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CN103118812B - 轧制铜箔 - Google Patents

轧制铜箔 Download PDF

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CN103118812B
CN103118812B CN201180046620.3A CN201180046620A CN103118812B CN 103118812 B CN103118812 B CN 103118812B CN 201180046620 A CN201180046620 A CN 201180046620A CN 103118812 B CN103118812 B CN 103118812B
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Abstract

本发明提供使表面适度变粗糙、操作性提高，进而挠曲性优异，并且表面蚀刻特性良好的轧制铜箔。在轧制平行方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60RD为100以上且300以下，在200℃加热30分钟调质为再结晶组织的状态下，由轧制面的X射线衍射求得的（200）面的强度（I）相对于由微粉铜的X射线衍射求得的（200）面的强度（I0）为I／I0≥50，在铜箔表面于轧制平行方向长度为175μm、并且在轧制垂直方向分别相隔50μm以上的3根直线上，相当于油坑的最大深度的各直线的厚度方向的最大高度和最小高度之差的平均值d，和前述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，在轧制平行方向测定的表面的60度光泽度G60RD，和在轧制垂直方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60TD的比率G60RD/G60TD小于0.8。

Description

轧制铜箔
技术领域
本发明涉及适用于要求挠曲性的FPC的轧制铜箔。
背景技术
对用于挠曲用FPC（挠性印刷电路基板）的铜箔要求高挠曲性。作为用于赋予铜箔挠曲性的方法，已知有提高铜箔的（200）面的晶向的取向度的技术（专利文献1），使贯通铜箔的板厚方向的晶粒的比例增多的技术（专利文献2），铜箔的相当于油坑(oil pit)的深度的表面粗糙度Ry（最大高度）降低至2.0μm以下的技术（专利文献3）。
通常的FPC制造步骤如下所示。首先将铜箔与树脂膜接合。接合中，有通过对涂布于铜箔的清漆施加热处理来进行亚胺化的方法、将带有粘接剂的树脂膜和铜箔重叠进行层合的方法。将通过这些步骤接合的带有树脂膜的铜箔称为CCL（覆铜层叠板）。通过该CCL制造步骤中的热处理，铜箔进行再结晶。
但是，使用铜箔来制造FPC时，为了使与覆盖膜的密合性提高而蚀刻铜箔表面时，有时会在表面产生直径数10μm左右的凹陷（碟型下陷）。认为其原因在于，若再结晶退火后以立方体组织生长的方式将晶向控制为（200）面，则在均匀的组织中单独地存在不同晶向的晶粒。而且，蚀刻速度根据所蚀刻的结晶面而有所不同，因此，该单独晶粒比周围蚀刻得更深而形成凹陷。该凹陷成为使电路的蚀刻性降低，或在外观检查中判定为不良而使产率降低的原因。
作为降低这种凹陷的方法，报告有如下的技术：轧制前或轧制后在铜箔的表面进行机械研磨而赋予成为加工改质层的应变后，进行再结晶（专利文献4）。根据该技术，通过加工改质层而使再结晶后在表面突发不均匀的晶粒，则晶向不同的晶粒变得不会单独存在。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3009383号公报
专利文献2：日本特开2006-117977号公报
专利文献3：日本特开2001-058203号公报
专利文献4：日本特开2009-280855号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，专利文献4所记载的技术的情况，不均匀的晶粒多，铜箔表面的结晶不取向于（200）面，因此有挠曲性降低的问题。
另一方面，可判断为确保与制造铜箔时的辊的密合性，或使铜箔制品的操作变得容易，进行的是增大最终冷轧中的辊粗糙度以使铜箔表面变粗糙，但铜箔表面变粗糙时，铜箔表面的结晶的取向度降低，挠曲性变差，或者易发生碟型下陷。
即，本发明是为了解决上述技术问题而完成的发明，目的在于提供使铜箔表面适度地变粗糙，提高操作性，进而挠曲性优异，同时表面蚀刻特性良好的轧制铜箔。
用于解决技术问题的方法
本发明人等进行了各种研究，结果发现在最终冷轧的最终轧制道次之前不使铜箔的表面变得过于粗糙，而在最终冷轧的最终轧制道次使铜箔的表面变得粗糙，由此使最终的铜箔表面变得粗糙，同时使剪切变形带变少，使挠曲性提高，碟型下陷变少。
为了实现上述目的，本发明的轧制铜箔在轧制平行方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60RD为100以上且300以下，在200℃加热30分钟调质为再结晶组织的状态下，由轧制面的X射线衍射求得的（200）面的强度（I）相对于由微粉铜的X射线衍射求得的（200）面的强度（I0）为I／I0≥50，在铜箔表面于轧制平行方向长度为175μm，且在轧制垂直方向分别相隔50μm以上的3根直线上，相当于油坑的最大深度的各直线的厚度方向的最大高度和最小高度之差的平均值d，和前述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，并且在轧制平行方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60RD，和在轧制垂直方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60TD的比率G60RD /G60TD小于0.8。
将上述200℃×30分钟热处理后的铜箔表面电解研磨后，利用EBSD观察时，自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率优选20％以下。
将铸块热轧后，反复冷轧和退火，最后进行最终冷轧而制造，在该最终冷轧步骤中，在最终轧制道次的前一轧制道次的阶段，在轧制平行方向测定的表面的60度光泽度G60RD优选大于300。
发明效果
根据本发明，可获得使铜箔表面适度地粗糙，提高操作性，进而挠曲性优异，并且表面蚀刻特性良好的轧制铜箔。
附图说明
[图1]　显示铜箔表面的粗糙度和剪切变形带的关系的图。
[图2]　显示油坑和光泽度的关系的图。
[图3]　显示相当于油坑的最大深度的平均值d的测定方法的图。
[图4]　显示实施例1的光学显微镜图像的图。
[图5]　显示比较例3的光学显微镜图像的图。
[图6]　显示实施例1的EBSD测定结果的图。
[图7]　显示比较例1的EBSD测定结果的图。
[图8]　显示通过挠曲试验装置进行挠曲疲劳寿命的测定的方法的图。
具体实施方式
以下，对本发明实施方式涉及的轧制铜箔进行说明。应予说明，本发明中只要没有特殊说明，则％表示质量％。
首先，参照图1对本发明的技术思想进行说明。使最终冷轧中的辊粗糙度变大而使铜箔表面变粗糙时，铜箔的操作性提高，但挠曲性低下，或者易发生碟型下陷（图1的现有例1）。认为其原因在于，通过最终冷轧中的粗糙的辊，在铜箔厚度方向产生剪切变形带，进而继续轧制，剪切变形带成长。
另一方面，以往已知为了获得铜箔的挠曲性而提高光泽度（表面粗糙度）的方法。认为其原因在于，通过用粗糙度低的辊进行最终冷轧，在铜箔的厚度方向难以产生剪切变形带。但是，使铜箔的光泽度提高（表面粗糙度变小）时，铜箔的操作性降低（图1的以往例2）。
与此相对，本发明人发现，在最终冷轧的最终轧制道次之前，不使铜箔的表面过于粗糙（例如，用粗糙度低的辊进行轧制），在最终冷轧的最终轧制道次使铜箔的表面变得粗糙（例如，用粗糙的辊进行轧制），由此，最终的铜箔的表面变得粗糙，同时剪切变形带变少，使挠曲性提高，碟型下陷变少（图1的本发明例）。
即，以往一直认为铜箔的取向性单纯依赖于铜箔表面的粗糙度，但实际可知材料内部的剪切变形带的规模影响取向度（和碟型下陷）。并且，在最终冷轧中，如果在最终轧制道次以前的轧制道次中可充分抑制剪切带的成长，则即使在最终轧制道次中将铜箔表面粗糙地精加工，也能获得高的取向性。
但是，上述剪切带的成长度不能仅由以往使用的光泽度的值来明确地获得。即，如图1的“本发明例”所示，使最终的铜箔的表面变粗糙，同时使剪切变形带变少时，则油坑浅并且具有一定程度的宽度，进而油坑的发生频率变少（参照图2（a）），这难以体现在与油坑的方向垂直的轧制平行方向RD的光泽度中。另一方面，从与轧制垂直方向TD观察时，由于油坑具有一定程度的宽度，因此比平行方向容易捕获油坑的形状或频率的变化。
参照图2说明这种油坑和光泽度的关系。图2（a）、（b）、（c）分别对应图1的“本发明例”、“以往例1”、“以往例2”的铜箔表面。
首先，在图2（a）的“本发明例”的情况下，沿轧制平行方向测定光泽度GRD时，不能检测到在油坑反射光的方向改变，光泽度降低。另一方面，沿轧制垂直方向TD测定光泽度GTD时，油坑沿TD延伸，因此即使在油坑反射光的方向发生横向（向RD方向）偏离也可以检测到，光泽度提高。即，与GRD相比，GTD相对变高，测定后述的60度光泽度时，则满足G60RD /G60TD＜0.8的关系。
接着，图2（b）的“以往例1”的情况，铜箔表面变得过于粗糙，油坑的深度和长度（发生频率）增加，即使沿轧制平行方向RD和轧制垂直方向TD中任一方向测定光泽度，在油坑中也因反射光的方向改变而无法检测，光泽度降低。此时，与GRD相比，GTD相对变低，测定后述的60度光泽度时，则满足G60RD /G60TD＞1的关系。
另一方面，在图2（c）的“以往例2”的情况下，铜箔表面变得过于平滑，油坑变得过于浅，因此即使沿轧制平行方向RD测定光泽度GRD，在油坑中反射光的方向也难以改变，光泽度提高。即，与GTD相比，GRD相对变高，因此测定后述的60度光泽度时，则G60RD /G60TD的关系接近1（即，RD和TD的各向异性变小）。但是，如“以往例1”那样，由于铜箔表面不粗糙，因此成为G60RD /G60TD＜1。
接下来，对本发明的轧制铜箔的规定和组成进行说明。
（1）光泽度G60RD
使在轧制平行方向RD测定得到的表面的60°光泽度G60RD为100以上且300以下。G60RD超过300时，则铜箔表面变得过于平滑，铜箔制造时与辊的密合性降低，或铜箔制品的操作具有难度。另一方面，G60RD小于100时，则铜箔表面变得过于粗糙，在材料内部剪切变形带成长而铜箔表面的结晶的取向度降低，挠曲性变差，或易产生碟型下陷。
（2）G60RD /G60TD
如上所述，通过在最终冷轧的最终轧制道次之前，不使铜箔的表面过于粗糙，而在最终冷轧的最终轧制道次使铜箔的表面变粗糙，由此最终的铜箔的表面变粗糙，同时剪切变形带变少，挠曲性提高，碟型下陷变少。并且，由本发明人等的实验（下述的实施例）可知，这种剪切变形带少的表面成为G60RD /G60TD＜0.8。因此，规定轧制平行方向测定得到的表面的60°光泽度G60RD，和轧制垂直方向测定得到的表面的60°光泽度G60TD的比率G60RD /G60TD小于0.8。此外，采用比率是为了抵消整体的光泽度的影响。
成为G60RD /G60TD≥0.8时，则如上述图2（b）那样，铜箔表面变得过于平滑，铜箔制造时与辊的密合性降低，或铜箔制品的操作具有难度。另外，如上述图2（c）那样成为G60RD /G60TD＞1时，则铜箔表面变得过于粗糙，剪切变形带成长，挠曲性降低，或者容易产生碟型下陷。
此外，作为使G60RD /G60TD＜0.8的方法，如上述那样在最终冷轧中，在最终轧制道次以前的轧制道次抑制剪切带的成长，即在最终冷轧的最终轧制道次以前的轧制道次中，使用粗糙度（表面粗糙度Ra例如为0.05μm以下）比较小的辊进行轧制即可。另一方面，在最终冷轧的最终轧制道次中，使用粗糙度（表面粗糙度Ra例如为0.06μm以上）比较大的辊进行轧制，以使最终所得的铜箔表面变得粗糙即可。
在此，在最终冷轧中，在最终轧制道次的前一轧制道次的阶段，使在轧制平行方向测定得到的表面的光泽度G60RD大于300时，则在最终冷轧的最终轧制道次以前的轧制道次中，铜箔表面变得比较平滑，剪切变形带难以被引入，因此优选。
（3）d/t
铜箔的厚度t变薄时，即使相同的表面粗糙度，表面凹凸在铜箔厚度中所占的比例也变大，因此有时不能充分进行利用上述G60RD /G60TD的铜箔表面的评价。因此在本发明中通过规定d/t≤0.1，可以不依靠铜箔的厚度进行铜箔表面的评价。
在此，d是指如图3所示在铜箔表面上于轧制平行方向RD长度为175μm，并且在轧制垂直方向TD上分别相隔50μm以上的3根直线L1～L3上，相当于油坑的最大深度的各直线L1～L3的厚度方向的最大高度HM和最小高度HS之差di的平均值。具体来说，利用接触式粗糙度，测定L1～L3上的厚度方向的分布来求出最大高度HM和最小高度HS，将各直线L1～L3的di平均即可。
铜箔（或铜合金箔）的厚度没有特别的限制，例如可适合使用5～50μm者。
（4）I／I0
在200℃下加热30分钟调质至再结晶组织的状态下，规定由轧制面的X射线衍射求出的（200）面的强度（I）相对于由微粉铜的X射线衍射求出的（200）面的强度（I0）为I／I0≥50。由此，挠曲性优异的（200）面的取向度提高。成为I／I0＜50时，挠曲性降低。上述200℃30分钟的退火是模仿在CCL制造步骤中赋予铜箔的温度经历。
（5）利用EBSD的取向差
在200℃下加热30分钟调质至再结晶组织的状态下，电解研磨铜箔表面后用EBSD观察时，优选自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率为20％以下。上述200℃30分的退火是模仿在CCL制造步骤中赋予铜箔的温度经历。此外，对已经接受了热经历而成为CCL的铜箔，也可在200℃下加热30分钟。热处理直至一次再结晶的铜箔的组织，即使在此之上再加热，也几乎没有变化，因此用EBSD观察时，接受了热经历的铜箔和未接受的铜箔没有区别，而均在200℃下加热30分钟。
用EBSD观察时，如果上述面积率小于20％，则铜箔表面的晶粒相互间的取向差小，在均匀的组织中晶向不同的晶粒单独地存在的比例变少，因此由蚀刻引起的凹陷（碟型下陷）降低。此外，利用EBSD观察时，为使上述面积率小于20％，可如上所述在最终冷轧中在最终轧制道次以前的轧制道次中抑制剪切带的成长，即在最终冷轧的最终轧制道次以前的轧制道次中使用粗糙度（表面粗糙度Ra例如为0.05μm以下）比较小的辊进行轧制。
（6）组成
作为铜箔，可使用纯度99.9wt％以上的韧铜、无氧铜，另外，根据要求的强度、导电性可使用公知的铜合金。无氧铜规格为JIS-H3510（合金编号C1011）、JIS-H3100（合金编号C1020），韧铜规格为JIS-H3100（合金编号C1100）。
作为公知的铜合金，例如，可列举掺有0.01～0.3wt％锡的铜合金（更优选掺有0.001～0.02wt％锡的铜合金）；掺有0.01～0.05wt％银的铜合金；掺有0.005～0.02wt％铟的铜合金；掺有0.005～0.02wt％铬的铜合金；以总计0.05wt％以下含有选自锡、银、铟、和铬中的一种以上的铜合金等，其中，作为导电性优异者，多使用Cu-0.02wt％Ag。
接着，对本发明的轧制铜箔的制造方法的一例进行说明。首先，将铜和必要的合金元素、进而包含不可避免的杂质的铸块热轧后，反复冷轧和退火，最后在最终冷轧中精加工为规定厚度。
在此，如上所述，通过在最终冷轧的最终轧制道次之前不使铜箔的表面过于粗糙，而在最终冷轧的最终轧制道次使铜箔的表面变粗糙，由此使最终的铜箔的表面变粗糙，同时剪切变形带变少，挠曲性提高，碟型下陷变少。并且，这种剪切变形带少的表面成为G60RD /G60TD＜0.8。
因此，在最终冷轧的最终轧制道次之前，为了不使铜箔的表面过于粗糙，可以使用粗糙度（表面粗糙度Ra例如为0.05μm以下）比较小的辊进行轧制，或者增大最终冷轧中的1轧制道次加工度进行轧制。另一方面，在最终冷轧的最终轧制道次使用粗糙度（表面粗糙度Ra例如为0.06μm以上）比较大的辊进行轧制，或使用粘度高的轧制油进行轧制，使最终所得的铜箔表面粗糙。
此外，为了使最终的铜箔的表面变粗糙，同时剪切变形带变少，在最终冷轧的最终2轧制道次、或最终轧制道次，如上所述，需要使用粗糙的辊或使用粘度高的轧制油进行轧制，但从调整容易方面出发，优选调整最终轧制道次中的轧制条件。另一方面，若自最终冷轧的最终3轧制道次以前将辊的粗糙度变粗糙时，则剪切变形带成长。
此外，可调整退火条件，以使最终冷轧之前的退火所得的再结晶粒的平均粒径为5～20μm。另外，可以使最终冷轧中的轧制加工度为90％以上。
实施例
铸造以添加了表1所示组成的元素的韧铜或无氧铜作为原料的铸锭，在800℃以上进行热轧直至厚度为10mm，对表面的氧化皮进行平面切削后，反复冷轧和退火，最后在最终冷轧中精加工至厚度为0.012mm（实施例1～9，比较例1～7）。其中，实施例10中使精加工厚度为0.018mm，实施例11中使精加工厚度为0.006mm。使最终冷轧中的轧制加工度为99.2％。
此外，最终冷轧进行10～15轧制道次，如表1所示，改变最终轧制道次之前的辊的表面粗糙度、和最终轧制道次的辊的表面粗糙度进行轧制。从最终轧制道次的第1轧制道次至最终轧制道次之前的辊的表面粗糙度完全相同。
此外，表1的组成栏中的“添加0.02%Ag的TPC”是指向JIS-H3100（合金编号C1100）的韧铜（TPC）中添加了0.02质量％的Ag。另外，表1的组成栏中的“添加0.007%Sn的OFC”是指向JIS-H3100（合金编号C1020）的无氧铜（OFC）中添加了0.007质量％的Sn。其中，仅在实施例6中使用了规格为JIS-H3510（合金编号C1011）的无氧铜（OFC）作为无氧铜，实施例4、5、7、9、10、比较例7使用了规格为JIS-H3100（合金编号C1020）的无氧铜（OFC）作为无氧铜。
对这样得到的各铜箔试样，进行各特性的评价。
（1）光泽度
分别沿轧制平行方向RD，和轧制垂直方向TD，根据JIS-Z8741测定铜箔表面的光泽度G60RD、G60TD。
（2）立方体集合组织
将试样在200℃下加热30分钟后，求出由轧制面的X射线衍射求得的（200）面强度的积分值（I）。将该值除以预先测定的微粉铜（325目，在氢气流中在300℃下加热1小时后使用）的（200）面强度的积分值（I0），计算I／I0值。
（3）油坑的最大深度（平均值d）
使用接触式粗糙度计（小坂研究所制 SE-3400），如图3所示，分别求出在铜箔表面于轧制平行方向RD长度为175μm，并且在轧制垂直的方向TD上分别相隔50μm以上的3根直线L1～L3上的最大高度HM和最小高度HS之差di。将各直线L1～L3的di求平均记为d。此外，记为d(mm)/t(mm)。
（4）利用EBSD的取向差
将（2）中在200℃下加热30分钟后的试样表面电解研磨后用EBSD（背散射电子射线衍射装置，日本电子株式会社JXA8500F，加速电压20kV，电流2e-8A，测定范围1000μm×1000μm，步长5μm）观察。通过图像解析求出自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率。进而，以目视计数在试样表面1mm见方的观察范围内结晶粒径大于20μm的个数。并且，对包含该观察范围的试样，使用アデカテックCL-8（株式会社アデカ制）20%溶液，在常温下蚀刻2分钟，用光学显微镜拍摄蚀刻后的表面，将所得图像明暗二值化，将短径超过50μm的暗部作为碟型下陷进行计数。此外，蚀刻后的铜箔表面成为反映了晶向的形状，具有[100]取向的组织成为与铜箔表面平行的面，相对于此，具有其他晶向的部分出现因晶向引起的凹凸。因此，用光学显微镜观察时碟型下陷的部分暗。
此外，图4表示实施例1的光学显微镜图像，图5表示比较例3的光学显微镜图像。另外，图6表示实施例1的EBSD测定结果，图7表示比较例1的EBSD测定结果。在图6、图7中，灰色、黑色的区域表示自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒。
（5）表面的伤痕
目视观察各试样的表面，在轧制方向具有10mm以上长度的伤痕，5处/m2以上的情况记为×。
（6）挠曲性
将试样在200℃下加热30分钟而再结晶后，利用图4所示的挠曲试验装置，进行挠曲疲劳寿命的测定。该装置为振荡驱动器4上结合了振动传动构件3而成的结构，被试验铜箔1通过箭头表示的螺钉2的部分和3的前端部共计4点固定于装置。振动部3进行上下驱动时，铜箔1的中间部以规定的曲率半径r挠曲为U字形状。在该试验中，在以下的条件下求出反复挠曲时直至断裂的次数。
此外，板厚为0.012mm时，试验条件如下所述：试验片宽度：12.7mm，试验片长度：200mm，试验片采取方向：以试验片的长度方向变得与轧制方向平行的方式采取，曲率半径r：2.5mm，振动冲程：25mm，振动速度：1500次／分。此外，挠曲疲劳寿命为3万次以上时，判断为具有优异的挠曲性。
另外，板厚分别为0.018mm、0.006mm时，为了使弯曲应变与板厚为0.012mm时的挠曲试验相同，将曲率半径r分别改变为4mm、1.3mm，但其他试验条件相同。
得到的结果示于表1。
[表1]
由表1可知，在G60RD为100以上且300以下且I／I0≥50，并且d/t为0.1以下，G60RD/G60TD小于0.8的各发明例的情况下，利用EBSD的自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率小于20％，碟型下陷的个数少，进而在铜箔表面没有伤痕，挠曲性也优异。
另一方面，在最终冷轧中，直至最终轧制道次之前的辊的表面粗糙度、和最终轧制道次的辊的表面粗糙度均为Ra=0.05μm以下的比较例1、5、7的情况，铜箔表面的G60RD超过300，铜箔表面带有伤痕，操作性差。此外，在比较例5的情况，最终冷轧中的轧制加工度变低为96％，因此I／I0＜50，即使光泽度提高，自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率也超过20％，会大量产生碟型下陷。
在最终冷轧中，直至最终轧制道次之前的辊的表面粗糙度变粗糙为Ra=0.06μm以上，最终轧制道次的辊的表面粗糙度为Ra=0.05μm以下的比较例2的情况下，上述面积率超过20％，碟型下陷的个数增加。另外，铜箔表面的G60RD超过300，在铜箔表面带有伤痕，操作性差。
在最终冷轧中，直至最终轧制道次之前的辊的表面粗糙度、和最终轧制道次的辊的表面粗糙度均变粗糙为Ra=0.06μm以上的比较例3，4，6的情况下，上述面积率超过20％，碟型下陷的个数增加。
此外，在比较例3，4的情况下，最终冷轧的所有轧制道次的辊表面粗糙度变得粗糙，因此剪切变形带在材料内部成长，铜箔表面的结晶的取向度降低，成为I／I0＜50。另一方面，比较例6的情况下，直至最终轧制道次之前的辊的粗糙度较比较例3、4平滑，因此光泽度和I／I0成为较比较例3、4都高的值，但剪切带的抑制变得不充分，上述面积率超过20％，碟型下陷的个数增加。此外，可认为在直至最终轧制道次之前的辊粗糙度为0.07μm的状态下，具有使通板速度降低以抑制剪切带等的方法，但此时光泽度超过300，表面伤痕判定为×。

Claims (3)

1.轧制铜箔，其中，在轧制平行方向测定得到的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60RD为100以上且300以下，在200℃加热30分钟调质为再结晶组织的状态下，由轧制面的X射线衍射求得的（200）面的强度I相对于由微粉铜的X射线衍射求得的（200）面的强度I0为I／I0≥50，
在铜箔表面于轧制平行方向长度为175μm，并且于轧制垂直方向分别相隔50μm以上的3根直线上，各直线的厚度方向的最大高度和最小高度之差的平均值d，和前述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，
在轧制平行方向测定得到的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60RD，和在轧制垂直方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60TD的比率G60RD /G60TD小于0.8。
2.根据权利要求1所述的轧制铜箔，其中，将所述200℃×30分钟热处理后的铜箔表面电解研磨后，利用背散射电子射线衍射装置观察时，自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率为20％以下。
3.根据权利要求1或2所述的轧制铜箔，其中，将铸块热轧后，反复冷轧和退火，最后进行最终冷轧而制造，在该最终冷轧步骤中，在最终轧制道次的前一轧制道次的阶段，在轧制平行方向测定的表面的60度光泽度G60RD大于300。
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