CN114038887A - 显示器件及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示器件及其制作方法。该显示器件包括基板以及设置在基板上的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。其中，红色子像素和绿色子像素均为QLED，蓝色子像素为Micro‑LED。上述显示器件将蓝色Micro‑LED、红色QLED和绿色QLED集成于同一显示器件中，解决了蓝色QLED效率和寿命较差的问题，提高了显示器件的效率和寿命。由于仅蓝色子像素采用Micro‑LED，因此可以大幅降低Micro‑LED的转移制作成本，同时由于蓝色Micro‑LED相比于红绿Micro‑LED，其器件效率随芯片尺寸减小下降幅度最小，因此上述显示器件各取所长，扬长避短，兼具效率、寿命和成本等方面的优势。

Description

显示器件及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示器件及其制作方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强。目前，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

量子点发光二极管(QLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，成为目前显示器件研究的主要方向之一。目前，红色和绿色QLED 无论是在效率还是寿命上都已经接近商业化需求，但蓝色QLED在效率、寿命上仍有欠缺，且其进步较为缓慢，影响了全彩QLED的量产进展。

发明内容

基于此，有必要提供一种显示器件及其制作方法，以提高显示器件的寿命和效率。

本发明的其中一个目的是提供一种显示器件，方案如下：

一种显示器件，包括基板以及设置在所述基板上的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，所述红色子像素和所述绿色子像素均为QLED，所述蓝色子像素为Micro-LED(微型LED)。

在其中一个实施例中，所述显示器件还包括剥离辅助层，所述剥离辅助层设置在所述基板上，所述剥离辅助层具有第一开口，所述蓝色子像素设置在所述第一开口中，所述第一开口的侧壁抵接于所述蓝色子像素。

在其中一个实施例中，所述第一开口的侧壁弹性抵接于所述蓝色子像素。

在其中一个实施例中，随远离所述基板，所述第一开口逐渐收窄。

在其中一个实施例中，所述第一开口的侧壁远离所述基板的一端抵接于所述蓝色子像素。

在其中一个实施例中，所述剥离辅助层的高度和所述蓝色子像素的高度相差不大于50nm。

在其中一个实施例中，所述剥离辅助层的材料为弹性材料。

在其中一个实施例中，所述显示器件还包括像素界定层，所述像素界定层设置在所述基板上，所述像素界定层具有露出所述红色子像素的第二开口以及露出所述绿色子像素的第三开口。

在其中一个实施例中，所述像素界定层覆盖所述剥离辅助层，所述像素界定层还具有第四开口，所述第四开口与所述剥离辅助层的第一开口连通，以露出所述蓝色子像素。

在其中一个实施例中，所述第四开口完全露出所述第一开口远离所述基板的一端。

在其中一个实施例中，随靠近所述基板，所述第四开口逐渐收窄。

在其中一个实施例中，所述第四开口靠近所述基板的一端与所述第一开口远离所述基板的一端吻合对接且尺寸和形状一致。

在其中一个实施例中，所述蓝色子像素为垂直结构型Micro-LED。

本发明的另一个目的是提供一种显示器件的制作方法，方案如下：

一种显示器件的制作方法，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上制作红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，所述红色子像素和所述绿色子像素均为QLED，所述蓝色子像素为Micro-LED。

在其中一个实施例中，在制作所述蓝色子像素之前，还包括以下步骤：

在所述基板上制作剥离辅助层，所述剥离辅助层具有第一开口，所述第一开口的最小口径小于所述蓝色子像素的横截面尺寸；

在制作所述蓝色子像素时，通过转印工艺将所述蓝色子像素转移至所述第一开口中并设置在所述基板上，所述第一开口的侧壁抵接于所述蓝色子像素。

在其中一个实施例中，所述第一开口的最小口径与所述蓝色子像素的横截面尺寸相差不超过2μm。

在其中一个实施例中，在制作所述剥离辅助层之后，且在制作所述蓝色子像素之前，还包括以下步骤：

在所述基板上制作像素界定层，所述像素界定层覆盖所述剥离辅助层，所述像素界定层具有第二开口、第三开口以及第四开口，所述第二开口限定出所述红色子像素的发光区域，所述第三开口限定出所述绿色子像素的发光区域，所述第四开口与所述剥离辅助层的第一开口连通；

在制作所述蓝色子像素时，将所述蓝色子像素经由所述第四开口和所述第一开口转移至所述基板上。

与现有方案相比，上述显示器件及其制作方法具有以下有益效果：

目前，对于QLED来说，红色和绿色QLED的效率和寿命较佳，而蓝色QLED 较差。对于Micro-LED来说，虽然其具有高效率和高稳定性等优点，但制作成本较高，而且红色和绿色Micro-LED随着芯片尺寸的减小，效率会大幅下降。上述显示器件将蓝色Micro-LED、红色QLED和绿色QLED集成于同一显示器件中，解决了蓝色QLED效率和寿命较差的问题，提高了显示器件的效率和寿命。由于仅蓝色子像素采用Micro-LED，因此可以大幅降低Micro-LED的转移制作成本，同时由于蓝色Micro-LED相比于红绿Micro-LED，其器件效率随芯片尺寸减小下降幅度最小，因此上述显示器件各取所长，扬长避短，使显示器件兼具效率、寿命和成本等方面的优势。

附图说明

图1为一实施例的显示器件的结构示意图；

图2为采用转印工艺将蓝色子像素转移至基板上的示意图；

图3为图1所示显示器件中蓝色子像素与基板、像素电极、剥离辅助层以及像素界定层的连接关系图；

图4为在基板上制作像素电极的示意图；

图5为在基板上制作剥离辅助层的示意图；

图6为在基板上制作像素界定层的示意图；

图7为在剥离辅助层的第一开口中设置蓝色子像素的示意图；

图8为在像素界定层的第二开口、第三开口中制作红色子像素和绿色子像素的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或顺序。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参考图1所示，本发明一实施例的显示器件100包括基板110以及设置在基板110上的红色子像素120、绿色子像素130以及蓝色子像素140。其中，红色子像素120和绿色子像素130均为QLED，蓝色子像素140为Micro-LED (微型LED)。

目前，对于QLED来说，红色和绿色QLED的效率和寿命较佳，而蓝色QLED 较差。对于Micro-LED来说，虽然其具有高效率和高稳定性等优点，但制作成本较高，而且红色和绿色Micro-LED随着芯片尺寸的减小，效率会大幅下降。上述显示器件将蓝色Micro-LED、红色QLED和绿色QLED集成于同一显示器件中，解决了蓝色QLED效率和寿命较差的问题，提高了显示器件的效率和寿命。由于仅蓝色子像素采用Micro-LED，因此可以大幅降低Micro-LED的转移制作成本，同时由于蓝色Micro-LED相比于红绿Micro-LED，其器件效率随芯片尺寸减小下降幅度最小，因此上述显示器件各取所长，扬长避短，兼具效率、寿命和成本等方面的优势。

基板110可以是刚性基板，如玻璃等，也可以是柔性基板，如聚酰亚胺(PI) 等。

可以理解，基板110上设有驱动TFT，驱动TFT用于驱动各子像素发光。驱动TFT可以是但不限于金属氧化物TFT、LTPS TFT或LTPO TFT等。

在其中一个示例中，基板110上设置有像素电极150，各子像素设置在像素电极150上。

像素电极150为透明电极或反射电极。若显示器件100为底发射型，则像素电极150为透明电极，如ITO、IZO等导电无机金属氧化物，或导电银纳米线、碳纳米管等。若显示器件100为顶发射型，则像素电极150为反射电极，可以是金属、金属合金或导电金属氧化物和金属的叠层导电膜层结构，如Al、Ag或它们的合金，或ITO/Ag/ITO等叠层导电膜层结构等。

在其中一个示例中，红色子像素120和绿色子像素130的顶电极180与蓝色子像素140远离基板110的一侧连接。在图1所示的具体示例中，红色子像素120和绿色子像素130的顶电极180为共同电极，其延伸覆盖在蓝色子像素 140远离基板110的一侧表面上。

顶电极180为透明电极或反射电极。若显示器件100为底发射型，则顶电极180为反射电极，可以是金属、金属合金，如Al、Ag或它们的合金；如ITO、 IZO等导电无机金属氧化物，或导电银纳米线、碳纳米管等。若显示器件100 为顶发射型，则顶电极180为透明电极，可以是薄层金属或金属合金，如Al、 Ag或它们的合金，也可以是导电金属氧化物，如ITO、IZO等导电无机金属氧化物等。

蓝色子像素140可采用转印工艺制作。请结合图2和图3所示，通过转移母版210上的转印头220携带蓝色子像素140，将蓝色子像素140经由第一开口 161转移至基板110上。

如图1所示，在其中一个示例中，显示器件100还包括剥离辅助层160，剥离辅助层160设置在基板110上，剥离辅助层160具有第一开口161，蓝色子像素140设置在第一开口161中，第一开口161的侧壁抵接于蓝色子像素140。

上述示例的显示器件100在基板110上设置剥离辅助层160，蓝色子像素 140设置在剥离辅助层160的第一开口161中，在显示器件100的制作过程中，先在基板110上形成剥离辅助层160，再通过转印工艺将蓝色子像素140转移至第一开口161中。在转移蓝色子像素140之前，由于第一开口161的最小口径小于蓝色子像素140的横截面尺寸，转移时，第一开口161的侧壁抵接于蓝色子像素140，在蓝色子像素140与转印头220的剥离过程中，第一开口161的侧壁对蓝色子像素140形成一定的阻力，可以提升蓝色子像素140的剥离良率。

较优地，第一开口161的最小口径与蓝色子像素140的横截面尺寸相差不超过2μm。如果该相差尺寸过大，可能会使得蓝色子像素140无法转移至基板 110上，造成蓝色子像素140与基板110接触不良。

在其中一个示例中，随远离基板110，第一开口161逐渐收窄。如此，在蓝色子像素140转移至基板110的过程中，提高剥离辅助层160的形变空间同时减小相应的摩擦力，防止蓝色子像素140与基板110接触不良。

在图1所示的具体示例中，第一开口161为梯形开口。

在其中一个示例中，第一开口161的侧壁弹性抵接于蓝色子像素140。

在图1所示的具体示例中，第一开口161的侧壁远离基板110的一端抵接于蓝色子像素140。

在其中一个示例中，剥离辅助层160的材料为弹性材料。

在其中一个示例中，剥离辅助层160的材料为有机材料，如本领域常用的光刻胶等，有机材料具有一定粘弹性，防止转移蓝色子像素140时对剥离辅助层160造成损伤。

在其中一个示例中，剥离辅助层160的材料为负性光刻胶，便于形成上述梯形开口。

在其中一个示例中，剥离辅助层160的高度和蓝色子像素140的高度相差不大于50nm，避免QLED的顶电极180与蓝色Micro-LED顶电极180之间形成断路，不能形成电连接。

进一步地，在其中一个示例中，剥离辅助层160的高度和蓝色子像素140 的高度相差不大于5nm。

进一步地，在其中一个示例中，剥离辅助层160的高度和蓝色子像素140 的高度相同。即剥离辅助层160和蓝色子像素140远离基板110的一侧表面齐平。

在其中一个示例中，显示器件100还包括像素界定层170，像素界定层170 设置在基板110上，像素界定层170具有露出红色子像素120的第二开口171 以及露出绿色子像素130的第三开口172。

像素界定层170的材料可以是但不限于光阻材料。

在其中一个示例中，像素界定层170覆盖剥离辅助层160。像素界定层170 还具有第四开口173，第四开口173与剥离辅助层160的第一开口161连通，以露出蓝色子像素140。在转印蓝色子像素140时，可以在制作完剥离辅助层160 和像素界定层170之后，经由第四开口173和第一开口161将蓝色子像素140 转移至基板110上。

可以理解，在其他示例中，像素界定层170也可以不覆盖剥离辅助层160。

在其中一个示例中，像素界定层170的第四开口173完全露出剥离辅助层 160的第一开口161远离基板110的一端。即剥离辅助层160的第一开口161不被像素界定层170的第四开口173所遮挡，蓝色子像素140可以顺利转移至第一开口161中。

在其中一个示例中，随靠近基板110，第四开口173逐渐收窄。第四开口 173在蓝色子像素140的转移过程中，可以自动校准位置，可到导向的作用，使得蓝色子像素140通过上端斜坡精确移至剥离辅助层160的第一开口161中，提高转印精度。

在图1所示的具体示例中，第四开口173靠近基板110的一端与第一开口 161远离基板110的一端吻合对接且尺寸和形状一致。

在图1所示的具体示例中，第四开口173和第一开口161形成一个“上宽、中窄、下宽”的通道结构。请结合图2和图3所示，制作蓝色子像素140时，通过转移母版210上的转印头220携带蓝色子像素140，将蓝色子像素140经由第四开口173和第一开口161转移至基板110上。“上宽”的第四开口173在蓝色子像素140的转移过程中，可以自动校准位置，可到导向的作用，使得蓝色子像素140通过上端斜坡精确移至剥离辅助层160的第一开口161中，提高转印精度；“中窄”结构可以在蓝色子像素140转移至基板110上的过程中，转印头220 提起时，剥离辅助层160对蓝色子像素140形成轻微挤压，从而在侧面形成较大的摩檫力，提升蓝色子像素140的剥离良率；“下宽”的第一开口161可以防止因剥离辅助层160开口尺寸小于蓝色子像素140，在蓝色子像素140转移至基板 110的过程中，提高剥离辅助层160的形变空间同时减小相应的摩擦力，防止蓝色子像素140与基板110接触不良。

在其中一个示例中，蓝色子像素140为垂直结构型Micro-LED。垂直结构型Micro-LED的结构与QLED的结构类似，有利于集成到现有的QLED显示面板结构中，不需要对面板结构进行大幅改动，降低了制作难度和制作成本。

进一步地，本发明还提供一种上述任一示例的显示器件100的制作方法。该制作方法包括以下步骤：

提供基板110；

在基板110上制作红色子像素120、绿色子像素130以及蓝色子像素140，红色子像素120和绿色子像素130均为QLED，蓝色子像素140为Micro-LED。

在其中一个示例中，在制作蓝色子像素140之前，还包括以下步骤：

在基板110上制作剥离辅助层160，剥离辅助层160具有第一开口161，第一开口161的最小口径小于蓝色子像素140的横截面尺寸；

在制作蓝色子像素140时，通过转印工艺将蓝色子像素140转移至第一开口161中并设置在基板110上，第一开口161的侧壁抵接于蓝色子像素140。

在其中一个示例中，第一开口161的最小口径小于蓝色子像素140的横截面尺寸不超过2μm。

在其中一个示例中，在制作剥离辅助层160之后，且在制作蓝色子像素140 之前，还包括以下步骤：

在基板110上制作像素界定层170，像素界定层170覆盖剥离辅助层160，像素界定层170具有第二开口171、第三开口172以及第四开口173，第二开口 171限定出红色子像素120的发光区域，第三开口172限定出绿色子像素130的发光区域，第四开口173与剥离辅助层160的第一开口161连通；

在制作蓝色子像素140时，将蓝色子像素140经由第四开口173和第一开口161转移至基板110上。

下面提供具体实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于下述示例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各示例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。

实施例1

本实施例提供一种显示器件100。

请参照图1所示，本实施例的显示器件100包括基板110、像素电极150、剥离辅助层160、像素界定层170、红色子像素120、绿色子像素130、蓝色子像素140以及顶电极180。其中，红色子像素120和绿色子像素130均为QLED，蓝色子像素140为Micro-LED。

像素电极150设置在基板110上。剥离辅助层160设置在基板110上。剥离辅助层160为负性光刻胶。剥离辅助层160具有第一开口161，蓝色子像素 140设置在第一开口161中并与像素电极150连接。剥离辅助层160的高度和蓝色子像素140的高度相同。随远离基板110，第一开口161逐渐收窄，第一开口 161的侧壁远离基板110的一端弹性抵接于蓝色子像素140。

像素界定层170设置在基板110上，像素界定层170具有第二开口171、第三开口172以及第四开口173。红色子像素120设置在第二开口171中，绿色子像素130设置在第三开口172中。像素界定层170覆盖在剥离辅助层160上。第四开口173与第一开口161连通，随靠近基板110，第四开口173逐渐收窄。第四开口173与剥离辅助层160的第一开口161连通第四开口173靠近基板110 的一端与第一开口161远离基板110的一端吻合对接且尺寸和形状一致。

顶电极180为共同电极，从红色子像素120和绿色子像素130上延伸覆盖在蓝色子像素140上。

实施例2

本实施例提供一种显示器件的制作方法。本实施例中，步骤之间以及具体步骤中前后操作之间可能省略了一些显示器件制作的常规工艺，本领域技术人员在制作过程中可按实际需求增添工艺步骤。

请参照图4至图8所示，本实施例的显示器件100的制作方法包括以下步骤：

步骤1，提供基板110。

步骤2，如图4所示，在基板110上制作像素电极150。

步骤4，如图5所示，在基板110上采用负性光刻胶制作剥离辅助层160，对负性光刻胶进行曝光显影，形成第一开口161。随远离基板110，第一开口161 逐渐收窄。

步骤5，如图6所示，在基板110上采用光阻材料制作像素界定层170，对像素界定层170进行曝光显影，形成第二开口171、第三开口172以及第四开口 173。第四开口173与第一开口161连通，随靠近基板110，第四开口173逐渐收窄。第四开口173与剥离辅助层160的第一开口161连通第四开口173靠近基板110的一端与第一开口161远离基板110的一端正好重合。第四开口173 和第一开口161形成一个“上宽、中窄、下宽”的通道结构。

步骤6，如图7所示，通过转印工艺将蓝色子像素140经由第四开口173和第一开口161转移至基板110上的像素电极150上。转印头220提起时，剥离辅助层160对蓝色子像素140形成轻微挤压，从而在侧面形成较大的摩檫力，提升蓝色子像素140的剥离良率。

步骤7，如图8所示，在第二开口171和第三开口172中的上述像素电极 150上沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层等层，形成红色子像素120和绿色子像素130。

步骤8，整面沉积顶电极180，形成顶部共同电极，使得各子像素连接到驱动电路上，形成完整的器件以及驱动电流回路，得到如图1所示的显示器件100。

上述显示器件100将蓝色Micro-LED、红色QLED和绿色QLED集成于同一显示器件中，解决了蓝色QLED效率和寿命较差的问题，提高了显示器件的效率和寿命。由于仅蓝色子像素采用Micro-LED，因此可以大幅降低Micro-LED 的转移制作成本，同时由于蓝色Micro-LED相比于红绿Micro-LED，其器件效率随芯片尺寸减小下降幅度最小，因此上述显示器件100各取所长，扬长避短，兼具效率、寿命和成本等方面的优势。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (17)

1.一种显示器件，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，所述红色子像素和所述绿色子像素均为QLED，所述蓝色子像素为Micro-LED。

2.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括剥离辅助层，所述剥离辅助层设置在所述基板上，所述剥离辅助层具有第一开口，所述蓝色子像素设置在所述第一开口中，所述第一开口的侧壁抵接于所述蓝色子像素。

3.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第一开口的侧壁弹性抵接于所述蓝色子像素。

4.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，随远离所述基板，所述第一开口逐渐收窄。

5.如权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述第一开口的侧壁远离所述基板的一端抵接于所述蓝色子像素。

6.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述剥离辅助层的高度和所述蓝色子像素的高度相差不大于50nm。

7.如权利要求2～6中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述剥离辅助层的材料为弹性材料。

8.如权利要求2～6中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括像素界定层，所述像素界定层设置在所述基板上，所述像素界定层具有露出所述红色子像素的第二开口以及露出所述绿色子像素的第三开口。

9.如权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述像素界定层覆盖所述剥离辅助层，所述像素界定层还具有第四开口，所述第四开口与所述剥离辅助层的第一开口连通，以露出所述蓝色子像素。

10.如权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述第四开口完全露出所述第一开口远离所述基板的一端。

11.如权利要求10所述的显示器件，其特征在于，随靠近所述基板，所述第四开口逐渐收窄。

12.如权利要求11所述的显示器件，其特征在于，所述第四开口靠近所述基板的一端与所述第一开口远离所述基板的一端吻合对接且尺寸和形状一致。

13.如权利要求1～6、9～12中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述蓝色子像素为垂直结构型Micro-LED。

14.一种显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上制作红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，所述红色子像素和所述绿色子像素均为QLED，所述蓝色子像素为Micro-LED。

15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，在制作所述蓝色子像素之前，还包括以下步骤：

在所述基板上制作剥离辅助层，所述剥离辅助层具有第一开口，所述第一开口的最小口径小于所述蓝色子像素的横截面尺寸；

在制作所述蓝色子像素时，通过转印工艺将所述蓝色子像素转移至所述第一开口中并设置在所述基板上，所述第一开口的侧壁抵接于所述蓝色子像素。

16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述第一开口的最小口径与所述蓝色子像素的横截面尺寸相差不超过2μm。

17.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，在制作所述剥离辅助层之后，且在制作所述蓝色子像素之前，还包括以下步骤：

在所述基板上制作像素界定层，所述像素界定层覆盖所述剥离辅助层，所述像素界定层具有第二开口、第三开口以及第四开口，所述第二开口限定出所述红色子像素的发光区域，所述第三开口限定出所述绿色子像素的发光区域，所述第四开口与所述剥离辅助层的第一开口连通；

在制作所述蓝色子像素时，将所述蓝色子像素经由所述第四开口和所述第一开口转移至所述基板上。

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