CN103137568B - 具有支撑体的封装基板及其制法 - Google Patents

Abstract

一种具有支撑体的封装基板及其制法，该制法通过于一支撑结构的相对两侧形成多个电性接触垫，再将该支撑结构分离成两支撑体，以形成两具有该支撑体的封装基板，使一次制程可制造出两批封装基板供后续封装制程使用，所以可提升生产效率，以降低制作成本。

Description

具有支撑体的封装基板及其制法

技术领域

本发明涉及一种封装基板，尤指一种具有支撑体的封装基板及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势，且同时迈向微型化(miniaturization)的发展。目前用于承载芯片的载板种类中，以导线架(leadframe)作为芯片承载件的半导体封件的型态及种类繁多，如现有四边形平面封装结构(Quad Flat package，QFP)。因此，遂发展出了一种新的四边扁平无导脚(Quad Flat Non-leaded，QFN)封装结构，以缩小封装结构的尺寸。

请参阅图1A至图1F，其为现有QFN封装结构1的制法的剖面示意图。

如图1A所示，于一载板10上形成铜层11。

如图1B所示，于该铜层11上经图案化微蚀以形成多个电性接触垫12与置晶垫13。

如图1C所示，于该些电性接触垫12与置晶垫13上形成表面处理层14，该表面处理层14由镍层(图中下层)与金层(图中上层)所构成。

如图1D所示，移除该些电性接触垫12与置晶垫13周围多余的铜层11，以形成封装基板1a。

如图1E所示，于该置晶垫13上承载芯片17并借由焊线170电性连接该些电性接触垫12，再形成封装胶体18于该载板10上，以包覆该些电性接触垫12、置晶垫13、芯片17与焊线170。

如图1F所示，移除该载板10，以外露出该些电性接触垫12的底部与置晶垫13的底部。

惟，现有QFN封装结构1的制法，仅能于该载板10的其中一侧上形成该些电性接触垫12与置晶垫13，所以一次制程仅能制造出一批封装基板1a，供封装制程使用，导致生产效率不佳，而难以降低制作成本。

另一方面，以封装基板作为芯片承载件的封装结构中，该封装基板可分为硬质材与软质材，一般用于球门阵列封装(Ball Grid Array，BGA)的封装基板为多选择硬质材。

请参阅图1A’至图1E’，其为现有封装结构1’的剖面示意图。

如图1A所示，首先，提供一具有相对的第一表面13a与第二表面13b的芯层13’，该芯层13’的第一与第二表面13a，13b上分别具有铜层11a，11b。

如图1B所示，于该芯层13’的第二表面13b上以激光形成多个贯穿孔130，以令该第一表面13a的铜层11a外露于该些贯穿孔130。

如图1C所示，图案化该铜层11a，11b，利用导电层10’进行电镀铜材，以于该芯层13’的第一及第二表面13a，13b上分别形成第一及第二线路层12a，12b，且于该些贯穿孔130中形成导电通孔120以电性连接该第一及第二线路层12a，12b，又该第一及第二线路层12a，12b分别具有多个第一及第二电性接触垫120a，120b。

如图1D所示，于该芯层13’的第一及第二表面13a，13b上分别形成一绝缘保护层16，且填满该导电通孔120。该绝缘保护层16具有多个开孔160，以令该些第一及第二电性接触垫120a，120b对应外露于各该开孔160，以制成该封装基板1a’。接着，于该些第一及第二电性接触垫120a，120b的外露表面上形成表面处理层14。

如图1E所示，于该绝缘保护层16上承载芯片17并借由多个焊线170电性连接该第二电性接触垫120b，再形成封装胶体18以包覆该芯片17与焊线170，且于该些第一电性接触垫120a上植接焊球19，以制成封装结构1’。为了符合微小化与可靠度的需求，于目前制程技术中，该芯层13’的厚度可缩小至60um。

惟，随着微小化的需求增加，厚度为60um的芯层13’已无法满足封装件的微小化需求，但若使该芯层13’的厚度小于60um，该封装基板1a’的总板厚R将小于130um，导致生产作业性不佳，例如：该封装基板1a’于各制程作业站中移动时容易卡板，而不利于生产，又即使能够生产，在运送或封装时也容易因厚度太薄而弯翘或破裂，导致无法使用或产品不良。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的主要目的在于揭露一种具有支撑体的封装基板及其制法，可提升生产效率，以降低制作成本。

本发明的具有支撑体的封装基板的制法，包括：将两铜箔基板片以其铜层相互叠置；于该两铜箔基板片上结合强化板体以形成支撑结构；于该强化板体上形成多个电性接触垫；以及沿该两铜箔基板片的侧边进行切割，令该两铜箔基板片相互叠置的铜层分开，使该支撑结构分离成两支撑体，以得到两具有该支撑体的封装基板。

本发明还提供一种具有支撑体的封装基板，包括：铜箔基板片、结合于该铜箔基板片上以形成支撑体的强化板体、以及形成于该强化板体上的多个电性接触垫。

前述的具有支撑体的封装基板及其制法中，该第一金属剥离层以物理方式结合该第二金属剥离层。

前述的具有支撑体的封装基板及其制法，可包括于该电性接触垫上形成表面处理层。

前述的具有支撑体的封装基板及其制法，可包括当形成该些电性接触垫时，一并于该第二金属剥离层上形成置晶垫。或者，于该第二金属剥离层与电性接触垫上形成增层结构，令该增层结构的最外层形成置晶垫。

另外，前述的具有支撑体的封装基板及其制法，于进行切割之前，可包括于该第二金属剥离层上形成第一绝缘保护层，并于该第一绝缘保护层上形成有第一开孔，以令该第二金属剥离层的部分表面外露于该第一开孔；于该第一开孔中的第二金属剥离层上形成该些电性接触垫；于该第一绝缘保护层与该些电性接触垫上形成增层结构，该增层结构具有多个电性连接垫；以及于该增层结构上形成第二绝缘保护层，并于该第二绝缘保护层上形成第二开孔，以令该些电性连接垫外露于该第二开孔。还可包括于形成该第二开孔之后，于该第二开孔中的电性连接垫上形成表面处理层。

由上可知，本发明的具有支撑体的封装基板及其制法，借由在该两铜箔基板片上结合强化板体以形成支撑结构，所以可于该支撑结构两侧制作该电性接触垫，以形成两具有该支撑体的封装基板，所以一次制程可制造出两批封装基板，供封装制程使用。因此，相较于现有技术的产能，本发明的制法可提升生产效率，以降低制作成本。

此外，借由该支撑体的厚度，使该封装基板的整体厚度可大于或等于130um，所以可避免如现有技术中的生产作业性不佳的问题。

又，本发明的封装基板减去该支撑体的厚度之后，其它结构的总厚度将大幅缩小，所以于后续封装制程中，将该支撑体移除后，可大幅降低封装结构的厚度，以满足微小化的需求。

附图说明

图1A至图1F为现有QFN封装结构的制法的剖视示意图；

图1A’至图1E’为现有封装结构的制法的剖视示意图；

图2A至图2D为本发明的具有支撑体的封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图；其中，图2C’至图2D’为图2C至图2D的另一例，图2C”为图2C’的另一实施例；

图3A至图3D为应用本发明的具有支撑体的封装基板的第一实施例之后续制法的剖视示意图；以及

图4为应用本发明的具有支撑体的封装基板之后续制法的第一实施例的另一例的剖视示意图。

图5A至图5D为本发明的具有支撑体的封装基板的制法的第二实施例的剖视示意图；以及

图6A至图6B为应用本发明的具有支撑体的封装基板的第二实施例之后续制法的剖视示意图。

主要组件符号说明

1，1，3，3’，3” 封装结构

1a，1a’，2，2’，2” 封装基板

10 载板

10’ 导电层

11，11a，11b，201，202 铜层

12，22，22’ 电性接触垫

12a 第一线路层

12b 第二线路层

120 导电通孔

120a 第一电性接触垫

120b 第二电性接触垫

13，23，23’，253 晶垫

13’ 芯层

13a 第一表面

13b 第二表面

130 贯穿孔

14，24 表面处理层

16 绝缘保护层

160 开孔

17，27 芯片

170，270 焊线

18，28 封装胶体

2a 封装单元

2b 支撑结构

2c 支撑体

20 铜箔基板片

200 绝缘层

21 强化板体

210 介电层

211 第一金属剥离层

212 第二金属剥离层

25 增层结构

250 增层介电层

251 线路层

252 导电盲孔

254 电性连接垫

26a 第一绝缘保护层

260a 第一开孔

26b 第二绝缘保护层

260b 第二开孔

29 焊球

L，S 切割线。

具体实施方式

以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“侧边”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。

请参阅图2A至图2D，其为本发明的具有支撑体2c的封装基板2的制法的第一实施例的剖视示意图。

如图2A所示，首先，提供两铜箔基板片(Copper clad laminate，CCL)20与两强化板体21，各该铜箔基板片20具有绝缘层200及设于该绝缘层200相对两侧的铜层201，202，该两铜箔基板片20以其中一铜层201相互叠置，且各该强化板体21具有介电层210、设于该介电层210上的第一金属剥离层211、及设于该第一金属剥离层211上的第二金属剥离层212。

接着，于该两铜箔基板片20上分别压合该强化板体21的介电层210，令该两介电层210合为一体以包覆该两铜箔基板片20，而固定该两铜箔基板片20，以形成支撑结构2b。

于本实施例中，该绝缘层200的材质可例如为双顺丁烯二酸醯亚胺/三氮阱(Bismaleimide triazine，简称BT)。然而，有关铜箔基板片20的种类繁多，且为业界所熟知，所以不再赘述。

此外，该介电层210的材质可例如为预浸材(prepreg，简称PP)，且该介电层210的厚度可例如为100μm，而该第一金属剥离层211与第二金属剥离层212为铜材，并且两者的厚度可为18μm及3μm。

又，该第一金属剥离层211以物理方式结合该第二金属剥离层212，且该物理方式为卡合、静电、吸附、或粘着物等，也即该第一金属剥离层211与第二金属剥离层212之间并无需借蚀刻分离。

如图2B所示，经图案化制程，于该第二金属剥离层212上形成多个电性接触垫22与置晶垫23。

然而，有关图案化制程的方法繁多，如蚀刻、电镀等，且为业界所熟知，所以不再赘述。

如图2C所示，于该些电性接触垫22上形成表面处理层24。于本实施例中，形成该表面处理层24的材质为镍/金(Ni/Au)、镍钯金(Ni/Pd/Au)或金等选择，且其形成方式可为化镀或电镀等方式，若以化镀方式形成，则该表面处理层24的材质为化镍/金(Ni/Au)、化镍钯金(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold，ENEPIG)或直接浸金(Direct Immersion Gold，DIG)。或者，并用化镀与电镀方式，即以该第二金属剥离层212为导电途径，形成例如电镀镍/化镀钯/电镀金的该表面处理层24。

如图2C’及图2C”所示，也可先不形成置晶垫23，而先于该第二金属剥离层212与电性接触垫22上形成增层结构25，再形成该表面处理层24。

其中，该增层结构25包含至少一增层介电层250、设于各该增层介电层250上的线路层251、及设于各该增层介电层250中的导电盲孔252，该导电盲孔252电性连接该线路层251与电性接触垫22，且最外层的线路层251具有置晶垫253与多个电性连接垫254，以于该些电性连接垫254上形成表面处理层24。

此外，该增层结构25可为一层(如图2C’所示)或多层(如图2C”所示的三层)。

又，本发明封装基板用于QFN封装结构中，所以不需于图2C的第二金属剥离层212、或图2C’与图2C”的增层结构25上形成绝缘保护层。

如图2D及图2D’所示，沿该两铜箔基板片20的侧边进行切割，如图2C及图2C’所示的切割线L，令该两铜箔基板片20相互叠置的铜层201自动分开，使该支撑结构2b分离成两支撑体2c，以分离出上、下侧的具有该支撑体2c的封装基板2，2’。

本发明的具有支撑体2c的封装基板2，2’的制法，主要借由在该两铜箔基板片20上结合强化板体21以形成支撑结构2b，所以可于该支撑结构2b上、下两侧同时制作该置晶垫23与电性接触垫22，再将该支撑结构2b分离成两支撑体2c，以形成两具有该支撑体2c的封装基板2，2’。因此，一次制程可制造出两批封装基板2，2’，供后续封装制程使用。

请参阅图3A至图3D，其为应用本发明的具有支撑体2c的封装基板2之后续封装制程的剖视示意图。于本实施例中，是以第2D图的封装基板2进行封装，该封装基板2具有多个封装单元2a，如图3C所示。

如图3A所示，接续图2D的制程，进行封装制程，于该置晶垫23上设置芯片27，且令该些电性接触垫22借由焊线270电性连接该芯片27；接着，于该支撑体2c的强化板体21上形成封装胶体28，以包覆该电性接触垫22、置晶垫23、芯片27与焊线270。

如图3B所示，分离该第一金属剥离层211与第二金属剥离层212，以移除该铜箔基板片20、该介电层210与第一金属剥离层211，而外露出该第二金属剥离层212。

于本实施例中，因该第一金属剥离层211以物理方式结合该第二金属剥离层212，所以分离该第一金属剥离层211与第二金属剥离层212时，仅需以如剥离的物理方式进行分离。

如图3C所示，借由蚀刻方式移除该第二金属剥离层212，且一并微蚀刻该些电性接触垫22的部分底部与置晶垫23的部分底部，以外露出该些电性接触垫22’底部与置晶垫23’底部。

如图3D所示，沿各该封装单元2a进行切割，如图3C所示的切割线S，以取得多个封装结构3，且于该电性接触垫22’底部上结合焊球29。

请参阅图4，其为应用本发明的具有支撑体2c的封装基板2’之后续封装制程的剖视示意图。于本实施例中，是以图2D’的封装基板2’进行封装，且封装制程的详细步骤可参考图3A至图3D。

如图4所示，于该增层结构25的置晶垫253上设置芯片27，且令该些电性连接垫254借由焊线270电性连接该芯片27；接着，形成封装胶体28，以包覆该电性连接垫254、置晶垫253、芯片27与焊线270。

最后，移除该铜箔基板片20与强化板体21，再进行切割与植设焊球29，以取得多个封装结构3’。

请参阅图5A至图5D，其为本发明的具有支撑体2c的封装基板2”的制法的第二实施例的剖视示意图。本实施例与第一实施例的差异在于增设绝缘保护层，其它相关制程均大致相同，所以不再赘述。

如图5A所示，于该第二金属剥离层212上形成一第一绝缘保护层26a，并借由激光或微影蚀刻的方式于该第一绝缘保护层26a中形成有多个第一开孔260a，且令该第二金属剥离层212的部分表面外露于该些第一开孔260a。

接着，借由该第一绝缘保护层26a作为图案化阻层，并以该第二金属剥离层212为导电途径，于该第一开孔260a中的第二金属剥离层212上电镀形成多个电性接触垫22。

如图5B所示，于该第一绝缘保护层26a与该些电性接触垫22上形成增层结构25。该增层结构25包含至少一增层介电层250、设于各该增层介电层250上的线路层251、及设于各该增层介电层250中的导电盲孔252，该导电盲孔252电性连接该线路层251与电性接触垫22，且最外层的线路层251具有多个电性连接垫254。

于本实施例中，该增层介电层250可作为芯层，且有关线路制程的种类繁多，并无特别限制，所以不详述。

如图5C所示，于该增层结构25上形成一第二绝缘保护层26b，该第二绝缘保护层26b具有多个第二开孔260b，以令该些电性连接垫254对应外露于各该第二开孔260b。

接着，于该第二开孔260b中的电性连接垫254上形成表面处理层24。

如图5D所示，沿该两铜箔基板片20的侧边进行切割，如图5C所示的切割线L，令该两铜箔基板片20相互叠置的铜层201自动分开，使该支撑结构2b分离成两支撑体2c，以于上、下侧分离出具有该支撑体2c的封装基板2”。

本发明的具有支撑体2c的封装基板2”的制法，借由该支撑体2c的厚度，使该封装基板2”的整体厚度可大于或等于130um，以避免如现有技术中的生产作业性不佳的种种问题。

此外，于该第二金属剥离层212上先形成第一绝缘保护层26a，再形成电性接触垫22，使该封装基板2”的相对的两侧均具有绝缘保护层(第一与第二绝缘保护层26a，26b)。

又，于后续进行封装制程之前，该封装基板2”借由铜箔基板片20与强化板体21，以提升整体封装基板2”的强度，所以于运送时不会破裂。

请参阅图6A至图6B，其为应用本发明的具有支撑体2c的封装基板2”之后续封装制程的剖视示意图。

如图6A所示，接续图5D的制程而进行封装制程，于该第二绝缘保护层26b上设置芯片27，且令该些电性连接垫254借由焊线270电性连接该芯片27；接着，于该第二绝缘保护层26b上形成封装胶体28，以包覆该芯片27与焊线270。

接着，分离该第一金属剥离层211与第二金属剥离层212，以移除该铜箔基板片20、该介电层210与第一金属剥离层211，而外露出该第二金属剥离层212。

于本实施例中，因该第一金属剥离层211以物理方式结合该第二金属剥离层212，所以分离该第一金属剥离层211与第二金属剥离层212时，仅需以如剥离的物理方式进行分离。

如图6B所示，借由蚀刻方式移除该第二金属剥离层212，且一并微蚀刻该些电性接触垫22的部分底部，以外露出该第一绝缘保护层26a与该些电性接触垫22’底部。

接着，进行切割制程，以取得多个封装结构3”，且于该电性接触垫22’上结合焊球29。

本实施例的封装基板2”减去该支撑体2c的厚度之后，其它结构的总厚度(含增层介电层250、第一绝缘保护层26a、第二绝缘保护层26b)小于60um，所以于封装制程中，移除支撑体2c(该铜箔基板片20与该强化板体21)之后，可大幅降低封装结构3”的厚度，以满足微小化的需求。

此外，该封装基板2”借由支撑体2c，以提升整体封装基板2”的强度，所以于进行封装制程时不会破裂。

又，借由于该第二金属剥离层212上形成第一绝缘保护层26a，以当移除该第二金属剥离层212后，该封装基板2”成为对称结构，以避免该封装基板2”发生翘曲(warpage)，且可借由该第一绝缘保护层26a的保护，以避免该电性接触垫22’的表面刮伤。

本发明还提供一种具有支撑体2c的封装基板2，包括：于相对两侧具有铜层201，202的铜箔基板片20、设于该铜箔基板片20的其中一铜层202上的强化板体21、以及形成于该强化板体21上的多个电性接触垫22。

所述的支撑体2c包含该铜箔基板片20与该强化板体21。

所述的铜箔基板片20还包含绝缘层200，且该铜层201，202设于该绝缘层200相对两侧。然而，铜箔基板片的种类繁多，并无特别限制。

所述的强化板体21具有结合该铜层202的介电层210、设于该介电层210上的第一金属剥离层211、及设于该第一金属剥离层211上的第二金属剥离层212；于本实施例中，该第一金属剥离层211以物理方式结合该第二金属剥离层212。

所述的电性接触垫22设于该第二金属剥离层212上，且于该些电性接触垫22上形成有表面处理层24。

所述的封装基板2还包括设于该第二金属剥离层212上的置晶垫23。

于其中一实施例中，该封装基板2’也可包括形成于该第二金属剥离层212与电性接触垫22上的增层结构25。

所述的增层结构25包含至少一增层介电层250、设于各该增层介电层250上的线路层251、及设于各该增层介电层250中的导电盲孔252，该导电盲孔252电性连接该线路层251与电性接触垫22，且最外层的线路层251具有置晶垫253与多个电性连接垫254，且于该些电性连接垫254上形成有表面处理层24。

于另一实施例中，该封装基板2”也包括形成于该第二金属剥离层212上的第一绝缘保护层26a以及设于该增层结构25上的第二绝缘保护层26b。

所述的第一绝缘保护层26a形成有多个第一开孔260a，以令该些电性接触垫22对应设于该些第一开孔260a中，且该增层结构25设于该第一绝缘保护层26a与电性接触垫22上。

所述的第二绝缘保护层26b具有多个第二开孔260b，以令该些电性连接垫254对应外露于各该第二开孔260b，以供表面处理层24形成于该电性连接垫254上。

综上所述，本发明的具有支撑体的封装基板及其制法，主要借由在该支撑结构上、下两侧制作该电性接触垫，再将该支撑结构分离成两支撑体，以形成两具有该支撑体的封装基板，所以一次制程可制造出两批封装基板，以提升生产效率，而有效降低制作成本；也可使该封装基板的整体厚度符合生产作业的需求，所以可避免生产作业性不佳的问题。

此外，当于封装制程中移除该支撑体之后，该封装基板的剩余结构的总厚度大幅降低，因而降低封装结构的厚度，以满足微小化的需求。

又，于进行封装制程时，具有该支撑体的封装基板的强度够强，所以于运送时不会破裂与进行封装制程时，该封装基板均不会破裂。

另外，借由该第一及第二绝缘保护层的设计，使该封装基板成为对称结构，以避免封装基板发生翘曲，且可避免该电性接触垫与电性连接垫的表面刮伤。

上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (13)

1.一种具有支撑体的封装基板，包括：

铜箔基板片，可分离地叠置于另一该封装基板的另一该铜箔基板片上，其中该铜箔基板片包含绝缘层及设于该绝缘层相对两侧的铜层；

强化板体，结合于该铜箔基板片的其中一铜层上以由该强化板体与该铜箔基板片形成该支撑体，该强化板体具有依序设于该其中一铜层上的介电层、第一金属剥离层、及第二金属剥离层，其中该支撑体可分离地直接配置于另一该封装基板的另一该支撑体上；

电性接触垫，其形成于该第二金属剥离层上；以及

第一绝缘保护层，其形成于该第二金属剥离层上，并形成有第一开孔，以令该电性接触垫设于该第一开孔中。

2.根据权利要求1所述的具有支撑体的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括形成于该电性接触垫上的表面处理层。

3.根据权利要求1所述的具有支撑体的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括形成于该第二金属剥离层上的置晶垫。

4.根据权利要求1所述的具有支撑体的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括形成于该第一绝缘保护层与电性接触垫上的增层结构，该增层结构包含至少一增层介电层、设于各该增层介电层上的线路层、及设于各该增层介电层中的导电盲孔，该导电盲孔电性连接该线路层与该电性接触垫，且最外层的线路层具有置晶垫与多个电性连接垫。

5.根据权利要求1所述的具有支撑体的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括：

增层结构，其形成于该第一绝缘保护层与电性接触垫上，该增层结构包含至少一增层介电层、设于各该增层介电层上的线路层、及设于各该增层介电层中的导电盲孔，该导电盲孔电性连接该线路层与该电性接触垫，且最外层的线路层具有多个电性连接垫；以及

第二绝缘保护层，其形成于该增层结构上，且形成有第二开孔，以令该些电性连接垫外露于该第二开孔。

6.根据权利要求5所述的具有支撑体的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括形成于该电性连接垫上的表面处理层。

7.一种具有支撑体的封装基板的制法，包括：

提供两铜箔基板片，各该铜箔基板片具有绝缘层及设于该绝缘层相对两侧的铜层，且该两铜箔基板片以其铜层相互叠置；

于该两铜箔基板片上结合强化板体以形成支撑结构，该强化板体具有包覆该两铜箔基板片以固定该两铜箔基板片的介电层、设于该介电层上的第一金属剥离层、及设于该第一金属剥离层上的第二金属剥离层；

于该第二金属剥离层上形成多个电性接触垫，且一并于该第二金属剥离层上形成置晶垫；以及

沿该两铜箔基板片的侧边进行切割，令该两铜箔基板片相互叠置的铜层分开，使该支撑结构分离成两支撑体，以得到两具有该支撑体的封装基板。

8.根据权利要求7所述的具有支撑体的封装基板的制法，其特征在于，该第一金属剥离层以物理方式结合该第二金属剥离层。

9.根据权利要求7所述的具有支撑体的封装基板的制法，其特征在于，该封装基板具有多个封装单元，以用于切单制程。

10.根据权利要求7所述的具有支撑体的封装基板的制法，其特征在于，该封装基板还包括于该些电性接触垫上形成表面处理层。

11.一种具有支撑体的封装基板的制法，包括：

提供两铜箔基板片，各该铜箔基板片具有绝缘层及设于该绝缘层相对两侧的铜层，且该两铜箔基板片以其铜层相互叠置；

于该两铜箔基板片上结合强化板体以形成支撑结构，该强化板体具有包覆该两铜箔基板片以固定该两铜箔基板片的介电层、设于该介电层上的第一金属剥离层、及设于该第一金属剥离层上的第二金属剥离层；

于该第二金属剥离层上形成第一绝缘保护层，并于该第一绝缘保护层上形成有第一开孔，以令该第二金属剥离层的部分表面外露于该第一开孔；

于该第一开孔中的第二金属剥离层上形成多个电性接触垫；以及

沿该两铜箔基板片的侧边进行切割，令该两铜箔基板片相互叠置的铜层分开，使该支撑结构分离成两支撑体，以得到两具有该支撑体的封装基板。

12.根据权利要求11所述的具有支撑体的封装基板的制法，其特征在于，于进行切割之前，还包括：

于该第一绝缘保护层与该些电性接触垫上形成增层结构，该增层结构包含至少一增层介电层、设于各该增层介电层上的线路层、及设于各该增层介电层中的导电盲孔，该导电盲孔电性连接该线路层与该电性接触垫，且最外层的线路层具有多个电性连接垫；以及

于该增层结构上形成第二绝缘保护层，并于该第二绝缘保护层上形成第二开孔，以令该些电性连接垫外露于该第二开孔。

13.根据权利要求12所述的具有支撑体的封装基板的制法，其特征在于，该制法包括于形成该第二开孔之后，于该第二开孔中的电性连接垫上形成表面处理层。