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CN103050603A - Led封装结构的制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种LED封装结构的制作方法，包括步骤：提供一承载座，该承载座包括基板以及第一电极和第二电极，该基板包括一凹杯，该基板还包括贯通该凹杯一侧的第一通道；设置一LED芯片于凹杯内并与第一电极和第二电极达成电性连接；覆盖一盖板于该承载座上，并与该凹杯形成一收容空间；及从第一通道往收容空间内注入流体材料并固化形成封装结构。由于在生成封装结构前先以一盖板覆盖于承载座上，使承载座的凹杯与盖板之间形成一收容空间，则注塑过程中可注入足够多的流体材料以避免封装结构成型后可能出现凹面的情况。并且封装结构的形状得到盖板的限制，则避免了封装结构成型后可能出现的凸面情况。由于LED的出光面平整，不会影响芯片的出光光场。

Description

LED封装结构的制作方法
技术领域
本发明设计一种半导体结构的制作方法，特别是一种LED封装结构的制作方法。
背景技术
LED发展至今，由于其具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。传统的LED封装结构是通过注塑技术在已固定有LED芯片及导线的基座的凹杯里成型，以将封装材料覆盖在LED芯片表面。但由于封装材料本身的因素，在成型过程中该封装结构容易出现凹面或凸面的情况，此种凹面或凸面直接影响了LED的发光光场表现。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种不影响LED光场表现的LED封装结构的制作方法。
一种LED封装结构的制作方法，包括步骤：提供一承载座，该承载座包括基板以及第一电极和第二电极，该基板包括一凹杯，该基板还包括贯通该凹杯一侧的第一通道；设置一LED芯片于凹杯内并与第一电极和第二电极达成电性连接；覆盖一盖板于该承载座上，并与该凹杯形成一收容空间；及从第一通道往收容空间内注入流体材料并固化形成封装结构。
由于在生成封装结构前先以一盖板覆盖于承载座上，使承载座的凹杯与盖板之间形成一收容空间，则注塑过程中可注入足够多的流体材料以避免封装结构成型后可能出现凹面的情况。并且封装结构的形状得到盖板的限制，则避免了封装结构成型后可能出现的凸面情况。由于LED的出光面平整，不会影响芯片的出光光场。
附图说明
图1是本发明LED制作方法的第一步骤的剖视图。
图2是图1的LED制作方法的第一步骤的立体图。
图3是本发明LED制作方法的第二步骤的立体图。
图4是本发明LED制作方法的第三步骤的剖视图。
图5是图4的LED制作方法的第三步骤的立体图。
图6是本发明LED制作方法的第四步骤的立体图。
图7是利用本发明的方法制作成的LED的剖视图。
主要元件符号说明
10 基板
100 承载座
11 凹杯
12 反射层
13 第一通道
14 第二通道
21 第一电极
22 第二电极
23 基板的一部分
30 芯片
31 导线
40 盖板
50 封装结构
200 LED
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1-6，示出了本发明LED 200的制作方法，其主要包括如下各个步骤：
步骤一：如图1-2所示，提供一承载座100，该承载座100由一基板10、一第一电极21以及一第二电极22组成。该基板10由陶瓷、塑料或其他的绝缘材料制成，该第一电极21以及第二电极22由导电材料制成。基板10具有一定厚度，该第一电极21和第二电极22嵌套于基板10中并分别从基板10的左右两侧伸出以用作连接外部电源。该第一电极21与第二电极22由一基板的一部分23隔开以成为彼此绝缘的两部分。该基板10中部位置处可通过蚀刻等方式形成一凹杯11，该凹杯11的深度开至该第一电极21以及第二电极22的位置处，以从凹杯11中暴露出第一电极21、第二电极22以及基板的一部分23。凹杯11的内侧边缘上还涂有一层高反射率材料，以形成一反射层12。凹杯11的前后两侧还开有一第一通道13和一第二通道14，用于后续的注塑流程。该第一通道13和第二通道14分布在凹杯11的边缘上，并呈半圆形向下凹陷状。该第一通道13与第二通道14的凹陷深度等于或小于凹杯11的整体深度。该第一通道13与第二通道14在前后方向上对齐。
步骤二：如图3所示，设置一LED芯片30于第一电极21上，并通过导线31将芯片30电连接至该第一电极21及第二电极22。当第一电极21和第二电极22接上不同极性的电源时，LED芯片30对外发光，并由凹杯11内表面的反射层12反射使光线从凹杯11的开口向上射出。当然，该芯片30还可通过覆晶或共晶的方式与电极结合。
步骤三：如图4-5所示，设置一盖板40于承载座100上。该盖板40由折射率均匀的透明材料制成，例如玻璃，以不影响从凹杯11中射出的光线强度的材料为佳。该盖板40与该承载座100的上表面的大小相同，刚好覆盖承载座100的整个上表面，包括凹杯11的上部开口。盖板40具有一定硬度，该盖板10紧贴承载座100上方，除第一通道13和第二通道14外，凹杯11形成一收容空间。
步骤四：如图6所示，从第二通道14往凹杯11内注入流体材料。注塑过程中，凹杯11内原有的空气由第一通道13排出以使该流体材料填满凹杯11。当然，也可以从第一通道13注入流体材料，从第二通道14流出空气。当第一通道13和第二通道14足够大时，也可从第一通道13和第二通道14同时注入该流体材料。流体材料在冷却后固化成型为封装材料50。由于注入了足够多的流体材料使其完全填满凹杯11，于凹杯11中固化后成型的封装结构50完全填满凹杯11与盖板40之间的空隙。该封装结构50覆盖于该芯片30及导线31上。因为该注入了足够多的流体材料，所以固化后的封装结构50不会由于流体材料的注入量不够或者自身由液体固化成固体而使体积变小等因素使封装结构50具有凹面。又因为有盖板40的阻挡定位，该流体材料注入时不会由于过多而导致封装结构50产生凸面。由于该流体材料为透明材料，因此芯片30发出的光线可穿过封装结构50射出。并且，该透明材料的选材可使封装层50的折射率大于该盖板40的折射率。该封装结构50中可根据需要添加荧光粉。
如图7所示，为利用前述四个步骤制作成的LED200的剖视图。该LED200的上表面呈一平面状，则光线从芯片30发出后可穿过封装结构50和盖板40射出。
由于在生成封装结构50前先以一盖板40覆盖于承载座100上，使承载座100的凹杯11与盖板40之间形成一收容空间，则注塑过程中可注入足够多的流体材料以避免封装结构50成型后可能出现凹面的情况。并且封装结构50的形状得到盖板40的限制，则避免了封装结构50成型后可能出现的凸面情况。由于LED200的出光面平整，不会影响芯片30的出光光场。

Claims (10)

1.一种LED封装结构的制作方法，包括步骤：
提供一承载座，该承载座包括基板以及第一电极和第二电极，该基板包括一凹杯，该基板还包括贯通该凹杯一侧的第一通道；
设置一LED芯片于凹杯内并与第一电极和第二电极达成电性连接；
覆盖一盖板于该承载座上，并与该凹杯形成一收容空间；及
从第一通道往收容空间内注入流体材料并固化形成封装结构。
2.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该基板还包括贯通凹杯另一侧的第二通道。
3.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该第一电极和该第二电极嵌套在基板内，并通过基板隔开成为彼此绝缘的两部分。
4.如权利要求3所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该凹杯的深度开至该第一电极以及第二电极的位置处，并从凹杯中暴露出该第一电极和第二电极。
5.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该盖板为一透明盖板。
6.如权利要求2所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该流体材料从第一通道流入凹杯内，凹杯内的空气从该第二通道流出。
7.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该芯片通过覆晶或共晶的方式与该第一电极结合。
8.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该凹杯的内表面涂有一反射层。
9.如权利要求1所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该第一通道分布在凹杯的边缘上，并呈朝向第一电极和第二电极内凹的凹陷状。
10.如权利要求9所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于：该第一通道的凹陷深度等于或小于凹杯的深度。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105874600A (zh) * 2013-10-16 2016-08-17 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件和用于生产光电组件的方法
CN106206915A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 歌尔股份有限公司 一种光学芯片的集成结构及其制造方法
CN111128980A (zh) * 2019-12-04 2020-05-08 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 一种三维立体封装内部器件的散热处理方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6458671B2 (ja) * 2015-07-14 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN108511576A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN111052420A (zh) * 2017-08-30 2020-04-21 日本碍子株式会社 光学部件及透明密封部件
DE102018104382A1 (de) 2018-02-27 2019-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren
US10780997B1 (en) * 2018-07-09 2020-09-22 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Systems and methods for shock-resistant memory devices

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2386534Y (zh) * 1999-07-23 2000-07-05 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装装置
US20080169480A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Visera Technologies Company Limited Optoelectronic device package and packaging method thereof
CN101436637A (zh) * 2008-12-16 2009-05-20 王海军 一种高效散热发光的大功率led封装结构
CN101436638A (zh) * 2008-12-16 2009-05-20 王海军 大功率led封装结构
CN100589226C (zh) * 2004-04-15 2010-02-10 泽斯吸气剂公司 用于真空或者不活泼气体封装的led的集成的吸气剂

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2727204T3 (es) * 2006-12-21 2019-10-14 Continental Teves Ag & Co Ohg Módulo de encapsulación, método para su fabricación y su utilización
KR101762174B1 (ko) * 2011-03-25 2017-08-07 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2386534Y (zh) * 1999-07-23 2000-07-05 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装装置
CN100589226C (zh) * 2004-04-15 2010-02-10 泽斯吸气剂公司 用于真空或者不活泼气体封装的led的集成的吸气剂
US20080169480A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Visera Technologies Company Limited Optoelectronic device package and packaging method thereof
CN101436637A (zh) * 2008-12-16 2009-05-20 王海军 一种高效散热发光的大功率led封装结构
CN101436638A (zh) * 2008-12-16 2009-05-20 王海军 大功率led封装结构

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105874600A (zh) * 2013-10-16 2016-08-17 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件和用于生产光电组件的方法
CN106206915A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 歌尔股份有限公司 一种光学芯片的集成结构及其制造方法
CN111128980A (zh) * 2019-12-04 2020-05-08 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 一种三维立体封装内部器件的散热处理方法

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