CN103177999A - 一种沉积减反射膜工序用的石墨框 - Google Patents
一种沉积减反射膜工序用的石墨框 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103177999A CN103177999A CN2011104310094A CN201110431009A CN103177999A CN 103177999 A CN103177999 A CN 103177999A CN 2011104310094 A CN2011104310094 A CN 2011104310094A CN 201110431009 A CN201110431009 A CN 201110431009A CN 103177999 A CN103177999 A CN 103177999A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- frame
- silicon chip
- graphite frame
- solar cell
- graphite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 title abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种沉积减反射膜工序用的石墨框，包括四周的边框以及中心区域的太阳能电池硅片放置框，所述石墨框的中心区域具有七排太阳能电池硅片放置框，且每排太阳能电池硅片放置框具有七个太阳能电池硅片放置框。本发明所提供的石墨框，充分利用现有技术中石墨框的四周边框区域，通过减小四周边框的宽度，增加位于石墨框的中心区域的太阳能电池硅片放置框的个数，从而将每次石墨框中的太阳能电池硅片放置框的个数增加到7*7个，进而在不提高成本的前提下，将太阳能电池的产量提高了36％，而且减少了石墨框四周边框的耗材，增加了石墨框的实用性。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种沉积减反射膜工序用的石墨框。
背景技术
常规太阳能电池的制备过程主要包括：制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD、印刷、烧结和测试。其中，PECVD工序是在硅片表面沉积一层折射率低于硅片本身折射率的氮化硅薄膜，从而起到减反射的作用。而PECVD工序用的石墨框是太阳能电池生产过程中的重要工装。参考图1，现有技术中的石墨框，长度约1000mm，宽度约1000mm，边框宽度约100mm。该石墨框中心区域具有6*6个正方形结构的太阳能电池硅片放置框，其中，每个太阳能电池硅片放置框的边长为126mm。
在太阳能电池生产过程中，每个太阳能电池硅片都要放置到石墨框内才能在其表面沉积减反射膜。因此，每个石墨框内一次所承载的太阳能电池硅片的个数直接影响着太阳能电池的产量。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种沉积减反射膜工序用的石墨框，该石墨框可以一次承载49个太阳能电池硅片，从而在不提高成本的前提下，将太阳能电池的产量提高了36％。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种沉积减反射膜工序用的石墨框，包括四周的边框以及中心区域的太阳能电池硅片放置框，所述石墨框的中心区域具有七排太阳能电池硅片放置框，且每排太阳能电池硅片放置框具有七个太阳能电池硅片放置框。
优选的，所述石墨框的长度和宽度均在995～1005的范围内。
优选的，所述石墨框的长度和宽度均为1000mm。
优选的，所述四周的边框的宽度在31～35的范围内。
优选的，所述四周的边框的宽度为32.85mm。
优选的，所述太阳能电池硅片放置框具有正方形结构。
优选的，所述正方形的边长为126mm。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的石墨框，充分利用现有技术中石墨框的四周边框区域，通过减小四周边框的宽度，增加位于石墨框的中心区域的太阳能电池硅片放置框的个数，从而将每次石墨框中的太阳能电池硅片放置框的个数增加到7*7个，进而在不提高成本的前提下，将太阳能电池的产量提高了36％，而且减少了石墨框四周边框的耗材，增加了石墨框的实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中所提供的石墨框的结构示意图；
图2为本发明中所提供的石墨框的结构示意图。
图2中示出了：四周边框1、中心区域2、太阳能电池硅片放置框3。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术部分所述，现有技术中的石墨框具有6*6个正方形结构的太阳能电池硅片放置框，严重制约着太阳能电池的产量。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种沉积减反射膜工序用的石墨框，该石墨框包括四周的边框以及中心区域的太阳能电池硅片放置框，其中，所述石墨框的中心区域具有七排太阳能电池硅片放置框，且每排太阳能电池硅片放置框具有七个太阳能电池硅片放置框。
本发明中所提供的石墨框的长度和宽度均在995～1005的范围内，相应的，所述石墨框四周边框的宽度在31～35的范围内，通过缩小所述四周边框的宽度，从而充分利用所述石墨框的预留空间，将每次石墨框中的太阳能电池硅片放置框的个数增加到7*7个，进而提高了太阳能电池的产量。
下面结合附图对本发明实施例中所提供的石墨框进行详细描述。
参考图2，图2为本发明实施例中所提供的石墨框的结构示意图，本发明实施例中以所述石墨框的长度a和宽度a为1000mm为例进行说明。
本发明实施例中所提供的石墨框，通过减小所述石墨框四周边框1的宽度b，将所述四周边框1的宽度b由原来的100mm减至32.85mm，从而使得所述石墨框的中心区域2具有更多的空间来设置太阳能电池硅片放置框3，进而在所述石墨框的中心区域2形成七排太阳能电池硅片放置框3，且每排太阳能电池硅片放置框3具有七个太阳能电池硅片放置框3。
本发明实施例中所述太阳能电池硅片放置框3具有正方形结构，所述正方形的边长c为126mm，即每个太阳能电池硅片放置框3的边长为126mm，且相邻太阳能电池硅片放置框3间的距离相同。
本发明实施例中所提供的石墨框，通过将所述石墨框四周边框的宽度缩小，充分利用所述石墨框的预留空间，将原来石墨框中的六排太阳能电池硅片放置框，且每排太阳能电池硅片放置框具有六个太阳能电池硅片放置框，增加到七排太阳能电池硅片放置框，且每排太阳能电池硅片放置框具有七个太阳能电池硅片放置框，从而将太阳能电池生产过程中，石墨框每次承载的太阳能电池硅片的个数由36个增加到49个，进而在不提高成本的前提下，将太阳能电池的产量提高了36％，在减少了石墨框四周边框的耗材的同时，增加了石墨框的实用性。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种沉积减反射膜工序用的石墨框，包括四周的边框以及中心区域的太阳能电池硅片放置框，其特征在于，所述石墨框的中心区域具有七排太阳能电池硅片放置框，且每排太阳能电池硅片放置框具有七个太阳能电池硅片放置框。
2.根据权利要求1所述的石墨框，其特征在于，所述石墨框的长度和宽度均在995～1005的范围内。
3.根据权利要求2所述的石墨框，其特征在于，所述石墨框的长度和宽度均为1000mm。
4.根据权利要求2所述的石墨框，其特征在于，所述四周的边框的宽度在31～35的范围内。
5.根据权利要求3所述的石墨框，其特征在于，所述四周的边框的宽度为32.85mm。
6.根据权利要求1所述的石墨框，其特征在于，所述太阳能电池硅片放置框具有正方形结构。
7.根据权利要求6所述的石墨框，其特征在于，所述正方形的边长为126mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011104310094A CN103177999A (zh) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 一种沉积减反射膜工序用的石墨框 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011104310094A CN103177999A (zh) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 一种沉积减反射膜工序用的石墨框 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103177999A true CN103177999A (zh) | 2013-06-26 |
Family
ID=48637769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011104310094A Pending CN103177999A (zh) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 一种沉积减反射膜工序用的石墨框 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103177999A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005139524A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Kaneka Corp | Ｃｖｄ装置及びｃｖｄ方法 |
| CN201397821Y (zh) * | 2009-05-07 | 2010-02-03 | 锦州华昌光伏科技有限公司 | 石墨载板 |
| CN201712951U (zh) * | 2010-06-10 | 2011-01-19 | 常州天合光能有限公司 | 减反射膜设备用石墨框 |
| CN201788990U (zh) * | 2010-07-22 | 2011-04-06 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种用于硅片镀膜的承载装置 |
-
2011
- 2011-12-20 CN CN2011104310094A patent/CN103177999A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005139524A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Kaneka Corp | Ｃｖｄ装置及びｃｖｄ方法 |
| CN201397821Y (zh) * | 2009-05-07 | 2010-02-03 | 锦州华昌光伏科技有限公司 | 石墨载板 |
| CN201712951U (zh) * | 2010-06-10 | 2011-01-19 | 常州天合光能有限公司 | 减反射膜设备用石墨框 |
| CN201788990U (zh) * | 2010-07-22 | 2011-04-06 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种用于硅片镀膜的承载装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103346211B (zh) | 一种背接触太阳能电池及其制作方法 | |
| CN108336154A (zh) | 晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2008177539A5 (zh) | ||
| TWI536597B (zh) | A low cost, suitable for mass production of back contact with the battery production methods | |
| CN210897302U (zh) | 太阳能电池 | |
| CN103117331B (zh) | 一种n型异质结太阳电池及其制作方法 | |
| CN100576580C (zh) | 太阳能电池的后制绒生产工艺 | |
| CN207529945U (zh) | 太阳能电池的电极结构 | |
| CN104134707A (zh) | 有利于减少正面栅线数目的异质结电池及其制备方法 | |
| CN102738288A (zh) | 非晶硅钝化n型背接触电池及其制备方法 | |
| CN205452299U (zh) | 一种背钝化晶体硅太阳能电池 | |
| CN103367542A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103579408B (zh) | 一种bipv薄膜光伏组件的制作方法 | |
| CN202957255U (zh) | 一种太阳能电池片正面电极结构 | |
| CN106129173B (zh) | 一种n型双面电池的制造方法 | |
| CN103177999A (zh) | 一种沉积减反射膜工序用的石墨框 | |
| WO2010086135A3 (de) | Dünnschichtsolarzelle | |
| CN103165721B (zh) | 一种并联双结太阳能电池的制造工艺 | |
| CN221960982U (zh) | 一种双面N-Topcon背结电池 | |
| CN210560743U (zh) | 一种perc电池的石墨框 | |
| CN203325915U (zh) | 晶体硅太阳能电池 | |
| CN203103339U (zh) | 一种镀膜舟 | |
| CN206015086U (zh) | 一种适用于perc电池双面管式pecvd镀膜的石墨舟 | |
| CN205211767U (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN204315604U (zh) | 一种基于石墨烯和硒化镉纳米结构的叠层太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Shen Gang Town Cheng Road Jiangyin city Jiangsu Province, Wuxi City, No. 1011, 214443 Applicant after: China National Building Materials Group Corporation Jetion Solar (China) Co., Ltd. Address before: Shen Gang Town Cheng Road Jiangyin city Jiangsu Province, Wuxi City, No. 1011, 214443 Applicant before: Jetion Solar(China) Co., Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: JETION TECHNOLOGY CO., LTD. TO: CNBM JETION SOLAR (CHINA) TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130626 |