CN103112816B - 一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。首先在单晶硅片表面覆盖周期排布的微球，并在微球的玻璃转化温度点附近进行退火；在氧气氛围下，经感应耦合等离子体刻蚀后，得到分离排布的微球阵列；采用物理气相沉积方法在单晶硅片上均匀沉积金属钛薄膜；将带有掩膜的硅片放入含有表面活性剂的碱性溶液中腐蚀，得到有序排布的金字塔阵列。本发明方法流程简单，制备周期短，工艺成熟；通过选取和微调制备模版的方法，可以得到正金字塔阵列、倒金字塔阵列和正倒金字塔组合阵列三种结构。在光伏、磁存储器件、纳米光电器件、纳米传感器、以及表面拉曼增强和表面等离子效应的等领域有着广泛的应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。
背景技术
大小均一、排布周期有序的金字塔阵列，不仅具有特殊的尺寸和形貌效应，还具有良好的光、电、磁学性质。光伏产业常采用碱性织构方法制备随机分布的正金字塔陷光表面来增加光吸收，进而提高电池转化效率。但常规碱性织构方法制备的通常都是正金字塔,而且金字塔完全不具备周期性和均一性。目前单晶硅电池中，保持最高效率(25%)的PERL电池，采用的就是光刻技术制备的规则倒金字塔阵列来作为电池的表面减反结构，该电池的短路电流密度（Jsc）达到了42.7mA/cm2。美国麻省理工学院报道的最新结果（AnastassiosMavrokefalos，Sang Eon Han,Selcuk Yerci,Matthew S.Branham,and Gang Chen,NanoLett.2012,12,2792-2796）表明：用光刻技术在衬底上制备的周期性排布的倒金字塔阵列具有良好的陷光效果；厚度为10微米，带有倒金字塔阵列陷光结构的单晶硅片的光吸收效率几乎接近Yablonovitch limit(Yablonovitch,E.J.Opt.Soc.Am.1987,72,899-907),足可以和300微米厚的普通硅片相媲美。因此，发展一种具有高减反射作用，同时还能够适合产业化的金字塔阵列的制备技术，一方面可以大大提高单晶硅电池的效率，另一方面也可以降低材料成本。
非晶硅/晶体硅异质结（HIT）太阳电池，是一种高效晶硅太阳电池，目前松下（原三洋）公司已经获得了23.9%的最高电池效率。和晶硅电池的制备工艺类似，为增加光吸收，常采用常规碱性织构方法在单晶硅衬底表面制备金字塔陷光表面，但是，常规碱性织构方法制备的金字塔的顶部比较尖锐，而且尺寸通常在几微米到十几微米之间；在随后制备异质结的工艺中，要在晶硅衬底上覆盖一层10-20nm厚度的非晶硅薄膜，在金字塔的尖端，非晶硅薄层难以充分覆盖，严重影响了电池的性能。另一方面，常规碱性织构方法制备金字塔结构的陷光效果也不够好，表面反射率在10%左右，该电池的电流还有大的提升空间。因此制备一种尺寸较小，顶端光滑，并且陷光效果良好的金字塔阵列，将会对HIT电池效率的进一步提高带来很大帮助。
另外还有很多研究结果表明,周期排布的金字塔阵列在磁存储器件、纳米光电器件、纳米传感器、以及表面拉曼增强和表面等离子效应等众多领域有着重要的应用价值。
目前，制备金字塔阵列大都采用的是光刻技术。这种方法不仅工艺复杂，成本相对较高，而且制备纳米尺度的光刻掩膜版仍然比较困难，所以限制了其在大规模产业化方面及在制备纳米量级小尺度金字塔阵列等方面的应用。
胶体微球模版技术已在纳米材料领域被广泛使用，该技术操作简单，制备周期短，且重复性较高，制备的微球掩膜排布整齐有序，能够很好的调控纳米材料的结构和形貌。目前，尺寸从几十纳米到几十微米的掩膜微球已经商业化出售，而且还有聚苯乙烯、二氧化硅等多种材料的微球可供选择；另外，微球的大面积周期排列技术也已经在产业化中实现。物理气相沉积（热蒸发、磁控溅射等）和感应耦合等离子体刻蚀是常见的薄膜生长和刻蚀技术，设备简单，易于操作，工艺成熟，在诸多领域被广泛使用。晶硅的碱性织构技术在半导体、微电子行业被广泛利用，该工艺所需原料成本低，而且几乎不需要大型昂贵的设备，也是十分成熟的工艺。
发明内容
本发明的目的是提出一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，结合胶体微球模版技术、物理气相沉积、感应耦合等离子体刻蚀和单晶硅碱性织构等工艺制备具有不同结构的金字塔阵列，以扩展单晶硅的用途。
本发明提出的在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，制备的金字塔阵列共有三种不同的结构，其中：
第一种是在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列的方法，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，退火时长为1-3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出后，用氮气吹干，然后用去离子水冲洗干净，单晶硅片表面形成一个点状分布的微球阵列掩膜；
（4）将步骤（3）的带有点状分布微球阵列掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%-20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20%；
（5）将步骤（4）得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，用去离子水清洗干净，得到具有正金字塔阵列的单晶硅片。
第二种是在晶硅衬底上制备倒金字塔阵列的方法，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，退火时长为1-3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为10-20sccm，在功率为200-300瓦下，起辉，溅射时长为1-6分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层厚度为20-200纳米的金属钛薄膜，由于微球的遮掩，金属钛薄膜仅能沉积在微球没有覆盖的区域；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，单晶硅片表面形成一个网格状结构的金属钛薄膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有金属钛薄膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%-20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持10-20分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，用去离子水清洗干净，得到具有倒金字塔阵列的单晶硅片。
第三种是在单晶硅衬底上制备正倒金字塔组合阵列的方法，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，退火时长为1-3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使衬底表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为10-20sccm，在功率为200-300瓦下，起辉，溅射时长为1-6分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层厚度为20-200纳米的金属钛薄膜，由于微球的遮掩，金属钛薄膜仅能沉积在微球没有覆盖的区域；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面分离微球的体积缩小，单晶硅片表面形成一个由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%-20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使硅片表面残留的微球去除，然后放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持10-20分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，最后用去离子水清洗干净，得到具有正倒金字塔组合阵列的单晶硅片。
本发明提出的在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，具有以下优点：
1、本发明的方法，其中的每个工艺都是采用目前已经成熟的技术，因此设备成本较低，操作简单。
2、本发明方法中的掩膜版采用的是常规廉价的胶体微球模版，只需改变掩膜微球的尺寸，就能精确的控制金字塔阵列的尺寸大小和疏密程度，避免了每次改变尺寸要重新制备光刻掩膜版，在制备纳米量级小金字塔方面优势更加明显。
3、本发明方法中，对掩膜版工艺稍加调整，即可得到三种形貌完全不同的金字塔阵列，可以为满足多领域的需求，是一种简单、通用的制备方法。采用本发明方法制备的正金字塔阵列分立有序，在磁存储器件和表面等离子效应等方面有较高的应用潜能；制备的倒金字塔阵列在晶硅电池、纳米光电器件、纳米传感器、表面拉曼增强等方面有着广泛应用；制备的正倒金字塔组合阵列，尺寸较小，陷光效果优异，并且金字塔顶端光滑，有利于非晶硅薄层的覆盖，在HIT电池中有较高的应用潜能。
4、本发明实用性较高，所用原料价格低廉，实验周期较短。为批量化生产提供了可能。
附图说明
图1是本发明提出的在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法的流程图。
图2是本发明方法制备的正金字塔阵列扫描电镜图。
图3是本发明方法制备的倒金字塔阵列扫描电镜图。
图4是本发明方法制备的正倒金字塔组合阵列扫描电镜图，腐蚀时间为3分30秒。
图5是本发明方法制备的正倒金字塔组合阵列扫描电镜图，腐蚀时间为7分钟。
图6是本发明方法制备的倒金字塔阵列和正倒金字塔组合阵列和抛光硅片以及采用常规方法制备的金字塔表面的反射谱对比图。
图1中，虚线箭头表示制备正金字塔阵列的流程，实线箭头表示制备正倒金字塔组合阵列的流程，点实线箭头表示制备倒金字塔阵列的流程。
具体实施方式
本发明提出的在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，其中制备的金字塔阵列共有三种不同的结构，详细介绍如下：
第一种在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列的方法，其流程图如图1中的虚线箭头所示，制备的正金字塔阵列扫描电镜图如图2所示，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为1-3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出后，用氮气吹干，然后用去离子水冲洗干净，单晶硅片表面形成一个点状分布的微球阵列掩膜；
（4）将步骤（3）的带有点状分布微球阵列掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%-20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20%；
（5）将步骤（4）得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，用去离子水清洗干净，得到具有正金字塔阵列的单晶硅片。
第二种在单晶硅衬底上制备倒金字塔阵列的方法，其流程图如图1中的点实线箭头所示，制备的倒金字塔阵列扫描电镜图如图3所示，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为1-3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为10-20sccm，在功率为200-300瓦下，起辉，溅射时长为1-6分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层厚度为20-200纳米的金属钛薄膜，由于微球的遮掩，金属钛薄膜仅能沉积在微球没有覆盖的区域；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，单晶硅片表面形成一个网格状结构的金属钛薄膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有金属钛薄膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%-20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持10-20分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，用去离子水清洗干净，得到具有倒金字塔阵列的单晶硅片。
第三种在晶硅衬底上制备正倒金字塔组合阵列的方法，其流程图如图1中的实线箭头所示，制备的正倒金字塔组合阵列扫描电镜图如图4的短时间腐蚀（3分30秒）和图5的长时间腐蚀（7分钟）所示，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为1-3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使衬底表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为10-20sccm，在功率为200-300瓦下，起辉，溅射时长为1-6分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层厚度为20-200纳米的金属钛薄膜，由于微球的遮掩，金属钛薄膜仅能沉积在微球没有覆盖的区域；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面分离微球的体积缩小，单晶硅片表面形成一个由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%-20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使硅片表面残留的微球去除，然后放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持10-20分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，最后用去离子水清洗干净，得到具有正倒金字塔组合阵列的单晶硅片。
本发明方法中，微球在刻蚀前要经过快热退火，退火温度设定在微球材料的玻璃转化温度点附近，退火时长在1-3分钟之间；其中刻蚀微球的方法可以为感应耦合等离子体刻蚀，也可以采用反应离子刻蚀或离子束刻蚀等方法；其中沉积在带有分离微球的单晶硅片表面的金属，可以为不与碱性溶液反应的钛，也可以是铬、金或铜等金属；其中用于处理胶体微球的溶液，可以为苯、甲苯、对甲苯、乙酸乙酯或四氢呋喃等多种有机溶剂；其中用于碱性腐蚀的碱液，可以为氢氧化钠、氢氧化钾等无机碱液，也可以为四甲基氢氧化铵等有机碱液。
以下介绍本发明方法的实施例：
实施例一：
在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为1微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为115℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为2分钟30秒；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为150瓦，刻蚀时间为2分钟30秒；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出后，用氮气吹干，然后用去离子水冲洗干净，单晶硅片表面形成一个点状分布的微球阵列掩膜；
（4）将步骤（3）的带有点状分布微球阵列掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀3分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%，异丙醇的质量百分比浓度为18%；
（5）将步骤（4）得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3分钟，使单晶硅片表面的微球去除，用去离子水清洗干净，得到具有正金字塔阵列的单晶硅片。
实施例二：
在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为2.5微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为125℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为1分钟30秒；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为200瓦，刻蚀时间为1分钟30秒；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡4秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出后，用氮气吹干，然后用去离子水冲洗干净，单晶硅片表面形成一个点状分布的微球阵列掩膜；
（4）将步骤（3）的带有点状分布微球阵列掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀8分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%，异丙醇的质量百分比浓度为13%；
（5）将步骤（4）得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，用去离子水清洗干净，得到具有正金字塔阵列的单晶硅片。
实施例三：
在单晶硅衬底上制备倒金字塔阵列，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为1.3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为115℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为2分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为125瓦，刻蚀时间为3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为10sccm，在功率为220瓦下，起辉，溅射时长为5分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层金属钛薄膜，金属钛薄膜的厚度为150纳米；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3分钟，使单晶硅片表面的微球去除，单晶硅片表面形成一个网格状结构的金属钛薄膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有金属钛薄膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀2分钟30秒，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为20%，异丙醇的质量百分比浓度为20%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持19分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，用去离子水清洗干净，得到具有倒金字塔阵列的单晶硅片。
实施例四：
在单晶硅衬底上制备倒金字塔阵列，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为2微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为125℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为1分钟20秒；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为200瓦，刻蚀时间为1分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为20sccm，在功率为280瓦下，起辉，溅射时长为2分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层金属钛薄膜，金属钛薄膜的厚度为80纳米；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，单晶硅片表面形成一个网格状结构的金属钛薄膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有金属钛薄膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀10分钟30秒，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%，异丙醇的质量百分比浓度为13%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持12分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，用去离子水清洗干净，得到具有倒金字塔阵列的单晶硅片。
实施例五：
在晶硅衬底上制备正倒金字塔组合阵列，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为2微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为130℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为1分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使衬底表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为250瓦，刻蚀时间为1分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为18sccm，在功率为275瓦下，起辉，溅射时长为1分钟30秒，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层金属钛薄膜，金属钛薄膜的厚度为55纳米；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡3秒，使单晶硅片表面分离微球的体积缩小，单晶硅片表面形成一个由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀3分钟30秒，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为16%，异丙醇的质量百分比浓度为19%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片，放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持4分钟，使硅片表面残留的微球去除，然后放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持12分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，最后用去离子水清洗干净，得到具有正倒金字塔组合阵列的单晶硅片。图4是本实施例制备的正倒金字塔组合阵列扫描电镜图，腐蚀时间为3分30秒。
实施例六：
在晶硅衬底上制备正倒金字塔组合阵列，包括以下步骤：
（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为1微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110℃，聚苯乙烯微球的玻璃转化温度为120℃，退火时长为3分钟；
（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使衬底表面密排的微球彼此分离，刻蚀后的微球直径由刻蚀参数和刻蚀时间决定，刻蚀的功率为100瓦，刻蚀时间为3分钟；
（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为12sccm，在功率为220瓦下，起辉，溅射时长为5分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层金属钛薄膜，金属钛薄膜的厚度为150纳米；
（4）将步骤（3）的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡3秒，使单晶硅片表面分离微球的体积缩小，单晶硅片表面形成一个由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜，用去离子水冲洗干净；
（5）将步骤（4）的带有由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀7分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为20%，异丙醇的质量百分比浓度为16%；
（6）将步骤（5）得到的单晶硅片，放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3分钟30秒，使硅片表面残留的微球去除，然后放入体积百分比浓度为20%的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持18分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，最后用去离子水清洗干净，得到具有正倒金字塔组合阵列的单晶硅片。图5是本发明方法制备的正倒金字塔组合阵列扫描电镜图，腐蚀时间为7分钟。
图6是本发明方法制备的倒金字塔阵列和正倒金字塔组合阵列和抛光硅片以及采用常规方法制备的金字塔表面的反射谱对比图。从图6中可以看出，本发明制备的倒金字塔阵列和正倒金字塔组合阵列具有明显的陷光效应，而且陷光效果比常规织构方法制备的硅片还要好。
Claims (2)
1.一种在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，退火时长为1-3分钟；
(2)采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
(3)将步骤(2)的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出后，用氮气吹干，然后用去离子水冲洗干净，单晶硅片表面形成一个点状分布的微球阵列掩膜；
(4)将步骤(3)的带有点状分布微球阵列掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15％-20％，异丙醇的质量百分比浓度为10％-20％；
(5)将步骤(4)得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，用去离子水清洗干净，得到具有正金字塔阵列的单晶硅片。
2.一种在单晶硅衬底上制备正倒金字塔组合阵列的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130℃，退火时长为1-3分钟；
(2)采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使衬底表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟；
(3)将步骤(2)的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3×10-3帕后，通入氩气，气体流量为10-20sccm，在功率为200-300瓦下，起辉，溅射时长为1-6分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层厚度为20-200纳米的金属钛薄膜，由于微球的遮掩，金属钛薄膜仅能沉积在微球没有覆盖的区域；
(4)将步骤(3)的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面分离微球的体积缩小，单晶硅片表面形成一个由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜，用去离子水冲洗干净；
(5)将步骤(4)的带有由点状分布微球阵列和网格状结构金属钛薄膜组成的复合掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60℃的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15％-20％，异丙醇的质量百分比浓度为10％-20％；
(6)将步骤(5)得到的单晶硅片，放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使硅片表面残留的微球去除，然后放入体积百分比浓度为20％的氢氟酸溶液中，在超声波作用下，保持10-20分钟，使单晶硅片表面的金属钛薄膜去除，最后用去离子水清洗干净，得到具有正倒金字塔组合阵列的单晶硅片。
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