CN114005839A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板包括基板与多个显示像素。这些显示像素设置于基板上,且各自包括多个接垫组、多个发光元件、第一连接导线、第二连接导线及多个第一断线区。这些接垫组各自具有第一接垫和第二接垫。这些发光元件电性接合这些接垫组至少一部分。第一连接导线电性连接这些接垫组的多个第一接垫组的多个第一接垫。第二连接导线电性连接这些接垫组的多个第二接垫。这些第一断线区分别设置在各个第一接垫组的一侧。第一连接导线和第二连接导线连接各个第一接垫组的两个第一连接部位于这些第一断线区的其中一者。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板,且特别涉及一种修补良率高的显示面板。
背景技术
近来,微型发光二极管由于具有色彩易调校、发光寿命长、无影像烙印等优势的(micro light emitting diode,micro-LEDs)面板的优势,因此逐渐受到青睐。
然而,伴随着显示面板的分辨率不断地提高,用来接合微型发光二极管的接垫尺寸及间距越来越小,且单一面板的晶粒转移次数也明显增加,大幅提高了晶粒转移的难度。因此,开发出易于修补的像素架构以增加高分辨率显示面板的修补良率是当务之急。
发明内容
本发明提供一种显示面板,其生产良率较高。
本发明的显示面板,包括基板与多个显示像素。这些显示像素设置于基板上,且各自包括多个接垫组、多个发光元件、第一连接导线、第二连接导线及多个第一断线区。这些接垫组各自具有第一接垫和第二接垫。这些发光元件电性接合这些接垫组至少一部分。第一连接导线电性连接这些接垫组的多个第一接垫组的多个第一接垫。第二连接导线电性连接这些接垫组的多个第二接垫。这些第一断线区分别设置在各个第一接垫组的一侧。第一连接导线和第二连接导线连接各个第一接垫组的两个第一连接部位于这些第一断线区的其中一者。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括多个主动元件,电性连接多个接垫组的多个第一接垫。这些接垫组包括:电性连接至这些主动元件的其中一者的第一接垫组与第二接垫组。第一接垫组的第一接垫与第二接垫组的第一接垫在第一排列方向上的间距小于等于第一接垫组与第二接垫组各自的第一接垫与第二接垫在第二排列方向上的间距。第一排列方向相交于第二排列方向。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括多个主动元件,电性连接多个接垫组的多个第一接垫。这些接垫组还包括多个第二接垫组。多个第一接垫组电性连接这些主动元件的第一主动元件。这些第二接垫组电性连接这些主动元件的第二主动元件,且这些第一接垫组的数量不同于这些第二接垫组的数量。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的多个第一接垫组用于电性接合多个发光元件的至少一第一发光元件。这些第二接垫组用于电性接合这些发光元件的至少一第二发光元件,且至少一第一发光元件的发光颜色不同于至少一第二发光元件的发光颜色。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的至少一第一发光元件的发光颜色为红色,至少一第二发光元件的发光颜色为绿色或蓝色,且多个第一接垫组的数量大于这些第二接垫组的数量。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的多个第一接垫组各自的第一接垫与第二接垫的排列方向不同于这些第二接垫组各自的第一接垫与第二接垫的排列方向。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括另一第一连接导线与多个第二断线区。另一第一连接导线电性连接多个第二接垫组的多个第一接垫。这些第二断线区分别设置在各个第二接垫组的一侧。另一第一连接导线与第二连接导线连接各个第二接垫组的两个第二连接部位于这些第二断线区的其中一者,且这些第一断线区的排列方向相交于这些第二断线区的排列方向。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的多个发光元件为覆晶型发光二极管。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的第一连接导线于基板上的垂直投影不重叠于第二连接导线于基板上的垂直投影。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的各个第一断线区与对应的一个第一接垫组的排列方向相交于对应的该第一接垫组的第一接垫与第二接垫的排列方向。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的第一连接导线与第二连接导线属于不同膜层。
基于上述,在本发明的一实施例的显示面板中,第一连接导线和第二连接导线经由设置在对应的接垫组一侧的断线区内的两连接部分别与该接垫组的第一接垫和第二接垫相连接。通过此两连接部设置在同一断线区内,可大幅缩短显示面板的修补时间,并提高修补良率,有助于提升显示面板的整体生产良率。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的显示面板的俯视示意图。
图2是图1的显示像素的示意图。
图3是图1的显示面板的剖视示意图。
图4是图2的显示像素经修补后的俯视示意图。
图5是本发明的第二实施例的显示面板的俯视示意图。
图6是本发明的第三实施例的显示面板的俯视示意图。
图7是本发明的第四实施例的显示面板的俯视示意图。
图8是本发明的第五实施例的显示面板的俯视示意图。
图9是本发明的第六实施例的显示面板的俯视示意图。
图10是图9的显示面板的剖视示意图。
图11是本发明的第七实施例的显示面板的俯视示意图。
附图标记说明:
10、10R、10A、10B、20、20A、20B、20C:显示面板
100:基板
110:闸绝缘层
120:层间绝缘层
130、140、150:平坦层
140h:接触窗
CH:通道区
CR、CR1、CR2、CR2’、CR3、CRa、CRb、CRb’:断线区
CW1-1、CW1-1’、CW1-1C、CW1-2、CW1-2A、CW1-2B、CW1-3、CW1-3A:第一连接导线
CW1a、CW2a:断开处
CW1c、CW1c’、CW2c、CW2c’、CW2c”:连接部
CW2、CW2’、CW2A、CW2B、CW2C、CW2D、CW2E、CW2F:第二连接导线
CW2e1:第一延伸段
CW2e2:第二延伸段
DE:漏极
DR:漏极区
E1:第一电极
E2:第二电极
ES:外延结构层
GE:栅极
LDR:轻掺杂漏极区
LED、LED1、LED1x、LED1r、LED2、LED3:发光元件
LSR:轻掺杂源极区
P1:第一接垫
P2:第二接垫
PL:电源线
PS、PS1、PS2、PS2A、PS2A’、PS3A:接垫组
PX、PX-R、PX-A、PX-B、PX-C、PX-D、PX-E、PX-F:显示像素
S1、S2:间距
SC:半导体图案
SE:源极
SR:源极区
T、T1、T2、T3:主动元件
TP1、TP2、TP3、TP4:转接图案
X、Y、Z:方向
具体实施方式
本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依测量性质、切割性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电性连接。再者,“电性连接”可为二元件间存在其它元件。
现将详细地参考本发明的示范性实施方式,示范性实施方式的实例说明于说明书附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1是本发明的第一实施例的显示面板的俯视示意图。图2是图1的显示像素的示意图。图3是图1的显示面板的剖视示意图。图4是图2的显示像素经修补后的俯视示意图。
请参照图1至图3,显示面板10包括基板100和多个显示像素PX。这些显示像素PX设置于基板100上。在本实施例中,这些显示像素PX是以阵列的方式进行排列,例如:这些显示像素PX分别在方向X与方向Y上排成多列与多行,但不以此为限。另一方面,显示面板10还可包括电性连接这些显示像素PX的多条信号线,例如:多条数据线(未示出)、多条扫描线(未示出)与多条电源线(power line)PL。这些显示像素PX各自与对应的至少一数据线、对应的至少一条扫描线以及对应的至少一电源线电性连接以接收影像显示所需的多种驱动信号。
显示像素PX包括多个接垫组PS与多个发光元件LED。这些接垫组PS配置用以接合这些发光元件LED。在本实施例中,显示像素PX的这些接垫组PS可区分为两个部分,分别为多个接垫组PS1和多个接垫组PS2,且这些接垫组PS1的排列方向(例如方向Y)不同于这些接垫组PS2的排列方向(例如方向X)。举例来说,接垫组PS1用于电性接合发光元件LED1,接垫组PS2用于电性接合发光元件LED2或发光元件LED3,其中发光元件LED1、发光元件LED2和发光元件LED3的发光颜色彼此不同,例如分别是红光、绿光和蓝光,但不以此为限。在本实施例中,发光元件LED例如是覆晶型(flip-chip type)发光二极管。也就是说,发光元件LED可包括外延结构层ES、第一电极E1和第二电极E2,且第一电极E1和第二电极E2位于外延结构层ES的同一侧。第一电极E1和第二电极E2例如分别是阳极和阴极。
特别注意的是,在本实施例中,每一个显示像素PX用以接合发光元件LED1的接垫组PS1数量(例如两个)大于用以接合发光元件LED2或发光元件LED3的接垫组PS2数量(例如一个)。举例来说,发光元件LED1的损坏几率较发光元件LED2与发光元件LED3来得高,因此可通过设置额外的接垫组PS1来进行修补以降低显示面板因少数发光元件LED无法致能而被报废的几率。也就是说,图2左侧上方的接垫组PS1可作为修补用的接垫组,以电性接合修补用的发光元件LED1r(如图4所示)。应可理解的是,在其他实施例中,接垫组PS1与接垫组PS2各自的数量当可根据实际的产品设计或工艺风险来调整以满足不同的修补需求。
接垫组PS包括第一接垫P1与第二接垫P2。在本实施例中,接垫组PS1的第一接垫P1与第二接垫P2的排列方向(例如方向X)不同于接垫组PS2的第一接垫P1与第二接垫P2的排列方向(例如方向Y)。值得注意的是,用于接合发光元件LED1的两个接垫组PS1在排列方向(例如方向Y)上的间距S1小于等于这些接垫组PS1各自的第一接垫P1与第二接垫P2在排列方向(例如方向X)上的间距S2。据此,可降低接垫组PS1在发光元件LED1的转置与接合过程中,因对位误差或/及焊料溢流造成其第一接垫P1与第二接垫P2发生短路的风险。
进一步而言,显示像素PX还包括多个主动元件T、多条第一连接导线与第二连接导线CW2。在本实施例中,这些主动元件T分别为第一主动元件T1、第二主动元件T2与第三主动元件T3,而这些第一连接导线分别为第一连接导线CW1-1、第一连接导线CW1-2与第一连接导线CW1-3。用于接合发光元件LED1的多个接垫组PS1经由第一连接导线CW1-1与第一主动元件T1电性连接,用于接合发光元件LED2的接垫组PS2经由第一连接导线CW1-1与第二主动元件T2电性连接,而用于接合发光元件LED3的另一个接垫组PS2是经由第一连接导线CW1-3与第三主动元件T3电性连接。这些接垫组PS都是经由第二连接导线CW2而电性连接至一条电源线PL。举例来说,接垫组PS的第一接垫P1与第二接垫P2分别用于接合发光元件LED的阳极(即第一电极E1)与阴极(即第二电极E2),这些主动元件T可耦接至一系统高电压(OVDD),且电源线PL可耦接至一系统低电压(OVSS),但不以此为限。
特别注意的是,显示像素PX还包括多个断线区CR,这些断线区CR分别邻设在各个接垫组PS1的一侧,且第一连接导线CW1-1与第二连接导线CW2连接各个接垫组PS1的两个连接部CW1c、CW2c都位于对应的断线区CR内。更具体地说,这些断线区CR各自与对应的接垫组PS1的排列方向(例如方向Y)相交于此接垫组PS1的第一接垫P1和第二接垫P2的排列方向(例如方向X)。
请同时参照图4,举例来说,当接合至图2左侧下方的接垫组PS1的发光元件LED1在后续的工艺中被检测为异常的发光元件LED1x时,图2左侧上方的接垫组PS1可用来接合修补用的发光元件LED1r。在修补用的发光元件LED1r接合至修补用的接垫组PS1后,进行一切割步骤以移除第一连接导线CW1-1与第二连接导线CW2位于异常的发光元件LED1x下侧的断线区CR内的两个连接部CW1c、CW2c。换句话说,修补后的显示面板10R的显示像素PX-R的第一连接导线CW1-1’与第二连接导线CW2’在进行切割步骤的断线区CR内分别具有断开处CW1a与断开处CW2a,以使异常的发光元件LED1x电性绝缘于两连接导线。
然而,本发明不限于此,在其他实施例中,两连接导线的切割步骤也可完成在修补用的发光元件LED1r接合至接垫组PS1前,且修补流程还可选择性地包括发光元件LED1x的移除步骤。在本实施例中,连接导线的所述连接部的移除可以由激光切割(laser cutting)工艺来实现,而断线区CR于基板100上的垂直投影面积例如是介于140微米平方与350微米平方之间的范围,但不以此为限。在其他实施例中,断线区也可仅涵盖第一连接导线CW1-1’与第二连接导线CW2’的其中一者。亦即,仅针对一条连接导线进行切割。因此,断线区于基板100上的垂直投影面积例如是介于49微米平方与100微米平方之间的范围。
特别一提的是,通过第一连接导线CW1-1的连接部CW1c和第二连接导线CW2的连接部CW2c设置在同一断线区CR内,可大幅缩减所需的切割次数,进而缩短修补时间。也因此,可提高显示面板的修补良率及整体的生产良率。
进一步而言,形成主动元件T的方法可包括以下步骤:于基板100上按序形成半导体图案SC、闸绝缘层110、栅极GE、层间绝缘层120、源极SE与漏极DE,其中半导体图案SC具有通道区CH、位于通道区CH相对两侧的源极区SR与漏极区DR、连接于通道区CH与源极区SR之间的轻掺杂源极区LSR以及连接于通道区CH与漏极区DR之间的轻掺杂漏极区LDR,且源极SE与漏极DE贯穿闸绝缘层110与层间绝缘层120以分别电性连接半导体图案SC的源极区SR与漏极区DR。在本实施例中,前述的电源线PL与此处的栅极GE可选择性地属于同一膜层。亦即,电源线PL与主动元件T的栅极GE可在同一工艺(例如光刻蚀刻工艺)中以相同的材质形成,但不以此为限。
在本实施例中,主动元件T的栅极GE可选择性地配置在半导体图案SC的上方,以形成顶部栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT),但本发明不以此为限。根据其他的实施例,主动元件的栅极GE也可配置在半导体图案SC的下方,以形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT)。另一方面,半导体图案SC的材质例如是多晶硅材料。也就是说,主动元件T例如是低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)。然而,本发明不限于此,在其他实施例中,主动元件也可以是非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon TFT,a-Si TFT)、微晶硅薄膜晶体管(micro-Si TFT)或金属氧化物晶体管(Metal Oxide Transistor)。
需说明的是,半导体图案SC、闸绝缘层110、栅极GE、层间绝缘层120、源极SE与漏极DE分别可由任何所属技术领域中技术人员所周知的用于显示面板的任一半导体图案、任一闸绝缘层、任一栅极、任一层间绝缘层、任一源极及任一漏极来实现,且半导体图案SC、闸绝缘层110、栅极GE、层间绝缘层120、源极SE与漏极DE分别可通过任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法来形成,故于此不加以赘述。
另一方面,显示面板10还包括多个平坦层130、140、150与多个转接图案TP1、TP2、TP3。举例而言,平坦层130和平坦层140设置在主动元件T与第一连接导线CW1-1(或第二连接导线CW2)之间,平坦层150设置在接垫组PS与第一连接导线CW1-1(或第二连接导线CW2)之间。第一连接导线CW1-1经由转接图案TP2与主动元件T的漏极DE电性连接。第二连接导线CW2经由转接图案TP1和转接图案TP3与电源线PL电性连接。接垫组PS的第一接垫P1和第二接垫P2贯穿平坦层150以分别电性连接第一连接导线CW1-1和第二连接导线CW2。
特别注意的是,在本实施例中,多条第一连接导线CW1-1、CW1-2、CW1-3与第二连接导线CW2可选择性地属于同一膜层。因此,这些第一连接导线于基板100上的垂直投影不重叠于第二连接导线CW2在基板100上的垂直投影。亦即,这些第一连接导线CW1-1、CW1-2、CW1-3在方向Z上不重叠于第二连接导线CW2。
以下将列举另一些实施例以详细说明本公开,其中相同的构件将标示相同的符号,并且省略相同技术内容的说明,省略部分请参考前述实施例,以下不再赘述。
图5是本发明的第三实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图5,本实施例的显示面板10A与图2的显示面板10的差异在于:显示像素用于接合发光元件LED2和发光元件LED3的接垫组数量不同。在本实施例中,显示像素PX-A分别用于接合发光元件LED1、发光元件LED2和发光元件LED3的接垫组PS数量都为两个,且用于接合发光元件LED2的两个接垫组PS2A以及用于接合发光元件LED3的两个接垫组PS3A的配置方式都相似于用于接合发光元件LED1的两个接垫组PS1的配置方式。因此,详细的说明请参见前述实施例的相关段落,于此不再赘述。
另一方面,在本实施例中,各接垫组PS2A在垂直于其第一接垫P1与第二接垫P2的排列方向上的一侧也设有断线区CR2,且第一连接导线CW1-2A连接接垫组PS2A的连接部CW1c和第二连接导线CW2A连接同一接垫组PS2A的连接部CW2c都位于对应的断线区CR2内。相似地,各接垫组PS3A在垂直于其第一接垫P1与第二接垫P2的排列方向上的一侧也设有断线区CR3,且第一连接导线CW1-3A连接接垫组PS3A的连接部CW1c和第二连接导线CW2A连接同一接垫组PS3A的连接部CW2c都位于对应的断线区CR3内。
由于本实施例的发光元件LED2或发光元件LED3的修补方式相似于图2的显示面板10的发光元件LED1的修补方式,因此详细的说明请参见前述实施例的相关段落,于此便不再重述。
图6是本发明的第三实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图6,本实施例的显示面板10B与图5的显示面板10A的差异在于:部分接垫组的排列方向不同于其他接垫组的排列方向。具体而言,显示面板10B的显示像素PX-B用于接合发光元件LED2的两个接垫组PS2A’的排列方向相交于显示像素PX-B用于接合发光元件LED1的两个接垫组PS1的排列方向以及显示像素PX-B用于接合发光元件LED3的两个接垫组PS3A的排列方向。
也因此,设置在各个接垫组PS2A’一侧的两个断线区CR2’的排列方向(例如方向X)相交于设置在各个接垫组PS1一侧的两个断线区CR1的排列方向(例如方向Y)以及设置在各个接垫组PS3A一侧的两个断线区CR3的排列方向。第一连接导线CW1-2B和第二连接导线CW2B连接同一接垫组PS2A’的两个连接部CW1c、CW2c的排列方向也相交于第一连接导线CW1-1和第二连接导线CW2B连接同一接垫组PS1的两个连接部CW1c、CW2c的排列方向以及第一连接导线CW1-3A和第二连接导线CW2B连接同一接垫组PS3A的两个连接部CW1c、CW2c的排列方向。
图7是本发明的第四实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图7,本实施例的显示面板20与图2的显示面板10的差异在于:显示面板20的显示像素PX-C用于接合发光元件LED1的接垫组PS1数量为三个。也就是说,本实施例的显示面板20的显示像素PX-C可针对发光元件LED1提供两次的修补机会。
在本实施例中,显示像素PX-C包括两个断线区CRa与两个断线区CRb。这三个接垫组PS1中位于外侧的两个接垫组PS1各自在垂直其第一接垫P1和第二接垫P2的排列方向上的一侧设有一断线区CRa,而位于这两个接垫组PS1之间的接垫组PS1在其第一接垫P1和第二接垫P2的排列方向上的相对两侧分别设有这些断线区CRb。
特别注意的是,第一连接导线CW1-1C连接中间接垫组PS1的连接部CW1c’和第二连接导线CW2C连接同一接垫组PS1的连接部CW2c’分别设置在这两个断线区CRb内。因此,当修补用的发光元件(例如图4的发光元件LEDr1)接合至邻设有一个断线区CRa的接垫组PS1后,原本接合在中间接垫组PS1的异常发光元件LED1的切割次数为两次。由于显示像素PX-C的断线区CRa、第一连接导线CW1-1C和第二连接导线CW2C的配置方式相似于图2的显示像素PX的断线区CR、第一连接导线CW1-1和第二连接导线CW2的配置方式,因此详细的说明请参见前述实施例的相关段落,于此便不再赘述。
图8是本发明的第五实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图8,本实施例的显示面板20A与图7的显示面板20的差异在于:第二连接导线的配置方式不同以及断线区的配置数量不同。具体而言,显示像素PX-D的第二连接导线CW2D连接中间接垫组PS1的连接部CW2c”和第一连接导线CW1-1C连接同一接垫组PS1的连接部CW1c’设置在同一断线区CRb’内。也就是说,当修补用的发光元件(例如图4的发光元件LEDr1)接合至邻设有一个断线区CRa的接垫组PS1后,原本接合在中间接垫组PS1的异常发光元件LED1的切割次数为一次。据此,可大幅缩短显示面板20A的修补时间,并提高其修补良率及整体的生产良率。
图9是本发明的第六实施例的显示面板的俯视示意图。图10是图9的显示面板的剖视示意图。请参照图9及图10,本实施例的显示面板20B与图8的显示面板20A的差异在于:第二连接导线的设置膜层不同。在本实施例中,显示像素PX-E的第二连接导线CW2E和多条第一连接导线可选择性地属于不同的膜层。举例来说,第二连接导线CW2E和转接图案TP2可属于同一膜层。接垫组PS1的第二接垫P2经由另一转接图案TP4与第二连接导线CW2E电性连接,且第二连接导线CW2E经由转接图案TP1与电源线PL电性连接,其中转接图案TP4和第一连接导线CW1-1C为同一膜层。
图11是本发明的第七实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图11,本实施例的显示面板20C与图9的显示面板20B的差异在于:第二连接导线的组成结构不同。在本实施例中,显示像素PX-F的第二连接导线CW2F可具有第一延伸段CW2e1和第二延伸段CW2e2,且这两延伸段属于不同的膜层。举例来说,第二连接导线CW2F的第一延伸段CW2e1和多条第一连接导线可选择性地属于同一膜层,而第二连接导线CW2F的第二延伸段CW2e2和图10的转接图案TP2可选择性地属于同一膜层,其中第一延伸段CW2e1经由平坦层140的一个接触窗140h与第二延伸段CW2e2电性连接。如此,可增加显示像素的电路设计裕度。
综上所述,在本发明的一实施例的显示面板中,第一连接导线和第二连接导线经由设置在对应的接垫组一侧的断线区内的两连接部分别与该接垫组的第一接垫和第二接垫相连接。通过此两连接部设置在同一断线区内,可大幅缩短显示面板的修补时间,并提高修补良率,有助于提升显示面板的整体生产良率。
Claims (11)
1.一种显示面板,包括:
一基板;以及
多个显示像素,设置于该基板上,且各自包括:
多个接垫组,各自具有一第一接垫与一第二接垫;
多个发光元件,电性接合该些接垫组的至少一部分;
一第一连接导线,电性连接该些接垫组的多个第一接垫组的多个第一接垫;
一第二连接导线,电性连接该些接垫组的多个第二接垫;以及
多个第一断线区,分别设置在各该些第一接垫组的一侧,其中该第一连接导线与该第二连接导线连接各该些第一接垫组的两第一连接部位于该些第一断线区的其中一者。
2.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
多个主动元件,电性连接该些接垫组的多个第一接垫,其中该些接垫组包括:电性连接至该些主动元件的其中一者的一第一接垫组与一第二接垫组,该第一接垫组的该第一接垫与该第二接垫组的该第一接垫在一第一排列方向上的间距小于等于该第一接垫组与该第二接垫组各自的该第一接垫与该第二接垫在一第二排列方向上的间距,该第一排列方向相交于该第二排列方向。
3.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
多个主动元件,电性连接该些接垫组的多个第一接垫,其中该些接垫组还包括多个第二接垫组,该些第一接垫组电性连接该些主动元件的一第一主动元件,该些第二接垫组电性连接该些主动元件的一第二主动元件,且该些第一接垫组的数量不同于该些第二接垫组的数量。
4.如权利要求3所述的显示面板,其中该些第一接垫组用于电性接合该些发光元件的至少一第一发光元件,该些第二接垫组用于电性接合该些发光元件的至少一第二发光元件,且该至少一第一发光元件的发光颜色不同于该至少一第二发光元件的发光颜色。
5.如权利要求4所述的显示面板,其中该至少一第一发光元件的发光颜色为红色,该至少一第二发光元件的发光颜色为绿色或蓝色,且该些第一接垫组的数量大于该些第二接垫组的数量。
6.如权利要求4所述的显示面板,其中该些第一接垫组各自的该第一接垫与该第二接垫的排列方向不同于该些第二接垫组各自的该第一接垫与该第二接垫的排列方向。
7.如权利要求6所述的显示面板,还包括:
另一第一连接导线,电性连接该些第二接垫组的多个第一接垫;以及
多个第二断线区,分别设置在各该些第二接垫组的一侧,其中该另一第一连接导线与该第二连接导线连接各该些第二接垫组的两第二连接部位于该些第二断线区的其中一者,且该些第一断线区的排列方向相交于该些第二断线区的排列方向。
8.如权利要求1所述的显示面板,其中该些发光元件为覆晶型发光二极管。
9.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一连接导线于该基板上的垂直投影不重叠于该第二连接导线于该基板上的垂直投影。
10.如权利要求1所述的显示面板,其中各该些第一断线区与对应的一该第一接垫组的排列方向相交于对应的该第一接垫组的该第一接垫与该第二接垫的排列方向。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一连接导线与该第二连接导线属于不同膜层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110110174A TWI765611B (zh) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 顯示面板 |
| TW110110174 | 2021-03-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114005839A true CN114005839A (zh) | 2022-02-01 |
| CN114005839B CN114005839B (zh) | 2024-10-01 |
Family
ID=79925343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111272865.XA Active CN114005839B (zh) | 2021-03-22 | 2021-10-29 | 显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11876086B2 (zh) |
| CN (1) | CN114005839B (zh) |
| TW (1) | TWI765611B (zh) |
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- 2021-03-22 TW TW110110174A patent/TWI765611B/zh active
- 2021-10-29 CN CN202111272865.XA patent/CN114005839B/zh active Active
- 2021-11-01 US US17/515,562 patent/US11876086B2/en active Active
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2023
- 2023-12-06 US US18/530,243 patent/US12154892B2/en active Active
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- 2024-10-28 US US18/928,197 patent/US20250054933A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11876086B2 (en) | 2024-01-16 |
| US20220302174A1 (en) | 2022-09-22 |
| TWI765611B (zh) | 2022-05-21 |
| US12154892B2 (en) | 2024-11-26 |
| TW202238552A (zh) | 2022-10-01 |
| CN114005839B (zh) | 2024-10-01 |
| US20250054933A1 (en) | 2025-02-13 |
| US20240105696A1 (en) | 2024-03-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |