CN103201820B - 用于减少颗粒的真空限束孔清洁 - Google Patents

Abstract

提供一种用于减小离子注入系统（100）中的颗粒污染的方法和系统，其中离子注入系统具有源（120）、质量分析器（136）、解析孔（138）、减速抑制板（146）以及终端站（106）。通过离子源形成离子束（114），而工件（110）在外部环境和用于离子注入的终端站之间转移。在转移工件的同时，调制施加到减速抑制板的减速抑制电压（148），使离子束扩张和收缩，其中解析孔的一个或更多表面及/或在解析孔下游的一个或更多部件受到离子束的冲击，其中减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或更多表面上而造成的以后对工件的污染。通过移除之前沉积的物质或者将之前沉积的物质有力地附着到所述一个或更多表面，能够减轻污染。

Description

用于减少颗粒的真空限束孔清洁

技术领域

本发明一般涉及离子注入系统，尤其是涉及用于控制离子注入系统的颗粒污染的系统和方法。

背景技术

在半导体器件和其它产品的制造中，使用离子注入系统来赋予杂质(通常所说的掺杂元素)到半导体晶片、显示面板或其它工件中。常规离子注入系统或离子注入器用离子束处理工件以便产生n或p型掺杂区域，或者在工件中形成钝化层。当用于掺杂半导体时，离子注入系统注入选定种类离子以产生期望的非本征材料。例如，从原材料诸如锑、砷或磷产生的注入离子形成n型非本征材料晶片。替代地，从诸如硼、镓或铟的材料产生的注入离子在半导体晶片中形成p型非本征材料部分。

常规离子注入系统包括使期望的掺杂元素离子化的离子源，然后掺杂元素被加速而形成具有指定能量的离子束。离子束对准工件的表面以便用掺杂元素注入工件。离子束的高能离子穿透工件的表面从而它们嵌入到工件材料的晶格中以形成具有期望导电率的区域。注入过程典型地在高真空处理室中完成，这样防止离子束由于和残余气体分子碰撞而分散，并使工件被空气中的颗粒污染的风险最小化。

离子剂量和能量是普遍用来限定离子注入的两个变量。离子剂量与用于给定半导体材料的注入离子的浓度有关。典型地，大电流注入器(一般大于10毫安(mA)离子射束电流)用于大剂量注入，而中电流注入器(一般能达到大约1mA离子射束电流)用于较小剂量应用。离子能量用于控制在半导体器件中的结深。构成离子束的离子的能量决定注入离子的深浅程度。高能处理，诸如用于在半导体器件中形成退化型井(retrogradewell)的那些，一般需要高达几百万电子伏(Mev)的注入，而浅结可能只要求1千电子伏(keV)以下的能量。

半导体器件的变得越来越小的持续趋势要求具有离子源的注入器能够在低能量下输送高射束电流。高射束电流提供必需的剂量水平，同时低能量水平允许浅注入。例如，在互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中的源/漏结需要这样的大电流、低能量应用。

发明内容

本发明提供一种用于减小离子注入系统中的颗粒污染的方法和系统。下面提出本发明的简化的概要以便提供对本发明的一些方面的基本理解。本摘要并非对本发明的详尽总结。意思是既非确定本发明的关键或核心元件，也并非要描绘本发明的范围。它的目的是以简单的形式提出本发明的一些概念作为后面要提出的更详细的描述的先导。

本发明大致指向用于减小离子注入系统中的颗粒污染的方法和系统。根据一个典型方面，提供离子注入系统例如大电流离子注入系统，其具有离子源、位于质量分析器的出口附近的解析孔，以及减速抑制板及/或位于解析孔下游的孔。终端站进一步设置在减速抑制板和解析孔的下游，其中终端站构造成在离子注入期间支撑工件。在一个例子中，在终端站之前，等离子体洪流容纳围绕物(也被称为等离子体洪流组件)及/或一个或多个接地参照孔进一步设置在解析孔的下游。

根据本发明的一个典型方面，离子束由离子源形成并被质量分析，其中离子束因此通过解析板、减速抑制板。减速抑制电压被施加到减速抑制板，其中选择性地从离子束剥离电子并聚焦离子束。在一个例子中，工件位于终端站中并用来自离子束的离子注入，其中工件随后被从终端站移走至外部环境，而另一工件被移入终端站中用于注入。与工件在终端站和外部环境之间转移同时发生的是，调制减速抑制电压，其中扩张和收缩离子束的高度及/或宽度。因而例如解析孔的一个或多个表面在减速抑制电压调制期间被扩展和收缩的离子束冲击，其中大致减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或多个表面上而造成的以后对工件的污染。例如，调制减速抑制电压通过从所述一个或多个表面溅出之前沉积的物质大致从所述一个或多个表面移除之前沉积的物质。替代的，取决于例如离子束的种类、质量及/或能量，调制减速抑制电压大致增强之前沉积的物质对所述一个或多个表面的附着。

根据另一典型方面，减速抑制电压同时影响从离子束移除电子和对离子束的聚焦，其中调制减速抑制电压在离子束上的影响导致在一定范围的减速抑制电压上的对离子束的高度及/或宽度的净调制。因此，离子束被大致扩展和收缩或者“扫”过位于解析孔的下游的部件。因此，离子束的扩张和收缩导致离子束冲击至少解析孔的一个或多个表面，其中大致将之前沉积的物质溅射干净，及/或将之前沉积的物质有力地附着或贴附到所述一个或多个表面，其中使由于薄膜应力造成沉积物质分层的机会最小化。

根据又一方面，通过移动小的颗粒或者位于相关表面(诸如在等离子体洪流组件中的孔或开口之间的表面)上的之前沉积的物质，例如等离子体洪流组件或任何下游围绕物得到清洁，其中所述移动足以让所述颗粒通过所述孔或开口掉落。

根据另一例子，在工件被移入和移出终端站的同时，减速抑制电压被调制在零伏和操作抑制电压之间。在另一例子中，在工件被移入或移出终端站的同时，减速抑制电压被循环地改变一个或多个周期。

为了实现前述和相关目的，本发明包括下面完整描述并在权利要求中特别指出的特征。下面的描述和附图详细阐明了本发明的一些说明性实施例。然而，这些实施例只是指出本发明的原理可以应用的各种方法中的几种。在结合附图考虑时，从下面对本发明的详细描述中，本发明的其它目的、优点和新颖特征将变得显而易见。

附图说明

图1为根据本发明一个方面的典型离子注入系统的平面图。

图2为根据本发明另一个方面的另一典型离子注入系统的详细平面图。

图3为根据本发明的另一个典型方面的用于在注入离子到一个或多个工件期间减小颗粒污染的典型方法的框图。

具体实施方式

本发明一般指向用于减小与注入离子到一个或多个工件有关的颗粒污染的系统和方法。特别是，所述方法在离子注入系统中在离子束通过质量分析器以后提供离子束的扩张和收缩，其中一个或多个下游部件的一个或多个表面在工件传送到/传送出离子注入系统的终端站期间暴露至扩张的离子束。

因此，下面将参照附图来描述本发明，在附图中从始至终相同的附图标记用来指代相同的元件。应该理解，对这些方面的描述仅仅是说明性的，不应该将它们认为是限制性的涵义。在下面的描述中，为了说明的目的，将阐明无数具体细节以便提供对本发明的彻底理解。然而，对本领域技术人员来说，显然可以在没有这些具体细节的情况下将本发明付诸实践。

现在参考图1和2，概略地示出了典型离子注入系统100，其中所述典型离子注入系统适于实现本发明的一个或更多方面。应该注意到，虽然离子注入装置100作为一个例子在图中示出，本发明可以使用其它不同类型的离子注入装置和系统(诸如高能系统、低能系统或者其它注入系统)付诸实践，所有这样的系统都被认为是落入本发明的范围内。

例如，图1和2的离子注入系统100包括终端102、束线组件104以及终端站106(例如，总称为处理室)，其中通过图1中所示的一个或更多真空泵108，离子注入系统一般放置在真空中。离子注入系统100例如构造成注入离子到工件110(例如，半导体晶片、显示面板等)中。在一个例子中，离子注入系统100构造成注入离子到单个工件110中(例如，“串行”离子注入器)，其中工件一般停靠在位于终端站106内的支撑件112(例如，基座或静电卡盘)上。替代地，离子注入系统100构造成注入离子到多个工件110中(例如“批量”离子注入器)，其中终端站106包括转动浅盘(未示出)，在浅盘上几个工件相对于离子束114平移。应该注意到能够操作以从离子源抽取离子并将离子注入到一个或更多工件中的任何离子注入装置都被认为是落入本发明的范围内。然而，本发明已经在具有相对短的束线长度的离子注入系统100(例如大电流离子注入系统)中示出特别的用处。

终端102例如包括由源电源122供电的离子源120，以及抽取组件124，所述组件由抽取电源126供电以便通过施加到其上的抽取电压V_ex从离子源120抽取离子，由此提供抽取到的离子束114到束线组件104。抽取组件124，例如结合束线组件104，可操作成将离子指向停靠在终端站106中的支撑件112上的工件110，以给定能量水平注入到所述工件上。

在一个例子中，离子源120包括等离子体室(未示出)，在该室中处理材料M_source的离子在高正电势V_source下被激发。应该注意到，一般产生正离子，但是本发明也可应用到源120产生的是负离子的系统。抽取组件124还包括等离子体电极130和一个或多个抽取电极132，其中等离子体电极相对于一个或多个抽取电极被偏压，但相对于离子源120内的等离子体漂移(例如，等离子体电极相对于工件110在120kV下，其中工件一般被接地)。一个或多个抽取电极132例如被偏压在小于等离子体电极130的电压下(例如抽取电压V_Extract为0-100kV)。一个或多个抽取电极132相对于等离子体的负的相对电势形成静电场，该静电场可以抽取并加速正离子从离子源120离开。例如，一个或多个抽取电极132具有一起有关的一个或多个抽取孔134，带正电荷的离子通过所述一个或多个抽取孔离开离子源120而形成离子束114，所抽取出的离子的速度一般由提供到一个或多个抽取电极的电势V_Extract决定。

根据本发明的一个典型方面，束线组件104包括在离子源120附近具有入口的束导引器135(例如，与抽取孔134有关)、接受抽取的离子束114的质量分析器136，以及带有解析板138的出口，其中质量分析器一般形成偶极子磁场以便只让具有适当电荷质量比或范围的离子(例如，具有期望质量范围的离子的质量分析离子束)有效通过到位于终端站106中的工件110。一般，在离子源120中的源材料的电离产生一种具有期望原子质量的带正电荷的离子。然而，除了所述期望类型的离子，电离过程也会产生一定比例的具有其它原子质量的离子。具有高于或低于正确原子质量的离子不适合注入并被叫做不期望类型。质量分析器136产生的磁场一般导致离子束114中的离子在曲线轨迹中移动，因此，建立磁场使得只有具有和期望离子种类的原子质量相等的原子质量的那些离子会横穿射束路径P到终端站106。

根据本发明的另一方面，在图1的束导引器135的出口处的解析板138与质量分析器136协力操作，以便从离子束114去掉其原子质量接近但是不完全等于期望种类的离子的原子质量的不期望种类离子。解析板138例如由玻璃石墨或者另一种材料诸如钨或钽构成，并包括一个或多个细长孔140，其中在离子束114中的离子在它们离开束导引器135时穿过所述孔。在解析板138处，从离子束110的路径P离子分散(例如，在P’处示出的)处于其最小值，离子束的宽度(P’-P’)在离子束114穿过解析孔140处为最小值。

在一个例子中，质量分析器136的磁场的强度和定向，以及从离子源120抽取的离子的速度，由控制器142确定，从而一般只有原子量等于期望种类的原子量(或电荷质量比)的离子才会横穿预定的期望的离子束路径P到终端站106。在一个例子中，控制器142可操作为控制离子注入系统100的所有方面。例如，控制器142可操作为控制电源122以产生离子，以及控制抽取电源126，其中离子束路径P一般受到控制。在其它控制中，控制器142例如还可操作为调整与质量分析器136有关的磁场的强度和定向。在另一个例子中，控制器142还操作为控制工件110在终端站106内的位置，并且可进一步构造成控制工件在终端站106和外部环境143之间的传递。应该意识到，控制器142可包括处理器、计算机系统及/或用于系统100的整体控制的操作者(例如，计算机系统结合操作者的输入)。

原子质量明显大于或明显小于期望离子原子质量的不期望种类离子被从图1的束导引器135内的期望射束路径P急剧偏转，并且一般不离开束导引器。然而，如果不期望离子的原子质量非常接近期望种类的原子质量，不期望离子的轨迹将仅仅稍微偏离期望的射束路径P。因此，仅仅稍微偏离期望射束路径P的这样的不期望离子倾向于冲击解析孔140的面向上游表面144。在大电流离子注入系统100中，射束路径P的长度相对较短，离子束114的减速(例如，称为“减速模式”)经常希望恰好在离子束冲击工件110之间发生。在这样的系统中，在解析板138的下游设置了减速抑制板146，其中由减速抑制电压源148提供的减速抑制电压V_Decel一般让离子束减速并防止电子沿着束线P向上游行进。此外在减速抑制板146的下游设置接地板150以便抵消减速抑制板146的下游效果。减速抑制板146和接地板150例如被进一步用作光学装置以便聚焦减速离子束114。应该注意到，尽管在一个例子中使用减速抑制板146以提供对离子束的减速及/或抑制，减速抑制板可以由任何电学偏压板及/或孔构成，所有这样的板及/或孔都被认为是落入本发明的范围内。

根据一个例子，施加到减速抑制板的减速抑制电压V_Decel一般决定在环绕离子束114的等离子体外套中的电子的量。在例如从离子束114中去除足够数量的电子以后，会出现一种称为射束“爆发”的情况，这种情况指在离子束内的带相同电荷(正)的离子彼此排斥(也被称为空间电荷效应)。这种相互排斥导致具有期望形状的离子束会从预期束线路径P发散开来。因此，减速抑制板146进一步提供对离子束的光学聚焦(在电子被从离子束114剥除出去时)，离子束的高度和宽度一般至少部分地基于从离子束剥除的电子的数量及/或与减速抑制板有关的聚焦光学装置而决定。

在另一例子中，等离子体电子洪流(PEF)围绕物152进一步位于孔接地板150沿离子束路径P的下游，其中PEF围绕物构造成提供电子到离子束114以便控制在工件110上的电荷，同时还控制与离子束有关的空间电荷以便控制在工件附近的离子束爆发或扩张。根据另一例子，PEF围绕物152包括带有百叶窗的围绕物154。

在离子注入系统100的操作期间，污染物质诸如不期望种类离子、从解析孔140、束导引器135等溅出的碳、来自离子源120的掺杂物质，以及从工件110溅出的光阻剂和硅往往积累在离子注入系统的邻近离子束114的一个或多个内表面156上。尤其是，在重复进行离子注入到工件110中以后，图2中所示的解析板138的围绕解析孔140的面向上游的横截面158倾向于积累污染物质(未示出)。此外，来自工件110的光阻剂物质本身也会积累在离子注入装置100的内表面156上。

在与解析板138和终端站106之间的部件有关的一个或多个内表面156上的污染物质积累倾向于在注入期间最终剥落，这样产生不利的电荷和颗粒问题。此外，在解析孔140附近积累的污染物还使射束路径P的外端(extremity)附近的期望离子撞击并逐出积聚的污染物。被逐出的污染物会进一步行进至工件110的表面，从而潜在地在得到的注入后工件上造成各种不期望的影响。例如，被逐出的污染物可能还进入部件(诸如减速抑制板146)产生的高电场，其中造成产生额外颗粒的有害电弧放电。离子束爆发可能出现的更多并从表面将颗粒运送到离子束的路径的外面。因此，在离子束114的运送中的这种中断有很大的可能会不利地影响剂量的一致性以及注入后的工件110的整体质量。

因而，根据本发明的另一方面，图3示出典型方法200，其用于减小对离子注入系统中的工件造成的颗粒污染。尽管这里典型方法示出并描述为一系列动作或事件，应该意识到，本发明不限于所述动作或事件的所示出的顺序，因为除了这里示出的描述的情形以外，依照本发明，一些步骤可能出现在不同的顺序中及/或与其它步骤同时发生。另外，并非需要所有示出的步骤来实施依照本发明的方法。此外，应该意识到，可以连同这里示出和描述的系统以及连同未示出的其它系统来实施所述方法。

如图3所示，方法300开始是在动作205中提供离子注入系统，其中所述离子注入系统构造成经由离子束注入离子到一个或多个工件中，例如图1-2中的离子注入系统100。尽管图1-2的离子注入系统100示出为一个例子，可以提供具有相似或不相似的部件的各种其它离子注入系统用于当前描述的方法的注入，并且所有这样的离子注入系统都被认为是落入本发明的范围内。例如，在动作205中提供的离子注入系统包括离子源、位于质量分析器的出口附近的解析孔、位于解析孔的下游的减速抑制板，以及构造成在离子注入期间支撑工件的终端站。

根据一个例子，在动作210中通过离子源形成离子束。减速抑制电压被进一步施加到减速抑制板，其中电子被选择性从离子束剥离并且离子束被大致聚焦，如上面描述的那样。因而，例如位于减速抑制板的下游的工件被来自减速后的离子束的离子注入。一旦完成充分注入，在动作215中工件被从终端站转移至外部环境，另一工件可以从外部环境移动到终端站中以进行离子注入。

根据本发明，一般与动作215中的工件的移入/移出终端站同时发生的，在动作220中被施加到减速抑制板的减速抑制电压受到调制，其中扩张和收缩离子束。有利地，动作220与工件在终端站和外部环境之间转移时的时间段同时进行(例如，在动作215中在工件交换期间)，其中减小了由于物质经由离子束被送到工件而造成的工件污染的可能性。

在动作220的离子束的扩张和收缩期间，例如，至少解析孔的一个或更多表面受到扩张和收缩的离子束的冲击。例如，在动作220期间，解析孔、减速抑制板和任何接地参照孔或其它位于解析孔下游的组件受到扩张和收缩的离子束的冲击。通过在动作220中调制减速抑制电压，之前沉积(例如，溅出)到与解析孔、减速抑制板和任何参照孔或其它的位于解析孔下游的组件有关的一个或更多表面上的物质被大致减轻，如下面将进一步描述的那样。

这样，减速抑制电压被调制在最大电压和最小电压之间，其中扩张和收缩离子束穿过解析孔、减速抑制板和任何接地参照孔或者其它位于解析孔下游的组件的横截面，既不会污染工件同时又使离子注入系统的停工时间最小化。因此，离子束一般扫过解析孔及/或位于解析孔下游的部件。这样，离子束的扩张和收缩导致离子束冲击至少解析孔的一个或更多表面，其中大致将之前沉积的物质溅射干净，及/或将之前沉积的物质有力地粘附或粘贴到所述一个或更多表面，其中使由于薄膜应力造成的沉积的材料出现分层的机会最小化。之前沉积的物质是被移除还是更有力地粘附到所述一个或更多表面，例如由所用的特定离子束的质量或能量决定。无论如何，本发明降低了在后面的离子注入过程中之前沉积的材料有害地冲击工件的可能性。

在一个例子中，至少用扩张和收缩的离子束冲击解析孔的至少前表面和侧表面，其中将至少解析孔的前表面和侧表面溅射干净。因此，在当前例子中，有利的是离子束在工件转移期间并不消失。此外，注意到调制减速抑制电压一般不会明显影响解析孔上游的离子束。

依照又一典型方面，动作220包括调制减速抑制电压在零伏和某个操作抑制电压(例如150keV)之间。该操作抑制电压例如一般是在向工件中进行离子注入期间所使用的减速抑制电压。减速抑制电压的调制，例如在工件转移期间循环一个或多个周期。工件在终端站和外部环境之间的转移例如可以在小于大约3秒的时间内完成，其中减速抑制电压在所述大约小于3秒的时间内受到调制，并且一旦准备好用离子注入工件就回到期望的减速抑制电压。

根据又一典型方面，在动作205中提供的离子注入系统还包括等离子体电子洪流(flood)围绕物，其中等离子体电子洪流围绕物的至少一个或更多表面还被动作220的扩张和收缩的离子束冲击，其中大致移除之前溅射/沉积的物质及/或残留的颗粒。例如，通过冲击与等离子体洪流组件或下游围绕物有关的一个或更多表面(其中从相关表面逐出小的颗粒)，动作220让等离子体洪流组件的基部或下游围绕物得到清洁。例如逐出或移动所述小的颗粒还是大致充分的，以允许颗粒通过等离子体洪流组件的孔或开口掉落，其中大致将污染从等离子体洪流组件移除。根据又一例子，关于是否沉积的物质将要被从所述一个或更多表面上溅出或者被有意地更有力地附着(例如“贴附”)到所述一个或更多表面，要作出决定。通过将沉积的物质贴附到所述一个或更多表面，沉积的物质不那么容易在后面的工件处理期间被溅射出去。决定是否溅出或贴附所沉积的物质要至少部分地基于期望的离子束能量及/或被注入的种类的特性(例如质量)。

虽然已经关于某些优选实施例示出和描述了本发明，显然本领域技术人员在阅读和理解该说明书和附图以后会想到等同替代方案和变型。尤其是关于上面描述的部件(组件、装置、电路等)所完成的各种功能，用于描述这样的部件的术语(包括提到“装置”)的意思是对应(除非另外指明)能够完成所描述部件的指定功能的任何部件(即，功能上等同)，即使那些部件在结构上不等同于此处示出的本发明典型实施例中所公开的完成所述功能的结构。另外，尽管仅仅关于几个实施例中的一个描述本发明的特定特征，这样的特征可以和其它实施例的一个或其它特征相结合，所述结合是可期望的并且可能对于任何给定或特定应用来说是有利的。

Claims (20)

1.一种用于减小离子注入系统中的颗粒污染的方法，所述方法包括：

提供离子注入系统，所述离子注入系统具有离子源、位于质量分析器的出口附近的解析孔、位于解析孔的下游的减速抑制板，以及构造成在离子注入工件期间支撑工件的终端站；

通过离子源形成离子束；

施加减速抑制电压到减速抑制板，其中选择性地从离子束剥离电子并聚焦离子束；

在终端站和外部环境之间转移工件；及

在工件转移的同时调制减速抑制电压，其中扩张和收缩离子束的高度及/或宽度，其中解析孔的一个或多个表面被扩张和收缩的离子束冲击，其中减少由残留在所述一个或多个表面上的之前沉积的物质以后对工件的污染。

2.根据权利要求1所述的方法，其中减速抑制电压同时影响从离子束移除电子以及对离子束的聚焦，其中调制减速抑制电压对离子束的影响导致在减速抑制电压的范围上净调制离子束的高度及/或宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压包括在零伏和操作抑制电压之间改变所述减速抑制电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压包括周期地改变减速抑制电压一个或多个周期。

5.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压不影响解析孔上游的离子束。

6.根据权利要求1所述的方法，其中至少解析孔的所述一个或多个表面包括能够选择的解析孔的至少前表面和侧表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在终端站和外部环境之间转移工件用小于3秒的时间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中离子注入系统还包括等离子体电子洪流围绕物或等离子体电子流围绕物，其中等离子体电子洪流围绕物的至少一个或多个表面受到扩张和收缩的离子束的冲击，其中移除残留在其上的之前沉积的物质。

9.根据权利要求8所述的方法，其中之前沉积的物质通过等离子体电子洪流围绕物中的一个或多个开口掉落。

10.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压从所述一个或多个表面移除所述之前沉积的物质。

11.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压增强所述之前沉积的物质对所述一个或多个表面的附着或附着力。

12.一种用于减小在离子注入系统中的颗粒污染的方法，所述方法包括：

提供离子注入系统，所述离子注入系统具有离子源、质量分析器、位于质量分析器的出口附近的解析孔、位于解析孔的下游的减速抑制板，以及终端站；

通过离子源形成离子束；

从外部环境转移工件到终端站中；

施加减速抑制电压到减速抑制板，其中在离子束冲击工件之前从离子束剥离电子；

将来自离子束的被减速的离子注入到工件中；

将工件从终端站转移到外部环境；及

在工件移入和移出终端站的同时调制减速抑制电压，其中使离子束扩张和收缩，其中解析孔及/或解析孔下游的一个或多个部件的一个或多个表面被扩张和收缩的离子束冲击，其中减少由残留在所述一个或多个表面上的之前沉积的物质以后对工件的污染。

13.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压包括在零伏和操作抑制电压之间改变所述减速抑制电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压包括周期地改变减速抑制电压一个或多个周期。

15.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压从所述一个或多个表面移除所述之前沉积的物质。

16.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压增强之前沉积的物质对所述一个或多个表面的附着或附着力。

17.根据权利要求12所述的方法，其中在终端站和外部环境之间转移工件用小于3秒的时间。

18.根据权利要求12所述的方法，其中在解析孔下游的所述一个或多个部件包括等离子体电子洪流围绕物，其中等离子体电子洪流围绕物的至少一个或多个表面受到扩张和收缩的离子束的冲击，其中移除残留在其上的之前沉积的物质。

19.一种用于减小注入离子到工件期间的颗粒污染的系统，所述系统包括：

在构造成形成离子束的离子注入系统中，所述离子注入系统具有离子源、位于质量分析器的出口附近的解析孔、位于解析孔的下游的减速抑制板、减速抑制电压源，以及构造成在通过离子束将离子注入工件期间支撑工件的终端站；

减速抑制电压源，操作地连接到减速抑制板，其中供应到减速抑制板的预定减速抑制电压能够用来基于所述减速抑制电压从离子束剥离电子；

转移机构，其构造成在终端站和外部环境之间转移所述工件；及

控制器，其构造成在转移工件的同时，在预定的低电压和预定的减速抑制电压之间选择性地调制减速抑制电压，其中扩展和收缩离子束，其中至少解析孔的一个或多个表面被扩张和收缩的离子束冲击，其中减少由残留在所述一个或多个表面上的之前沉积的物质以后对工件的污染。

20.根据权利要求19所述的系统，其中控制器构造成在工件在终端站和外部环境之间转移的同时，在零伏和预定的减速抑制电压之间选择性地调制减速抑制电压。