CN103456891A - 一种发光二极管 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光二极管，该二极管包括P型衬底、N型衬底、端面和位于P、N型衬底中间的半导体材料，半导体材料从上至下依次为砷化镓层、磷化铟层和氮化镓层，每层半导体材料底部涂有有机发光材料，磷化铟层（4）和氮化镓层（5）呈U型；本发明解决了光谱范围较窄的问题，采用多层半导体材料，提高电光转化效率，多孔磷化铟具有直接带隙结构，有很强的非线性光学相应性质，使得二极管性能更优越。
Description
技术领域
本发明涉及一种二极管，特别涉及一种发光二极管。
背景技术
模拟和数字电子技术中，广泛地应用半导体二极管和三极管电路来作信号处理，但是光信号在信号传输和存储等环节中应用也愈来愈广泛。光电子系统的突出优点为抗干扰能力较强，可大量地传送信息，而且传输损耗小，工作可靠，但光路比较复杂，光信号的操作与调试需要精心设计，故需要发光二极管等特殊的光电子器件，发光二极管将电信号变成光信号，通过光缆传输，然后利用光电二极管接收，再现电信号，所以发光二极管性能直接影响电光转化效率。
发明内容
发明目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种发光二极管，电光转化效率高，性能优越。
技术方案：本发明采用的技术方案为一种发光二极管，包括P型衬底、N型衬底、端面和位于P、N型衬底中间的半导体材料，半导体材料从上至下依次为砷化镓层、磷化铟层和氮化镓层，每层半导体材料底部涂有有机发光材料，所述磷化铟层和氮化镓层呈U型。
优选的，氮化镓层的两端经过抛光具有部分反射功能。
优选的，P型衬底底部和N型衬底顶部涂有机发光材料。
优选的，端面经过抛光具有部分反射功能。
优选的，磷化铟层采用多孔磷化铟材料。
有益效果：本发明与现有技术相比，其优点是解决了光谱范围较窄的问题，采用多层半导体材料，提高电光转化效率，多孔磷化铟具有直接带隙结构，有很强的非线性光学相应性质，使得二极管性能更优越。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的半导体材料结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，包括P型衬底、N型衬底、端面1和位于P、N型衬底中间的半导体材料，P型衬底底部和N型衬底顶部涂有机发光材料，端面1经过抛光具有部分反射功能。
如图2所示，半导体材料2从上至下依次为砷化镓层3、磷化铟层4和氮化镓层5，磷化铟层4采用多孔磷化铟材料；砷化镓的禁带较硅为宽，使得他的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好，且其耐温性高；多孔磷化铟具有直接带隙结构，有很强的非线性光学相应性质，使得二极管性能更优越，同时，氮化镓具有较大禁带宽度、强的原子键和高的热导率，其化学性能稳定。每层半导体材料底部涂有有机发光材料。
在二极管的结间安置具有光活性的半导体，再利用端面的部分反射功能，因而形成一光谐振腔，有机发光材料与光谐振腔相互作用，进一步激励从结上发射出光信号。
磷化铟层4和氮化镓层5呈U型，直接与P型衬底相连，无需在层与层之间电连接，结构简单；氮化镓层5两端经过抛光具有部分反射功能。
本发明解决了光谱范围较窄的问题，采用多层半导体材料，提高电光转化效率，二极管性能更优越。
Claims (5)
1.一种发光二极管，包括P型衬底和N型衬底，其特征在于：还包括端面（1）和位于P、N型衬底中间的半导体材料（2），所述半导体材料（2）从上至下依次为砷化镓层（3）、磷化铟层（4）和氮化镓层（5），每层半导体材料底部涂有有机发光材料，所述磷化铟层（4）和氮化镓层（5）呈U型。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述氮化镓层（5）的两端经过抛光具有部分反射功能。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述P型衬底底部和N型衬底顶部涂有机发光材料。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述端面（1）经过抛光具有部分反射功能。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述磷化铟层（4）采用多孔磷化铟材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013104066751A CN103456891A (zh) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | 一种发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013104066751A CN103456891A (zh) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | 一种发光二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103456891A true CN103456891A (zh) | 2013-12-18 |
Family
ID=49739047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013104066751A Pending CN103456891A (zh) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | 一种发光二极管 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN103456891A (zh) |
Cited By (1)
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| CN106340808A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-18 | 南通明芯微电子有限公司 | 激光二极管 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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