CN114206526A - 银颗粒 - Google Patents

Abstract

提供一种新的银颗粒，其在制成导电性粘接剂的情况下，即使在导电性粘接剂的烧结时不加压、也能在低温下适宜地烧结、能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体。一种银颗粒，其包含：平均粒径为50～500nm的范围的银颗粒A；和平均粒径为0.5～5.5μm的范围的银颗粒B，前述银颗粒满足前述银颗粒B的平均粒径是前述银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系。

Description

银颗粒

技术领域

本发明涉及银颗粒、导电性粘接剂、该导电性粘接剂的烧结体、和在构件间具有该烧结体的电子部件。

背景技术

以粘片剂(ダイボンド剤)等为首的导电性粘接剂是在半导体、LED、功率半导体等电子部件中使用的接合材料。作为接合方式，一般而言已知利用加压和加热的接合、或者通过在非加压下利用加热等的烧结而与基材接合。近年来，从制造工艺的简便性、效率的观点出发，推进了非加压方式的接合材料的开发。

作为非加压方式的接合材料，其一可以举出包含环氧树脂的导电性粘接剂。该接合材料在低温处理下使环氧树脂固化而使用，能够抑制空孔产生、提高与基材的接合强度(专利文献1)。然而，环氧树脂本身成为电阻体，因此所得导电性、导热性变低。

另一方面，作为不含环氧树脂等热固性树脂的接合材料，银颗粒的开发近年来得到了推进。银颗粒具有的特征在于，通过在低温下短时间的热处理而容易地烧结。例如，专利文献2中，公开了一种金属糊剂，在将包含银颗粒的固体成分和溶剂混炼而得到的金属糊剂中，前述固体成分由以颗粒数基准包含30％以上的粒径100～200nm的银颗粒的银颗粒构成，进一步，构成固体成分的银颗粒键合有碳原子数的总和为4～8的胺化合物作为保护剂。根据该金属糊剂，能够在低温区域中烧结银颗粒，在此基础上，能够形成电阻低的烧结体、导热性优异的烧结体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2010/18712号

专利文献2：日本特开2015-159096号公报

发明内容

发明要解决的课题

在导电性粘接剂的领域中，为了使将导电性粘接剂在构件(例如在电子部件中使用的基板、半导体芯片等)上涂布、烧结而得到的烧结体的空隙变少(致密度提高)，在烧结时一般而言进行加压(压力为例如10～30MPa左右)。将导电性粘接剂在加压的同时烧结，由此能够减少烧结体的空隙。应予说明，在烧结体中空隙多的情况下，机械强度(剪切强度)变得不充分、或者在烧结体中容易产生裂纹、缺陷等，在可靠性方面存在问题。另一方面，还可以举出因烧结时的加压，导致对涂布了导电性粘接剂的构件造成损伤，为了加压而需要特殊的设备等问题。此外，在将烧结体形成于具有复杂结构的半导体芯片等上的情况下，还存在无法对导电性粘接剂进行加压的问题。

因此，近年来，需要开发即使在导电性粘接剂的烧结时不进行加压，也能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体的导电性粘接剂。

此外，导电性粘接剂一般而言在300℃左右的烧结温度下烧结，但需要能够在更低温(例如烧结温度为250℃以下)下烧结的导电性粘接剂。

如果能提供即使在导电性粘接剂的烧结时不加压、在低温下也能适宜地烧结、能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体的新的导电性粘接剂，则能够解决上述问题。

在这样的情况下，本发明的主要目的在于，提供一种新的银颗粒，其在用作导电性粘接剂的情况下，即使在导电性粘接剂的烧结时不加压，也能在低温下适宜地烧结，能形成致密度和机械强度(剪切强度)高。进一步，本发明的目的还在于，提供一种包含该银颗粒的导电性粘接剂、该导电性粘接剂的烧结体、和在构件间具有该烧结体的电子部件。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题而进行深入研究。结果发现，使用了平均粒径处于规定范围的相对小的银颗粒和平均粒径处于规定范围的相对大的银颗粒，并且大的银颗粒与小的银颗粒的平均粒径设定为特定关系的银颗粒，在将该银颗粒作为导电性粘接剂的情况下，即使在导电性粘接剂的烧结时不加压，也能在低温下适宜地烧结，进一步能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体。本发明基于这样的见解，进一步反复研究，从而完成。

即，本发明提供下述所示的方式的发明。

项1.一种银颗粒，其特征在于，包含：

平均粒径为50～500nm的范围的银颗粒A；和

平均粒径为0.5～5.5μm的范围的银颗粒B，

所述银颗粒满足所述银颗粒B的平均粒径是所述银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系。

项2.根据项1所述的银颗粒，其中，

所述银颗粒A与所述银颗粒B的质量比为1:9至9:1的范围。

项3.根据项1或2所述的银颗粒，其中，

在所述银颗粒A的表面附着有胺化合物。

项4.根据项1～3中任一项所述的银颗粒，其中，

所述银颗粒包含粒径小于50nm的银颗粒。

项5.一种导电性粘接剂，其特征在于，

包含项1～4中任一项所述的银颗粒和溶剂。

项6.一种项5所述的导电性粘接剂的烧结体。

项7.一种构件间通过项6所述的烧结体接合而成的电子部件。

项8.一种烧结体的制造方法，其特征在于，

包括使项5所述的导电性粘接剂在200℃以上且250℃以下的温度下烧结的工序。

项9.一种构件间通过烧结体接合而成的电子部件的制造方法，具有：

在所述构件间配置项5所述的导电性粘接剂的工序；和

使所述导电性粘接剂在200℃以上且250℃以下的温度下烧结的工序。

发明的效果

根据本发明，在制成导电性粘接剂的情况下，能够提供即使在导电性粘接剂的烧结时不加压、也能在低温下适宜地烧结、能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体的新的银颗粒。进一步地，根据本发明，还能够提供包含该银颗粒的导电性粘接剂、该导电性粘接剂的烧结体、和在构件间具有该烧结体的电子部件。

附图说明

图1是银颗粒A1的SEM图像。

图2是银颗粒A2的SEM图像。

图3是银颗粒B1的SEM图像。

图4是银颗粒B2的SEM图像。

图5是银颗粒B3的SEM图像。

图6是针对银颗粒A1、A2而获取的TG-DTA图。

具体实施方式

本发明的银颗粒的特征在于，包含平均粒径为50～500nm的范围的银颗粒A、和平均粒径为0.5～5.5μm的范围的银颗粒B，满足银颗粒B的平均粒径是银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系。本发明的银颗粒具有这样的特征，因此，能够提供如下的新的银颗粒：在将银颗粒作为导电性粘接剂的情况下，即使在导电性粘接剂的烧结时不加压，也能在低温下适宜地烧结、能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体。

以下，针对本发明的银颗粒、导电性粘接剂、该导电性粘接剂的烧结体、和在构件间具有该烧结体的电子部件进行详细描述。应予说明，本说明书中，“～”所连接的数值是指包含“～”的前后的数值作为下限值和上限值的数值范围。在分别记载多个下限值和多个上限值的情况下，可以选择任意的下限值和上限值，用“～”连接。

1.银颗粒

本发明的银颗粒是包含银的颗粒，包含平均粒径不同的银颗粒A和银颗粒B。银颗粒A的平均粒径为50～500nm的范围。此外，银颗粒B的平均粒径为0.5～5.5μm的范围。进一步地，满足银颗粒B的平均粒径是银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系。即，例如在银颗粒A的平均粒径为下限值50nm的情况下，银颗粒B的平均粒径为0.5～0.55μm的范围内。此外，例如在银颗粒A的平均粒径为上限值500nm的情况下，银颗粒B的平均粒径为2.5～5.5μm的范围内。

银颗粒A的平均粒径只要为50～500nm的范围即可，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，针对下限，可以举出优选为60nm以上，针对上限，可以举出优选为300nm以下、更优选为250nm以下、进一步优选为200nm以下，作为优选的范围，可以举出50～300nm、50～250nm、50～200nm、60～300nm、60～250nm、60～200nm等。

此外，银颗粒B的平均粒径只要为0.5～5.5μm的范围即可，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，针对下限，可以举出优选为0.6μm以上，针对上限，可以举出优选为3.0μm以下、更优选为2.5μm以下、进一步优选为2.0μm以下，作为优选的范围，可以举出0.5～3.0μm、0.5～2.5μm、0.5～2.0μm、0.6～3.0μm、0.6～2.5μm、0.6～2.0μm。

本发明中，银颗粒的平均粒径是针对SEM图像，使用图像分析软件(例如Macview(MOUNTECH Co.Ltd.制))，针对随机选择的200个颗粒测定的体积基准平均粒径。应予说明，观察中使用SED模式(二次电子检测器)，在加速电压20kV、5000～30000倍的观察倍率下，观察横向宽度1～20μm的范围。应予说明，针对SEM图像的纵向，设为在横向宽度1～20μm的范围中包含200个以上(通常、200～300个左右)的银颗粒的宽度。此外，体积基准平均粒径是将SEM图像中观察的颗粒假定为具有其直径的球形而测定的值。具体的测定方法如实施例中所记载。

本发明的银颗粒中，满足银颗粒B的平均粒径是银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系。从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，优选满足银颗粒B的平均粒径是银颗粒A的平均粒径的8～11倍的关系，更优选满足9～11倍的关系。

本发明的银颗粒中，银颗粒A与银颗粒B的质量比(银颗粒A:银颗粒B)优选为1:9至9:1的范围、更优选为7:3至3:7的范围、进一步优选为6:4至4:6的范围。本发明的银颗粒中，支配性地包含银颗粒A和银颗粒B，它们的总计含量优选为80质量％以上、更优选为90质量％以上、进一步优选为95质量％以上、特别优选为98质量％以上、可以为100质量％。

本发明的银颗粒可以包含粒径小于50nm的银颗粒。但是，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，粒径小于50nm的银颗粒的比例例如以银颗粒的个数基准计，为30％以下、优选为20％以下、更优选为10％以下。同样地，本发明的银颗粒可以包含粒径大于5.5μm的银颗粒。但是，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，粒径大于5.5μm的银颗粒的比例例如以银颗粒的个数基准计，为30％以下、优选为20％以下、更优选为10％以下。应予说明，在此所称的粒径是指体积基准粒径，是通过前述粒径的测定方法而算出的。该特定颗粒的个数比例利用图像分析软件(Macview)，由银颗粒200个测定。

此外，本发明的银颗粒优选在120～250℃的范围中观察到多个热重差热分析中的发热峰。具体而言，优选热重差热分析中的发热峰在120～150℃之间观察到至少1个(通常为1个)、在160～250℃之间观察到至少1个(通常为1个或2个)。此外，本发明的银颗粒的干燥粉末通过热重差热分析而从30℃加热至500℃时的重量减少率优选为1.5重量％以下、更优选为0.05～1.3重量％。热重差热分析的方法如下。

＜热重差热分析(TG-DTA)＞

首先，准备风干的银颗粒。例如，在从导电性粘接剂获取银颗粒而分析的情况下，相对于各导电性粘接剂1g，添加甲醇2g而充分分散后，将银颗粒滤取、风干，得到银颗粒干燥粉末，作为分析对象。银颗粒的干燥粉末的TG-DTA用热重差热分析装置(例如HITACHIG300 AST-2)测定。测定条件设为气氛：空气，测定温度：30～500℃，升温速度：10℃/min。由所得TG-DTA图，得到因TG-DTA分析中的银颗粒的结合而引起的发热峰、和因热分析从30℃加热至500℃时的重量减少率。

本发明的银颗粒中包含的银的含量优选为95质量％以上、更优选为98质量％以上。

从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，优选对银颗粒进行表面处理。即，本发明的银颗粒优选为表面处理银颗粒。

更具体而言，优选本发明的银颗粒中，在银颗粒A的表面附着有胺化合物。此外，在银颗粒B的表面也可以附着有胺化合物。胺化合物可以附着于银颗粒的表面，形成保护层。优选本发明的银颗粒中，以将平均粒径设定为前述特定范围的方式使胺化合物附着。

作为胺化合物，没有特别限制，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，优选为烷基胺。作为烷基胺，没有特别限制，可以举出优选为烷基的碳原子数为3以上且18以下的烷基胺，更优选为烷基的碳原子数为4以上且12以下的烷基胺。

作为烷基胺的优选的具体例，可以例示出乙基胺、正丙基胺、异丙基胺、1,2-二甲基丙基胺、正丁基胺、异丁基胺、仲丁基胺、叔丁基胺、异戊基胺、叔戊基胺、3-戊基胺、正戊基胺、正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、2-辛基胺、2-乙基己基胺、正壬基胺、正氨基癸烷、正氨基十一烷、正十二烷基胺、正十三烷基胺、2-十三烷基胺、正十四烷基胺、正十五烷基胺、正十六烷基胺、正十七烷基胺、正十八烷基胺、正油烯基胺、N-乙基-1,3-二氨基丙烷、N,N-二异丙基乙基胺、N,N-二甲基氨基丙烷、N,N-二丁基氨基丙烷、N,N-二甲基-1,3-二氨基丙烷、N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷、N,N-二异丁基-1,3-二氨基丙烷、N-月桂基二氨基丙烷等。进一步地，还可以例示出作为仲胺的二丁基胺、作为环状烷基胺的环丙基胺、环丁基胺、环丙基胺、环己基胺、环庚基胺、环辛基胺等。这些之中，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，优选为正丙基胺、异丙基胺、环丙基胺、正丁基胺、异丁基胺、仲丁基胺、叔丁基胺、环丁基胺、正戊基胺、正己基胺、环己基胺、正辛基胺、2-乙基己基胺、正十二烷基胺、正油烯基胺、N,N-二甲基-1,3-二氨基丙烷、N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷，更优选为正丁基胺、正己基胺、环己基胺、正辛基胺、正十二烷基胺、N,N-二甲基-1,3-二氨基丙烷、N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷。胺化合物可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

作为本发明的银颗粒的胺化合物的附着量，没有特别限制，将银颗粒的质量设为100质量％，优选为1.5质量％以下、更优选为1.3质量％以下，针对下限，优选为0.05质量％以上。同样地，针对银颗粒A、B的胺化合物的附着量，分别将银颗粒A、B的质量设为100质量％，也优选为1.5质量％以下、更优选为1.3质量％以下，针对下限，优选为0.05质量％以上。银颗粒上附着的胺化合物的含量可以通过热重差热分析来测定。

此外，在银颗粒的表面，可以附着有脂肪酸、羟基脂肪酸等。作为脂肪酸，没有特别限制，可以举出优选为烷基的碳原子数为3以上且18以下的脂肪酸、更优选为烷基的碳原子数为4以上且18以下的脂肪酸。作为脂肪酸的优选的具体例，可以举出乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、辛酸、2-乙基己酸、癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、α-亚麻酸等。此外，作为脂肪酸的具体例，还可以举出环己烷甲酸那样的环状烷基羧酸等。此外，作为羟基脂肪酸，可以使用碳原子数3～24、且具有1个以上(例如1个)羟基的化合物。此外，作为羟基脂肪酸，可以举出例如2-羟基癸酸、2-羟基十二烷酸、2-羟基十四烷酸、2-羟基十六烷酸、2-羟基十八烷酸、2-羟基二十烷酸、2-羟基二十二烷酸、2-羟基二十三烷酸、2-羟基二十四烷酸、3-羟基己酸、3-羟基辛酸、3-羟基壬酸、3-羟基癸酸、3-羟基十一烷酸、3-羟基十二烷酸、3-羟基十三烷酸、3-羟基十四烷酸、3-羟基十六烷酸、3-羟基十七烷酸、3-羟基十八烷酸、ω-羟基-2-癸烯酸、ω-羟基十五烷酸、ω-羟基十七烷酸、ω-羟基二十烷酸、ω-羟基二十二烷酸、6-羟基十八烷酸、蓖麻油酸、12-羟基硬脂酸、[R-(E)]-12-羟基-9-十八碳烯酸等。其中，优选为碳原子数4～18、且在除了ω位之外(特别是12位)具有1个羟基的羟基脂肪酸，更优选为蓖麻油酸、12-羟基硬脂酸。脂肪酸和羟基脂肪酸各自可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

本发明的银颗粒中，针对脂肪酸、羟基脂肪酸的附着量，也与胺化合物同样地，适当调整。具体的脂肪酸、羟基脂肪酸的附着量没有特别限制，将银颗粒的质量设为100质量％，优选为1.5质量％以下、更优选为1.3质量％以下，针对下限，优选为0.01质量％以上。同样地，针对银颗粒A、B的脂肪酸、羟基脂肪酸的附着量，也分别将银颗粒A、B的质量设为100质量％，优选为1.5质量％以下、更优选为1.3质量％以下，针对下限，优选为0.01质量％以上。在银颗粒上附着的脂肪酸、羟基脂肪酸的含量可以通过差热分析来测定。

应予说明，以本发明的银颗粒满足前述的平均粒径为限度，胺化合物、脂肪酸、羟基脂肪酸可以组合使用，此外，与这些不同的其他化合物也可以附着于银颗粒的表面。在本发明的银颗粒的表面，特别优选附着有胺化合物。

本发明的银颗粒在制成导电性粘接剂时，在200℃下加热导电性粘接剂而得到的烧结体的剪切强度优选为73MPa以上、更优选为77MPa以上、进一步优选为80MPa以上。应予说明，针对该剪切强度的上限，例如为200MPa以下。此外，本发明的银颗粒在制成导电性粘接剂时，在250℃下加热导电性粘接剂而得到的烧结体的剪切强度优选为70MPa以上、更优选为72MPa以上、进一步优选为75MPa以上。应予说明，针对该剪切强度的上限，例如为200MPa以下。烧结体的剪切强度的测定方法如下所述，具体而言，可通过实施例中记载的方法来测定。

＜剪切强度＞

首先，准备在铜板上施加0.5μm无电解银镀敷的基材。在基材上(形成有银镀敷的表面)以涂膜厚度成为50μm的方式均匀涂布导电性粘接剂(银颗粒90质量％、Texanol10质量％的银颗粒分散液)。进一步地，在涂膜上，层叠对背面(与导电性粘接剂接触的面)实施了金镀敷的硅晶片(尺寸2mm×2mm)，得到层叠体。接着，使用干燥器(循环式)，将所得层叠体在规定的烧结温度(200℃或250℃)下60分钟的烧结条件下加热，基材与硅晶片之间的各导电性粘接剂烧结，制作9个基材和硅晶片经由烧结体而接合的层叠体。针对所得层叠体，分别在室温下使用接合测试机(“接合测试机”的日文原文：ボンドテスター)(例如西进商事制SS30-WD)，在0.120mm/s的条件下对烧结体施加负载，实施各层叠体的裸片剪切测试(“裸片剪切测试”的日文原文：ダイシェアテスト)，测定断裂时的最大载重。这样得到的最大载重除以接合面积，由此得到剪切强度值。应予说明，测定结果是测定了剪切强度的9个金镀敷硅晶片的平均值。

此外，本发明的银颗粒在制成导电性粘接剂时，在200℃下加热导电性粘接剂得到的烧结体的致密度优选为80％以上、更优选为83％以上。应予说明，该致密度上限例如为95％以下。此外，本发明的银颗粒在制成导电性粘接剂时，在250℃下加热导电性粘接剂得到的烧结体的致密度优选为83％以上、更优选为85％以上。应予说明，该致密度上限例如为97％以下。烧结体的致密度的测定方法如下，具体而言，可通过实施例中记载的方法来测定。

＜致密度＞

以与＜剪切强度＞栏中记载的方法相同的方式，得到基材与硅晶片经由烧结体而接合的层叠体。接着，将烧结体与层叠体一起用环氧树脂(例如Buehler Ltd.制)进行树脂包埋，静置24小时，使树脂固化。接着，将经树脂包埋的层叠体用精密低速切割机(例如ALLIED公司制TechCut4)切割，利用(例如Hitachi High-Tech Corporation制)离子铣(例如Hitachi High-Tech Corporation制的IM4000PLUS)，实施截面磨削。应予说明，截面磨削在放电电压1.5kV、加速电压6kV下，通过氩气流量0.07cm³/min、±30°的摆动来照射离子束从而实施。用扫描型电子显微镜观察通过截面磨削得到的烧结体的截面，获取SEM图像。观察中，使用SED模式(二次电子检测器)，在加速电压20kV、2000倍的视野下，观察横向宽度60μm的范围。应予说明，针对SEM图像的纵向，设为银的烧结层的纵宽度10μm以上且200μm以下的范围。其理由在于，当银的烧结层小于10μm时，在作为接合体的特性方面，有可能损害机械强度，此外，当大于200μm时，层叠体的膨松性变高，因此设想烧结时的除气难以均匀发生，从可靠性的观点出发是不利的。致密度的算出中，将所得SEM图像用二值化软件(Imagej)将浓淡进行图像变换为白和黑的二阶色调，通过以下的关系式求出。

致密度(％)＝烧结银面积(白色像素数)÷烧结体全部面积{烧结银面积(白色像素数)+空孔面积(黑色像素数)}×100

＜比电阻值＞

将导电性粘接剂(银颗粒90质量％、Texanol10质量％的银颗粒分散液)在聚酰亚胺膜上以2mm×60mm×涂膜厚度成为50μm的方式均匀涂布，在规定温度(200℃或250℃)下煅烧60分钟，得到烧结体。接着，在室温条件下用电阻计(例如HIOKI RM3548)测定烧结体的电阻值，根据用测微计测量实际的膜厚而得到的值，求出比电阻(体积电阻)值。应予说明，该比电阻值是测定烧结体的4个部位得到的值的平均值。

此外，本发明的银颗粒在制成导电性粘接剂时，在200℃下加热导电性粘接剂得到的烧结体的比电阻值优选为3.5μΩ·cm以下、更优选为3.2μΩ·cm以下、进一步优选为3.0μΩ·cm以下。应予说明，该比电阻值的下限例如为2.0μΩ·cm以上。此外，本发明的银颗粒在制成导电性粘接剂时，在250℃下加热导电性粘接剂得到的烧结体的比电阻值优选为3.2μΩ·cm以下、更优选为3.0μΩ·cm以下。应予说明，该比电阻值的下限例如为1.8μΩ·cm以上。烧结体的比电阻值的测定方法如前述的＜比电阻值＞一栏所述，具体而言，可通过实施例中记载的方法来测定。

＜空隙＞

以与前述的＜致密度＞的测定同样的方式获取烧结体的SEM像，针对使用Imagej而2值化的SEM图像，使用(MOUNTECH Co.Ltd.制)图像分析式粒度分布测定软件(Macview)进行图像处理(通过自动读取色差，将经2值化的图像的空隙部分作为颗粒而分析)，将烧结体的空隙假定为球形，算出该空隙的个数平均大小。此时，烧结体的比表面积由前述球形的单位体积的表面积而算出。应予说明，空隙部分是指与空孔、裂缝不同的因除气、颗粒生长而产生的细孔部分，细孔部分是指直径为50nm以上且10μm以下的物质。成为10μm以上的大小的孔被称为空孔、裂缝，空隙部分除外而换算。

此外，本发明的银颗粒中，在制成导电性粘接剂时、在200℃下加热导电性粘接剂得到的烧结体的空隙例如具有以下的特征。应予说明，烧结体通过前述＜剪切强度＞栏中记载的方法形成。空隙的个数平均大小例如为0.3～1.0μm。空隙的比表面积例如为0.2～1.0μm²。个数平均大小通过使用了Macview的前述图像处理方法而算出。

2.银颗粒的制造方法

本发明的银颗粒的制造方法的一例示于以下。

首先，准备用于制造银颗粒的组合物(银颗粒制备用组合物)。具体而言，准备作为银颗粒的原料的银化合物、和根据需要的在银颗粒的表面附着的胺化合物等、溶剂。从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，作为优选的银化合物，可以举出硝酸银、草酸银等，特别优选为草酸银。应予说明，作为溶剂，可以例示出与后述的作为在导电性粘接剂中配合的溶剂而例示的物质相同的物质。接着，将这些各成分混合，得到银颗粒制备用组合物。适当调整该组合物中的各成分的比例。例如，组合物中的草酸银的含量相对于组合物的总量，优选设为20～70质量％左右。此外，如果是在银颗粒的表面附着胺化合物的情况，则作为胺化合物的含量，相对于组合物的总量，优选设为5质量％～55质量％左右。此外，如果是在银颗粒的表面附着脂肪酸的情况，则作为脂肪酸的含量，相对于组合物的总量，优选设为0.1质量％～20质量％左右。如果是在银颗粒的表面附着羟基脂肪酸的情况，则作为羟基脂肪酸的含量，相对于组合物的总量，优选设为0.1质量％～15质量％左右。

应予说明，也可以使用以胺化合物等含量为前述范围外的方式调整的银颗粒制备用组合物，暂时合成银颗粒，通过后述方法，调整胺化合物等种类、附着量以达到前述物性(置换胺化合物)。

此外，各成分的混合手段也没有特别限制，可以用例如机械搅拌机、磁力搅拌机、涡旋混合机、行星磨、球磨、三辊磨、管路混合器、行星式混合机、溶解器等通用的装置混合。为了避免因混合时的溶解热、摩擦热等影响而导致组合物的温度上升、银颗粒的热分解反应开始，优选在将组合物的温度抑制为例如60℃以下、特别是40℃以下的同时进行混合。

接着，通过将银颗粒制备用组合物供于反应容器内的反应、通常是利用加热的反应，银化合物的热分解反应发生，生成银颗粒。反应时，可以在预先加热的反应容器内导入组合物，也可以在反应容器内导入组合物后进行加热。

反应温度只要是热分解反应进行、银颗粒生成的温度即可，可以举出例如50～250℃左右。此外，反应时间根据期望的平均粒径的大小、与其对应的组合物的组成适当选择即可。作为反应时间，可以举出例如1分钟～100小时。

由于通过热分解反应生成的银颗粒是作为包含未反应原料的混合物而得到的，因此优选对银颗粒进行精制。作为精制方法，可以举出固液分离方法、利用银颗粒与有机溶剂等未反应原料的比重差的沉淀方法等。作为固液分离方法，可以举出过滤器过滤、离心分离、旋风式、或倾析器等方法。为了使精制时的处理容易，可以用丙酮、甲醇等低沸点溶剂稀释含有银颗粒的混合物，调整其粘度。

通过调整银颗粒制造用组合物的组成、反应条件，可以调整所得银颗粒的平均粒径。

置换·调整银颗粒表面的胺化合物的方法

通过前述的方法，准备暂时合成的银颗粒(在表面附着胺化合物)，使其在溶剂中分散。作为溶剂，可以例示出与后述的作为在导电性粘接剂中配合的溶剂而例示的物质相同的物质。接着，以相对于银颗粒的质量0.1～5倍量的范围添加其他胺化合物，施加在室温～80℃下进行1分钟～24小时搅拌的工序，由此能够将银颗粒的表面附着的胺化合物的种类置换，或调整附着量。置换了胺化合物的银颗粒可以通过前述的固液分离法等回收。

3.导电性粘接剂

本发明的导电性粘接剂的特征在于，包含本发明的银颗粒和溶剂。通过包含溶剂，流动性提高，容易将本发明的导电性粘接剂配置在期望的场所。针对本发明的银颗粒的详情，如前所述。

作为溶剂，只要能够分散银颗粒，则没有特别限制，优选包含极性有机溶剂。作为极性有机溶剂，可以举出丙酮、乙酰基丙酮、甲基乙基酮等酮类；二乙基醚、二丙基醚、二丁基醚、四氢呋喃、1,4-二氧杂环己烷等醚类；1,2-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,2-己二醇、1,6-己二醇、1,2-戊二醇、1,5-戊二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,2-辛二醇、1,8-辛二醇、2-乙基-1,3-己二醇等二醇类；甘油；碳原子数1～5的直链或支链的醇、环己醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇等醇类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酸乙酯、甲酸乙酯、Texanol等脂肪酸酯类；聚乙二醇、三乙二醇单甲基醚、四乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇二甲基醚、三乙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、3-甲氧基丁基乙酸酯、乙二醇单丁基醚、乙二醇单丁基醚乙酸酯、乙二醇单己基醚、乙二醇单辛基醚、乙二醇单-2-乙基己基醚、乙二醇单苯甲基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单甲基醚乙酸酯、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单乙基醚乙酸酯、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇单丁基醚乙酸酯、二乙二醇单己基醚、二乙二醇单-2-乙基己基醚、聚丙二醇、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、二丙二醇单丙基醚、二丙二醇单丁基醚、三丙二醇单甲基醚、三丙二醇单乙基醚、三丙二醇单丙基醚、三丙二醇单丁基醚等二醇或二醇醚类；N,N-二甲基甲酰胺；二甲基亚砜；松油醇等萜烯类；乙腈；γ-丁内酯；2-吡咯烷酮；N-甲基吡咯烷酮；N-(2-氨基乙基)哌嗪等。这些之中，从更进一步适宜地实现本发明的效果的观点出发，优选为碳原子数3～5的直链或支链的醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇单丁基醚乙酸酯、二乙二醇单己基醚、二乙二醇单-2-乙基己基醚、松油醇、Texanol。

溶剂除了极性有机溶剂之外，还可以进一步包含非极性或疏水性溶剂。作为非极性有机溶剂，可以举出己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、2-乙基己烷、环己烷等直链、支链、或环状的饱和烃；碳原子数6以上的直链或支链的醇等醇类；苯、甲苯、苯甲腈等芳族化合物；二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷等卤代烃类；甲基正戊基酮；甲基乙基酮肟；三醋精等。这些之中，优选为饱和烃和碳原子数6以上的直链或支链的醇类，更优选为己烷、辛烷、癸烷、辛醇、癸醇、十二烷醇。溶剂可以单独使用1种、或混合使用2种以上。

在包含极性有机溶剂和非极性有机溶剂两者的情况下，极性有机溶剂的比率为，相对于溶剂的总量，优选为5容量％以上、更优选为10容量％以上、进一步更优选为15容量％以上。此外，可以设为60容量％以下，也可以设为55容量％以下，也可以设为50容量％以下。溶剂也可以仅由极性有机溶剂组成。本发明的导电性粘接剂在像这样大量包含极性有机溶剂的情况下，银颗粒的分散性也良好。

本发明的导电性粘接剂中，作为溶剂的比例，没有特别限制，优选为20质量％以下、更优选为5质量％～15质量％左右。

本发明的导电性粘接剂中包含的银颗粒的含量优选为80质量％以上、更优选为85质量％以上。

本发明的导电性粘接剂可以通过具有将本发明的银颗粒和溶剂混合的工序的方法来制造。

此外，本发明的导电性粘接剂的制造方法中，也可以将前述的本发明的银颗粒的制造方法中的在溶剂中生成的本发明的银颗粒与溶剂一起作为本发明的导电性粘接剂。

4.导电性粘接剂的烧结体

本发明的导电性粘接剂的烧结体通过将在前述的“2.导电性粘接剂”中详细描述的本发明的导电性粘接剂烧结而得到。本发明的导电性粘接剂的烧结体中，银颗粒的表面附着的成分(胺化合物等)、溶剂通过烧结时的高热而大部分脱离，烧结体实质上由银构成。

作为烧结温度，没有特别限制，从在低温下适宜地烧结、同时提高所得烧结体的剪切强度和致密度的观点出发，可以举出例如250℃以下、优选为150℃～250℃左右、更优选为200℃～250℃左右。从相同的观点出发，作为烧结时间，可以举出优选为0.4小时～2.0小时左右、更优选为0.5小时～1.2小时左右。本发明中，导电性粘接剂中包含的银颗粒具有包含平均粒径为50～500nm的范围的银颗粒A、和平均粒径为0.5～5.5μm的范围的银颗粒B，满足银颗粒B的平均粒径是银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系的特征，由此，即使在导电性粘接剂的烧结时不加压，在250℃以下的低温下也能适宜地烧结，能形成致密度和机械强度(剪切强度)高的烧结体。因此，本发明的导电性粘接剂的烧结时不需要加压。即，本发明的导电性粘接剂可以适宜地用于在烧结时不加压地使用的用途。应予说明，本发明的导电性粘接剂的烧结时也可以加压，加压的情况的压力例如为10～30MPa左右。烧结可以在大气、不活泼气体(氮气、氩气)等气氛下进行。作为烧结手段，没有特别限制，可以举出烘箱、热风式干燥炉、红外线干燥炉、激光照射、闪光灯照射、微波等。

本发明的烧结体优选满足在“1.银颗粒”一栏中示出的剪切强度、致密度、和比电阻值中的至少1个。针对它们的测定方法，如前述＜剪切强度＞栏、＜致密度＞栏、和＜比电阻值＞栏所述。

5.电子部件

本发明的电子部件具有构件间利用本发明的烧结体而粘接的部分。即，本发明的电子部件是将在前述的“2.导电性粘接剂”中详细描述的本发明的导电性粘接剂配置在电子部件的构件间(例如回路中包含的构件间)，使导电性粘接剂烧结，将构件间粘接而得到的。

如前所述，本发明的烧结体的致密度和剪切强度高，因此在具有其的电子部件中，构件间的剪切强度也高。此外，本发明的电子部件的比电阻值也可以设为较低。

实施例

以下的实施例中，更具体地说明本发明，但本发明不限于此。

实施例和比较例中使用的各成分的详情如下所述。

·草酸银((COOAg)₂)通过日本专利第5574761号公报中记载的方法合成。

·N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)

·正己基胺(碳原子数6、FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)

·蓖麻油酸(东京化成工业株式会社制)

·1-丁醇(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)

·甲醇(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)

·乙二醇(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)

·Texanol(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)

＜银颗粒A的合成＞

(1)银颗粒A1(平均粒径68nm)

向加入了磁力搅拌子的50mL玻璃制离心沉淀管中，投入蓖麻油酸(2.34g)、N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷(203g)、和1-丁醇(375g)，搅拌1分钟左右后，投入草酸银(250g)，约10分钟搅拌，由此，得到银颗粒A1制备用组合物。其后，在具有铝块的热搅拌机(小池精密机器制作所制HHE-19G-U)上，将这些玻璃制离心沉淀管竖直设置，在40℃下搅拌30分钟，进一步在90℃下搅拌30分钟。放置冷却后，取出磁力搅拌子，向各组合物中添加甲醇15g，用涡旋混合机搅拌后，用离心分离机(日立工机制CF7D2)以3000rpm(约1600×G)实施1分钟的离心沉淀操作，倾斜离心沉淀管，由此去除上清液。反复进行2次甲醇15g的添加、搅拌、离心分离、和去除上清液的工序，回收银颗粒。

接着，使用所得银颗粒的分散液(甲醇溶液)，以银颗粒的质量的3倍量添加正己基胺，在室温下搅拌4小时。搅拌后，取出磁力搅拌子，向各组合物中添加甲醇15g，用涡旋混合机搅拌后，用离心分离机(日立工机制CF7D2)以3000rpm(约1600×G)实施1分钟的离心沉淀操作，倾斜离心沉淀管，由此去除上清液。反复进行2次甲醇15g的添加、搅拌、离心分离、和去除上清液的工序，回收将银颗粒的表面附着的N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷置换为正己基胺的银颗粒A1(平均粒径68nm)。

(2)银颗粒A2(平均粒径181nm)

向加入了磁力搅拌子的50mL玻璃制离心沉淀管中，投入蓖麻油酸(6.25g)、N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷(203g)、和1-丁醇(187.5g)，搅拌1分钟左右后，投入草酸银(250g)，约10分钟搅拌，由此，得到银颗粒A1制备用组合物。其后，在具有铝块的热搅拌机(小池精密机器制作所制HHE-19G-U)上，将这些玻璃制离心沉淀管竖直设置，在40℃下搅拌30分钟，进一步在90℃下搅拌30分钟。放置冷却后，取出磁力搅拌子，向各组合物中添加甲醇15g，用涡旋混合机搅拌后，用离心分离机(日立工机制CF7D2)以3000rpm(约1600×G)实施1分钟的离心沉淀操作，倾斜离心沉淀管，由此去除上清液。反复进行2次甲醇15g的添加、搅拌、离心分离、和去除上清液的工序，回收银颗粒。

接着，使用所得银颗粒的分散液(甲醇溶液)，以银颗粒的质量的3倍量添加正己基胺，在室温下搅拌4小时。搅拌后，取出磁力搅拌子，向各组合物中添加甲醇15g，用涡旋混合机搅拌后，用离心分离机(日立工机制CF7D2)以3000rpm(约1600×G)实施1分钟的离心沉淀操作，倾斜离心沉淀管，由此去除上清液。反复进行2次甲醇15g的添加、搅拌、离心分离、和去除上清液的工序，回收将N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷置换为正己基胺的银颗粒A2(平均粒径181nm)。

＜银颗粒B＞

·作为银颗粒B1(平均粒径0.65μm)，使用DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO.，LTD.制的制品名AG2-1C。

·作为银颗粒B2(平均粒径1.88μm)，使用DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO.，LTD.制的制品名AG3-1F。

·作为银颗粒B3(平均粒径2.21μm)，使用DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO.，LTD.制的制品名AG4-8F。

针对银颗粒A1，A2，B1，B2，B3，分别在以下的条件下进行利用扫描型电子显微镜的观察(SEM图像的取得)、平均粒径(体积基准平均粒径)的测定、粒度分布的测定、TG-DTA的测定。

＜利用电子显微镜的观察＞

针对银颗粒A1，A2，B1，B2，B3，分别使用扫描型电子显微镜(SEM(日本电子制JSM-IT500HR))，获取SEM图像。分别在图1中示出银颗粒A1的SEM图像、在图2中示出银颗粒A2的SEM图像、在图3中示出银颗粒B1的SEM图像、在图4中示出银颗粒B2的SEM图像、以及在图5中示出银颗粒B3的SEM图像。

＜平均粒径(体积基准平均粒径)和粒度分布(D10～D100)的测定＞

针对前述＜利用电子显微镜的观察＞中获取的各SEM图像(横向宽度1～20μm)，使用图像分析软件(Macview(MOUNTECH Co.Ltd.制))，测定随机选择的200个颗粒的体积基准平均粒径和粒度分布。针对SEM图像的纵向，观察横向宽度1～20μm的范围。应予说明，针对SEM图像的纵向，设为在横向宽度1～20μm的范围中包含200个以上(通常、200～300个左右)的银颗粒的宽度。应予说明，体积基准平均粒径是将SEM图像中观察的颗粒假定为具有其直径的球形而测定的值。结果示于表1和表2。

[表1]

	银颗粒A1	银颗粒A2	银颗粒B1	银颗粒B2	银颗粒B3
						体积基准平均粒径	68nm	181nm	0.65μm	1.88μm	2.21μm

[表2]

＜热重差热分析(TG-DTA测定)＞

分别针对银颗粒A1、A2使用TG-DTA进行测定。具体而言，首先，以与后述的＜导电性粘接剂的制造＞相同的方式，对银颗粒A1和银颗粒A2，分别混合溶剂(Texanol)，制备浓度为90质量％的各银颗粒分散液。接着，对各银颗粒分散液1g，添加甲醇2g，充分分散后，滤取银颗粒，风干，得到银颗粒干燥粉末。将所得银颗粒干燥粉末的TG-DTA用HITACHI G300AST-2进行测定。测定条件设为气氛：空气、测定温度：30～500℃、升温速度：10℃/min。根据所得TG-DTA图，得到通过热分析从30℃加热至500℃时的重量减少率。结果示于表3。

此外，对银颗粒A1和银颗粒A2，分别混合溶剂(Texanol)，制备浓度为90质量％的各银颗粒分散液。将各银颗粒分散液用于TG-DTA分析中的主发热峰的测定，用HITACHIG300 AST-2进行测定。测定条件设为气氛：空气、测定温度：30～500℃、升温速度：10℃/min。所得TG-DTA图示于图6。图6的各银颗粒的发热峰的温度示于表3。

[表3]

＜导电性粘接剂的制造＞

以成为表4所示的组成的方式，混合银颗粒A、银颗粒B和溶剂(Texanol)，制备导电性粘接剂。具体而言，首先，分别针对银颗粒A1、银颗粒A2、银颗粒B1、银颗粒B2、和银颗粒B3，添加相当于10质量％的Texanol，制备浓度为90质量％的各银颗粒分散液(分别为银颗粒分散液A1、银颗粒分散液A2、银颗粒分散液B1、银颗粒分散液B2、和银颗粒分散液B3)。混合中，使用Kurabo Industries Ltd.制的MAZERUSTAR，用2次搅拌优先模式进行混合。接着，以成为表4所示的组成的方式，混合各银颗粒分散液和Texanol，得到具有实施例1-2、比较例1-4的组成的各导电性粘接剂。

[表4]

针对表4的银颗粒A、银颗粒B、和溶剂，所记载的数值的单位为质量份。应予说明，实施例1、2和比较例1～4的导电性粘接剂中，将颗粒的个数记作100％时，包含10％以下的粒径小于50nm的颗粒。小于50nm的颗粒的测定中，针对前述＜利用电子显微镜的观察＞中获取的各SEM图像(横向宽度1～20μm)，使用图像分析软件(Macview(MOUNTECH Co.Ltd.制))，测定随机选择的200个颗粒的体积粒径，计算其中包含的个数比例。针对SEM图像的纵向，设为在横向宽度1～20μm的范围中包含200个以上的银颗粒的宽度(1～20μm的范围)。

＜烧结体(烧结温度200℃)的制造＞

首先，准备在铜板上施加了0.5μm无电解银镀敷的基材。在基材上(形成有银镀敷的表面)以涂膜厚度成为50μm的方式均匀涂布导电性粘接剂(银颗粒90质量％、Texanol10质量％的银颗粒分散液)。进一步地，在涂膜上，层叠对背面(与导电性粘接剂接触的面)实施了金镀敷的硅晶片(尺寸2mm×2mm)，得到层叠体。接着，使用干燥器(循环式)，将所得层叠体在规定的烧结温度(200℃或250℃)下60分钟的烧结条件下加热，基材与硅晶片之间的各导电性粘接剂烧结，制作9个基材和硅晶片经由烧结体而接合的层叠体。

此外，为了参考，将前述的＜导电性粘接剂的制造＞中制备的银颗粒分散液A1、银颗粒分散液A2、银颗粒分散液B1、银颗粒分散液B2(分别针对银颗粒A1、银颗粒A2、银颗粒B1、和银颗粒B2，添加相当于10质量％的Texanol，将浓度设为90质量％的各银颗粒分散液)作为导电性粘接剂(如表5所示，分别为比较例5～8)，同样制造烧结体。

在以下的测定条件下测定由实施例1-2、比较例1-8的导电性粘接剂得到的各烧结体的各种物性。

＜烧结体的机械强度(剪切强度)＞

针对所得层叠体，在室温下使用接合测试机(西进商事制SS30-WD)，在0.120mm/s的条件下对烧结体施加负载，实施各层叠体的裸片剪切测试，测定断裂时的最大载重。这样得到的最大载重除以接合面积，由此得到剪切强度值。应予说明，测定结果是测定了剪切强度的9个金镀敷硅晶片的平均值。剪切强度的测定结果示于表5。

＜烧结体的致密度＞

将各烧结体与前述的层叠体一起用环氧树脂(Buehler Ltd.制)进行树脂包埋，静置24小时，使树脂固化。接着，将经树脂包埋的烧结体用(ALLIED公司制)精密低速切割机TechCut4切割，利用(Hitachi High-Tech Corporation制)离子铣(IM4000PLUS)，实施3小时截面磨削。应予说明，截面磨削在放电电压1.5kV、加速电压6kV下，通过氩气流量0.07cm³/min、±30°的摆动来照射离子束从而实施。用(日本电子制)扫描型电子显微镜JSM-IT500HR观察通过截面磨削得到的烧结体的截面，获取SEM图像。应予说明，观察中，使用SED模式(二次电子检测器)，在加速电压20kV、2000倍的视野下，观察横向宽度60μm的范围。应予说明，针对SEM图像的纵向，设为银的烧结层的纵宽度10μm以上且200μm以下的范围。致密度的算出中，将所得SEM图像用2值化软件“image J”将浓淡进行图像变换为白和黑的二阶色调，通过以下的关系式求出。致密度的测定结果示于表5。

致密度(％)＝烧结银面积(白色像素数)÷烧结体全部面积{烧结银面积(白色像素数)+空孔面积(黑色像素数)}×100

＜烧结体的比电阻值＞

将导电性粘接剂(银颗粒90质量％、Texanol10质量％的银颗粒分散液)在聚酰亚胺膜上以2mm×60mm×涂膜厚度成为50μm的方式均匀涂布，在规定温度(200℃或250℃)下煅烧60分钟，得到烧结体。接着，在室温条件下使用电阻计(HIOKI RM3548)以二端子测定法测定烧结体的电阻值，根据用测微计测量实际的膜厚而得到的值，求出比电阻(体积电阻)值。应予说明，该比电阻值是测定烧结体的4个部位得到的值的平均值。比电阻值的测定结果示于表5。

[表5]

＜烧结体(烧结温度200℃)的空隙＞

针对在前述＜利用电子显微镜的观察＞中获取的使用“Image j”进行了2值化的各SEM图像，使用(MOUNTECH Co.Ltd.制)图像分析式粒度分布测定软件(Macview)进行图像处理(通过自动读取色差，将经2值化的图像的空隙部分作为颗粒而分析)，算出烧结体的空隙的个数平均大小和比表面积。结果示于表6。应予说明，在此所称的个数平均大小是将空隙假定为球体而通过图像分析软件(Macview)分析得到的，比表面积值通过计算前述球体的每单位体积的表面积而求出。

[表6]

＜烧结体(烧结温度250℃)的制造＞

针对实施例1、2的各导电性粘接剂，除了将烧结温度设为250℃之外，以与前述的＜烧结体(烧结温度200℃)的制造＞相同的方式，得到烧结体。进一步地，针对所得烧结体，以与前述的＜烧结体的机械强度(剪切强度)＞、＜烧结体的致密度＞、以及＜烧结体的比电阻值＞同样的方式，测定剪切强度、致密度、和比电阻值。结果示于表7。

[表7]

＜烧结体(烧结温度250℃)的空隙＞

以与前述＜利用电子显微镜的观察＞同样的方式，获取在＜烧结体(烧结温度250℃)的制造＞中得到的各烧结体的SEM像，使用(MOUNTECH Co.Ltd.制)图像分析式粒度分布测定软件(Macview)进行图像处理(通过自动读取色差，将经2值化的图像的空隙部分作为颗粒而分析)，算出烧结体的空隙的个数平均大小和比表面积。结果示于表8。应予说明，在此所称的个数平均大小是将空隙假定为球体而通过图像分析软件(Macview)分析得到的，比表面积值通过计算前述球体的每单位体积的表面积而求出。

[表8]

Claims (9)

1.一种银颗粒，其特征在于，包含：

平均粒径为50～500nm的范围的银颗粒A；和

平均粒径为0.5～5.5μm的范围的银颗粒B，

所述银颗粒满足所述银颗粒B的平均粒径是所述银颗粒A的平均粒径的5～11倍这个关系。

2.根据权利要求1所述的银颗粒，其中，

所述银颗粒A与所述银颗粒B的质量比为1:9至9:1的范围。

3.根据权利要求1或2所述的银颗粒，其中，

在所述银颗粒A的表面附着有胺化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的银颗粒，其中，

所述银颗粒包含粒径小于50nm的银颗粒。

5.一种导电性粘接剂，其特征在于，

包含权利要求1～4中任一项所述的银颗粒和溶剂。

6.一种权利要求5所述的导电性粘接剂的烧结体。

7.一种构件间通过权利要求6所述的烧结体接合而成的电子部件。

8.一种烧结体的制造方法，其特征在于，

包括使权利要求5所述的导电性粘接剂在200℃以上且250℃以下的温度下烧结的工序。

9.一种构件间通过烧结体接合而成的电子部件的制造方法，具有：

在所述构件间配置权利要求5所述的导电性粘接剂的工序；和

使所述导电性粘接剂在200℃以上且250℃以下的温度下烧结的工序。

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