CN103904246A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物。本发明的有机电致发光器件，在现有有机电致发光器件基础上采用廉价的有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀进行封装，提高了膜层防水氧能力，有效地减少了外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护。本发明的有机电致发光器件制备工艺简单，易大面积制备。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件领域，特别是涉及有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在铟锡氧化物(Indium TinOxides，ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。其发光机理和过程是从阴、阳两极分别注入电子和空穴，被注入的电子和空穴在有机层内传输，并在发光层内复合，从而激发发光层分子产生单态激子，单态激子辐射衰减而发光。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
但是，由于外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，导致有机功能材料失效及电极性能的下降，所以目前有机电致发光器件普遍存在寿命短的缺陷，若使有机电致发光器件达到足够的使用寿命，最为关键的就是对器件进行有效的封装，因此封装的好坏直接影响器件的寿命。
发明内容
基于此，有必要提供一种防水、氧能力强的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物。
利用酞菁的配位性与第4周期的金属配位形成金属酞菁化合物，所形成的金属酞菁化合物具有良好的光电效应。氧化物为呈透明状态的氧化物，由于是透明的，所以采用透明氧化物作为无机阻挡物的材质不会对光的传输产生影响；氟化物具有防水、防油污的性能，可以作为防水材料，在透明氧化物中掺杂10-40wt％氟化物，不仅可以保证较高的透光率，还能提高封装结构的防水氧能力。
在其中一些实施例中，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层。
在其中一些实施例中，每层所述有机阻挡层的厚度为100nm-200nm，每层所述无机阻挡层的厚度为50～100nm。
在其中一些实施例中，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍。
在其中一些实施例中，所述氧化物为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3，所述氟化物为AlF3、HfF4、ZrF4、CeF2、YF3或MgF2。
在其中一个实施例中，所述金属酞菁化合物为酞菁锌，所述无机阻挡层的材质为掺杂10wt％HfF4的MgO组成的混合物。
在其中一个实施例中，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％ MoO3的N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt％三(2-苯基吡啶)合铱的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度20nm；所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN3的4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层；其中，所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物；
(3)、把步骤(2)制得的样品、氟化物和氧化物一同放入磁控溅射设备中，在所述有机阻挡层上磁控溅射制备无机阻挡层；其中，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物；
(4)、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；
待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。
在其中一个实施例中，步骤(2)所述真空蒸镀中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
在其中一个实施例中，步骤(3)所述磁控溅射中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，磁控溅射时还包括通入流量为5～10sccm的氩气。
本发明的有机电致发光器件，在现有有机电致发光器件基础上采用有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀进行封装。有机阻挡层采用具有优良电子传输性和发光性能的金属酞菁化合物，而无机层采用掺杂氟化物的透明氧化物材质，提高了膜层防水氧能力，有效地减少了外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护。
本发明的有机电致发光器件的封面透光率达77％以上，水蒸气透过率(WaterVapor Transmission Rate，简称WVTR)达到10-4g/m2·day，本发明的有机电致发光器件的寿命(T701000cd/m2)达到了4800小时以上。
本发明的有机电致发光器件采用廉价的封装材料进行封装，制备工艺简单，易大面积制备，适用于以玻璃基底制备的OLED器件以及塑料或金属为基底制备的柔性OLED器件，特别适用于柔性OLED器件的应用。
附图说明
图1为本发明一实施方式的有机电致发光器件结构示意图；
附图标记：10、阳极基底，20、功能层，201、空穴注入层，202、空穴传输层，203、发光层，204、电子传输层，205、电子注入层，30、阴极层40，有机阻挡层，50、无机阻挡层。
具体实施方式
如图1所示，为本发明的有机电致发光器件，包括：
(1)阳极基底10；
(2)功能层20，位于阳极基底10(包括衬底和起阳极导电作用的阳极层)和阴极层30(电源为器件提供电子)之间，包括依次层叠的空穴注入层201(注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中)、空穴传输层202(传输空穴，有利于空穴传输到发光材料中)、发光层203(电子和空穴在此层中复合，然后将能量转移给发光分子发光)、电子传输层204(传输电子，有利于电子传输到发光材料中)、和电子注入层205(注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中)，所述空穴注入层201位于所述阳极基底10之上；
(3)阴极层30；
(4)有机阻挡层40，蒸镀在所述阴极层30上；有机阻挡层40为金属酞菁化合物酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍，有机阻挡层40为4-6层，每层厚度为100nm-200nm；
(5)无机阻挡层50，蒸镀在所述有机阻挡层40上；无机阻挡层50为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物，所述氧化物为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3，所述氟化物为AlF3、HfF4、ZrF4、CeF2、YF3或MgF2；无机阻挡层50为4-6层，每层厚度为50～100nm。
当有机阻挡层和无机阻挡层超过两层时，所述有机阻挡层40和无机阻挡层50交替蒸镀。
本发明的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在阳极基底10的阳极层表面依次层叠真空蒸镀功能层20(包括空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、电子传输层204、电子注入层205)和阴极层30；
S2、在所述阴极层30上真空蒸镀有机阻挡层40；其中，所述有机阻挡层40的材质为金属酞菁化合物；所述真空蒸镀中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度
S3、把步骤(2)制得的样品、氟化物和氧化物一同放入磁控溅射设备中，在所述有机阻挡层40上磁控溅射制备无机阻挡层50；其中，所述无机阻挡层50的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物；所述磁控溅射中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，磁控溅射时还包括通入流量为5～10sccm的氩气；
S4、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；
待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法中，所述阴极层30的制备还包括：在电子注入层205蒸镀完毕后，先在电子注入层205的表面蒸镀一层ZnS层，随后在ZnS层表面蒸镀一层Ag层，最后再在Ag层表面蒸镀一层ZnS层，完后制得阴极层30。
上述阳极基底10的基底一般为玻璃，其上的阳极层，也就是导电层，阳极层的材质一般为ITO、IZO、AZO、FTO等，优选ITO；在玻璃表面制备有ITO、IZO、AZO、FTO层的，简称ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
以下结合具体实施例对本发明做进一步的阐述。
实施例1有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；
(2)功能层，位于阳极基底和阴极层之间，包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层，所述空穴注入层位于所述阳极基底之上；
(3)阴极层；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层为CuPc(酞菁铜)，有机阻挡层为6层，每层厚度为150nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层为掺杂40wt％ AlF3的TiO2组成的混合物；无机阻挡层为6层，每层厚度为100nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)；
先将ITO玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇在超声波清洗机中进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃基板还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
(2)制备功能层(依次为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，其中空穴注入层位于阳极基板之上)
a空穴注入层
在ITO玻璃基板上真空蒸镀空穴注入层，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％的MoO3N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(NPB)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为
空穴注入层的厚度为10nm；
b空穴传输层
在空穴注入层的表面真空蒸镀空穴传输层，空穴传输层的材质为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为蒸镀厚度为30nm；
c发光层
在空穴传输层的表面真空蒸镀发光层，所述发光层的主体材料采用1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料采用三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5wt％，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为
蒸镀厚度为20nm；
d电子传输层
在发光层的表面真空蒸镀一层4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为
蒸镀厚度为10nm；
e电子注入层
在电子传输层的表面真空蒸镀电子注入层，电子注入层的材质为掺杂30wt％ CsN3的Bphen，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为蒸镀厚度为20nm；
(3)制备阴极层
在电子注入层的表面蒸镀透明阴极层ZnS/Ag/ZnS，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为CuPc(酞菁铜)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为
有机阻挡层的厚度为150nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面磁控溅射制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂40wt％AlF3的TiO2组成的混合物，真空度为1×10-5Pa，通入Ar，流量为10sccm，无机阻挡层的厚度为100nm；
(6)、交替重复步骤(4)和步骤(5)6次，即得。
实施例2有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基板；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层为ZnPc(酞菁锌)，有机阻挡层为5层，每层厚度为100nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层为掺杂10wt％HfF4的MgO组成的混合物；无机阻挡层为5层，每层厚度为50nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为ZnPc(酞菁锌)，真空度1×10-5Pa，蒸镀速度为
有机阻挡层的厚度为100nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面磁控溅射制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂10wt％HfF4的MgO组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，通入Ar，流量为5sccm，无机阻挡层的厚度为50nm；
(6)、交替重复步骤(4)和步骤(5)5次，即得。
实施例3有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基板；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层为FePc(酞菁铁)，有机阻挡层为5层，每层厚度为100nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层为掺杂30wt％ZrF4的SiO2组成的混合物；无机阻挡层为5层，每层厚度为65nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为FePc(酞菁铁)，真空度5×10-5Pa，蒸镀速度为
有机阻挡层的厚度为100nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面磁控溅射制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂30wt％ZrF4的SiO2组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，通入Ar，流量为8sccm，无机阻挡层的厚度为65nm；
(6)、交替重复步骤(4)和步骤(5)5次，即得。
实施例4有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基板；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层为CoPc(酞菁钴)，有机阻挡层为5层，每层厚度为200nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层为掺杂30wt％CeF2的ZrO2组成的混合物；无机阻挡层为5层，每层厚度为70nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为CoPc(酞菁钴)，真空度5×10-5Pa，蒸镀速度为
有机阻挡层的厚度为200nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面磁控溅射制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂30wt％ CeF2的ZrO2组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，通入Ar，流量为6sccm，无机阻挡层的厚度为70nm；
(6)、交替重复步骤(4)和步骤(5)5次，即得。
实施例5有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基板；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层为MnPc(酞菁锰)，有机阻挡层为5层，每层厚度为150nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层为掺杂20wt％YF3的ZnO组成的混合物；无机阻挡层为5层，每层厚度为50nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为MnPc(酞菁锰)，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为
有机阻挡层的厚度为150nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面磁控溅射制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂20wt％YF3的ZnO组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，通入Ar，流量为5sccm，无机阻挡层的厚度为50nm；
(6)、交替重复步骤(4)和步骤(5)5次，即得。
实施例6有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基板；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层为NiPc(酞菁镍)，有机阻挡层为4层，每层厚度为150nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层为掺杂30wt％MgF2的Al2O3组成的混合物；无机阻挡层为4层，每层厚度为70nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为NiPc(酞菁镍)，真空度为1×10-3Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为150nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面磁控溅射制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂30wt％MgF2的Al2O3组成的混合物，真空度为1×10-3Pa，通入Ar，流量为6sccm，无机阻挡层的厚度为70nm；
(6)、交替重复步骤(4)和步骤(5)4次，即得。
对实施例1-6的有机电致发光器件进行了水蒸气透过率(WVTR)、使用寿命和透过率的测试，结果如表1所示：
表1实施例1-6的测试结果
由表1可以看出，本实施例1-6的有机电致发光器件的水蒸气透过率(WVTR)最低达5.2×10-4g/m2·day，完全满足柔性有机电致发光器件的使用要求，透光率达77％以上，使用寿命达4800小时以上。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层，每层所述有机阻挡层的厚度为100～200nm，每层所述无机阻挡层的厚度为50～100nm。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍。
4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3，所述氟化物为AlF3、HfF4、ZrF4、CeF2、YF3或MgF2。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁锌，所述无机阻挡层的材质为掺杂10wt％HfF4的MgO组成的混合物。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％MoO3的N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt％三(2-苯基吡啶)合铱的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度20nm；所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN3的4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。
8.一种权利要求1-7任一所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层；其中，所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物；
(3)、把步骤(2)制得的样品、氟化物和氧化物一同放入磁控溅射设备中，在所述有机阻挡层上磁控溅射制备无机阻挡层；其中，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物；
(4)、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；
待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空蒸镀中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述磁控溅射中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，磁控溅射时还包括通入流量为5～10sccm的氩气。
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