显示屏1800具有包括多个显示器件100的像素矩阵。每个像素1802包括与三个子像素(例如，红色发光设备100R、绿色发光设备100G和蓝色发光设备100B)对应的发光器件，三个子像素布置在基板402a上的矩阵中作为显示区域。信号线驱动器1803和扫描线驱动器1804(用于图像显示的驱动器)被设置在显示区域周围。应注意，相邻显示器件100的组合构成一个像素1802。这样的配置允许选择某些显示器件100来根据来自信号线驱动器1803和扫描线驱动器1804的信号发光。

上述实施例对于从基板的顶部(阴极侧)提取光的顶部发射结构尤其有效，并且在这种情况下，为了提取光，阴极膜的厚度需要薄。例如，在Mg-Ag等金属阴极的情况下，厚度一般应为30nm或更小。此外，当在基板的顶部使用诸如InZnO的透明材料时，厚膜对光发射的吸收增加。在这种情况下，厚度被适当地设置在使面板的功耗不增加的范围内。

如上所述，根据本公开，在阴极上不形成当前使用的无机/有机/无机层压结构或作为无机层压结构的薄膜封装(TFE)结构，从而排除CVD和喷墨工艺。特别是CVD工艺需要较长的时间，因此这样可以减少所需的制造时间。为了提高CVD工艺中的沉积速率，通常需要在高温下进行，这对OLED器件的可靠性产生了不利影响。因此，排除CVD工艺也可以提高OLED器件的可靠性。

此外，根据CVD工艺，粉尘的生成会生成暗点并降低良率。此外，在CVD工艺中使用的气体化学地损坏OLED显示器件的成膜表面。因此，可以通过排除CVD工艺来避免这些问题。

此外，虽然TFE中包含的无机SiN_xO_y和/或SiN_x吸收蓝光，但不形成TFE层压结构增强了EQE(EL强度)。因此，可以降低耗散功率。

此外，TFE中包含的无机SiN_xO_y和/或SiN_x是刚性的，当弯曲时会产生多个裂纹，这损害了OLED显示器件的可靠性。因此，不形成TFE的层压结构可以提供折叠式OLED显示器的更好结构。

上述描述仅仅是本发明的具体实施方式，但不旨在限制本发明的保护范围。在所公开的技术范围内，本领域技术人员容易理解的任何变化或替换都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应服从权利要求书的保护范围。

Claims

1.一种显示屏，包括像素矩阵，每个像素包括三个子像素，每个子像素包括：

阴极层；

偏振器层，包括粘合剂层，其中，所述粘合剂层在所述阴极层上形成，并且在85℃/85％RH的条件下，所述粘合剂层中的H₂O和/或O₂的渗透率为40μm/h或更小。

2.根据权利要求1所述的显示屏，其中，在所述阴极层和所述粘合剂层之间形成厚度为1μm或更小的无机化合物阻挡层。

3.根据权利要求1所述的显示屏，其中，所述粘合剂层直接在所述阴极层上形成。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示屏，其中，所述粘合剂层的厚度为100μm或更小。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示屏，包括：

阳极层；

发光单元，包括在所述阳极层上形成的有机发光层；以及

封装构件，所述封装构件覆盖所述阳极、所述发光单元、以及所述阴极层的侧面的至少一部分。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示屏，其中，所述阴极层是厚度为30nm或更小的金属。

7.一种终端设备，包括：

根据权利要求1-6中任一项所述的显示屏；以及

处理器，用于控制所述显示屏。