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CN114005875A - 一种调控金属/绝缘体界面热导的方法 - Google Patents

一种调控金属/绝缘体界面热导的方法 Download PDF

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CN114005875A CN202111282552.2A CN202111282552A CN114005875A CN 114005875 A CN114005875 A CN 114005875A CN 202111282552 A CN202111282552 A CN 202111282552A CN 114005875 A CN114005875 A CN 114005875A
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Abstract

本发明公开了一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，属于材料科学技术领域。它包括将金属设置于绝缘体表面，所述金属与绝缘体的接触面为金属/绝缘体界面；所述绝缘体包括铁电体；对铁电体施加外电场或应力，通过调节外电场或应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导。本发明能通过调控界面聚集电荷调控金属/绝缘体界面热导，从而有效提升界面热导率的调控效率和便捷度，这对于电力电子器件的热管理具有重要意义。

Description

一种调控金属/绝缘体界面热导的方法
技术领域
本发明属于材料科学技术领域，更具体地说，涉及一种调控金属/绝缘体界面热导的方法。
背景技术
热耗散是制约芯片晶体管密度与计算能力继续上升的主要限制因素之一，纳米结构材料的热导调控和功能材料热性能的动态调节是基础研究和电子应用中的关键问题。随着电子器件的不断小型化，奇特的热输运行为可能会出现，如材料表现出可忽略的热阻和声子的弹道传播。在纳米尺度下，热阻主要由声子在边界处的散射决定；因此，界面处热能在载体之间的转换效率变得非常重要。由于电子和声子分别在金属和绝缘体的热传导中占主导地位，若想允许热通过金属-绝缘体界面，则热量传递必须在它们之间发生。这种电子(金属)-声子(绝缘体)耦合可以间接或直接发生。在间接的情况下，电子-声子耦合发生在金属侧，随后需要在金属和绝缘体之间发生声子耦合，就像在两个绝缘体之间的连接处一样。在直接的情况下，电子-声子耦合发生在金属中的自由电子和绝缘体中的声子之间。然而，由于界面电子-声子耦合的机理不明确，因而阻碍了界面热导的调控。
近年来，材料热输运性质的调控受到了广泛关注，目前已形成了多种热导调控的方法，包括化学元素掺杂、超晶格构筑、晶体结构优化、铁电晶体的畴壁或晶界密度控制。对于材料界面热导的调控而言，通过化学键合改性调节界面热输运、表面粗糙度工程或插入缓冲层改善界面热导率已得到广泛应用。金属/绝缘体界面是现代电子器件中的常见界面结构，在诸如薄膜纳米电容器、纳米铁电存储器和铁电隧道结等新型电子器件中有大量的金属/绝缘体界面。因此，开发有效调节金属/绝缘体界面热阻的新策略是迫切需要的。金属中传导热能的主要载体为热化电子，而在绝缘铁电体中则为声子。
因此，如何提高金属/绝缘体界面的电子-声子耦合以提升界面热输运效率是亟待解决的重要科学技术问题，这一问题的解决将为技术的推广应用奠定坚实基础。目前亟需设计一种能够简便有效调节金属和绝缘体界面热导的方法，从而运用于电子电子器件的设计与应用当中。
发明内容
1.要解决的问题
针对现有技术中调控金属和绝缘体界面热导率调节工艺繁琐且效率较低的问题，本发明提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法；通过选取具有极化特性的绝缘体材料代替普通绝缘性材料与金属进行结合，通过外界电场或应力或其他方式改变极化材料的极化方向或极化强度，从而有效解决现有技术中调控金属和绝缘体界面热导调节工艺繁琐且效率较低的问题。
2.技术方案
为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：
本发明的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，将金属设置于绝缘体表面，所述金属与绝缘体的接触面为金属/绝缘体界面；所述绝缘体包括
铁电体；对铁电体施加外电场或应力，通过调节外电场或应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导；
或压电体；对压电体施加应力，通过调节应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导；
或热释电体；通过调节热释电体的温度来调控金属/绝缘体界面热导。
优选地，所述外电场或应力的方向在平行于金属/绝缘体界面方向和垂直于金属/绝缘体界面方向之间进行调节。
需要说明的是，对于调节应力大小的方式调节界面热导而言，需要满足铁电体自发极化的方向与金属/绝缘体界面之间的夹角不等于零，因为在等于零的情况下仅调节应力大小可能会使电荷在绝缘体两端聚集，无法实电荷聚集在界面处，因此在不等于零时即使单独调节应力大小也能调节界面的电荷聚集程度，进而调节热导率。
优选地，对于铁电体，其包括PbTiO3、BiFeO3、BaTiO3、LiNbO3、PbZrxTi1-xO3、[(PbMg0.33Nb0.67O3)1-x:(PbTiO3)x]中的一种或几种的组合；其中x∈(0,1)。
优选地，具体操作步骤为：
(1)选取铁电体材料作为绝缘体材料，在铁电体表面镀覆金属层形成金属/铁电体结构；
(2)在金属/铁电体结构中，施加金属/铁电体界面的面外电场或面内电场，使得铁电体极化方向垂直于金属/铁电体界面方向或者平行于金属/铁电体界面方向；
(3)采用时域热反射系统测量金属/铁电体结构的界面热导。
优选地，对于压电体，制备金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构，对柔性基底施加应力带动金属/压电体结构产生形变，通过调节施加应力的大小来调节界面热导。
优选地，所述金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构为薄膜结构。
优选地，所述金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构的制备步骤为：
(1)在铁电体/水溶层/衬底复合薄膜表面涂覆粘结层，得到粘结层/铁电体/水溶层/衬底复合薄膜，将得到的复合薄膜带有粘结层的一面倒扣在柔性基底上，加热固化；
(2)将固化后的复合薄膜中的水溶层溶解去除，使得铁电体与衬底分离，得到铁电体/粘结层/柔性基底复合薄膜；
(3)在铁电体/粘结层/柔性基底复合薄膜的铁电体表面镀覆金属，得到金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构。
优选地，所述粘结层的材料包括环氧树脂，加热固化的条件为80℃～100℃加热0.5h～1.5h；所述水溶层的材料包括Sr3Al2O6，去除方式是在去离子水中浸泡48h～72h。
优选地，所述金属层的镀覆方式包括真空蒸镀法或磁控溅射法或CVD法。
优选地，所述金属包括Al或Au，其厚度为60nm～120nm。
优选地，在所述绝缘体上，与金属相对的绝缘体另一面设有普通绝缘体，得到金属/绝缘体/普通绝缘体的三层结构；根据中间层的绝缘体种类，对所述三层结构作与绝缘体种类相应的方法调控金属/绝缘体界面热导。所述中间层的绝缘体厚度优选为2nm～10nm。
本发明中所述的普通绝缘体是指不存在自发极化、且在外在条件下几乎不会发生内在正负电荷相对移动的绝缘体，属于除铁电体、压电体和热释电体之外的绝缘体，因此也不具备铁电性、压电性和热释电性。需要说明的是，以上对所述的普通绝缘体的限定是针对金属/绝缘体/普通绝缘体的三层结构而言的，用处在于为普通绝缘体和金属之间的热传导提供便利；而并非是指在与金属相对的绝缘体另一面只能设置普通绝缘体，该位置依然可以设有金属或本发明中所述的绝缘体或其他材料。
本发明的一种应用，通过调控铁电体的极化方向，可以选择性打开或者关闭界面的热输运通道，可应用于热逻辑器件当中。
3.有益效果
相比于现有技术，本发明的有益效果为：
(1)本发明的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，将金属设置于绝缘体表面，所述金属与绝缘体的接触面为金属/绝缘体界面；所述绝缘体包括铁电体；对铁电体施加外电场或应力，通过调节外电场或应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导；或压电体；对压电体施加应力，通过调节应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导；或热释电体；通过调节热释电体的温度来调控金属/绝缘体界面热导。通过上述方法，对于铁电体而言，由于其具有自发极化，而且极化强度可以随外电场的方向而反向，因此施加外电场后可以改变铁电体原本的极化方向或极化强度，而对于金属/铁电体结构，当施加外电场后使得铁电体的极化方向垂直于或倾向于垂直金属/铁电体界面时，铁电体中的电荷会在界面聚集，此时由于聚集电荷的存在会促进界面处的金属电子和绝缘体声子耦合，从而提高界面热导；相反地，当施加外电场使得铁电体的极化方向平行于或倾向于平行金属/铁电体界面时，界面聚集的电荷消失，因此界面处的金属电子和绝缘体声子的耦合作用降低，热导下降，因此能够通过调节外电场的方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导率；而调节外电场强度的大小原理类似，当铁电体的自发极化方向，通过调节与金属/绝缘体界面之间存在一定夹角，调节电场强度大小或应力大小也能调节界面的电荷聚集程度，进而调节热导率。对于压电体而言，由于其在压力状态下产生形变能使其内部正负电荷中心不再重合，从而改变电荷在界面的聚集程度，进而调节热导率。对于热释电体而言，由于其在不同的温度条件下能够产生自发极化强度的相应变化，从而改变电荷在界面的聚集程度，进而调节热导率。综上，本发明对于铁电体、压电体或热释电体与金属界面热导率调控的原理类似，通过相应的调节方式来调控金属/绝缘体界面的聚集电荷程度来调控金属/绝缘体界面热导率，因此本发明一改传统的复杂调控方法，创造性地提出通过调控界面聚集电荷可以调控金属/绝缘体界面热导，从而有效提升界面热导率的调控效率和便捷度，这对于电力电子器件的热管理具有重要意义。
(2)本发明的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其在金属/绝缘体的结构基础之上，再在所述绝缘体上，与金属相对的绝缘体另一面设有普通绝缘体，得到金属/绝缘体/普通绝缘体的三层结构；根据中间层的绝缘体种类，对所述三层结构作与绝缘体种类相应的方法调控金属/绝缘体界面热导。由于本发明能够通过调节金属/绝缘体界面电荷的聚集程度来调控界面热导，因此通过上述方法，在中间层的绝缘体作用下能够进一步调节所述三层结构的热导率，为普通绝缘体和金属之间的热传导提供了便利。
附图说明
图1是本发明的金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构样品结构图；
图2是本发明的拉伸位移台实物图；
图3是本发明的金属/铁电体样品(左边的铁电体极化方向垂直于上表面，右边的铁电体极化方向平行于上表面)；
图4是实施例1在应力调控作用下铁电体极化翻转引起的Al/BFO界面热阻变化示意图；
图5是实施例1中BFO薄膜在沿着[100]方向单轴拉伸应力下的XRD图；
图6是实施例2在不同极化状态下，Al/LiNbO3界面及LiNbO3晶体热导变化示意图(箭头方向表示为LiNbO3的极化方向)。
图中：
1、金属；2、压电体，3、粘结层；4、柔性基底；5、拉伸位移台；6、悬臂；7、螺杆；8、柔性基底；9、待测样品；10、金属；11、极化方向垂直于上表面的铁电体单晶；12、金属；13、极化方向平行于上表面的铁电体单晶。
具体实施方式
下文对本发明的示例性实施例的详细描述参考了附图，该附图形成描述的一部分，在该附图中作为示例示出了本发明可实施的示例性实施例，其中本发明的特征由附图标记标识。下文对本发明的实施例的更详细的描述并不用于限制所要求的本发明的范围，而仅仅为了进行举例说明且不限制对本发明的特点和特征的描述，以提出执行本发明的最佳方式，并足以使得本领域技术人员能够实施本发明。但是，应当理解，可在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下进行各种修改和变型。详细的描述和附图应仅被认为是说明性的，而不是限制性的，如果存在任何这样的修改和变型，那么它们都将落入在此描述的本发明的范围内。此外，背景技术旨在为了说明本技术的研发现状和意义，并不旨在限制本发明或本申请和本发明的应用领域。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
下面结合具体实施例对本发明进一步进行描述。
实施例1
本实施例提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，具体为一种金属铝/铁酸铋(BFO)样品在极化演变下的热导率调控方法，由于铁电体BFO本身也具备压电性，因此在本实施例中作为压电体操作，对其施加应力并通过调节应力大小的方式来调控金属/绝缘体界面热导率，具体操作步骤为：
(1)准备工作：将表面旋涂有环氧树脂(Epoxy)的BFO/SAO/STO薄膜倒扣在柔性基底(PEN)上，在100℃条件下加热1小时使得环氧树脂固化，环氧树脂的作用是为了将铁电体薄膜与柔性基底牢牢的粘在一起，便于通过机械拉伸柔性基底以实现铁电薄膜极化方向的调控，因此加热固化后铁电薄膜与柔性基底紧紧贴合。将固化后的样品放入洁净的去离子水中浸泡48小时，待水溶层SAO(Sr3Al2O6)完全溶解后，铁电薄膜BFO与衬底STO分离，获得BFO/Epoxy/PEN结构的样品。运用磁控溅射法在BFO表面镀一层80nm厚的金属Al层，获得如图1所示的Al/BFO/Epoxy/PEN样品，此时金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构样品构筑完成。
(2)实验进行：通过旋动螺杆扩大悬臂的距离给薄膜样品施加应力，通过XRD系统和PFM系统获得铁电样品的极化状态变化，通过TDTR系统测量不同应力下Al/BFO样品热导率的变化。具体的调节的方式为：如图2所示，将样品的两端用胶牢牢粘在位移台的悬臂上，悬臂之间原始距离为L0，通过螺杆可以调节位移台的位置并扩大悬臂之间的距离，当距离的延长量为ΔL时，则悬臂距离的延长率为ΔL/L0，悬臂的延长率可定义为施加在样品上的名义应力，实际应力可通过X射线衍射仪测得的晶格变化获得。
(3)结论分析：分析XRD和TDTR测得的数据，其中XRD数据如图5所示，在应力作用下(002)面、(011)面和(101)面的衍射峰位变化，薄膜产生的最大拉伸应力为3.5％。最终得出应力变化导致铁电薄膜的极化方向由垂直于Al/BFO界面转向平行与Al/BFO界面，极化偏转导致界面聚集电荷减少，从而导致界面热导下降。本实施例的检测结果如图4所示，这是由于一开始施加平行于界面的横向应力，可使得极化方向由平行于界面方向转向垂直于界面方向，铁电极化在应变作用下可使得界面聚集电荷增多，金属/压电体界面上的电子-声子耦合作用增强，从而增加界面的热导率；而继续增大名义应力时，可使得极化方向由垂直于界面方向转向平行于界面方向，铁电极化在应变作用下的偏转可使得界面聚集电荷减少，金属/压电体界面上的电子-声子耦合作用减弱，从而降低界面的热导。
实施例2
本实施例提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，具体为金属铝/铌酸锂(LiNbO3)样品在不同极化条件下的热导率，具体操作步骤为：
(1)准备工作：运用磁控溅射方法在LiNbO3晶体表面蒸镀80nm左右的Al金属层，构筑金属/铁电体(Al/LiNbO3)结构。通过施加纵向电场使得铁电体极化方向垂直于金属/铁电体界面，例如图3左，另外施加平行于界面的横向电场使得极化方向由垂直于界面转向平行于界面，例如图3右，因此获得两个极化方向分别垂直于上表面方向和平行于上表面方向的状态。
(2)实验进行：通过TDTR系统测量不同极化方向条件下Al/LiNbO3样品热导率的变化。
(3)结论分析：分析TDTR测得的数据，得出极化方向垂直于上表面时的界面热导要大于极化方向平行于上表面时的界面热导，极化方向改变导致界面聚集电荷减少，从而导致界面热导下降。这是由于当铁电性材料的极化方向垂直于金属/铁电体界面时，由于界面聚集电荷的存在，会促进金属电子与绝缘体声子的耦合，从而导致提高界面热导率；当铁电性材料的极化方向平行于界面时，界面聚集电荷消失，电子-声子耦合作用减弱，界面热导率下降。
实施例3
本实施例提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，具体为金属金/铌酸锂(LiNbO3)样品在不同极化条件下的热导率，具体操作步骤与实施例2基本相同，主要区别在于：更换了金属Al为Au。
分析TDTR最终测得的数据，得出测得的热导率变化趋势与实施例2中Al/LiNbO3界面的热导率变化趋势类似，极化方向垂直于上表面时的界面热导要大于极化方向平行于上表面时的界面热导，极化方向的改变导致热导率产生变化。
实施例4
本实施例提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，具体为金属铝/氧化锌(ZnO)样品在不同极化条件下的热导率，具体操作步骤与实施例2基本相同，主要区别在于：更换了绝缘体铌酸锂为氧化锌；另外通过改变温度条件来调控氧化锌的极化强度。
分析TDTR最终测得的数据，得出测得的热导率变化趋势与实施例2中Al/LiNbO3界面的热导率变化趋势类似，极化强度的改变导致热导率产生变化。
实施例5
本实施例提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，具体为金属铝/BFO/SrTiO3样品在不同极化条件下的热导率，具体操作步骤与实施例1基本相同，主要区别在于：在与金属铝相对的BFO另一面设有普通绝缘体SrTiO3；其中BFO层的厚度为5nm。
分析TDTR最终测得的数据，得出测得的Al/BFO界面热导率变化趋势与实施例1中的热导率变化趋势类似，应力的变化导致热导率产生变化，并且在此基础之上使得金属铝和普通绝缘体SrTiO3之间也有着类似的热导率变化趋势，产生了有效的热传导。
对比例1
本对比例提供一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，具体为金属铝/SrTiO3样品在不同极化条件下的热导率，具体操作步骤与实施例2基本相同，主要区别在于：更换了绝缘体铌酸锂为普通绝缘体SrTiO3。
分析TDTR最终测得的数据，得出测得的热导率变化趋势与实施例2中LiNbO3晶体热导率的变化趋势类似，即使改变外加电场也几乎无法调控界面热导率。
在上文中结合具体的示例性实施例详细描述了本发明。但是，应当理解，可在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下进行各种修改和变型。详细的描述和附图应仅被认为是说明性的，而不是限制性的，如果存在任何这样的修改和变型，那么它们都将落入在此描述的本发明的范围内。此外，背景技术旨在为了说明本技术的研发现状和意义，并不旨在限制本发明或本申请和本发明的应用领域。
更具体地，尽管在此已经描述了本发明的示例性实施例，但是本发明并不局限于这些实施例，而是包括本领域技术人员根据前面的详细描述可认识到的经过修改、省略、例如各个实施例之间的组合、适应性改变和/或替换的任何和全部实施例。权利要求中的限定可根据权利要求中使用的语言而进行广泛的解释，且不限于在前述详细描述中或在实施该申请期间描述的示例，这些示例应被认为是非排他性的。在任何方法或过程权利要求中列举的任何步骤可以以任何顺序执行并且不限于权利要求中提出的顺序。因此，本发明的范围应当仅由所附权利要求及其合法等同物来确定，而不是由上文给出的说明和示例来确定。
除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本发明所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。厚度、温度、时间、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，1-50的范围应理解为包括选自1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49或50的任何数字、数字的组合、或子范围、以及所有介于上述整数之间的小数值，例如，1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8和1.9。关于子范围，具体考虑从范围内的任意端点开始延伸的“嵌套的子范围”。例如，示例性范围1-50的嵌套子范围可以包括一个方向上的1-10、1-20、1-30和1-40，或在另一方向上的50-40、50-30、50-20和50-10。

Claims (11)

1.一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，将金属设置于绝缘体表面，所述金属与绝缘体的接触面为金属/绝缘体界面；所述绝缘体包括
铁电体；对铁电体施加外电场或应力，通过调节外电场或应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导；
或压电体；对压电体施加应力，通过调节应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导；
或热释电体；通过调节热释电体的温度来调控金属/绝缘体界面热导。
2.根据权利要求1所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，所述外电场或应力的方向在平行于金属/绝缘体界面方向和垂直于金属/绝缘体界面方向之间进行调节。
3.根据权利要求1所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，对于铁电体，其包括PbTiO3、BiFeO3、BaTiO3、LiNbO3、PbZrxTi1-xO3、[(PbMg0.33Nb0.67O3)1-x:(PbTiO3)x]中的一种或几种的组合。
4.根据权利要求3所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，具体操作步骤为：
(1)选取铁电体材料作为绝缘体材料，在铁电体表面镀覆金属层形成金属/铁电体结构；
(2)在金属/铁电体结构中，施加金属/铁电体界面的面外电场或面内电场，使得铁电体极化方向垂直于金属/铁电体界面方向或者平行于金属/铁电体界面方向；
(3)采用时域热反射系统测量金属/铁电体结构的界面热导率。
5.根据权利要求1所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，对于压电体，制备金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构，对柔性基底施加应力带动金属/压电体结构产生形变，通过调节施加应力的大小来调节界面热导率。
6.根据权利要求5所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，所述金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构为薄膜结构。
7.根据权利要求6所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，所述金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构的制备步骤为：
(1)在压电体/水溶层/衬底复合薄膜表面涂覆粘结层，得到粘结层/压电体/水溶层/衬底复合薄膜，将得到的复合薄膜带有粘结层的一面倒扣在柔性基底上，加热固化；
(2)将固化后的复合薄膜中的水溶层溶解去除，使得压电体与衬底分离，得到压电体/粘结层/柔性基底复合薄膜；
(3)在压电体/粘结层/柔性基底复合薄膜的铁电体表面镀覆金属，得到金属/压电体/粘结层/柔性基底复合结构。
8.根据权利要求7所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，所述粘结层的材料包括环氧树脂，加热固化的条件为80℃～100℃加热0.5h～1.5h；所述水溶层的材料包括Sr3Al2O6，去除方式是在去离子水中浸泡48h～72h。
9.根据权利要求4或7或8所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，所述金属层的镀覆方式包括真空蒸镀法或磁控溅射法或CVD法。
10.根据权利要求1～8任一项所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，所述金属包括Al或Au，其厚度为60nm～120nm。
11.根据权利要求1所述的一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，其特征在于，在所述绝缘体上，与金属相对的绝缘体另一面设有普通绝缘体，得到金属/绝缘体/普通绝缘体的三层结构；根据中间层的绝缘体种类，对所述三层结构作与绝缘体种类相应的方法调控金属/绝缘体界面热导。
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