CN102951854A - 一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于公开一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺，它包括玻璃基板，在所述玻璃基板外侧依次设置有第一复合电介质层、第一银层、第一保护层、第二复合电介质层、第二银层、第二保护层和电介质层；与现有技术相比，在现有的中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃的基础上，改进了中间层的膜层结构，使得产品可以进行钢化处理，从而实现了可异地加工，实现本发明的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜玻璃及其制造工艺，特别涉及一种适用于异地加工的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺。
背景技术
在现有产品中，现有的中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃中的底层和中间层无法对银层起到有效地保护作用，使得现有的中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃无法进行钢化处理，不能实现异地加工。
因此，特别需要一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺，以解决上述现有存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺，针对现有技术的不足，在含有铜合金层的双银复合结构低辐射镀膜玻璃基础上进行改进，能够有效的保护银层，使得新产品可以进行钢化处理，从而实现了可异地加工。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一方面，本发明提供一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，它包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板外侧依次设置有第一复合电介质层、第一银层、第一保护层、第二复合电介质层、第二银层、第二保护层和电介质层。
在本发明的一个实施例中，在所述第一复合电介质层和第二复合电介质层之间还设置有一铜合金层。
进一步，所述铜合金层为CuAlNx，所述铜合金层的厚度为2-10nm。
在本发明的一个实施例中，所述第一复合电介质层为在SiNx层上再镀ZnSnOx层的复合层，所述第一复合电介质层的厚度为30nm-80nm。
在本发明的一个实施例中，所述第一银层和第二银层为Ag，所述第一银层和第二银层的厚度分别为5nm-15nm。
在本发明的一个实施例中，所述第一保护层和第二保护层为NiCr，所述第一保护层和第二保护层的厚度分别为0nm-14nm。
在本发明的一个实施例中，所述第二复合电介质层为在ZnSnOx层上再依次镀SiNx层和ZnSnOx层的复合层，所述第二复合电介质层的厚度为50nm-150nm。
在本发明的一个实施例中，所述电介质层为Si3N4，所述电介质层的厚度为35nm-50nm。
另一方面，本发明提供一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃的制造工艺，其特征在于，它采用真空磁控溅射镀膜工艺在玻璃基板上依次镀膜层：
第一复合电介质层通过交流阴极的硅靶在氩氮氛围中溅射，在氮化硅膜层上由交流阴极锌锡合金靶在氧氩氛围中溅射镀制；
铜合金层通过使用铜铝靶材在氮气的氛围中溅射；
第一银层和第二银层通过直流平靶在氩气氛围中溅射；
第一保护层和第二保护层通过直流平靶在氩气氛围中溅射镍铬合金；
第二复合电介质层通过交流阴极的锌锡合金靶、硅铝合金靶和锌锡合金靶镀制，锌锡合金靶在氧氩氛围中溅射，硅铝合金靶在氮氩氛围中溅射；
电介质层通过交流阴极的硅铝合金靶在氮氩氛围中溅射。
在本发明的一个实施例中，在所述第一保护层和第二保护层中，Ni：Cr=80：20。
本发明的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺，与现有技术相比，在现有的中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃的基础上，改进了中间层的膜层结构，使得产品可以进行钢化处理，从而实现了可异地加工，实现本发明的目的。
本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
附图说明
图1为本发明的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
如图1所示，本发明的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，它包括玻璃基板，在所述玻璃基板100外侧依次设置有第一复合电介质层200、第一银层300、第一保护层400、第二复合电介质层500、第二银层600、第二保护层700和电介质层800。
在本发明中，在所述第一复合电介质层200和第二复合电介质层500之间还设置有一铜合金层900；所述铜合金层900为CuAlNx，所述铜合金层900的厚度为2-10nm。所述第一复合电介质层200为在SiNx层上再镀ZnSnOx层的复合层，所述第一复合电介质层200的厚度为30nm-80nm。所述第一银层300和第二银层600为Ag，所述第一银层300和第二银层600的厚度分别为5nm-15nm。所述第一保护层400和第二保护层700为NiCr，所述第一保护层400和第二保护层700的厚度分别为0nm-14nm。所述第二复合电介质层500为在ZnSnOx层上再依次镀SiNx层和ZnSnOx层的复合层，所述第二复合电介质层500的厚度为50nm-150nm。所述电介质层800为Si3N4，所述电介质层800的厚度为35nm-50nm。
另一方面，本发明的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃的制造工艺，它采用真空磁控溅射镀膜工艺在玻璃基板上依次镀膜层：
第一复合电介质层通过交流阴极的硅靶在氩氮氛围中溅射，在氮化硅膜层上由交流阴极锌锡合金靶在氧氩氛围中溅射镀制；
铜合金层通过使用铜铝靶材在氮气的氛围中溅射；
第一银层和第二银层通过直流平靶在氩气氛围中溅射；
第一保护层和第二保护层通过直流平靶在氩气氛围中溅射镍铬合金；
第二复合电介质层通过交流阴极的锌锡合金靶、硅铝合金靶和锌锡合金靶镀制，锌锡合金靶在氧氩氛围中溅射，硅铝合金靶在氮氩氛围中溅射；
电介质层通过交流阴极的硅铝合金靶在氮氩氛围中溅射。
在本发明中，在所述第一保护层和第二保护层中，Ni：Cr=80：20。
本发明的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃用平板玻璃双端连续式镀膜机进行生产，其中一种优选的工艺方案，使用6个交流双靶，6个直流单靶，共12个靶位进行生产，制出本发明的中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其工艺参数和靶的位置列表如下：
表1中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃靶位分布及工艺参数
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，
本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺，其特征在于，它包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板外侧依次设置有第一复合电介质层、第一银层、第一保护层、第二复合电介质层、第二银层、第二保护层和电介质层。
2.如权利要求1所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，在所述第一复合电介质层和第二复合电介质层之间还设置有一铜合金层。
3.如权利要求2所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述铜合金层为CuAlNx，所述铜合金层的厚度为2-10nm。
4.如权利要求1所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一复合电介质层为在SiNx层上再镀ZnSnOx层的复合层，所述第一复合电介质层的厚度为30nm-80nm。
5.如权利要求1所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一银层和第二银层为Ag，所述第一银层和第二银层的厚度分别为5nm-15nm。
6.如权利要求1所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层为NiCr，所述第一保护层和第二保护层的厚度分别为0nm-14nm。
7.如权利要求1所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第二复合电介质层为在ZnSnOx层上再依次镀SiNx层和ZnSnOx层的复合层，所述第二复合电介质层的厚度为50nm-150nm。
8.如权利要求1所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述电介质层为Si3N4，所述电介质层的厚度为35nm-50nm。
9.一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃的制造工艺，其特征在于，它采用真空磁控溅射镀膜工艺在玻璃基板上依次镀膜层：
第一复合电介质层通过交流阴极的硅靶在氩氮氛围中溅射，在氮化硅膜层上由交流阴极锌锡合金靶在氧氩氛围中溅射镀制；
铜合金层通过使用铜铝靶材在氮气的氛围中溅射；
第一银层和第二银层通过直流平靶在氩气氛围中溅射；
第一保护层和第二保护层通过直流平靶在氩气氛围中溅射镍铬合金；
第二复合电介质层通过交流阴极的锌锡合金靶、硅铝合金靶和锌锡合金靶镀制，锌锡合金靶在氧氩氛围中溅射，硅铝合金靶在氮氩氛围中溅射；
电介质层通过交流阴极的硅铝合金靶在氮氩氛围中溅射。
10.如权利要求9所述的中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃的制造工艺，其特征在于，在所述第一保护层和第二保护层中，Ni：Cr=80：20。
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